基本信息
刘梦新  男  硕导  中国科学院微电子研究所
email： liumengxin@ime.ac.cn
address： 北京市朝阳区北土城西路3号
postalCode：

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
高可靠性器件与集成技术

教育背景

2006-09--2009-07   中国科学院微电子研究所   工学博士
2003-09--2006-07   西安理工大学   工学硕士
1999-09--2003-07   西安理工大学   工学学士

工作经历

   
工作简历
2014-11~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2009-07~2014-11,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2006-09~2009-07,中国科学院微电子研究所, 工学博士
2003-09~2006-07,西安理工大学, 工学硕士
1999-09~2003-07,西安理工大学, 工学学士

专利与奖励

   
奖励信息
（1） 第十五届自治区自然科学优秀论文, 一等奖, 省级, 2018
专利成果
（ 1 ） （15.5）BCH码的编码电路设计方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: ZL201410594917.9

（ 2 ） 辐射探测电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL2014105944245

（ 3 ） 静态随机存取存储器单元, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL2014105944902

（ 4 ） 抗辐射SRAM单元, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL2014102230648

出版信息

   
发表论文
（1） Design and fabrication of charge-balanced SGRSO MOSFET, EDSSC2019, 2019, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
（ 1 ） 75W P沟道场效应管, 负责人, 国家任务, 2018-06--2019-06
（ 2 ） MOS型场效应晶体管-57Z60, 负责人, 国家任务, 2017-01--2019-01
（ 3 ） MOS型场效应晶体管-7469, 负责人, 国家任务, 2016-11--2019-11