基本信息
艾玉杰  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: aiyujie@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
射频MEMS器件

教育背景

2007-09--2011-06   北京大学   博士
2004-09--2007-07   山东师范大学   硕士
2000-09--2004-07   山东师范大学   学士

工作经历

   
工作简历
2020-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 正研究员
2016-03~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2007-09~2011-06,北京大学, 博士
2004-09~2007-07,山东师范大学, 硕士
2000-09~2004-07,山东师范大学, 学士

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 兰姆波谐振器及其制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN201710893348.1

( 2 ) 兰姆波谐振器及其制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN201710893347.7

( 3 ) 体声波谐振器及其底电极的制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN201710530035.X

( 4 ) Acoustic filter with suppressed nonlinear characteristics, 2015, 第 1 作者, 专利号: US 9455685 B2

( 5 ) Nano resonator and manufacturing method thereof, 2014, 第 1 作者, 专利号: US 8901538 B2

( 6 ) Field effect transistor with a vertical channel and fabrication method thereof, 2014, 第 2 作者, 专利号: US 8901644 B2

( 7 ) Method for fabricating semiconductor nano circular ring, 2014, 第 2 作者, 专利号: US 8722312 B2

( 8 ) 一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201010506129.1

( 9 ) Method for fabricating a tunneling field-effect transistor, 2012, 第 2 作者, 专利号: US 8288238 B2

( 10 ) 一种半导体纳米圆环的制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201010506128.7

( 11 ) 一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201010128839.5

( 12 ) 一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201010100144.6

( 13 ) 一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201010100174.7

出版信息

   
发表论文
(1) AlN (11-22) films prepared by sputtering and thermal annealing on m-plane sapphire substrates., Superlattices and Microstructures, 2020, 第 2 作者
(2) Method of out-of-band rejection improvement of the AlN based surface acoustic wave resonators, Ultrasonics, 2019, 第 2 作者
(3) Enhanced performance of AlN SAW devices with wave propagation along the <11−20> direction on c-plane sapphire substrate., Journal of Physics D: Applied Physics, 2019, 第 1 作者
(4) 器件结构对单端口氮化铝/蓝宝石衬底上声表面波谐振器性能的影响, Impact of device parameters on performance of one-port type SAW resonators on AlN/sapphire, Journal of Micromechanics and Microengineering, 2018, 第 2 作者
(5) Top-down fabrication of vertical silicon nano-rings based on Poisson diffraction, Nanotechnology, 2011, 第 1 作者
(6) Top-down fabrication of shape controllable Si nanowires based on conventional CMOS process, Physica E: Low-dimensional systems and nanostructures, 2010, 第 1 作者
(7) Investigations on the impact of the parasitic bottom transistor in gate-all-around silicon nanowire SONOS memory cells fabricated on bulk Si substrate, ECS transactions., 2009, 第 1 作者
(8) Synthesis of GaN nanowires through Ga2O3 films' reaction with ammonia, Materials letters, 2007, 第 1 作者
(9) Fabrication of needle-shaped GaN nanowires by ammoniating Ga2O3 films on MgO layers deposited on Si (111) substrates, Materials letters, 2007, 第 1 作者
(10) Fabrication of GaN nanorods in large scale on Si(111) substrate by ammoniating technique, Chinese Physics Letters., 2006, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 单晶氮化物薄膜超高频体声波谐振器研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2019-12
( 2 ) AlN单晶衬底声表面波特性及器件基础问题研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2023-12
( 3 ) 院择优支持经费, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2022-12