140100-集成电路科学与工程

微电子工艺，二维材料，极紫外薄膜，先进制程装备

1993-09--1997-07   北京理工大学   学士学位

   

2017-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师
2009-04~2023-03,中国科学院微电子研究所, 工程师
2007-05~2009-04,北京凌云光视数字图像技术有限公司, 产品经理
1993-09~1997-07,北京理工大学, 学士学位

微电子工艺与装备技术

   

（1） 中国科学院教育教学特等奖, 特等奖, 部委级, 2017
（2） 中国电子学会科学技术奖, 一等奖, 部委级, 2017

（ 1 ） 基于柔性衬底的有机半导体阵列转移方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113830725A

（ 2 ） 一种图案化有机半导体的制备方法及形变拉伸测试方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113772620A

（ 3 ） 一种用于原子层沉积系统的平板式放电装置, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113755822A

（ 4 ） 一种碘化亚铜薄膜的制备方法, 2021, 第 11 作者, 专利号: CN113699506A

（ 5 ） 一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法, 2021, 第 12 作者, 专利号: CN113699505A

（ 6 ） 一种薄膜沉积系统检测装置及方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113624791A

（ 7 ） 一种有机半导体材料的阵列制备方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113620236A

（ 8 ） 一种制备薄膜材料的样品台和方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112824560A

（ 9 ） 一种用于原子层沉积的样品台和方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112824561A

（ 10 ） 一种微流道网络芯片, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110961167A

（ 11 ） 一种石墨烯选取刻蚀的方法及装置, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110548996A

（ 12 ） 一种石墨烯薄膜材料的加工方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110550624A

（ 13 ） 一种MOS器件原子层沉积原位制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108063089A

（ 14 ） 一种石墨烯表面选区改性加工方法及装置, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106531613A

（ 15 ） 一种原子层沉积系统原位实时检测方法及装置, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106525883A

（ 16 ） 交替结构薄膜封装层界面的处理方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104752634A

（ 17 ） 一种薄膜封装方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104746036A

（ 18 ） 一种薄膜封装方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104752633A

（ 19 ） 一种薄膜封装系统, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN203659835U

（ 20 ） 一种PECVD系统, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN203653697U

（ 21 ） 一种PIII工艺流程控制和在线剂量、均匀性检测方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103165488A

（ 22 ） 一种PIII工艺流程控制和在线剂量、均匀性检测装置, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103165489A

（ 23 ） 一种等离子体腔室内衬结构, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103165379A

（ 24 ） 一种等离子体浸没注入电极结构, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103165377A

（ 25 ） 一种用于等离子体浸没注入中剂量检测方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103165378A

（ 26 ） 一种等离子体浸没注入装置, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103165376A

（ 27 ） 一种用于等离子体浸没注入中剂量检测装置, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103165371A

（ 28 ） 半导体腔室用压片装置, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103165375A

（ 29 ） 一种进气装置, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103137521A

（ 30 ） 一种PIII工艺流程控制和在线剂量、均匀性检测装置, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN202487543U

（ 31 ） 等离子体浸没离子注入机, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN301914763S

（ 32 ） 刻蚀系统机柜, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN301914735S

（ 33 ） 刻蚀系统工艺腔室, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN301890737S

   

（1） Investigating the Performance of Efficient and Stable Planer Perovskite Solar Cell with an Effective Inorganic Carrier Transport Layer Using SCAPS-1D Simulation, Energies, 2023, 第 3 作者  通讯作者
（2） 半导体学报2022, 半导体学报, 2022, 第 1 作者  通讯作者
（3） 集束型多层纳米薄膜沉积设备的研制, Novel Cluster Tool for Multilayer Nanofilm Deposition: An Instrumentation Study, 真空科学与技术学报, 2020, 第 8 作者
（4） A Process Study of Organic/Inorganic Film Materials Deposited by ICP-PECVD at Low Temperature, KEY ENGINEERING MATERIALS, 2017, 第 1 作者
（5） A MEMS thermal shear stress sensor produced by a combination of substrate-free structures with anodic bonding technology, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 2 作者
（6） Analysis and design of a MEMS DC/DC converter, IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING, 2015, 第 1 作者  通讯作者
（7） 全自动荧光粉涂覆工艺研究, Research on Automatic Phosphor Coating Process, 半导体技术, 2013, 第 4 作者
（8） 全自动荧光粉涂覆工艺及设备研究, Research on Automatic Phosphor Coating Process and Equipment, 半导体光电, 2013, 第 4 作者
（9） Investigation on Performance and Vacuum Package of MEMS Infrared Focal Plane Arrays, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 第 3 作者
（10） 基于LabVIEW的伺服电机寻原点策略的实现, 中国科技博览, 2012, 第 5 作者

   

（ 1 ） 集成电路先进制程关键装备, 负责人, 其他, 2024-01--2026-12
（ 2 ） 国产CLUSTER ALD装备与先进制程工艺研发项目, 负责人, 境内委托项目, 2023-01--2024-12
（ 3 ） 极紫外光学反射膜制备系统研制, 负责人, 中国科学院计划, 2022-01--2024-12
（ 4 ） 大面积有机单晶阵列装备, 负责人, 国家任务, 2020-01--2024-12

（1）原子层沉积技术发展及应用   第三届“半导体工艺及封装检测新技术”   2024-05-09
（2）集成电路先进制程关键装备   第三届全国电子信息材料与器件大会   2024-04-12
（3）集成电路先进制程装备及工艺研究   第八届中国仪器分析大会   2023-11-28