基本信息

杨红 女 博导 中国科学院微电子研究所
电子邮件: yanghong@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
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招生信息
招生专业
140100-集成电路科学与工程
招生方向
集成电路器件可靠性物理与工艺协同优化
教育背景
2015-09--2019-06 中国科学院大学 工学博士2002-09--2005-07 北京大学 理科硕士1998-09--2002-07 北京大学 理科学士
工作经历
工作简历
2020-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员2011-08~2020-07,中国科学院微电子研究所, 副研究员2005-09~2011-08,韩国三星电子半导体事业部(韩国), 工程师/高级工程师
专利与奖励
专利成果
[1] 杨红, 王文武, 赵超, 闫江, 殷华湘. 半导体器件制造方法. CN: CN114121804A, 2022-03-01.[2] 李恋恋, 都安彦, 杨红, 王文武. 半导体器件的应力测量装置以及方法. CN: CN113791325A, 2021-12-14.[3] 李永亮, 程晓红, 赵飞, 马雪丽, 杨红, 王晓磊, 罗军, 王文武. 一种半导体器件的制造方法. CN: CN113314423A, 2021-08-27.[4] 李永亮, 王晓磊, 杨红, 马雪丽, 李超雷, 王文武. 半导体结构与其制作方法. CN: CN113314500A, 2021-08-27.[5] 赵东艳, 王于波, 邵瑾, 陈燕宁, 张海峰, 张鹏, 刘芳, 杨红, 陈睿, 王文武, 都安彦, 李恋恋. 确定器件故障点的测试方法及装置、存储介质. CN: CN112649699A, 2021-04-13.[6] 郑相贤, 杨红, 杨涛, 王文武, 范正萍, 殷华湘. 一种测试设备及集成电路测试方法. CN: CN114200370A, 2022-03-18.[7] 李相惇, 张欣, 杨红, 杨涛, 李俊峰, 王文武. 与非门树结构. CN: CN114217193A, 2022-03-22.[8] 朴灿圭, 杨红, 杨涛, 王文武, 李俊峰, 李永亮. 一种芯片和芯片的制造方法. CN: CN114093782A, 2022-02-25.[9] 马雪丽, 李永亮, 王晓磊, 项金娟, 杨红, 王文武. 半导体结构及其形成方法. CN: CN113809011A, 2021-12-17.[10] 韩锴, 王晓磊, 王文武, 杨红, 马雪丽. 一种半导体结构及其制作方法. CN: CN113540342A, 2021-10-22.[11] 韩锴, 王晓磊, 王文武, 杨红, 马雪丽. 一种半导体结构及其制作方法. CN: CN113140448A, 2021-07-20.[12] 张丹, 罗军, 都安彦, 高建峰, 赵超, 杨红, 王文武. 一种电子器件及其制作方法、集成电路和电子设备. CN: CN111211110A, 2020-05-29.[13] 李永亮, 程晓红, 李俊杰, 马雪丽, 杨红, 王晓磊, 罗军, 王文武. 半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备. CN: CN111180520A, 2020-05-19.[14] 李永亮, 程晓红, 李俊杰, 马雪丽, 杨红, 王晓磊, 罗军, 王文武. 一种半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备. CN: CN111180519A, 2020-05-19.[15] 李永亮, 程晓红, 马雪丽, 王晓磊, 杨红, 王文武. 一种堆叠纳米线或片环栅CMOS器件的制备方法. CN: CN110896055A, 2020-03-20.[16] 马雪丽, 李永亮, 王晓磊, 项金娟, 杨红, 王文武. 一种半导体结构及其形成方法. CN: CN112768342A, 2021-05-07.[17] 李永亮, 杨红, 程晓红, 王晓磊, 马雪丽, 王文武. 一种鳍状结构的制备方法以及半导体器件的制备方法. CN: CN110752156A, 2020-02-04.[18] 李永亮, 程晓红, 马雪丽, 王晓磊, 杨红, 王文武. 一种堆叠纳米线或片CMOS器件制备方法. CN: CN110729248B, 2021-09-14.[19] 李永亮, 杨红, 程晓红, 王晓磊, 马雪丽, 王文武. 一种与堆叠纳米线或片兼容的输入输出器件及制备方法. CN: CN110739272A, 2020-01-31.[20] 李永亮, 王晓磊, 杨红, 马雪丽, 王文武. 一种接触孔制备方法. CN: CN110634801A, 2019-12-31.[21] 马雪丽, 李永亮, 王晓磊, 项金娟, 杨红, 王文武. 半导体结构及其形成方法. CN: CN112466945A, 2021-03-09.[22] 陈睿, 都安彦, 杨红, 韦亚一, 王文武. 一种自对准双重图形的制备方法、硬掩模图案. CN: CN110335813A, 2019-10-15.[23] 李永亮, 王晓磊, 杨红, 马雪丽. 半导体结构与其制作方法. CN: CN109887847A, 2019-06-14.[24] 李永亮, 马雪丽, 李俊杰, 王晓磊, 杨红, 王文武, 李超雷. 纳米线器件的制作方法. CN: CN109830525A, 2019-05-31.[25] 李永亮, 王晓磊, 杨红, 马雪丽, 李超雷, 王文武. 半导体结构与其制作方法. CN: CN109712871A, 2019-05-03.[26] 朱慧珑, 徐秋霞, 张严波, 杨红. 半导体器件及其制造方法. JP: CN109427876A, 2019-03-05.[27] 李永亮, 马雪丽, 王晓磊, 杨红, 李超雷, 王文武. 半导体结构与其制作方法. CN: CN108878263A, 2018-11-23.[28] 杨红, 王文武, 闫江, 马雪丽. 半导体器件及其制造方法. CN: CN109950258A, 2019-06-28.[29] 项金娟, 王晓磊, 杨红, 刘实, 李俊峰, 王文武, 赵超. 一种基于可变功函数栅极的晶体管器件及其制备方法. CN: CN107039283A, 2017-08-11.[30] 项金娟, 王晓磊, 杨红, 王文武, 赵超. 一种基于单原子层沉积的金属生长方法. CN: CN106987825A, 2017-07-28.[31] 杨红, 王文武, 赵超, 殷华湘. 半导体晶体管金属栅的集成工艺方法. CN: CN106601674A, 2017-04-26.[32] 祁路伟, 任尚清, 杨红. 一种提取半导体缺陷能级的方法及系统. CN: CN106556789A, 2017-04-05.[33] 朱慧珑, 徐秋霞, 张严波, 杨红. 半导体器件及其制造方法. JP: CN106471612A, 2017-03-01.[34] 殷华湘, 杨红. 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出版信息
发表论文
(1) NBTI Improvement of HfO2/TiN Gated pMOSFET by Low-Temperature Remote Hydrogen Plasma Treatment, 2025 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2025, 第 3 作者 通讯作者(2) Effectiveness of Repairing Hot Carrier Degradation in Si p-FinFETs Using Gate Induced Drain Leakage, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 第 3 作者 通讯作者(3) Dependence of short channel length on negative/positive bias temperature instability (NBTI/PBTI) for 3D FinFET devices, Dependence of short channel length on negative/positive bias temperature instability (NBTI/PBTI) for 3D FinFET devices, CHINESE PHYSICS B, 2022, 第 4 作者 通讯作者(4) Mechanism Analysis of Ultralow Leakage and Abnormal Instability in InGaZnO Thin-Film Transistor Toward DRAM, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 第 2 作者(5) Recovery Behavior of Interface Traps After Negative Bias Temperature Instability Stress in p-FinFETs Featuring Fast Trap Characterization Technique, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 3 作者 通讯作者(6) Alleviation of Negative-Bias Temperature Instability in Si p-FinFETs With ALD W Gate-Filling Metal by Annealing Process Optimization, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2021, 第 3 作者 通讯作者(7) Study of the yield improvement and reliability of 28 nm advanced chips based on structural analysis, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 第 7 作者 通讯作者(8) An Investigation of Field Reduction Effect on NBTI Parameter Characterization and Lifetime Prediction Using a Constant Field Stress Method, IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2020, 第 9 作者 通讯作者(9) Insights Into the Effect of TiN Thickness Scaling on DC and AC NBTI Characteristics in Replacement Metal Gate pMOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2020, 第 3 作者 通讯作者(10) Comparative Study on the Energy Profile of NBTI-Related Defects in Si and Ferroelectric p-FinFETs, 2020 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS), 2020, 第 3 作者 通讯作者(11) Comparative study on NBTI kinetics in Si p-FinFETs with B2H6-based and SiH4-based atomic layer deposition tungsten (ALD W) filling metal, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 第 7 作者 通讯作者(12) Degradation Mechanism of Short Channel p-FinFETs under Hot Carrier Stress and Constant Voltage Stress, 2020 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2020, 第 11 作者(13) Influence of an ALD TiN capping layer on the PBTI characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl gate stacks, Influence of an ALD TiN capping layer on the PBTI characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl gate stacks, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2020, 第 1 作者(14) Understanding Frequency Dependence of Trap Generation Under AC Negative Bias Temperature Instability Stress in Si p-FinFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 第 3 作者 通讯作者(15) Impact of Electron trapping on Energy Distribution Characterization of NBTI-Related Defects for Si p-FinFETs, 2020 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2020, 第 11 作者(16) Comprehensive Study and Design of High-k/SiGe Gate Stacks with Interface-Engineering by Ozone Oxidation, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 6 作者(17) Miniaturization of CMOS, MICROMACHINES, 2019, 第 11 作者(18) Physical Mechanism Underlying the Time Exponent Shift in the Ultra-fast NBTI of High-k/Metal gated p-CMOSFETs, 2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2018, 第 11 作者(19) Impact of ALD TiN Capping Layer on Interface Trap and Channel Hot Carrier Reliability of HKMG nMOSFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 第 1 作者(20) 高k HfO2栅介质淀积后退火工艺研究, Study on Post Deposition Annealing Process of the High-k HfO2 Gate Dielectric, 半导体技术, 2018, 第 3 作者(21) Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition, CHIN. PHYS. B, 2017, 第 9 作者(22) Hole mobility degradation by remote Coulomb scattering and charge distribution in Al2O3/GeOx gate stacks in bulk Ge pMOSFET with GeOx grown by ozone oxidation, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017, 第 5 作者(23) Stress-induced leakage current characteristics of PMOS fabricated by a new multi-deposition multi-annealing technique with full gate last process, Stress-induced leakage current characteristics of PMOS fabricated by a new multi-deposition multi-annealing technique with full gate last process, Chinese Physics B, 2017, 第 2 作者(24) Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition, Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO_2 amorphous films grown by atomic layer deposition, Chinese Physics B, 2017, 第 2 作者(25) Series resistance effect on time zero dielectrics breakdown characteristics of MOSCAP with ultra-thin EOT high-k/metal gate stacks, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 2 作者(26) FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin, 2016 IEEE International Electron Devices Meeting: IEDM 2016, San Francisco, California, USA, 3-7 December 2016, pages 452-929, v.2, 2016, 第 4 作者(27) Accurate lifetime prediction for channel hot carrier stress on sub-1 nm equivalent oxide thickness HK/MG nMOSFET with thin titanium nitride capping layer, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2016, 第 2 作者 通讯作者(28) Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-k metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations, Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-K metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations, Chinese Physics B, 2016, 第 2 作者(29) Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-kappa metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 2 作者(30) Temperature-and voltage-dependent trap generation model in high-kappa metal gate MOS device with percolation simulation, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 2 作者(31) Temperature- and voltage-dependent trap generation model in high-k metal gate MOS device with percolation simulation, Temperature- and voltage-dependent trap generation model in high-k metal gate MOS device with percolation simulation, Chinese Physics B, 2016, 第 2 作者(32) Influence of multi-deposition multi-annealing on time-dependent dielectric breakdown characteristics of PMOS with high-k/metal gate last process, Influence of multi-deposition multi-annealing on time-dependent dielectric breakdown characteristics of PMOS with high-k/metal gate last process, Chinese Physics B, 2015, 第 2 作者(33) Planar Bulk MOSFETs With Self-Aligned Pocket Well to Improve Short-Channel Effects and Enhance Device Performance, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 第 7 作者(34) Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 9 作者(35) Energy distribution extraction of negative charges responsible for positive bias temperature instability, Energy distribution extraction of negative charges responsible for positive bias temperature instability, Chinese Physics B, 2015, 第 2 作者(36) Influence of ultra-thin TiN thickness (1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability (PBTI) of high-k/metal gate nMOSFETs with gate-last process, Influence of ultra-thin TiN thickness (1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability (PBTI) of high-k/metal gate nMOSFETs with gate-last process, Chinese Physics B, 2015, 第 2 作者(37) Electric dipole formation at high-k dielectric/SiO_2 interface, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 3 作者(38) Characterization of positive bias temperature instability of NMOSFET with high-k/metal gate last process, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 5 作者(39) TDDB characteristic and breakdown mechanism of ultra-thin SiO_2/HfO_2 bilayer gate dielectrics, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2014, 第 2 作者(40) Combining a multi deposition multi annealing technique with a scavenging (Ti) to improve the high-k/metal gate stack performance for a gate-last process, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2014, 第 2 作者(41) The effects of process condition of Top-TiN and TaN thickness on the effective work function of MOSCAP with high-k/metal gate stacks, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2014, 第 2 作者(42) Mitigation of reverse short channel effect with multilayer TiN Ti TiN metal gates in gate last Pmosfets, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 第 12 作者(43) Analysis of flatband voltage shift of metal/high-k/SiO2/Si stack based on energy band alignment of entire gate stack, Analysis of flatband voltage shift of metal/high-k/SiO_2/Si stack based on energy band alignment of entire gate stack, Chinese Physics B, 2014, 第 4 作者(44) An effective work-function tuning method of nMOSCAP with high-k/metal gate by TiN/TaN double-layer stack thickness, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2014, 第 2 作者(45) Impact of TaN as wet etch stop layer on device characteristics for dual metal HKMG last integration CMOSFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 第 3 作者(46) Effects of charge and dipole on flatband voltage in an MOS device with a Gd-doped HfO2 dielectric, Effects of charge and dipole on flatband voltage in an MOS device with a Gd-doped HfO_2 dielectric, Chinese Physics B, 2013, 第 3 作者(47) Effect of low temperature annealing on the electrical properties of an MOS capacitor with a HfO_2 dielectric and a TiN metal gate, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 第 4 作者(48) A possible origin of core-level shift in SiO2/Si stacks, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 6 作者(49) Physical understanding of different drain-induced-barrier-lowering variations in high-k/metal gate n-channel metal-oxide-semiconductor-fieldeffect-transistors induced by charge trapping under normal and reverse channel hot carrier stresses, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 2 作者(50) Reexamination of band offset transitivity employing oxide heterojunctions, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 6 作者(51) Band alignment of TiN/HfO2 interface of TiN/HfO2/SiO2/Si stack, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 4 作者(52) Band alignment of HfO2 on SiO2/Si structure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 5 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 三维垂直沟道环栅器件的可靠性退化机理与表征技术研究, 负责人, 国家任务, 2024-01--2027-12( 2 ) 面向电力应用的高压电容隔离器件可靠性关键技术研究, 负责人, 地方任务, 2023-11--2026-12( 3 ) 工艺早期失效及可靠性研究, 负责人, 境内委托项目, 2023-04--2024-10( 4 ) 先进逻辑器件的可靠性共性技术研究, 负责人, 境内委托项目, 2023-01--2025-12( 5 ) 突破异质集成的新材料和器件原理研究, 参与, 国家任务, 2021-01--2024-12( 6 ) 碳纳米管器件XXX研究, 负责人, 国家任务, 2020-08--2023-08( 7 ) 微纳器件与电路物理分析平台, 参与, 中国科学院计划, 2020-01--2020-12( 8 ) 3-1纳米集成电路新器件与先导工艺, 参与, 中国科学院计划, 2019-09--2020-10( 9 ) 高端芯片可靠性与可信任性评价分析关键技术, 参与, 地方任务, 2019-01--2021-12( 10 ) 基于半导体器件电学测试平台的可靠性自动化测试功能扩展与优化, 负责人, 中国科学院计划, 2017-09--2019-08( 11 ) 5纳米先导技术研究-5nm锗/锗硅高迁移率沟道三维器件及关键共性技术, 参与, 国家任务, 2017-01--2020-12( 12 ) 器件可靠性技术研究, 负责人, 境内委托项目, 2016-01--2019-12( 13 ) 双金属栅CMOS器件的可靠性退化机制及其抑制方法研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12