基本信息
张艳华  男  硕导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: zhangyanhua@semi.ac.cn
通信地址: 北京海淀区清华东路甲35号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
招生方向
低维材料生长,红外探测器

教育背景

2009-09--2012-07   中国科学院研究生院   博士
2005-09--2007-07   北京理工大学   硕士
2001-09--2005-07   鲁东大学   学士

工作经历

   
工作简历
2015-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2010-01~2014-12,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2009-09~2012-07,中国科学院研究生院, 博士
2007-07~2009-12,中国科学院半导体研究所, 研究实习员
2005-09~2007-07,北京理工大学, 硕士
2001-09~2005-07,鲁东大学, 学士

教授课程

半导体光电材料与器件

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN111477717B

( 2 ) 二类超晶格雪崩光电探测器及其制作方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110311000A

( 3 ) 一种抑制锑化物超晶格红外探测器表面泄露电流的方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106711289A

( 4 ) 近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103954819A

( 5 ) 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103233271A

( 6 ) 一种II型III-V族量子点材料的生长方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103225109A

( 7 ) 一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103219291A

( 8 ) InAs/GaSb二类超晶格红外探测器, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102569484A

( 9 ) 钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102569521A

( 10 ) 甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102544229A

( 11 ) Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102534764A

( 12 ) 两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器及其制作方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101866933A

( 13 ) 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101866932A

( 14 ) 10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器及其制作方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101847672A

出版信息

   
发表论文
(1) Mid Wavelength Type II InAs/GaSb Superlattice Avalanche Photodiode With AlAsSb Multiplication Layer, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 第 3 作者
(2) Multiphoton absorption in type-II InAs/GaSb superlattice structure, OPTICS LETTERS, 2020, 第 5 作者
(3) Long Wavelength Type II InAs/GaSb Superlattice Photodetector Using Resonant Tunneling Diode Structure, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 第 4 作者
(4) High-performance mid-wavelength InAs avalanche photodiode using AlAs0.13Sb0.87as the multiplication layer, High-performance mid-wavelength InAs avalanche photodiode using AlAs0.13Sb0.87 as the multiplication layer, PHOTONICS RESEARCH, 2020, 第 7 作者
(5) 锑化物二类超晶格红外探测器, Antimonide Type ��� Superlattice Infrared Photodetectors, 航空兵器, 2019, 第 2 作者
(6) Monte Carlo simulation of avalanche noise characteristics of type II InAs/GaSb superlattice avalanche photodiodes, SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2019, 第 3 作者
(7) Short/Mid-Wave Two-Band Type-II Superlattice Infrared Heterojunction Phototransistor, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2019, 第 3 作者
(8) InAs/GaSb superlattice resonant tunneling diode photodetector with InAs/AlSb double barrier structure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 5 作者
(9) Two-Color niBin Type II Superlattice Infrared Photodetector With External Quantum Efficiency Larger Than 100%, IEEE Electron Device Letters, 2017, 
(10) Two-Color niBin Type II Superlattice Infrared Photodetector With External Quantum Efficiency Larger Than 100%, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 第 3 作者
(11) Electron mobility of inverted InAs/GaSb quantum well structure, SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2017, 第 4 作者
(12) Pushing Detection Wavelength Toward 1 mu m by Type II InAs/GaAsSb Superlattices With AlSb Insertion Layers, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 第 1 作者
(13) Pushing Detection Wavelength Toward 1 ��m by Type II InAs/GaAsSb Superlattices With AlSb Insertion Layers, IEEE Electron Device Letters, 2016, 第 1 作者
(14) 兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构研究年度报告, Annual Report of the Exploration of Novel Material System and Special Superlattice Structures in the Compatible Integration, 科技创新导报, 2016, 第 2 作者
(15) Mid-wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared focal plane arrays, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2016, 第 4 作者
(16) Pushing detection wavelength toward 1um by type II InAs/GaAsSb superlattices with inserting AlSb layers, IEEE Electron Device Letters, 2016, 
(17) 含有AlGaAs插入层的InAs/GaAs三色量子点红外探测器, Three-color InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector with AlGaAs inserting layer, ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 第 4 作者
(18) Impact of band structure of Ohmic contact layers on the response feature of p-i-n very long wavelength type II InAs/GaSb superlattice photodetector, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 3 作者
(19) Longer than 1.9 ��m photoluminescence emission from InAs quantum structure on GaAs (001) substrate, Applied Physics Letters, 2015, 第 4 作者
(20) Narrow-band Type II Superlattice Photodetector with Detection Wavelength Shorter than 2 um, Ieee photonics technology letters, 2015, 第 3 作者
(21) Longer than 1.9 mu m photoluminescence emission from InAs quantum structure on GaAs (001) substrate, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 4 作者
(22) Narrow-Band Type II Superlattice Photodetector With Detection Wavelength Shorter Than 2 mu m, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2015, 第 3 作者
(23) Experimental determination of band overlap in type II InAs/GaSb superlattice based on temperature dependent photoluminescence signal, SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2015, 第 3 作者
(24) Observation of linear and quadratic magnetic field-dependence of magneto-photocurrents in InAs/GaSb superlattice, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2014, 第 9 作者
(25) Dark current mechanism of unpassivated mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared photodetector, CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2014, 第 3 作者
(26) Three-region characteristic temperature in p-doped quantum dot lasers, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 4 作者
(27) 长波和甚长波及其双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的研究进展, 中国科学: 物理学 力学 天文学, 2014, 第 1 作者
(28) Interface effect on structural and optical properties of type II InAs/GaSb superlattices, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 4 作者
(29) Observation of linear and quadratic magnetic field-dependence of magneto-photocurrents in InAs, Nanoscale Research Letters, 2014, 第 9 作者
(30) 540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 第 3 作者
(31) 540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quant��m Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier, IEEE electron device letters, 2013, 第 1 作者
(32) Electrical properties of the absorber layer for mid, long and very long wavelength detection using type-II InAs/GaSb superlattice structures grown by molecular beam epitaxy, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2013, 第 4 作者
(33) InAs/GaSb II类超晶格长波及窄带双色红外探测器研究, 2012, 第 1 作者
(34) Mid Wavelength Type II InAs/GaSb Superlattice Photodetector Using SiOxNy Passivation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 5 作者
(35) How to Use Type II InAs/GaSb Superlattice Structure to Reach Detection Wavelength of 2-3 mu m, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2012, 第 4 作者
(36) High structural quality of type II InAs/GaSb superlattices for very long wavelength infrared detection by interface control, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2012, 第 3 作者
(37) Narrow-band long-/very-long wavelength two-color type-II InAs/GaSb superlattice photodetector by changing the bias polarity, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 1 作者
(38) Narrow-band long-/very-long wavelength two-color type-II InAs/GaSb superlattice photodetector by changing the bias polarity, Zhang, yanhua1 ; ma, wenquan1 ; wei, yang1 ; cao, yulian1 ; huang, jianliang1 ; cui, kai1 ; guo, xiaolu1, 2012, 第 1 作者
(39) 两端叠层结构的中长波量子阱红外探测器, Dual-band quantum well infrared photodetectors with two ohmic contacts, 物理学报, 2011, 第 3 作者
(40) Dual-band quantum well infrared photodetectors with two ohmic contacts, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 第 3 作者
(41) Very long wavelength quantum dot infrared photodetector using a modified dots-in-a-well structure with algaas insertion layers, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 4 作者
(42) Forward bias voltage controlled infrared photodetection and electroluminescence from a p-i-n quantum dot structure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 3 作者
(43) Long wavelength infrared inas/gasb superlattice photodetectors with insb-like and mixed interfaces, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2011, 第 1 作者
(44) Two-color in0.4ga0.6as/al0.1ga0.9as quantum dot infrared photodetector with double tunneling barriers, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 4 作者
(45) 10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器, 物理学报, 2010, 第 1 作者
(46) 10—14μm同时响应的双色量子阱红外探测器, Two-color quantum well infrared photodetector simultaneously working at 10���14 ��m, 物理学报, 2010, 第 3 作者
(47) Quant��m well infrared photodetector simultaneously working in two atmospheric windows, Appl Phys A, 2010, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 反转型InAs/GaSbⅡ类超晶格太赫兹探测材料及其器件研究, 负责人, 国家任务, 2018-01--2021-12
( 2 ) 反转型InAs/GaSbⅡ类超晶格太赫兹探测材料生长研究, 负责人, 地方任务, 2018-01--2019-12
( 3 ) 量子点红外探测器材料及器件物理研究, 参与, 国家任务, 2015-01--2018-12
( 4 ) 甚长波InAs/GaSb Ⅱ 类超晶格探测器材料及其新型界面研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
( 5 ) InAs /GaSb二类超晶格长波红外探测材料与器件研究, 参与, 国家任务, 2013-01--2017-12
参与会议
(1)InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器的研究 :向更长波长挑战   第九届全国分子束外延学术会议   2015-08-26
(2)长波与甚长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器   第二十届全国半导体物理学术会议   2015-07-17
(3)长波及窄带双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器   第十届全国分子束外延学术   2013-08-21
(4)长波与窄带双色InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器   第十七届全国化合物半导体材料微波器件和发光器件学术会议   2012-11-08
(5)InAs/GaSb Ⅱ类超晶格窄带长波与长波/甚长波双色红外探测器的研究   第十三届全国固体薄膜会议   2012-08-10
(6)InAs/GaSb II类超晶格红外探测器的研究   第九届全国分子束外延学术研讨会   2011-07-06