基本信息
魏少红  男  硕导  中国科学院高能物理研究所
电子邮件： weish@ihep.ac.cn
通信地址： 广东省东莞市大朗镇中子源路1号
邮政编码：

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
招生方向
核材料技术与应用

教育背景

2006-09--2009-07   北京有色金属研究总院   硕士
2002-09--2006-07   中南大学   大学本科

工作经历

   
工作简历
2016-12~现在, 中国科学院高能物理研究所-东莞分部, 副研究员
2013-02~2016-12,中国科学院高能物理研究所-东莞分部, 助理研究员
2011-08~2013-02,中国科学院高能物理研究所-实验物理中心, 助理研究员
2009-07~2011-08,中国科学院高能物理研究所-实验物理中心, 研究实习员
2006-09~2009-07,北京有色金属研究总院, 硕士
2002-09~2006-07,中南大学, 大学本科

专利与奖励

   
专利成果
（ 1 ） 一种粒子束影像涂层及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201510185400.9

（ 2 ） 一种散裂中子源用固体靶片及其制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: ZL201310612833.9

（ 3 ） 一种钨块六面扩散焊接钽层的方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: ZL201510725531.1

（ 4 ） 一种用于CSNS靶体插件遥控更换的吊具, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201620458468.X

（ 5 ） 一种散裂中子源靶, 2016, 第 2 作者, 专利号: ZL201310541394.7

（ 6 ） 一种屏蔽拖车的锁紧机构, 2015, 第 5 作者, 专利号: 201310477175.7

（ 7 ） 一种快卸卡箍, 2015, 第 5 作者, 专利号: 201310477611.0

出版信息

   
发表论文
（1） 热等静压对钨基体表面等离子喷涂钽层组织及性能的影响, 材料保护, 2013, 第 1 作者
（2） 急冷甩带对Bi2Te2.7Se0.3热电材料微观结构与电性能的影响, 稀有金属, 2009, 第 1 作者
（3） Thermoelectric Properties of Bi0.5Sb1.5Te3 Prepared by the Ultrarapid Quenching Process, Materials Sicence Forum, 2008, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
（ 1 ） 中国散裂中子源--靶体系统, 参与, 国家任务, 2008-09--2018-06
参与会议
（1）Development of the CSNS Target   2016-10-30