基本信息

魏学成 男 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件: xcwei@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码:
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招生信息
招生专业
080501-材料物理与化学
招生方向
金刚石单晶制备技术,紫外LED研究,材料测试表征
教育背景
2007-09--中国科学院半导体研究所 博士学位
工作经历
工作简历
2007-06~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
专利与奖励
专利成果
( 1 ) 紫外LED模组封装结构及封装方法, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN115579444A( 2 ) 紫外LED模组, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN202210199434.3( 3 ) 紫外LED模组, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114650634A( 4 ) p型GaN欧姆接触的制备方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN202210061899.2( 5 ) p型GaN欧姆接触的制备方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114420559A( 6 ) LED的制备方法及LED外延片, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114284403A( 7 ) 基于钙钛矿量子点荧光粉的激光照明系统, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113175629A( 8 ) 载气辅助PVT法制备宽禁带半导体单晶材料的装置及方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109825875A( 9 ) 基于物理气相传输法的温度场控制装置及温控方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109666970A( 10 ) 基于类金字塔型的显指可调的单芯片白光LED及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109841712A( 11 ) 基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109841711A( 12 ) 基于类金字塔型双波长结构的单芯片白光LED及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109904292A( 13 ) 基于Si衬底的N极性面富In组分氮化物材料生长方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109599462A( 14 ) 提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109638118A( 15 ) 透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109461644A( 16 ) 显指可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108389941A( 17 ) 基于人体识别深紫外LED杀菌消毒系统, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110269950A( 18 ) 芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法, 专利授权, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN107256911A( 19 ) 一种杀菌消毒的装置, 实用新型, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106517410A( 20 ) 一种杀菌消毒的装置, 发明专利, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN206337054U( 21 ) 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106441485A( 22 ) 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表, 实用新型, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN206440330U( 23 ) 一种测量LED内量子效率的方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103808497A( 24 ) 一种控制半导体LED外延片内应力的装置, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103779453A( 25 ) 一种测量LED内量子效率的方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103645033A( 26 ) 一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103528802A( 27 ) 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103529310A( 28 ) 表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103325900A( 29 ) 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103325901A( 30 ) 垂直阵列纳米柱LED的制备方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103280500A( 31 ) 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102623606A( 32 ) 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102610715A( 33 ) 纳米氮化镓发光二极管的制作方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102623590A( 34 ) 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102623588A( 35 ) 大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102610716A( 36 ) 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102185056A( 37 ) 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法, 发明专利, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN101969088A( 38 ) 一种增强LED出光效率的粗化方法, 发明专利, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN101976712A( 39 ) 闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法, 发明专利, 2007, 第 4 作者, 专利号: CN1978713A
出版信息
发表论文
(1) Research on Evolution of Relevant Defects in Heavily Mg-Doped GaN by H Ion Implantation Followed by Thermal Annealing, Materials, 2024, 第 5 作者 通讯作者(2) Realization of Highly Efficient InGaN Green Light-Emitting Diodes with Laser-Annealed Multiple-Quantum Well Structures: Formation of Quantum Dot Structures, ACS Applied Optical Materials, 2023, 第 3 作者 通讯作者(3) 平衡电荷注入实现效率超过21%的量子点发光二极管, Balancing charge injection in quantum dot light-emitting diodes to achieve high efficienciy of over 21%, 中国科学材料科学英文版, 2022, 第 5 作者(4) Effects of 532nm laser-assisted annealing on metal contact to p-GaN, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2022, 第 2 作者(5) Perovskite Quantum Dots with Ultralow Trap Density by Acid Etching-Driven Ligand Exchange for High Luminance and Stable Pure-Blue Light-Emitting Diodes, ADVANCEDMATERIALS, 2021, 第 4 作者(6) The Optical Properties of InGaN/GaN Nanorods Fabricated on (-201) beta-Ga2O3 Substrate for Vertical Light Emitting Diodes, PHOTONICS, 2021, 第 4 作者(7) The Optical Properties of Dual-Wavelength InxGa1���xN/GaN Nanorods for Wide-Spectrum Light-Emitting Diodes, JOURNAL OF ELECTRONIC PACKAGING, 2020, 第 2 作者(8) Deep ultraviolet light-emitting diodes based on a well-ordered AlGaN nanorod array, PHOTONICS RESEARCH, 2019, 第 8 作者(9) Exfoliation of AIN film using two-dimensional multilayer hexagonal BN for deep-ultraviolet light-emitting diodes, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019, 第 7 作者(10) Deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance via nanoporous AlGaN template, OPTICS EXPRESS, 2019, (11) Exfoliation of AlN film using two-dimensional multilayer hexagonal BN for deep-ultraviolet light-emitting diodes, Applied Physics Express, 2019, 第 1 作者(12) Phosphor-Free Three-Dimensional Hybrid White LED With High Color-Rendering Index, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2019, 第 5 作者(13) Study of the morphology evolution of AlN grown on nanopatterned sapphire substrate, Study of the morphology evolution of AlN grown on nanopatterned sapphire substrate, 半导体学报:英文版, 2019, 第 6 作者(14) Deep ultraviolet light-emitting diodes based on a well-ordered AlGaN nanorod array, Deep ultraviolet light-emitting diodes based on a well-ordered AlGaN nanorod array, 光子学研究:英文版, 2019, 第 8 作者(15) Improved crystalline quality of Al-rich n-AlGaN by regrowth on nanoporous template fabricated by electrochemical etching, JOURNAL OF NANOPHOTONICS, 2018, 第 9 作者(16) Multicolored-light emission from InGaN/GaN multiple quantum wells grown by selective-area epitaxy on patterned Si(100) substrates, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2018, 第 7 作者(17) Investigation of pattern-orientation on stress in GaN grown on Si (111) substrate in lateral confinement epitaxy, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 第 5 作者 通讯作者(18) 电纺丝方法制备GaN:Eu^2+纳米纤维与发光特性, Preparation and characterization of Eu^2���-doped GaN luminescent nanofibers by electrospinning method, 红外与毫米波学报, 2017, 第 2 作者(19) 电纺丝方法制备GaN:Eu^2+纳米纤维与发光特性, Preparation and characterization of Eu^2���-doped GaN luminescent nanofibers by electrospinning method, 红外与毫米波学报, 2017, 第 2 作者(20) Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition, CRYSTENGCOMM, 2017, 第 8 作者(21) 六方氮化硼成核层减小MOCVD外延生长氮化铝薄膜的应力及裂纹(英文), Suppression of Stress and Cracks in the Epitaxy of AIN by MOCVD Through a Hexagonal BN Nucleation Layer, 光子学报, 2017, 第 8 作者(22) Suppression of Stress and Cracks in the Epitaxy of AIN by MOCVD Through a Hexagonal BN Nucleation Layer, ACTA PHOTONICA SINICA, 2017, 第 8 作者(23) GaN-based violet lasers grown on sapphire with a novel facet fabrication method, Solid state lighting (sslchina), 2015 12th china international forum, 2016, 第 6 作者(24) Recombination Dynamics of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells With Different Well Thickness, MRS Advances, 2016, (25) Stimulated emission at 288 nm from silicon-doped AlGaN-based multiple-quantum-well laser, OPTICS EXPRESS, 2015, 第 10 作者(26) 能带调控提高GaN/InGaN多量子阱蓝光LED效率研究, 中国科学: 物理学 力学 天文学, 2015, 第 2 作者(27) Optimization of the nanopore depth to improve the electroluminescence for GaN-based nanoporous green LEDs, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2015, 第 4 作者(28) Surface plasmon-enhanced nanoporous GaN-based green light-emitting diodes with Al2O3 passivation layer., OPTICS EXPRESS, 2014, 第 3 作者(29) Characterization of nitride-based LED materials and devices using TOF-SIMS, SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2014, 第 1 作者 通讯作者(30) Optical properties of nanopillar AlGaN/GaN MQWs for ultraviolet light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 7 作者(31) Design strategies for enhancing carrier localization in InGaN-based light-emitting diodes, JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2014, 第 3 作者(32) Defect reduction in semipolar {10(1)over-bar(3)over-bar} GaN grown on m-sapphire via two-step nanoepitaxial lateral overgrowth, CRYSTENGCOMM, 2014, 第 6 作者(33) Fabrication and optical characteristics of phosphor-free InGaN nanopyramid white light emitting diodes by nanospherical-lens photolithography, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 5 作者(34) The role played by strain on phase separation in InGaN quantum wells, SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2014, 第 3 作者(35) Efficiency improvement by polarization-reversed electron blocking structure in GaN-based light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 5 作者(36) Investigation of Efficiency and Droop Behavior Comparison for InGaN/GaN Super Wide-Well Light Emitting Diodes Grown on Different Substrates, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2014, 第 8 作者(37) Phosphor-free nanopyramid white light-emitting diodes grown on {10(1)over-bar1} planes using nanospherical-lens photolithography, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 4 作者(38) Modification of Carrier Distribution in Dual-Wavelength Light-Emitting Diodes by Specified Mg Doped Barrier, ECS SOLID STATE LETTERS, 2013, 第 5 作者(39) Anomalous temperature dependence of photoluminescence in self-assembled InGaN quantum dots, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 4 作者(40) Influence of growth conditions on the V-defects in InGaN/GaN MQWs, Influence of growth conditions on the V-defects in InGaN/GaN MQWs, 半导体学报, 2011, 第 3 作者(41) Enhancement of exciton-phonon interaction in ingan quantum wells induced by electron-beam irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 4 作者(42) Investigation of native defects and property of bulk zno single crystal grown by a closed chemical vapor transport method, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2008, 第 1 作者 通讯作者(43) Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method, SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, 2008, 第 5 作者(44) 物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征, Physical Vapor Transport Growth and Characterization of Large Bulk AIN Crystal, 半导体学报, 2007, 第 3 作者(45) 化学气相传输法大尺寸ZnO单晶生长模式控制, Growth Mode Control of Large Size ZnO Single Crystal Growth Through Chemical Vapor Transport, 半导体学报, 2007, 第 3 作者(46) 气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制, Control of Vapor Transport Process of Large Size ZnO Single Crystal Growth, 半导体学报, 2007, 第 1 作者(47) ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响, 半导体学报, 2006, 第 1 作者(48) 升华法生长AlN体单晶初探, Study of Sublimation Crystal Growth of Bulk AlN, 半导体学报, 2006, 第 1 作者(49) 化学气相传输法生长ZnO单晶, Growth of ZnO Single Crystal by Chemical Vapor Transport Method, 半导体学报, 2006, 第 3 作者(50) 化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究, Single Crystal Growth and Property of ZnO by Chemical Vapor Transport Method, 人工晶体学报, 2006, 第 3 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) AlGaN 基深紫外LED 中光提取效率提升新结构和新途径研究, 负责人, 国家任务, 2023-11--2026-10( 2 ) 紫外光电子谱分析仪研制与应用, 负责人, 国家任务, 2022-11--2026-10( 3 ) 在设施农业中紫外LED 应用模组和系统技术应用, 负责人, 国家任务, 2020-11--2022-10( 4 ) 基于微纳结构材料的单芯片全光谱LED技术研究, 负责人, 国家任务, 2018-05--2021-04( 5 ) 基于飞秒激光的高Al组分氮化物薄膜和量子结构的新型光学表征方法研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2020-12( 6 ) 材料生长, 负责人, 国家任务, 2016-07--2020-06( 7 ) 高铝组分氮化物材料外延及原位监测集成化设备研制, 参与, 国家任务, 2016-01--2020-12