基本信息
杨诗洋  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: yangshiyang@ime.ac.cn
通信地址: 北京朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
集成电路工程

工作经历

   
工作简历
2017-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2012-04~2017-04,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2009-07~2012-04,中国科学院微电子研究所, 研究实习员

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种眼图参考电压的校准方法及装置, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202110276674.4

( 2 ) 存储器芯片及其数据处理电路和数据处理方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201911029701.7

( 3 ) 占空比校准装置及方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910877648.X

( 4 ) 一种数据写入控制电路和控制方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910155811.1

( 5 ) 一种多相时钟串行器及信号转换系统, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811607524.1

( 6 ) 一种占空比校准电路, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811069756.6

( 7 ) 201821502409.3, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201821502409.3

( 8 ) 一种RC振荡器, 2018, 第 4 作者, 专利号: 201410637023.3

( 9 ) 灵敏放大器及一种信号处理的方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201410719895.4

( 10 ) 一种基准电压源, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201810072131.9

( 11 ) 一种CMOS振荡器电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201711328023.5

( 12 ) 一种非易失三维存储器的控制电路, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201711281993.4

( 13 ) 非连续性电流控制的双环电荷泵控制电路, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201410404393.2

( 14 ) 存储芯片、存储单元及其驱动方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201510062419.4

( 15 ) 闪存式存储器电路及其布局方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201410082113.0

出版信息

   
发表论文
(1) A High Efficiency All-PMOS Charge Pump for 3D NAND Flash Memory, A High Efficiency All-PMOS Charge Pump for 3D NAND Flash Memory. In Proceedings of the IEEE 11th International Conference on ASIC (ASICON), 2015, 第 4 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 64层3D NAND存储单元可靠性技术研究, 参与, 企业委托, 2016-01--2020-12
( 2 ) 三维存储器器件与可靠性技术研究, 参与, 研究所自选, 2017-01--2018-12
( 3 ) 面向IC的超快激光精密切割技术与装备, 参与, 研究所自选, 2019-01--2021-12