基本信息
艾玉杰  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件： aiyujie@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码：

教育背景

2007-09--2011-06   北京大学   博士
2004-09--2007-06   山东师范大学   硕士
2000-09--2004-06   山东师范大学   学士

工作经历

   
工作简历
2020-01~现在, 中科院半导体研究所, 研究员
2016-03~2019-12,中科院半导体研究所, 副研究员
2007-09~2011-06,北京大学, 博士
2004-09~2007-06,山东师范大学, 硕士
2000-09~2004-06,山东师范大学, 学士

专利与奖励

   
专利成果
（ 1 ） 兰姆波谐振器及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN109560784B

（ 2 ） 体声波谐振器及其底电极的制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN107437930B

（ 3 ） 兰姆波谐振器及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109560785A

（ 4 ） ACOUSTIC FILTER WITH SUPPRESSED NONLINEAR CHARACTERISTICS, 2015, 专利号: US20150097638A1

（ 5 ） NANO RESONATOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, 2014, 专利号: US20140021443A1

（ 6 ） Method for fabricating a tunneling field-effect transistor, 2012, 专利号: US08288238B2

出版信息

   
发表论文
（1） AlN/Sapphire-Based SAW Resonators With Q over 10000 for temperature sensors, IEEE Sensors Journal., 2023, 第 1 作者
（2） GaN surface acoustic wave filter with low insertion loss, ULTRASONICS, 2023, 第 1 作者
（3） Bulk GaN-based SAW resonators with high quality factors for wireless temperature sensor, Journal of Semiconductors, 2022, 第 11 作者
（4） An Experimental and Theoretical Study of Impact of Device Parameters on Performance of AlN/Sapphire-Based SAW Temperature Sensors, MICROMACHINES, 2021, 第 3 作者
（5） Enhanced performance of AlN SAW devices with wave propagation along the ���11���20��� direction on c-plane sapphire substrate, JOURNALOFPHYSICSDAPPLIEDPHYSICS, 2019, 第 1 作者
（6） Method of out-of-band rejection improvement of the AlN based surface acoustic wave resonators, Ultrasonics, 2019, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
（ 1 ） AlN单晶衬底声表面波特性及器件基础问题研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2023-12
（ 2 ） 院择优支持经费, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2022-12
（ 3 ） 单晶氮化物薄膜超高频体声波谐振器研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2019-12