基本信息

曾传滨  男  博导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: chbzeng@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 100029

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向

高可靠CPU/ADC集成电路设计、高可靠SOI器件与工艺开发

教育背景

2004-01--2009-07   中国科学院微电子所   博士
2003-01--2003-12   清华大学   进修
1997-01--2001-12   南昌航空工业学院   学士

工作经历


工作简历
2017-07~现在, 中国科学院微电子所, 研究员
2012-07~2017-07,中国科学院微电子所, 副研究员
2009-01~2012-07,中国科学院微电子所, 助理研究员
2001-07~2004-12,珠海南科集成电子有限公司, 工艺工程师
社会兼职
2019-10-16-2023-10-16,计算机学会集成电路设计专业组, 执行委员
2019-08-01-2023-08-01,核物理学会抗辐照分会, 理事
2019-01-01-2024-01-01,北京客家海外联谊会, 副会长

出版信息

   
发表论文

    [1] Yuexin Gao, Xiaowu Cai, Zhengsheng Han, Chuanbin Zeng, Ruirui Xia, Yun Tang, Mali Gao, Bo Li. Design of compact-diode-SCR with low-trigger voltage for full-chip ESD protection. MICROELECTRONICS RELIABILITY. 2023, 140: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114860.
    [2] Xu, LD, Gao, LC, Ni, T, Zeng, CB. Study on low rate of change characteristics of saturation output current of 28 nm UTBB FDSOI at 300 degrees C high-temperature. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS[J]. 2023, [3] Xia, Ruirui, Cai, Xiaowu, Ding, Liqiang, Zeng, Chuanbin, Gao, Yuexin, Li, Mingzhu, Wang, Shiping, Li, Bo, Zhao, Fazhan. Design of a NMOS-triggered SCR for dual-direction low-voltage ESD protection. SOLID-STATE ELECTRONICS[J]. 2022, 190: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2022.108250.
    [4] Li, Mingzhu, Cai, Xiaowu, Zeng, Chuanbin, Li, Xiaojing, Ni, Tao, Wang, Juanjuan, Li, Duoli, Zhao, Fazhan, Han, Zhengsheng. The ESD Characteristics of a pMOS-Triggered Bidirectional SCR in SOI BCD Technology. ELECTRONICS[J]. 2022, 11(4): http://dx.doi.org/10.3390/electronics11040546.
    [5] Li Y F, Ni T, Wang J J, Zeng C B. Investigation of Transient Two-Stage Thermal Equivalent RC Network of SOI-MOSFETs Using Nano Double-Pulse Measurement. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2022, [6] Shiping Wang, Xiaowu Cai, Xiaojing Li, Duoli Li, Chuanbin Zeng, Meichen Jin, Jiajia Wang, Jiangjiang Li, Fazhan Zhao, Bo Li. Single-event burnout of LDMOS with polygon P+ structure. MICROELECTRONICS RELIABILITY. 2022, 138: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114715.
    [7] 王娟娟, 李江江, 曾传滨, 李逸帆, 倪涛, 罗家俊, 赵发展. 90nm SOI nMOSFET自加热效应研究. 半导体技术[J]. 2022, 47(5): 369-372, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107500952.
    [8] Zhao S S, Gao L C, Li X J, Zeng C B. The low threshold-voltage shift with temperature and small subthreshold-slope in 28 nm UTBB FDSOI for 300℃ high-temperature application. Journal of Physics D: Applied Physics[J]. 2022, [9] Li Xiaojing, Ni Tao, Zeng Chuanbin. Effect of Total Ionizing Dose on Silicon-Controlled Rectifier with Adjustable Holding Voltage for ESD Protection of SOI CMOS ICs Operating under1.8V. RADECSnull. 2022, [10] 李明珠, 蔡小五, 曾传滨, 李晓静, 李多力, 倪涛, 王娟娟, 韩郑生, 赵发展. 高温对MOSFET ESD防护器件维持特性的影响. 物理学报[J]. 2022, 71(12): 489-496, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107488772.
    [11] Wang, J X, Zhao, F Z, Ni, T, Li, D L, Gao, L C, Wang, J J, Li, X J, Zeng, C B, Luo, J J, Han, Z S. Study on the high-temperature triggering and holding characteristics of PDSOI SCR devices. MICROELECTRONICS RELIABILITY[J]. 2021, 126: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114239.
    [12] Li, Yangyang, Zeng, Chuanbin, Li, Xiaojing, Gao, Linchun, Yan, Weiwei, Li, Duoli, Zhang, Yi, Han, Zhengsheng, Luo, Jiajun. Applications of Direct-Current Current-Voltage Method to Total Ionizing Dose Radiation Characterization in SOI NMOSFETs with Different Process Conditions. ELECTRONICS[J]. 2021, 10(7): https://doaj.org/article/688191f8c1304c60a8c81f932ba0cf68.
    [13] 王加鑫, 李晓静, 赵发展, 曾传滨, 李博, 韩郑生, 罗家俊. 用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性. 半导体技术[J]. 2021, 46(3): 210-215, https://kns.cnki.net/KCMS/detail/detail.aspx?dbcode=CJFQ&dbname=CJFDLAST2021&filename=BDTJ202103008&v=MzE1MzZyV00xRnJDVVI3dWZZZWRtRmlyaFdyN0JKeW5mWkxHNEhORE1ySTlGYklSOGVYMUx1eFlTN0RoMVQzcVQ=.
    [14] Ceng Chuanbin. Study on the trigger mechanism of PDSOI NMOS devices for ESD protection operating under elevated temperatures. Chinese Physics B. 2021, [15] Li, Yangyang, Zhu, Huilong, Kong, Zhenzhen, Zhang, Yongkui, Ai, Xuezheng, Wang, Guilei, Wang, Qi, Liu, Ziyi, Lu, Shunshun, Xie, Lu, Huang, Weixing, Liu, Yongbo, Li, Chen, Li, Junjie, Lin, Hongxiao, Su, Jiale, Zeng, Chuanbin, Radamson, Henry H. The Effect of Doping on the Digital Etching of Silicon-Selective Silicon-Germanium Using Nitric Acids. NANOMATERIALS[J]. 2021, 11(5): http://dx.doi.org/10.3390/nano11051209.
    [16] 王娟娟, 曾传滨, 李江江, 倪涛, 李晓静, 李多力, 罗家俊. SOI MOSFET自加热效应测试方法. 半导体技术[J]. 2021, 46(2): 164-168, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7104194462.
    [17] 张颢译, 曾传滨, 李晓静, 高林春, 罗家俊, 韩郑生. 28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究. 微电子学[J]. 2021, 51(4): 577-581, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7105717846.
    [18] 倪涛, 杜川华, 曾传滨, 高林春, 王娟娟, 高见头, 赵发展, 罗家俊. 瞬时剂量率效应激光模拟测试技术. 太赫兹科学与电子信息学报[J]. 2020, 18(6): 1157-1161, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7104039216.
    [19] 张小琴, 蔡小五, 曾传滨, 闫薇薇, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊. 一种用于智能高边功率IC的负载开路检测电路. 微电子学与计算机[J]. 2020, 37(12): 17-21, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7103510019.
    [20] 王成成, 周龙达, 蒲石, 王芳, 杨红, 曾传滨, 韩郑生, 罗家俊, 卜建辉. 部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究. 航空科学技术[J]. 2020, 31(1): 76-80, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7100918157.
    [21] Li, Yangyang, Li, Xiaojing, Li, Bo, Gao, Linchun, Yan, Weiwei, Wang, Fangfang, Li, Duoli, Zeng, Chuanbin, Luo, Jiajun, Han, Zhengsheng. Effect of Radiation on Interface Traps of SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique. IEEE ACCESS[J]. 2019, 7: 115989-115996, https://doaj.org/article/7b5b4e9de4a24c5abd06e3116124ac73.
    [22] Li Duoli, Zeng Chuanbin, Dou Wei, Gao Linchun, Yan Weiwei, Li Bo, Huang Yang, Liu Tao, Xing Long, Liu Hainan, Luo Jiajun, Han Zhengsheng. A probabilistic analysis technique for single event transient sensitivity evaluation of phase-lock-loops. MICROELECTRONICS RELIABILITY[J]. 2019, 100: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2019.113436.
    [23] 曾传滨. 瞬时剂量率效应激光模拟测试技术研究. 太赫兹科学与电子信息学报. 2019, [24] 张念华, 万先进, 李远, 许爱春, 潘杰, 左明光, 胡凯, 詹侃, 宋锐, 毛格, 彭浩, 李晓静, 闫薇薇, 曾传滨. 氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充. 微纳电子技术[J]. 2019, 56(11): 925-932, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7100225586.
    [25] 王芳芳, 曾传滨, 李晓静, 高林春, 罗家俊, 韩郑生. DCIV技术提取辐照前后PDSOI器件背栅界面态密度. 微电子学与计算机[J]. 2018, 35(7): 92-96, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675546157.
    [26] Li, Xiaojing, Zeng, Chuanbin, Wang, Ruiheng, Gao, Linchun, Yan, Weiwei, Luo, Jiajun, Han, Zhengsheng. Investigation of interface traps at Si/SiO2 interface of SOI pMOSFETs induced by Fowler-Nordheim tunneling stress using the DCIV method. APPLIEDPHYSICSAMATERIALSSCIENCEPROCESSING[J]. 2018, 124(9): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000441326300001.
    [27] 于猛, 曾传滨, 闫薇薇, 李博, 高林春, 罗家俊, 韩郑生. 基于PDSOI的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究. 微电子学与计算机[J]. 2017, 34(8): 76-81, [28] 闫薇薇, 曾传滨, 赵发展. A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM. NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH B[J]. 2017, http://159.226.55.106/handle/172511/18029.
    [29] Yan, WeiWei, Gao, LinChun, Li, XiaoJing, Zhao, FaZhan, Zeng, ChuanBin, Luo, JiaJun, Han, ZhengSheng. Experimental and simulation studies of single-event transient in partially depleted SOI MOSFET. CHINESE PHYSICS B[J]. 2017, 26(9): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000409485800005.
    [30] 曾传滨, 于猛, 韩郑生, 罗家俊, 高林春, 李博, 闫薇薇. 基于PDSOI的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究. 微电子学与计算机[J]. 2017, http://159.226.55.106/handle/172511/18036.
    [31] 岂飞涛, 刘涛, 刘海南, 曾传滨, 李博, 赵发展, 高见头, 张刚, 韩郑生. Comparison Study of Bulk and SOI CMOS Technologies based Rad-hard ADCs in Space. 2016, http://159.226.55.106/handle/172511/16329.
    [32] 鲍进华, 吕荫学, 李博, 曾传滨, 毕津顺, 罗家俊. 一种基于标准CMOS工艺实现的锁相环电路. 电子设计工程[J]. 2016, 24(2): 90-92, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=667967658.
    [33] 赵洪利, 高林春, 曾传滨, 刘魁勇, 罗家俊, 韩郑生. 部分耗尽SOI器件背栅界面陷阱密度的提取. 微电子学[J]. 2015, 45(6): 817-819,828, [34] 鲍进华, 曾传滨, 李博. 异步TSPC分频器的激光脉冲实验研究. 第十二届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会null. 2015, http://159.226.55.106/handle/172511/16022.
    [35] 赵星, 梅博, 毕津顺, 郑中山, 高林春, 曾传滨, 罗家俊, 于芳, 韩郑生. 0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究. 物理学报[J]. 2015, 136102-1, [36] 赵洪利, 罗家俊, 曾传滨, 刘魁勇, 罗家俊, 韩郑生. DCIV技术提取SOI器件前栅界面与背界面态密度. 微电子学与计算机[J]. 2015, 32(6): 82-84,89, [37] 赵洪利, 曾传滨, 刘魁勇, 罗家俊, 罗家俊, 韩郑生. DCIV 技术表征 MOS / SOI 界面陷阱能级密度分布. 半导体技术[J]. 2015, 40(1): 63-67, [38] 鲍进华, 李博, 曾传滨, 高林春, 毕津顺, 刘海南, 罗家俊. 锁相环敏感模块的单粒子效应与设计加固. 半导体技术[J]. 2015, 40(7): 547-553, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1089324.
    [39] Bi Jinshun, Zeng Chuanbin, Gao Linchun, Liu Gang, Luo Jiajun, Han Zhengsheng. Estimation of pulsed laser-induced single event transient in a partially depleted silicon-on-insulator 0.18-μm MOSFET. CHINESE PHYSICS. B[J]. 2014, 23(8): 088505-1, [40] 李松, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 提高集成电路ESD防护能力的仿真方法. 半导体技术[J]. 2013, 38(10): 776-780, [41] Li Song, Zeng Chuanbin, Luo Jiajun, Han Zhengsheng. The abnormal electrostatic discharge of a no-connect metal cover in a ceramic packaging device. JOURNAL OF SEMICONDUCTORS[J]. 2013, 34(8): [42] Jiang Yibo, Zeng Chuanbin, Luo Jiajun, Han Zhengsheng. H型栅SOIMOS作为静电保护器件的维持电压的研究. 固体电子学研究与进展[J]. 2013, 33(2): 108-111, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=45567615.
    [43] Jiang Yibo, Du Huan, Zeng Chuanbin, Han Zhengsheng. ESD protection design for the gate oxide of an RF-LDMOS. 半导体学报[J]. 2012, 33(4): 044007-1, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=41466582.
    [44] 贾少旭, 毕津顺, 曾传滨, 韩郑生. 核反应影响半导体器件单粒子翻转的Geant4仿真. 核技术[J]. 2012, 35(10): 765-770, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=43564950.
    [45] Jiang Yibo, Zeng Chuanbin, Du Huan, Luo Jiajun, Han Zhengsheng. Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon-on-insulator technology. 半导体学报[J]. 2012, 33(3): 034006-1, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=41141594.
    [46] 曾传滨, 海潮和, 李晶, 李多力, 韩郑生. PDSOINMOS/CMOS闩锁特性. 功能材料与器件学报[J]. 2009, 15(5): 429-434, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=31965884.
    [47] 海潮和, 李晶, 李多力, 韩郑生, 曾传滨. 采用容性封装技术提高ESD防护性能研究. 半导体技术[J]. 2009, 34(9): 876-880, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=31454981.
    [48] 曾传滨, 海潮和, 李多力, 韩郑生. 栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究. 半导体技术[J]. 2009, 34(11): 1135-1139, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=32087704.
    [49] 曾传滨, 李晶, 王显泰, 海潮和, 韩郑生. 传输线脉冲发生器电压探测中振荡问题的研究. 半导体技术[J]. 2009, 34(4): 365-369, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=30446211.
    [50] 宋文斌, 许高博, 曾传滨, 韩郑生. 源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响. 功能材料与器件学报[J]. 2008, 14(6): 1007-1012, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=29023096

    专利成果

    ( 1 ) 一种抑制集成电路发生静电损伤的方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113990861A
    ( 2 ) 一种集成电路的静电防护方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113990863A
    ( 3 ) 一种新型静电防护方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113990862A
    ( 4 ) 一种低成本静电防护方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113990860A
    ( 5 ) 半导体功率器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113644055A
    ( 6 ) 一种基于SOI工艺抗辐照多晶材料电阻, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN214378423U
    ( 7 ) 一种抗单粒子效应加固电路及加固反相器, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN214378450U
    ( 8 ) 一种测量高能粒子离化电荷粒径的方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112817036A
    ( 9 ) 功率智能开关电路负载电流的测试电路及其测试方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112653441A
    ( 10 ) 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN109935581B
    ( 11 ) 一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112491021A
    ( 12 ) 一种静电放电防护钳位电路, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112491020A
    ( 13 ) 一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112466950A
    ( 14 ) 一种BTS型MOSFET结构及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112466949A
    ( 15 ) 一种MOS器件及避免MOS器件寄生晶体管开启的方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466951A
    ( 16 ) 一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466953A
    ( 17 ) 一种维持电压可调的SOI工艺可控硅静电放电保护结构, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466937A
    ( 18 ) 一种基于静电放电保护结构的场效应管, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466947A
    ( 19 ) 一种可控硅器件, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466940A
    ( 20 ) 一种具有静电放电保护功能的可控硅器件, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466939A
    ( 21 ) 一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112466938A
    ( 22 ) 一种功率器件抗闩锁测试电路和测试装置, 外观设计, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN212341366U
    ( 23 ) 一种基于张弛振荡器的时钟产生电路, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN112104361A
    ( 24 ) 一种SOI MOSFET器件及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112054062A
    ( 25 ) 一种串联SOI MOSFET器件结构及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112054025A
    ( 26 ) 一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112053968A
    ( 27 ) 一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112054061A
    ( 28 ) 一种体接触SOI MOS器件结构及形成方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112054060A
    ( 29 ) 一种测试夹具, 实用新型, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN211697889U
    ( 30 ) 一种半导体器件模型的建模方法及装置, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111680465A
    ( 31 ) 一种功率器件电学闩锁测试系统, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111551837A
    ( 32 ) 一种终端极化电路、及终端极化装置, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111510113A
    ( 33 ) 一种半导体器件的测试装置、方法及系统, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111487516A
    ( 34 ) 一种传输线脉冲测试系统, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111487451A
    ( 35 ) 一种超快电流探测装置及脉冲测试系统, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111487452A
    ( 36 ) 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111370401A
    ( 37 ) 一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111341770A
    ( 38 ) 一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111291480A
    ( 39 ) 一种双向触发的ESD保护器件, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111199971A
    ( 40 ) 用于SOI智能功率集成电路的双向低触发电压的ESD保护结构, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111129006A
    ( 41 ) 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109962098A
    ( 42 ) 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 发明专利, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109962099A
    ( 43 ) 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109935582A
    ( 44 ) 单个高能粒子离化电荷测试电路, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109917269A
    ( 45 ) 高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109884414A
    ( 46 ) 一种SOI功率开关的ESD保护器件, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109786374A
    ( 47 ) 一种SOI功率开关的ESD保护器件, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109742071A
    ( 48 ) 一种同轴水银继电器, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109616364A
    ( 49 ) 一种动态比较器, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN106533447B
    ( 50 ) 一种SR锁存器, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108667446A
    ( 51 ) 一种低漏电连接器, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108037325A
    ( 52 ) 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 专利授权, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108039362A
    ( 53 ) 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 专利授权, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108039365A
    ( 54 ) 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108039364A
    ( 55 ) 一种ESD钳位电路及集成电路, 专利授权, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN107863339A
    ( 56 ) 一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器, 实用新型, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN205900097U
    ( 57 ) 一种高速信号自隔离装置, 实用新型, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN205720554U
    ( 58 ) 一种高速信号隔离装置, 专利授权, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105929317A
    ( 59 ) 一种环形振荡器测试系统, 实用新型, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN203688739U
    ( 60 ) 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103792438A
    ( 61 ) 一种低温漂欠压锁定电路, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103309390A
    ( 62 ) 一种静电放电防护装置及由其组成的系统, 实用新型, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN202549831U
    ( 63 ) 一种半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102646601A
    ( 64 ) 静电放电保护用可控硅结构, 实用新型, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN202384340U
    ( 65 ) 一种ESD防护电阻, 实用新型, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN202373579U
    ( 66 ) 一种提高维持电压的方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102543999A
    ( 67 ) 一种激光脉冲单粒子效应模拟系统, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102495355A
    ( 68 ) 温控可充气真空辐射设备, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102339655A
    ( 69 ) 一种维持电压可调节的可控硅结构, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102332467A
    ( 70 ) 一种半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102332403A
    ( 71 ) 一种芯片内利用尖端放电的ESD保护结构, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102324421A
    ( 72 ) 一种改变静电保护器件触发电压的方法及装置, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102290340A
    ( 73 ) 一种利用尖端放电进行静电保护的封装结构, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102222662A
    ( 74 ) 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101562140B
    ( 75 ) 一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101562188A
    ( 76 ) 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101562187A
    ( 77 ) 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法, 发明专利, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101276788A

    指导学生

    已指导学生

    张念华  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

    向银松  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

    王玉岐  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

    朱航  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

    张小琴  硕士研究生  085209-集成电路工程  

    王玉伟  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

    盖春赟  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

    陈涛  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

    陈凯  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

    张颢译  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

    赵姗姗  硕士研究生  085209-集成电路工程  

    现指导学生

    许立达  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

    李雪勤  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

    李逸帆  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

    曹泽文  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

    王润坚  硕士研究生  085400-电子信息  

    骆新宇  硕士研究生  085400-电子信息  

    孙晨岳  硕士研究生  085400-电子信息  

    董玉颖  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

    阮泓睿  硕士研究生  085400-电子信息  

    王云亮  硕士研究生  085400-电子信息  

    奖励信息

    (1) CCF高级会员, 其他, 2023
    (2) 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 富满微杯全国总决赛 (指导教师), 二等奖, 其他, 2022
    (3) 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 优秀指导教师, 其他, 2022
    (4) 科技进步奖, 二等奖, 部委级, 2022
    (5) 北京市优秀毕业生 (导师), , 市地级, 2022
    (6) 研究生最喜爱导师, 一等奖, 研究所(学校), 2019
    (7) 优秀论文奖, 一等奖, 其他, 2019