080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息

高可靠CPU/ADC集成电路设计、高可靠SOI器件与工艺开发

2004-01--2009-07   中国科学院微电子所   博士
2003-01--2003-12   清华大学   进修
1997-01--2001-12   南昌航空工业学院   学士

   

2017-07~现在, 中国科学院微电子所, 研究员
2012-07~2017-07,中国科学院微电子所, 副研究员
2009-01~2012-07,中国科学院微电子所, 助理研究员
2001-07~2004-12,珠海南科集成电子有限公司, 工艺工程师

2019-10-16-2023-10-16,计算机学会集成电路设计专业组, 执行委员
2019-08-01-2023-08-01,核物理学会抗辐照分会, 理事
2019-01-01-2024-01-01,北京客家海外联谊会, 副会长

   

（1） 北京市优秀毕业生, , 市地级, 2022
（2） 科技进步奖, 二等奖, 部委级, 2022
（3） 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 优秀指导教师, 其他, 2022
（4） 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 富满微杯全国总决赛, 二等奖, 其他, 2022
（5） 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 芯海杯华北赛区, 三等奖, 其他, 2022
（6） 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 芯来RISC-V杯华北赛区, 二等奖, 其他, 2022
（7） 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 富满微杯华北赛区, 一等奖, 其他, 2022
（8） 优秀毕业生, , 研究所（学校）, 2022
（9） 优秀毕业生, , 研究所（学校）, 2019
（10） 优秀论文奖, 一等奖, 其他, 2019
（11） 研究生最喜爱导师, 一等奖, 研究所（学校）, 2019

（ 1 ） 一种抑制集成电路发生静电损伤的方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113990861A

（ 2 ） 一种集成电路的静电防护方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113990863A

（ 3 ） 一种新型静电防护方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113990862A

（ 4 ） 一种低成本静电防护方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113990860A

（ 5 ） 半导体功率器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113644055A

（ 6 ） 一种基于SOI工艺抗辐照多晶材料电阻, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN214378423U

（ 7 ） 一种抗单粒子效应加固电路及加固反相器, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN214378450U

（ 8 ） 一种测量高能粒子离化电荷粒径的方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112817036A

（ 9 ） 功率智能开关电路负载电流的测试电路及其测试方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112653441A

（ 10 ） 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN109935581B

（ 11 ） 一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112491021A

（ 12 ） 一种静电放电防护钳位电路, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112491020A

（ 13 ） 一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112466950A

（ 14 ） 一种BTS型MOSFET结构及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112466949A

（ 15 ） 一种MOS器件及避免MOS器件寄生晶体管开启的方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466951A

（ 16 ） 一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466953A

（ 17 ） 一种维持电压可调的SOI工艺可控硅静电放电保护结构, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466937A

（ 18 ） 一种基于静电放电保护结构的场效应管, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466947A

（ 19 ） 一种可控硅器件, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466940A

（ 20 ） 一种具有静电放电保护功能的可控硅器件, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466939A

（ 21 ） 一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112466938A

（ 22 ） 一种功率器件抗闩锁测试电路和测试装置, 外观设计, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN212341366U

（ 23 ） 一种基于张弛振荡器的时钟产生电路, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN112104361A

（ 24 ） 一种SOI MOSFET器件及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112054062A

（ 25 ） 一种串联SOI MOSFET器件结构及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112054025A

（ 26 ） 一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112053968A

（ 27 ） 一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112054061A

（ 28 ） 一种体接触SOI MOS器件结构及形成方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112054060A

（ 29 ） 一种测试夹具, 实用新型, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN211697889U

（ 30 ） 一种半导体器件模型的建模方法及装置, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111680465A

（ 31 ） 一种功率器件电学闩锁测试系统, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111551837A

（ 32 ） 一种终端极化电路、及终端极化装置, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111510113A

（ 33 ） 一种半导体器件的测试装置、方法及系统, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111487516A

（ 34 ） 一种传输线脉冲测试系统, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111487451A

（ 35 ） 一种超快电流探测装置及脉冲测试系统, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111487452A

（ 36 ） 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111370401A

（ 37 ） 一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111341770A

（ 38 ） 一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111291480A

（ 39 ） 一种双向触发的ESD保护器件, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111199971A

（ 40 ） 用于SOI智能功率集成电路的双向低触发电压的ESD保护结构, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111129006A

（ 41 ） 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109962098A

（ 42 ） 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 发明专利, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109962099A

（ 43 ） 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109935582A

（ 44 ） 单个高能粒子离化电荷测试电路, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109917269A

（ 45 ） 高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109884414A

（ 46 ） 一种SOI功率开关的ESD保护器件, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109786374A

（ 47 ） 一种SOI功率开关的ESD保护器件, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109742071A

（ 48 ） 一种同轴水银继电器, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109616364A

（ 49 ） 一种动态比较器, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN106533447B

（ 50 ） 一种SR锁存器, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108667446A

（ 51 ） 一种低漏电连接器, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108037325A

（ 52 ） 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 专利授权, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108039362A

（ 53 ） 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 专利授权, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108039365A

（ 54 ） 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108039364A

（ 55 ） 一种ESD钳位电路及集成电路, 专利授权, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN107863339A

（ 56 ） 一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器, 实用新型, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN205900097U

（ 57 ） 一种高速信号自隔离装置, 实用新型, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN205720554U

（ 58 ） 一种高速信号隔离装置, 专利授权, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105929317A

（ 59 ） 一种环形振荡器测试系统, 实用新型, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN203688739U

（ 60 ） 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103792438A

（ 61 ） 一种低温漂欠压锁定电路, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103309390A

（ 62 ） 一种静电放电防护装置及由其组成的系统, 实用新型, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN202549831U

（ 63 ） 一种半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102646601A

（ 64 ） 静电放电保护用可控硅结构, 实用新型, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN202384340U

（ 65 ） 一种ESD防护电阻, 实用新型, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN202373579U

（ 66 ） 一种提高维持电压的方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102543999A

（ 67 ） 一种激光脉冲单粒子效应模拟系统, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102495355A

（ 68 ） 温控可充气真空辐射设备, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102339655A

（ 69 ） 一种维持电压可调节的可控硅结构, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102332467A

（ 70 ） 一种半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102332403A

（ 71 ） 一种芯片内利用尖端放电的ESD保护结构, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102324421A

（ 72 ） 一种改变静电保护器件触发电压的方法及装置, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102290340A

（ 73 ） 一种利用尖端放电进行静电保护的封装结构, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102222662A

（ 74 ） 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101562140B

（ 75 ） 一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101562188A

（ 76 ） 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101562187A

（ 77 ） 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法, 发明专利, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101276788A

   

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[51] 宋文斌, 许高博, 曾传滨, 韩郑生. 源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响. 功能材料与器件学报[J]. 2008, 14(6): 1007-1012, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=29023096.

   

（1）开源芯片—机遇、挑战以及对策   中国计算机大会   2022-12-08
（2）基于FDSOI 28nm工艺的伪90nm高速电路单粒子免疫加固技术研究   第十五届核技术应用学术交流会   王可   2019-11-15
（3）SOI器件高温特性及其在深地领域的应用研究   第六届青年地学论坛   曾传滨   2019-10-12
（4）A Probabilistic Analysis Technique for Single Event Transient Sensitivity Evaluation of Phase-Lock-Loops   李多力、曾传滨等   2019-09-23
（5）Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique   李洋洋   2019-09-14
（6）瞬时剂量率效应激光模拟测试技术研究   第十三届抗辐射电子学与电磁脉冲   倪涛   2019-07-22
（7）Investigation of high aspect ratio multi-level contact holes etching process in three-dimensional flash memory manufacturing   王玉岐   2018-10-31
（8）人体静电模型引起的封装体内的火花放电现象研究   全国辐射物理学术交流会   李松   2014-11-01
（9）正面入射单光子吸收激光脉冲测试影响因素研究   全国辐射物理学术交流会   高林春   2014-09-01
（10）PDSOI SRAM XXX激光脉冲XXX对应关系   全国辐射物理学术交流会   曾传滨   2014-02-01
（11）The ESD protection designed for LDMOS power amplifier   姜一波   2012-11-03
（12）传输线脉冲发生器在半导体技术中的应用研究   半导体数值仿真技术论坛   曾传滨   2012-09-01

已指导学生

张念华  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

向银松  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

王玉岐  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

朱航  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

张小琴  硕士研究生  085209-集成电路工程  

王玉伟  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

盖春赟  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

陈涛  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

陈凯  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

张颢译  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵姗姗  硕士研究生  085209-集成电路工程  

现指导学生

许立达  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李雪勤  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李逸帆  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

曹泽文  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王润坚  硕士研究生  085400-电子信息  

骆新宇  硕士研究生  085400-电子信息  

孙晨岳  硕士研究生  085400-电子信息  

董玉颖  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

阮泓睿  硕士研究生  085400-电子信息  

王云亮  硕士研究生  085400-电子信息