基本信息

毕冲  男  硕/博士生导师  中国科学院微电子研究所
电子邮件: bichong@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

简介:主要从事新型存储和量子计算器件研究,专注于新材料、新物理在未来信息领域的应用,包括目前接近成熟的磁存储技术MRAM在传统存储器领域以及新兴的人工智能、感存算一体等相关领域的应用。目前已发表论文50余篇,包括Physical Review letterNature ElectronicsIEEE Electron Device Letters等物理、电子类顶级期刊;发表SOT-MRAM专著(章节)一部;申请专利10余项,授权国际专利2项。


研究领域

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
磁性存储器,自旋电子器件,半导体量子计算器件

教育背景

2002-09--2012-06   北京科技大学   本科/博士学位

工作经历

   
工作简历
2019-03~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2014-02~2019-01,亚利桑那大学、斯坦福大学, 博士后、研究顾问

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 数据传输装置及方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112035390A

( 2 ) 磁场传感器及测试方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111929625A

( 3 ) 缓存器件及制作方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111863060A

( 4 ) Method for controlling magnetic multi-domain state, 发明专利, 2017, 专利号: US9779836(B2)

( 5 ) METHOD FOR CONTROLLING MAGNETIC MULTI-DOMAIN STATE, 发明专利, 2017, 专利号: US20170092374(A1)

( 6 ) 一种对磁多畴态进行调控的方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103824588A

出版信息

   
发表论文
(1) Large and robust charge-to-spin conversion in sputtered conductive WTex with disorder, MATTER, 2021, 第 8 作者
(2) Tunable spin-orbit torque efficiency in in-plane and perpendicular magnetized Pt/Co(n) multilayer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021, 第 4 作者
(3) Topological Hall Effect in a Topological Insulator Interfaced with a Magnetic Insulator, NANO LETTERS, 2021, 第 8 作者
(4) Memory materials and devices: From concept to application, INFOMAT, 2020, 第 4 作者
(5) Bulk-Like Electrical Properties Induced by Contact-Limited Charge Transport in Organic Diodes: Revised Space Charge Limited Current, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 第 6 作者
(6) Electric field modified Arrhenius description of charge transport in amorphous oxide semiconductor thin film transistors, PHYSICAL REVIEW B, 2018, 第 9 作者
(7) Two-terminal spin-orbit torque magnetoresistive random access memory, NATURE ELECTRONICS, 2018, 第 4 作者
(8) Anomalous spin-orbit torque switching in synthetic antiferromagnets, PHYSICAL REVIEW B, 2017, 通讯作者
(9) Metal Based Nonvolatile Field-Effect Transistors, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2016, 通讯作者
(10) Reversal-mechanism of perpendicular switching induced by an in-plane current, JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2015, 通讯作者
(11) Thermoelectric Seebeck effect in oxide-based resistive switching memory, Nature Communications, 2014, 
(12) Reversible Control of Co Magnetism by Voltage-Induced Oxidation, PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2014, 通讯作者
(13) Thermally assisted magnetic switching of a single perpendicularly magnetized layer induced by an in-plane current, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 1 作者
(14) Direct Observation of Conversion Between Threshold Switching and Memory Switching Induced by Conductive Filament Morphology, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2014, 第 6 作者
(15) Electrical control of metallic heavy-metal/ferromagnet interfacial states, 
发表著作
(1) Spin-orbit torque magnetoresistive random-access memory (SOT-MRAM), Woodhead Publishing, 2019-01, 第 1 作者

科研活动