基本信息
刘璟  男  硕导  中国科学院微电子研究所
email: liujing@ime.ac.cn
address: 北京市朝阳区北土城西路3号
postalCode:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
存储器电路设计
存储器可靠性

教育背景

2013-09--2019-01   中国科学院微电子研究所   工学博士
2007-09--2010-07   中国科学院微电子研究所   工学硕士
2003-09--2007-07   西安电子科技大学   理学学士

工作经历

   
工作简历
2013-09~2019-01,中国科学院微电子研究所, 工学博士
2010-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 助理研究员、高级工程师
2007-09~2010-07,中国科学院微电子研究所, 工学硕士
2003-09~2007-07,西安电子科技大学, 理学学士

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 中国科学院杰出科技成就奖, , 部委级, 2018
专利成果
( 1 ) 一种存储单元、三值内容寻址存储器以及电子设备, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN112885392A

( 2 ) 用于3D打印机喷头的温控电路的参数获取方法及装置, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112519229A

( 3 ) 现场可编程门阵列多版本配置芯片、系统和方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN107704285B

( 4 ) 一种带有辅助计算功能的NAND存储器, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111679788A

( 5 ) 现场可编程逻辑门阵列的配置系统和方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111680000A

( 6 ) 存储器测试电路、测试系统及测试方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111667877A

( 7 ) 一种灵敏放大器、存储器读取方法及存储器和电子设备, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111653300A

( 8 ) 预取数据的方法及装置, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111651120A

( 9 ) 一种双通道数据传输装置及系统, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111651385A

( 10 ) 存储器及其读出电路, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111653303A

( 11 ) 获取存储器中目标数据的方法、装置和电路, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111651119A

( 12 ) 灵敏放大器以及存储器, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111653299A

( 13 ) 存储器及其限流保护电路, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111653304A

( 14 ) 存储器系统、控制方法和控制装置, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111651118A

( 15 ) 一种非易失性存储器的读取方法、装置及系统, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111625200A

( 16 ) 一种字线译码电路、字线选通方法及存储器和电子设备, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111627481A

( 17 ) 数据编码、解码方法及数据处理系统, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111628780A

( 18 ) 差错控制编码ECC系统及包括ECC系统的存储器设备, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111597072A

( 19 ) 一种用于非易失性存储器的操作方法、装置及存储介质, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111583983A

( 20 ) 阻变存储器, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN210606643U

( 21 ) 实现双方向并行数据读取的非挥发存储阵列, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111028876A

( 22 ) 存内计算电路, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111028875A

( 23 ) 基于电阻分压读取的阻变型存储单元, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110956993A

( 24 ) 存储器及电子设备, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN209980790U

( 25 ) 一种柔性温度压力传感器, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN106895924B

( 26 ) 芯片测试方法、装置及电子设备, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110441667A

( 27 ) 存储器及数据处理方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110444238A

( 28 ) 一种存储器, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110349617A

( 29 ) 对FPGA配置数据进行升级的电路及方法, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN108319465A

( 30 ) 一种新型带隙基准电路结构, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107066006B

( 31 ) 现场可编程门阵列多版本配置的芯片及系统, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN207264382U

( 32 ) 一种利用多芯片封装技术实现的温度采集模块, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106898585A

( 33 ) 一种对可编程逻辑器件进行配置或更新的装置和方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106445544A

( 34 ) 用于初始化阻变存储器的电路及阻变存储器, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106297877A

( 35 ) 阻变存储器的阻态读取电路及阻变存储器, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN106251895A

( 36 ) 一种控制器, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105843700A

( 37 ) 一种应用于三维存储领域的低压带隙基准产生电路, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN104133519A

( 38 ) 一种面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN104049671A

( 39 ) 一种多位非挥发存储单元及阵列的编程方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103165188A

( 40 ) 多位半导体存储器的编程方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103366811A

( 41 ) 一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103296029A

( 42 ) 双栅电荷俘获存储器及其制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103247669A

( 43 ) 一种闪存存储器及其制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103165612A

( 44 ) 一种平面浮栅闪存器件及其制备方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103137626A

( 45 ) 一种纳米晶存储器及其制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103094355A

( 46 ) 电荷俘获型非挥发存储器及其制备方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN102983138A

( 47 ) 一种对多位半导体存储器进行编程的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102969022A

( 48 ) 复合存储单元和存储器, 2012, 第 9 作者, 专利号: CN102651233A

( 49 ) 分裂栅存储器及其制造方法, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102810560A

( 50 ) 一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102800632A

( 51 ) 一种电荷俘获非挥发存储器及其制造方法, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102800675A

( 52 ) 多功能存储单元、阵列及其制造方法, 2012, 第 9 作者, 专利号: CN102779550A

( 53 ) 阻变存储器及其制造方法, 2012, 第 16 作者, 专利号: CN102708919A

( 54 ) 电荷俘获型栅堆栈及存储单元, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102655167A

( 55 ) 非挥发性存储单元及存储器, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102610748A

( 56 ) 纳米晶浮栅存储器及其制备方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102610653A

( 57 ) 一种非挥发性存储器件的编程方法, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102610277A

( 58 ) 非挥发性电阻转变存储器及其制备方法, 2012, 第 14 作者, 专利号: CN102487122A

( 59 ) 具有高变比能力的电阻转变存储器结构及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102479925A

( 60 ) 一种垂直型NROM存储结构及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102479823A

( 61 ) 一种半导体存储单元、器件及其制备方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102468342A

( 62 ) 一种电荷俘获型非易失存储器及其制作方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102117810A

( 63 ) 一种电荷俘获型非易失存储器及其制作方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102117838A

( 64 ) 浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101807521A

( 65 ) 一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101814430A

( 66 ) 纳米晶浮栅非易失存储器及其制作方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101807576A

出版信息

   
发表论文
(1) Back-End-of-Line-Based Resistive RAM in 0.13 mu m Partially-Depleted Silicon-on-Insulator Process for Highly Reliable Irradiation-Resistant Application, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 第 2 作者
(2) Efficient and Robust Nonvolatile Computing-In-Memory based on Voltage Division in 2T2R RRAM with Input-Dependent Sensing Control, IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2021, 第 6 作者
(3) A 14 nm 100Kb 2T2R transpose RRAM with >150X resistance ratio enhancement and 27.95% reduction on energy-latency product using low-power near threshold read operation and fast data-line current stabling scheme, IEEE Symposium on VLSI Technology, 2021, 第 5 作者
(4) Total ionizing dose effects on graphene-based charge-trapping memory, Science China Information Sciences,, 2019, 第 5 作者
(5) 65 nm闪存芯片擦除时间退化的优化设计, Optimization of Erase Time Degradation in 65nm NOR Flash Memory Chips, 电子科技大学学报, 2019, 第 1 作者
(6) Total ionizing dose effects on graphene-based charge-trapping memory, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2019, 第 5 作者
(7) 40x Retention Improvement by Eliminating Resistance Relaxation with High Temperature Forming in 28 nm RRAM Chip, 2018 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2018, 第 8 作者
(8) Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory, Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory, 中国物理B:英文版, 2018, 第 1 作者
(9) The Impact of RTN Signal on Array Level Resistance Fluctuation of Resistive Random Access Memory, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 第 2 作者
(10) Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 1 作者
(11) 面向高可靠应用的非易失存储器技术研究, 2018, 第 1 作者
(12) Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge Trapping Memory in Pulse and DC Modes, Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge Trapping Memory in Pulse and DC Modes, 中国物理快报:英文版, 2018, 第 7 作者
(13) Pulsed-Laser Testing for Single Event Effects in a Stand-Alone Resistive Random Access Memory, IPFA, 2017, 第 3 作者
(14) BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond, Electron Devices Meeting (IEDM) 2017 IEEE International, 2017, 第 5 作者
(15) 基于SMIC-28 nm低功耗高精度带隙基准的研究, A Low-Power and High-Percision Bandgap Reference Voltage Based on SMIC-28nm Process, 微电子学与计算机, 2017, 第 4 作者
(16) 8-layers 3D Vertical RRAM with Excellent Scalability towards Storage Class Memory Applications, Electron Devices Meeting(IEDM)2017 IEEE International, 2017, 第 4 作者
(17) Flash存储器中负压电荷泵的研究与设计, Design of Negative Charge Pump for Flash Memory, 微电子学与计算机, 2016, 第 3 作者
(18) A write buffer design based on stable and area-saving embedded SRAM for flash applications, SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2015, 第 5 作者
(19) Impact of P/E Cycling on Read Current Fluctuation of NOR Flash Memory Cell: A Microscopic Perspective Based on Low Frequency Noise Analysis, 2015 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS), 2015, 第 1 作者
(20) Extraction of Position and Energy Level of Oxide Trap Generating Random Telegraph Noise in 65 nm NOR Flash Memory, INTEGRATED FERROELECTRICS, 2015, 第 2 作者
(21) A 65-nm 1-Gb NOR floating-gate flash memory with less than 50-ns access time, CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2014, 第 5 作者
(22) A novel 2 T P-channel nano-crystal memory for low power/high speed embedded NVM applications, A novel 2 T P-channel nano-crystal memory for low power/high speed embedded NVM applications, 半导体学报, 2012, 第 3 作者
(23) Analyzing trap generation in silicon-nanocrystal memory devices using capacitance and current measurement, Analyzing trap generation in silicon-nanocrystal memory devices using capacitance and current measurement, 中国科学:技术科学英文版, 2012, 第 7 作者
(24) A novel 2 T P-channel nano-crystal memory for low power/high speed embedded NVM applications, A novel 2 T P-channel nano-crystal memory for low power/high speed embedded NVM applications, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2012, 第 3 作者
(25) Effect of bandgap engineering on the performance and reliability of a high-k based nanoscale charge trap flash memory, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2012, 第 7 作者
(26) 电荷俘获存储器阻挡层研究进展, Research Progress of Blocking Layers in Charge Trapping Memories, 微纳电子技术, 2012, 第 3 作者
(27) Analyzing trap generation in silicon-nanocrystal memory devices using capacitance and current measurement, SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2012, 第 7 作者
(28) 一种大规模闪存灵敏放大器的多相位预充方法, Multi-Phase Precharge Method for Sensing Amplifiers in Large-Capacity Memory, 微电子学, 2012, 第 4 作者
(29) 一种消除阈值电压影响的高效率电荷泵, High Efficiency Charge Pump Without Threshold-Voltage Drop, 微电子学, 2012, 第 3 作者
(30) Improved charge trapping flash device with Al2O3/HfSiO stack as blocking layer, CHINESE PHYSICS B, 2011, 第 5 作者
(31) Improved speed and data retention characteristics in flash memory using a stacked HfO2/Ta2O5 charge-trapping layer, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2011, 第 5 作者
(32) MOS器件栅介质层陷阱的表征方法, Techniques for Characterization of Traps in Dielectric Stacks of MOSFET, 微电子学, 2011, 第 5 作者
(33) Investigation on interface related charge trap and loss characteristics of high-k based trapping structures by electrostatic force microscopy, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 7 作者
(34) A novel 2-T structure memory device using a Si nanodot for embedded application, A novel 2-T structure memory device using a Si nanodot for embedded application, 半导体学报, 2011, 第 5 作者
(35) A novel junction-assisted programming scheme for si-nanocrystal memory devices with improved performance, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2011, 第 7 作者
(36) A study of cycling induced degradation mechanisms in si nanocrystal memory devices, NANOTECHNOLOGY, 2011, 第 5 作者
(37) Unification of three multiphonon trap-assisted tunneling mechanisms, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 4 作者
(38) A novel 2-T structure memory device using a Si nanodot for embedded application, A novel 2-T structure memory device using a Si nanodot for embedded application, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2011, 第 5 作者
(39) Performance-improved nonvolatile memory with aluminum nanocrystals embedded in Al2O3 for high temperature applications, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 7 作者
(40) A metal/Al2O3/ZrO2/SiO2/Si (MAZOS) structure for high-performance non-volatile memory application, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2010, 第 1 作者
(41) Titanium-tungsten nanocrystals embedded in a SiO2/Al2O3 gate dielectric stack for low-voltage operation in non-volatile memory, NANOTECHNOLOGY, 2010, 第 5 作者
(42) Performance enhancement of multilevel cell nonvolatile memory by using a bandgap engineered high-kappa trapping layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 第 6 作者
(43) 电荷陷阱存储器件新型栅堆栈结构和集成工艺研究, 2010, 第 1 作者
(44) 高k介质在浮栅型非挥发性存储器中的应用, Application of High-k Dielectrics to Floating Gate Nonvolatile Memory, 微电子学, 2009, 第 1 作者
(45) 电荷俘获存储器中俘获层的研究进展, Progress of Charge Trapping Layers in Charge Trapping Memories, 微纳电子技术, 2009, 第 6 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 适用于嵌入式应用的三维电荷俘获存储器, 负责人, 国家任务, 2016-07--2022-12
( 2 ) 阻变存储器验证技术, 负责人, 其他国际合作项目, 2017-07--2021-12
( 3 ) 存算一体计算芯片, 参与, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12
( 4 ) 面向NVDRAM应用的HFO2基铁电存储器, 参与, 境内委托项目, 2021-09--2023-12
( 5 ) 纳米晶浮栅存储器关键技术研究, 负责人, 国家任务, 2009-01--2012-12