基本信息
魏学成  男  硕导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: xcwei@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
招生方向
AlN单晶制备技术,紫外LED应用研究,材料测试表征

教育背景

2007-09--中国科学院半导体研究所   博士学位

工作经历

   
工作简历
2007-09~现在, 中国科学院半导体研究所, 博士学位
2007-06~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 基于钙钛矿量子点荧光粉的激光照明系统, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113175629A

( 2 ) 基于人体识别深紫外LED杀菌消毒系统, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110269950A

( 3 ) 芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN107256911B

( 4 ) 基于类金字塔型双波长结构的单芯片白光LED及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109904292A

( 5 ) 基于类金字塔型的显指可调的单芯片白光LED及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109841712A

( 6 ) 基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109841711A

( 7 ) 载气辅助PVT法制备宽禁带半导体单晶材料的装置及方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109825875A

( 8 ) 基于物理气相传输法的温度场控制装置及温控方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109666970A

( 9 ) 提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109638118A

( 10 ) 基于Si衬底的N极性面富In组分氮化物材料生长方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109599462A

( 11 ) 透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109461644A

( 12 ) 显指可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108389941A

( 13 ) 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN206440330U

( 14 ) 一种杀菌消毒的装置, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN206337054U

( 15 ) 一种杀菌消毒的装置, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106517410A

( 16 ) 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106441485A

( 17 ) 一种测量LED内量子效率的方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103808497A

( 18 ) 一种控制半导体LED外延片内应力的装置, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103779453A

( 19 ) 一种测量LED内量子效率的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103645033A

( 20 ) 一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103528802A

( 21 ) 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103529310A

( 22 ) 表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103325900A

( 23 ) 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103325901A

( 24 ) 垂直阵列纳米柱LED的制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103280500A

( 25 ) 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102623606A

( 26 ) 纳米氮化镓发光二极管的制作方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102623590A

( 27 ) 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102623588A

( 28 ) 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102610715A

( 29 ) 大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102610716A

( 30 ) 一种增强LED出光效率的粗化方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN101976712A

( 31 ) 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN101969088A

( 32 ) 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102185056A

( 33 ) 闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法, 2009, 第 4 作者, 专利号: CN100451180

出版信息

   
发表论文
(1) Perovskite Quantum Dots with Ultralow Trap Density by Acid Etching-Driven Ligand Exchange for High Luminance and Stable Pure-Blue Light-Emitting Diodes, ADVANCED MATERIALS, 2021, 第 4 作者
(2) The Optical Properties of InGaN/GaN Nanorods Fabricated on (-201) beta-Ga2O3 Substrate for Vertical Light Emitting Diodes, PHOTONICS, 2021, 第 4 作者
(3) The Optical Properties of Dual-Wavelength InxGa1-xN/GaN Nanorods for Wide-Spectrum Light-Emitting Diodes, JOURNAL OF ELECTRONIC PACKAGING, 2020, 第 2 作者
(4) Deep ultraviolet light-emitting diodes based on a well-ordered AlGaN nanorod array, PHOTONICS RESEARCH, 2019, 第 8 作者
(5) Exfoliation of AIN film using two-dimensional multilayer hexagonal BN for deep-ultraviolet light-emitting diodes, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019, 第 7 作者
(6) Deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance via nanoporous AlGaN template, OPTICS EXPRESS, 2019, 
(7) Exfoliation of AlN film using two-dimensional multilayer hexagonal BN for deep-ultraviolet light-emitting diodes, Applied Physics Express, 2019, 第 1 作者
(8) Phosphor-Free Three-Dimensional Hybrid White LED With High Color-Rendering Index, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2019, 第 5 作者
(9) Study of the morphology evolution of AlN grown on nanopatterned sapphire substrate, Study of the morphology evolution of AlN grown on nanopatterned sapphire substrate, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2019, 第 6 作者
(10) Deep ultraviolet light-emitting diodes based on a well-ordered AlGaN nanorod array, Deep ultraviolet light-emitting diodes based on a well-ordered AlGaN nanorod array, 光子学研究:英文版, 2019, 第 8 作者
(11) Improved crystalline quality of Al-rich n-AlGaN by regrowth on nanoporous template fabricated by electrochemical etching, JOURNAL OF NANOPHOTONICS, 2018, 第 9 作者
(12) Investigation of pattern-orientation on stress in GaN grown on Si (111) substrate in lateral confinement epitaxy, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 通讯作者
(13) 电纺丝方法制备GaN:Eu^2+纳米纤维与发光特性, Preparation and characterization of Eu^2+-doped GaN luminescent nanofibers by electrospinning method, 红外与毫米波学报, 2017, 第 2 作者
(14) 电纺丝方法制备GaN:Eu^2+纳米纤维与发光特性, Preparation and characterization of Eu^2+-doped GaN luminescent nanofibers by electrospinning method, 红外与毫米波学报, 2017, 第 2 作者
(15) 六方氮化硼成核层减小MOCVD外延生长氮化铝薄膜的应力及裂纹(英文), Suppression of Stress and Cracks in the Epitaxy of AIN by MOCVD Through a Hexagonal BN Nucleation Layer, 光子学报, 2017, 
(16) Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition, CRYSTENGCOMM, 2017, 第 8 作者
(17) Recombination Dynamics of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells With Different Well Thickness, MRS Advances, 2016, 
(18) 能带调控提高GaN/InGaN多量子阱蓝光LED效率研究, 中国科学: 物理学 力学 天文学, 2015, 第 2 作者
(19) Fabrication and optical characteristics of phosphor-free InGaN nanopyramid white light emitting diodes by nanospherical-lens photolithography, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 5 作者
(20) Phosphor-free nanopyramid white light-emitting diodes grown on {10(1)over-bar1} planes using nanospherical-lens photolithography, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 4 作者
(21) 物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征, Physical Vapor Transport Growth and Characterization of Large Bulk AIN Crystal, 半导体学报, 2007, 第 3 作者
(22) 化学气相传输法大尺寸ZnO单晶生长模式控制, Growth Mode Control of Large Size ZnO Single Crystal Growth Through Chemical Vapor Transport, 半导体学报, 2007, 第 3 作者
(23) 气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制, Control of Vapor Transport Process of Large Size ZnO Single Crystal Growth, 半导体学报, 2007, 第 1 作者
(24) ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
(25) 升华法生长AlN体单晶初探, Study of Sublimation Crystal Growth of Bulk AlN, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
(26) 化学气相传输法生长ZnO单晶, Growth of ZnO Single Crystal by Chemical Vapor Transport Method, 半导体学报, 2006, 第 3 作者
(27) 化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究, Single Crystal Growth and Property of ZnO by Chemical Vapor Transport Method, 人工晶体学报, 2006, 第 3 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 基于微纳结构材料的单芯片全光谱LED技术研究, 负责人, 国家任务, 2018-05--2021-04
( 2 ) 材料生长, 负责人, 国家任务, 2016-07--2020-06
( 3 ) 基于飞秒激光的高Al组分氮化物薄膜和量子结构的新型光学表征方法研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2020-12
( 4 ) 高铝组分氮化物材料外延及原位监测集成化设备研制, 参与, 国家任务, 2016-01--2020-12
( 5 ) 在设施农业中紫外LED 应用模组和系统技术应用, 负责人, 国家任务, 2020-11--2022-10