140100-集成电路科学与工程

集成电路器件可靠性物理与工艺协同优化

2015-09--2019-06   中国科学院大学   工学博士
2002-09--2005-07   北京大学   理科硕士
1998-09--2002-07   北京大学   理科学士

   

2020-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2011-08~2020-07,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2005-09~2011-08,韩国三星电子半导体事业部（韩国）, 工程师/高级工程师

   

[1] 杨红, 王文武, 赵超, 闫江, 殷华湘. 半导体器件制造方法. CN: CN114121804A, 2022-03-01.

[2] 李恋恋, 都安彦, 杨红, 王文武. 半导体器件的应力测量装置以及方法. CN: CN113791325A, 2021-12-14.

[3] 李永亮, 程晓红, 赵飞, 马雪丽, 杨红, 王晓磊, 罗军, 王文武. 一种半导体器件的制造方法. CN: CN113314423A, 2021-08-27.

[4] 李永亮, 王晓磊, 杨红, 马雪丽, 李超雷, 王文武. 半导体结构与其制作方法. CN: CN113314500A, 2021-08-27.

[5] 赵东艳, 王于波, 邵瑾, 陈燕宁, 张海峰, 张鹏, 刘芳, 杨红, 陈睿, 王文武, 都安彦, 李恋恋. 确定器件故障点的测试方法及装置、存储介质. CN: CN112649699A, 2021-04-13.

[6] 郑相贤, 杨红, 杨涛, 王文武, 范正萍, 殷华湘. 一种测试设备及集成电路测试方法. CN: CN114200370A, 2022-03-18.

[7] 李相惇, 张欣, 杨红, 杨涛, 李俊峰, 王文武. 与非门树结构. CN: CN114217193A, 2022-03-22.

[8] 朴灿圭, 杨红, 杨涛, 王文武, 李俊峰, 李永亮. 一种芯片和芯片的制造方法. CN: CN114093782A, 2022-02-25.

[9] 马雪丽, 李永亮, 王晓磊, 项金娟, 杨红, 王文武. 半导体结构及其形成方法. CN: CN113809011A, 2021-12-17.

[10] 韩锴, 王晓磊, 王文武, 杨红, 马雪丽. 一种半导体结构及其制作方法. CN: CN113540342A, 2021-10-22.

[11] 韩锴, 王晓磊, 王文武, 杨红, 马雪丽. 一种半导体结构及其制作方法. CN: CN113140448A, 2021-07-20.

[12] 张丹, 罗军, 都安彦, 高建峰, 赵超, 杨红, 王文武. 一种电子器件及其制作方法、集成电路和电子设备. CN: CN111211110A, 2020-05-29.

[13] 李永亮, 程晓红, 李俊杰, 马雪丽, 杨红, 王晓磊, 罗军, 王文武. 半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备. CN: CN111180520A, 2020-05-19.

[14] 李永亮, 程晓红, 李俊杰, 马雪丽, 杨红, 王晓磊, 罗军, 王文武. 一种半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备. CN: CN111180519A, 2020-05-19.

[15] 李永亮, 程晓红, 马雪丽, 王晓磊, 杨红, 王文武. 一种堆叠纳米线或片环栅CMOS器件的制备方法. CN: CN110896055A, 2020-03-20.

[16] 马雪丽, 李永亮, 王晓磊, 项金娟, 杨红, 王文武. 一种半导体结构及其形成方法. CN: CN112768342A, 2021-05-07.

[17] 李永亮, 杨红, 程晓红, 王晓磊, 马雪丽, 王文武. 一种鳍状结构的制备方法以及半导体器件的制备方法. CN: CN110752156A, 2020-02-04.

[18] 李永亮, 程晓红, 马雪丽, 王晓磊, 杨红, 王文武. 一种堆叠纳米线或片CMOS器件制备方法. CN: CN110729248B, 2021-09-14.

[19] 李永亮, 杨红, 程晓红, 王晓磊, 马雪丽, 王文武. 一种与堆叠纳米线或片兼容的输入输出器件及制备方法. CN: CN110739272A, 2020-01-31.

[20] 李永亮, 王晓磊, 杨红, 马雪丽, 王文武. 一种接触孔制备方法. CN: CN110634801A, 2019-12-31.

[21] 马雪丽, 李永亮, 王晓磊, 项金娟, 杨红, 王文武. 半导体结构及其形成方法. CN: CN112466945A, 2021-03-09.

[22] 陈睿, 都安彦, 杨红, 韦亚一, 王文武. 一种自对准双重图形的制备方法、硬掩模图案. CN: CN110335813A, 2019-10-15.

[23] 李永亮, 王晓磊, 杨红, 马雪丽. 半导体结构与其制作方法. CN: CN109887847A, 2019-06-14.

[24] 李永亮, 马雪丽, 李俊杰, 王晓磊, 杨红, 王文武, 李超雷. 纳米线器件的制作方法. CN: CN109830525A, 2019-05-31.

[25] 李永亮, 王晓磊, 杨红, 马雪丽, 李超雷, 王文武. 半导体结构与其制作方法. CN: CN109712871A, 2019-05-03.

[26] 朱慧珑, 徐秋霞, 张严波, 杨红. 半导体器件及其制造方法. JP: CN109427876A, 2019-03-05.

[27] 李永亮, 马雪丽, 王晓磊, 杨红, 李超雷, 王文武. 半导体结构与其制作方法. CN: CN108878263A, 2018-11-23.

[28] 杨红, 王文武, 闫江, 马雪丽. 半导体器件及其制造方法. CN: CN109950258A, 2019-06-28.

[29] 项金娟, 王晓磊, 杨红, 刘实, 李俊峰, 王文武, 赵超. 一种基于可变功函数栅极的晶体管器件及其制备方法. CN: CN107039283A, 2017-08-11.

[30] 项金娟, 王晓磊, 杨红, 王文武, 赵超. 一种基于单原子层沉积的金属生长方法. CN: CN106987825A, 2017-07-28.

[31] 杨红, 王文武, 赵超, 殷华湘. 半导体晶体管金属栅的集成工艺方法. CN: CN106601674A, 2017-04-26.

[32] 祁路伟, 任尚清, 杨红. 一种提取半导体缺陷能级的方法及系统. CN: CN106556789A, 2017-04-05.

[33] 朱慧珑, 徐秋霞, 张严波, 杨红. 半导体器件及其制造方法. JP: CN106471612A, 2017-03-01.

[34] 殷华湘, 杨红. CMOS器件及其制造方法. CN: CN105529327A, 2016-04-27.

[35] Zhu, Huilong, Xu, Qiuxia, Zhang, Yanbo, Yang, Hong. P type MOSFET. US: US10056261(B2), 2018-08-21.

[36] 殷华湘, 杨红, 张青竹, 徐秋霞. CMOS器件及其制造方法. CN: CN105470256A, 2016-04-06.

[37] 殷华湘, 杨红, 张严波. CMOS器件及其制造方法. 中国: CN105470256B, 2019-02-01.

[38] 于洪宇, 张淑祥, 杨红. 一种后栅工艺中的栅极形成方法. CN: CN104779150A, 2015-07-15.

[39] 韩锴, 王文武, 王文武, 杨红, 殷华湘. 半导体器件制造方法. CN: CN104766823A, 2015-07-08.

[40] 朱慧珑, 赵治国, 张永奎, 马小龙, 许淼, 殷华湘, 杨红. 半导体设置及其制造方法. CN: CN104716171A, 2015-06-17.

[41] 杨红, 闫江, 王文武, 张淑祥. 降低栅介质的泄漏电流的方法. CN: CN104377126A, 2015-02-25.

[42] 殷华湘, 项金娟, 杨红. 半导体器件制造方法. 中国: CN104377168A, 2015-02-25.

[43] 殷华湘, 项金娟, 杨红. 半导体器件制造方法. CN: CN104377124A, 2015-02-25.

[44] 杨红, 王文武, 闫江, 罗维春. 金属栅电极等效功函数调节方法. CN: CN104347411A, 2015-02-11.

[45] Zhu Huilong, Xu Qiuxia, Zhang Yanbo, Yang Hong. P TYPE MOSFET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME. CN: US20150041925A1, 2015-02-12.

[46] Zhu, Huilong, Xu, Qiuxia, Zhang, Yanbo, Yang, Hong. P TYPE MOSFET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME. CN: US20150041925(A1), 2015-02-12.

[47] Zhu Huilong, Xu Qiuxia, Zhang Yanbo, Yang Hong. SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF. 美国: US2015048458(A1), 2015-02-19.

[48] 朱慧珑, 徐秋霞, 张严波, 杨红. N型MOSFET及其制造方法. CN: CN103855008A, 2014-06-11.

[49] 朱慧珑. 半导体器件及其制造方法. CN: CN103855093B, 2016-07-06.

[50] 朱慧珑. P型MOSFET及其制造方法. CN: CN103855014B, 2017-10-20.

[51] 朱慧珑, 徐秋霞, 张严波, 杨红. P型MOSFET及其制造方法. CN: CN103855014A, 2014-06-11.

[52] 韩锴, 王晓磊, 王文武, 杨红, 马雪丽. 一种半导体结构及其制作方法. CN: CN103681801A, 2014-03-26.

[53] 韩锴, 王晓磊, 王文武, 杨红, 马雪丽. 具有双功函数金属栅的互补场效应晶体管及其制造方法. CN: CN103579113A, 2014-02-12.

[54] 杨红, 马雪丽, 王文武, 韩锴, 王晓磊, 殷华湘, 闫江. 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件. CN: CN103545191A, 2014-01-29.

[55] 杨红, 马雪丽, 王文武, 韩锴, 王晓磊, 殷华湘, 闫江. 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件. CN: CN103545190A, 2014-01-29.

[56] 杨红, 王文武, 殷华湘, 闫江, 马雪丽. 栅极结构、半导体器件和两者的形成方法. CN: CN103545189A, 2014-01-29.

[57] 韩锴, 王晓磊, 王文武, 杨红, 马雪丽. 一种低功函数金属栅形成方法. CN: CN103545182A, 2014-01-29.

[58] 殷华湘, 杨红, 张青竹, 徐秋霞. CMOS器件及其制造方法. CN: CN101958328A, 2011-01-26.

[59] 殷华湘, 项金娟, 杨红. 半导体器件制造方法. JP: CN1787186A, 2006-06-14.

[60] 李恋恋, 都安彦, 田国良, 杨红, 罗军, 王文武. 半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备. CN: CN114497028A, 2022-05-13.

[61] 李恋恋, 都安彦, 田国良, 杨红, 罗军, 王文武. 半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备. CN: CN114497028A, 2022-05-13.

[62] 郑相贤, 杨红, 杨涛, 王文武, 陈睿, 李永亮. 存储器芯片测试的失效比特图制作方法、装置及电子设备. CN: CN115346589A, 2022-11-15.

[63] 郑相贤, 杨红, 杨涛, 王文武, 李俊杰, 李永亮. 存储器晶圆测试系统及方法. CN: CN115331724A, 2022-11-11.

[64] 柳圣浩, 李俊杰, 周娜, 杨红, 李俊峰, 王文武. 电容器、半导体器件、电子设备及其制造方法. CN: CN115206970A, 2022-10-18.

[65] 孙永载, 杨红, 杨涛, 李俊杰, 王文武, 罗军. 一种测试元件组及其测试方法. CN: CN115083501A, 2022-09-20.

[66] 康卜文, 杨红, 杨涛, 李俊杰, 王文武, 张欣. 电源控制装置及其控制方法. CN: CN115050403A, 2022-09-13.

[67] 孙永载, 杨红, 杨涛, 李俊杰, 王文武, 陈睿. 一种测试元件组及其测试方法. CN: CN115019873A, 2022-09-06.

[68] 姜东勋, 具德滋, 李相龙, 金大镇, 郑宇现, 李俊杰, 周娜, 杨红, 李俊峰, 王文武. 一种蜂窝状结构的刻蚀方法. CN: CN114975093A, 2022-08-30.

[69] 尹泰甲, 杨红, 杨涛, 李俊杰, 王文武, 李俊峰. 芯片注塑装置及方法. CN: CN114823365A, 2022-07-29.

[70] 朴灿圭, 杨红, 杨涛, 王文武, 李俊峰, 殷华湘. 动态随机存储器的芯片测试方法及装置. CN: CN114765049A, 2022-07-19.

[71] 赵东艳, 王于波, 周芝梅, 邵瑾, 陈燕宁, 付振, 袁远东, 杨红, 陈睿, 王文武, 都安彦, 李恋恋. 用于经时击穿测试的探针卡及经时击穿测试方法. CN: CN112731073A, 2021-04-30.

[72] 康卜文, 杨红, 杨涛, 王文武, 李俊峰, 殷华湘. 堆叠式存储器及其制造方法. CN: CN114446334A, 2022-05-06.

[73] 康卜文, 杨红, 杨涛, 王文武, 范正萍, 殷华湘. 堆叠式存储器及堆叠式存储器的存储裸片的重置方法. CN: CN114446335A, 2022-05-06.

[74] 康卜文, 杨红, 杨涛, 王文武, 李俊峰, 殷华湘. 堆叠式存储器及其制造方法. CN: CN114446334A, 2022-05-06.

[75] 康卜文, 杨红, 杨涛, 王文武, 范正萍, 殷华湘. 堆叠式存储器及堆叠式存储器的存储裸片的重置方法. CN: CN114446335A, 2022-05-06.

[76] 李永亮, 马雪丽, 王晓磊, 杨红, 李超雷, 王文武. 半导体结构与其制作方法. CN: CN109950153B, 2022-03-04.

[77] 李永亮, 马雪丽, 李俊杰, 王晓磊, 杨红, 王文武, 李超雷. 纳米线器件的制作方法. CN: CN109830525B, 2022-02-22.

[78] 崔基雄, 李俊杰, 周娜, 杨红. 一种存储器的制造方法、存储器以及电子设备. CN: CN117577584A, 2024-02-20.

[79] 朴灿圭, 杨红, 杨涛, 王文武, 李俊峰, 殷华湘. 动态随机存储器的芯片测试方法及装置. CN: CN114765049B, 2024-12-20.

[80] 李永亮, 程晓红, 李俊杰, 马雪丽, 杨红, 王晓磊, 罗军, 王文武. 一种半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备. CN: CN111180519B, 2024-02-23.

[81] 李永亮, 程晓红, 李俊杰, 马雪丽, 杨红, 王晓磊, 罗军, 王文武. 半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备. CN: CN111180520B, 2024-02-20.

   

（1） NBTI Improvement of HfO2/TiN Gated pMOSFET by Low-Temperature Remote Hydrogen Plasma Treatment, 2025 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2025, 第 3 作者  通讯作者
（2） Effectiveness of Repairing Hot Carrier Degradation in Si p-FinFETs Using Gate Induced Drain Leakage, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 第 3 作者  通讯作者
（3） Dependence of short channel length on negative/positive bias temperature instability (NBTI/PBTI) for 3D FinFET devices, Dependence of short channel length on negative/positive bias temperature instability (NBTI/PBTI) for 3D FinFET devices, CHINESE PHYSICS B, 2022, 第 4 作者  通讯作者
（4） Mechanism Analysis of Ultralow Leakage and Abnormal Instability in InGaZnO Thin-Film Transistor Toward DRAM, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 第 2 作者
（5） Recovery Behavior of Interface Traps After Negative Bias Temperature Instability Stress in p-FinFETs Featuring Fast Trap Characterization Technique, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 3 作者  通讯作者
（6） Alleviation of Negative-Bias Temperature Instability in Si p-FinFETs With ALD W Gate-Filling Metal by Annealing Process Optimization, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2021, 第 3 作者  通讯作者
（7） Study of the yield improvement and reliability of 28 nm advanced chips based on structural analysis, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 第 7 作者  通讯作者
（8） An Investigation of Field Reduction Effect on NBTI Parameter Characterization and Lifetime Prediction Using a Constant Field Stress Method, IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2020, 第 9 作者  通讯作者
（9） Insights Into the Effect of TiN Thickness Scaling on DC and AC NBTI Characteristics in Replacement Metal Gate pMOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2020, 第 3 作者  通讯作者
（10） Comparative Study on the Energy Profile of NBTI-Related Defects in Si and Ferroelectric p-FinFETs, 2020 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS), 2020, 第 3 作者  通讯作者
（11） Comparative study on NBTI kinetics in Si p-FinFETs with B2H6-based and SiH4-based atomic layer deposition tungsten (ALD W) filling metal, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 第 7 作者  通讯作者
（12） Degradation Mechanism of Short Channel p-FinFETs under Hot Carrier Stress and Constant Voltage Stress, 2020 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2020, 第 11 作者
（13） Influence of an ALD TiN capping layer on the PBTI characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl gate stacks, Influence of an ALD TiN capping layer on the PBTI characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl gate stacks, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2020, 第 1 作者
（14） Understanding Frequency Dependence of Trap Generation Under AC Negative Bias Temperature Instability Stress in Si p-FinFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 第 3 作者  通讯作者
（15） Impact of Electron trapping on Energy Distribution Characterization of NBTI-Related Defects for Si p-FinFETs, 2020 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2020, 第 11 作者
（16） Comprehensive Study and Design of High-k/SiGe Gate Stacks with Interface-Engineering by Ozone Oxidation, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 6 作者
（17） Miniaturization of CMOS, MICROMACHINES, 2019, 第 11 作者
（18） Physical Mechanism Underlying the Time Exponent Shift in the Ultra-fast NBTI of High-k/Metal gated p-CMOSFETs, 2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2018, 第 11 作者
（19） Impact of ALD TiN Capping Layer on Interface Trap and Channel Hot Carrier Reliability of HKMG nMOSFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 第 1 作者
（20） 高k HfO2栅介质淀积后退火工艺研究, Study on Post Deposition Annealing Process of the High-k HfO2 Gate Dielectric, 半导体技术, 2018, 第 3 作者
（21） Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition, CHIN. PHYS. B, 2017, 第 9 作者
（22） Hole mobility degradation by remote Coulomb scattering and charge distribution in Al2O3/GeOx gate stacks in bulk Ge pMOSFET with GeOx grown by ozone oxidation, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017, 第 5 作者
（23） Stress-induced leakage current characteristics of PMOS fabricated by a new multi-deposition multi-annealing technique with full gate last process, Stress-induced leakage current characteristics of PMOS fabricated by a new multi-deposition multi-annealing technique with full gate last process, Chinese Physics B, 2017, 第 2 作者
（24） Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition, Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO_2 amorphous films grown by atomic layer deposition, Chinese Physics B, 2017, 第 2 作者
（25） Series resistance effect on time zero dielectrics breakdown characteristics of MOSCAP with ultra-thin EOT high-k/metal gate stacks, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 2 作者
（26） FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin, 2016 IEEE International Electron Devices Meeting: IEDM 2016, San Francisco, California, USA, 3-7 December 2016, pages 452-929, v.2, 2016, 第 4 作者
（27） Accurate lifetime prediction for channel hot carrier stress on sub-1 nm equivalent oxide thickness HK/MG nMOSFET with thin titanium nitride capping layer, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2016, 第 2 作者  通讯作者
（28） Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-k metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations, Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-K metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations, Chinese Physics B, 2016, 第 2 作者
（29） Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-kappa metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 2 作者
（30） Temperature-and voltage-dependent trap generation model in high-kappa metal gate MOS device with percolation simulation, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 2 作者
（31） Temperature- and voltage-dependent trap generation model in high-k metal gate MOS device with percolation simulation, Temperature- and voltage-dependent trap generation model in high-k metal gate MOS device with percolation simulation, Chinese Physics B, 2016, 第 2 作者
（32） Influence of multi-deposition multi-annealing on time-dependent dielectric breakdown characteristics of PMOS with high-k/metal gate last process, Influence of multi-deposition multi-annealing on time-dependent dielectric breakdown characteristics of PMOS with high-k/metal gate last process, Chinese Physics B, 2015, 第 2 作者
（33） Planar Bulk MOSFETs With Self-Aligned Pocket Well to Improve Short-Channel Effects and Enhance Device Performance, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 第 7 作者
（34） Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 9 作者
（35） Energy distribution extraction of negative charges responsible for positive bias temperature instability, Energy distribution extraction of negative charges responsible for positive bias temperature instability, Chinese Physics B, 2015, 第 2 作者
（36） Influence of ultra-thin TiN thickness (1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability (PBTI) of high-k/metal gate nMOSFETs with gate-last process, Influence of ultra-thin TiN thickness (1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability (PBTI) of high-k/metal gate nMOSFETs with gate-last process, Chinese Physics B, 2015, 第 2 作者
（37） Electric dipole formation at high-k dielectric/SiO_2 interface, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 3 作者
（38） Characterization of positive bias temperature instability of NMOSFET with high-k/metal gate last process, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 5 作者
（39） TDDB characteristic and breakdown mechanism of ultra-thin SiO_2/HfO_2 bilayer gate dielectrics, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2014, 第 2 作者
（40） Combining a multi deposition multi annealing technique with a scavenging (Ti) to improve the high-k/metal gate stack performance for a gate-last process, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2014, 第 2 作者
（41） The effects of process condition of Top-TiN and TaN thickness on the effective work function of MOSCAP with high-k/metal gate stacks, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2014, 第 2 作者
（42） Mitigation of reverse short channel effect with multilayer TiN Ti TiN metal gates in gate last Pmosfets, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 第 12 作者
（43） Analysis of flatband voltage shift of metal/high-k/SiO2/Si stack based on energy band alignment of entire gate stack, Analysis of flatband voltage shift of metal/high-k/SiO_2/Si stack based on energy band alignment of entire gate stack, Chinese Physics B, 2014, 第 4 作者
（44） An effective work-function tuning method of nMOSCAP with high-k/metal gate by TiN/TaN double-layer stack thickness, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2014, 第 2 作者
（45） Impact of TaN as wet etch stop layer on device characteristics for dual metal HKMG last integration CMOSFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 第 3 作者
（46） Effects of charge and dipole on flatband voltage in an MOS device with a Gd-doped HfO2 dielectric, Effects of charge and dipole on flatband voltage in an MOS device with a Gd-doped HfO_2 dielectric, Chinese Physics B, 2013, 第 3 作者
（47） Effect of low temperature annealing on the electrical properties of an MOS capacitor with a HfO_2 dielectric and a TiN metal gate, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 第 4 作者
（48） A possible origin of core-level shift in SiO2/Si stacks, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 6 作者
（49） Physical understanding of different drain-induced-barrier-lowering variations in high-k/metal gate n-channel metal-oxide-semiconductor-fieldeffect-transistors induced by charge trapping under normal and reverse channel hot carrier stresses, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 2 作者
（50） Reexamination of band offset transitivity employing oxide heterojunctions, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 6 作者
（51） Band alignment of TiN/HfO2 interface of TiN/HfO2/SiO2/Si stack, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 4 作者
（52） Band alignment of HfO2 on SiO2/Si structure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 5 作者

   

（ 1 ） 三维垂直沟道环栅器件的可靠性退化机理与表征技术研究, 负责人, 国家任务, 2024-01--2027-12
（ 2 ） 面向电力应用的高压电容隔离器件可靠性关键技术研究, 负责人, 地方任务, 2023-11--2026-12
（ 3 ） 工艺早期失效及可靠性研究, 负责人, 境内委托项目, 2023-04--2024-10
（ 4 ） 先进逻辑器件的可靠性共性技术研究, 负责人, 境内委托项目, 2023-01--2025-12
（ 5 ） 突破异质集成的新材料和器件原理研究, 参与, 国家任务, 2021-01--2024-12
（ 6 ） 碳纳米管器件XXX研究, 负责人, 国家任务, 2020-08--2023-08
（ 7 ） 微纳器件与电路物理分析平台, 参与, 中国科学院计划, 2020-01--2020-12
（ 8 ） 3-1纳米集成电路新器件与先导工艺, 参与, 中国科学院计划, 2019-09--2020-10
（ 9 ） 高端芯片可靠性与可信任性评价分析关键技术, 参与, 地方任务, 2019-01--2021-12
（ 10 ） 基于半导体器件电学测试平台的可靠性自动化测试功能扩展与优化, 负责人, 中国科学院计划, 2017-09--2019-08
（ 11 ） 5纳米先导技术研究-5nm锗/锗硅高迁移率沟道三维器件及关键共性技术, 参与, 国家任务, 2017-01--2020-12
（ 12 ） 器件可靠性技术研究, 负责人, 境内委托项目, 2016-01--2019-12
（ 13 ） 双金属栅CMOS器件的可靠性退化机制及其抑制方法研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12