080903-微电子学与固体电子学

集成电路工程

   

2017-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2012-04~2017-04,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2009-07~2012-04,中国科学院微电子研究所, 研究实习员

   

（ 1 ） 一种眼图参考电压的校准方法及装置, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202110276674.4

（ 2 ） 存储器芯片及其数据处理电路和数据处理方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201911029701.7

（ 3 ） 占空比校准装置及方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910877648.X

（ 4 ） 一种数据写入控制电路和控制方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910155811.1

（ 5 ） 一种多相时钟串行器及信号转换系统, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811607524.1

（ 6 ） 一种占空比校准电路, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811069756.6

（ 7 ） 201821502409.3, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201821502409.3

（ 8 ） 一种RC振荡器, 2018, 第 4 作者, 专利号: 201410637023.3

（ 9 ） 灵敏放大器及一种信号处理的方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201410719895.4

（ 10 ） 一种基准电压源, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201810072131.9

（ 11 ） 一种CMOS振荡器电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201711328023.5

（ 12 ） 一种非易失三维存储器的控制电路, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201711281993.4

（ 13 ） 非连续性电流控制的双环电荷泵控制电路, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201410404393.2

（ 14 ） 存储芯片、存储单元及其驱动方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201510062419.4

（ 15 ） 闪存式存储器电路及其布局方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201410082113.0

   

（1） A High Efficiency All-PMOS Charge Pump for 3D NAND Flash Memory, A High Efficiency All-PMOS Charge Pump for 3D NAND Flash Memory. In Proceedings of the IEEE 11th International Conference on ASIC (ASICON), 2015, 第 4 作者

   

（ 1 ） 64层3D NAND存储单元可靠性技术研究, 参与, 境内委托项目, 2016-01--2020-12
（ 2 ） 三维存储器器件与可靠性技术研究, 参与, 研究所自主部署, 2017-01--2018-12
（ 3 ） 面向IC的超快激光精密切割技术与装备, 参与, 研究所自主部署, 2019-01--2021-12