080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
140100-集成电路科学与工程

高可靠集成电路设计、高可靠SOI器件与工艺开发

2004-01--2009-07   中国科学院微电子所   博士
2003-01--2003-12   清华大学   进修
1997-01--2001-12   南昌航空工业学院   学士

   

2017-07~现在, 中国科学院微电子所, 研究员
2012-07~2017-07,中国科学院微电子所, 副研究员
2009-01~2012-07,中国科学院微电子所, 助理研究员
2001-07~2004-12,珠海南科集成电子有限公司, 工艺工程师

2019-10-16-2023-10-16,计算机学会集成电路设计专业组, 执行委员
2019-08-01-2023-08-01,核物理学会抗辐照分会, 理事
2019-01-01-2024-01-01,北京客家海外联谊会, 副会长

   

（1） CCF高级会员, 其他, 2023
（2） 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 富满微杯全国总决赛 (指导教师）, 二等奖, 其他, 2022
（3） 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 优秀指导教师, 其他, 2022
（4） 科技进步奖, 二等奖, 部委级, 2022
（5） 北京市优秀毕业生 （导师）, , 市地级, 2022
（6） 研究生最喜爱导师, 一等奖, 研究所（学校）, 2019
（7） 优秀论文奖, 一等奖, 其他, 2019

[1] 李晓静, 曾传滨, 李多力, 陆芃, 李博, 赵发展. 一种用于碳基集成电路的静电防护方法. CN: CN115172337A, 2022-10-11.
[2] 王娟娟, 罗家俊, 韩郑生, 倪涛, 高林春, 李逸帆, 曾传滨, 李晓静, 刘建章, 李多力. 一种超快脉冲测试系统、测试方法及装置. CN: CN115166464A, 2022-10-11.
[3] 倪涛, 王娟娟, 孙佳星, 高林春, 李逸帆, 曾传滨, 李晓静, 李多力, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种超快脉冲测试系统. CN: CN218331828U, 2023-01-17.
[4] 李逸帆, 罗家俊, 韩郑生, 倪涛, 王娟娟, 曾传滨, 高林春, 李晓静, 孙佳星, 刘海南. 一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统. CN: CN115236475A, 2022-10-25.
[5] 曾传滨, 倪涛, 王娟娟, 李逸帆, 高林春, 钱频, 张煦, 刘建章, 蔡小五, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种半导体器件自加热效应的测试装置. CN: CN218331827U, 2023-01-17.
[6] 李逸帆, 罗家俊, 韩郑生, 倪涛, 王娟娟, 高林春, 曾传滨, 钱频, 王玉娟, 卜建辉. 一种半导体器件自加热效应的散热测试方法及系统. CN: CN115184761A, 2022-10-14.
[7] 王可, 高见头, 曾传滨, 孙澎, 周净男, 蔡小五, 赵发展. 功率器件的封装结构及封装方法. CN: CN116666336A, 2023-08-29.
[8] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种抑制集成电路发生静电损伤的方法. CN: CN113990861A, 2022-01-28.
[9] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种集成电路的静电防护方法. CN: CN113990863A, 2022-01-28.
[10] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种新型静电防护方法. CN: CN113990862A, 2022-01-28.
[11] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种低成本静电防护方法. CN: CN113990860A, 2022-01-28.
[12] 李明珠, 蔡小五, 曾传滨, 李晓静, 赵发展. 半导体功率器件及其制备方法. CN: CN113644055A, 2021-11-12.
[13] 王加鑫, 罗家俊, 李晓静, 赵发展, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 李多力, 韩郑生. 静电防护器件的仿真装置及仿真方法. CN: CN115248966A, 2022-10-28.
[14] 詹强华, 岂飞涛, 李博, 罗家俊, 曾传滨, 高林春, 刘海南, 滕瑞, 赵发展. 辐射效应测试方法及系统. CN: CN115112966A, 2022-09-27.
[15] 闫薇薇, 曾传滨, 高林春, 李晓静, 倪涛, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种测量高能粒子离化电荷粒径的方法. CN: CN112817036A, 2021-05-18.
[16] 闫薇薇, 曾传滨, 高林春, 李晓静, 倪涛, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种基于SOI工艺抗辐照多晶材料电阻. CN: CN214378423U, 2021-10-08.
[17] 闫薇薇, 曾传滨, 高林春, 李晓静, 倪涛, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗单粒子效应加固电路及加固反相器. CN: CN214378450U, 2021-10-08.
[18] 曾传滨, 高林春, 李晓静, 闫薇薇, 单梁, 李多力, 倪涛, 王娟娟, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法. CN: CN112466950A, 2021-03-09.
[19] 曾传滨, 高林春, 李晓静, 闫薇薇, 单梁, 李多力, 倪涛, 王娟娟, 罗家俊, 韩郑生. 一种BTS型MOSFET结构及其制备方法. CN: CN112466949A, 2021-03-09.
[20] 高林春, 曾传滨, 李晓静, 闫薇薇, 李多力, 单梁, 钱频, 张颢译, 倪涛, 罗家俊, 韩郑生. 一种MOS器件及避免MOS器件寄生晶体管开启的方法. CN: CN112466951A, 2021-03-09.
[21] 高林春, 曾传滨, 闫薇薇, 李晓静, 李多力, 单梁, 钱频, 张颢译, 倪涛, 罗家俊, 韩郑生. 一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法. CN: CN112466953A, 2021-03-09.
[22] 李晓静, 曾传滨, 闫薇薇, 高林春, 倪涛, 单梁, 王加鑫, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种基于静电放电保护结构的场效应管. CN: CN112466947A, 2021-03-09.
[23] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 闫薇薇, 倪涛, 单梁, 王玉娟, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种维持电压可调的SOI工艺可控硅静电放电保护结构. CN: CN112466937A, 2021-03-09.
[24] 李晓静, 曾传滨, 闫薇薇, 高林春, 倪涛, 单梁, 王加鑫, 李多力, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种可控硅器件. CN: CN112466940A, 2021-03-09.
[25] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 闫薇薇, 倪涛, 单梁, 王加鑫, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种具有静电放电保护功能的可控硅器件. CN: CN112466939A, 2021-03-09.
[26] 曾传滨, 李晓静, 闫薇薇, 高林春, 倪涛, 单梁, 王加鑫, 李多力, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件. CN: CN112466938A, 2021-03-09.
[27] 曾传滨, 李晓静, 高林春, 闫薇薇, 倪涛, 王加鑫, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路. CN: CN112491021A, 2021-03-12.
[28] 曾传滨, 李晓静, 高林春, 闫薇薇, 倪涛, 王加鑫, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路. CN: CN112491021B, 2023-01-17.
[29] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 闫薇薇, 倪涛, 王加鑫, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种静电放电防护钳位电路. CN: CN112491020A, 2021-03-12.
[30] 李晶, 王春林, 蔡小五, 曾传滨. 功率智能开关电路负载电流的测试电路及其测试方法. CN: CN112653441A, 2021-04-13.
[31] 智玉欣, 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 曾传滨, 罗家俊. 一种基于张弛振荡器的时钟产生电路. CN: CN112104361A, 2020-12-18.
[32] 李多力, 曾传滨, 高林春, 王家佳, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI MOSFET器件及其制备方法. CN: CN112054062A, 2020-12-08.
[33] 李多力, 王家佳, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种串联SOI MOSFET器件结构及其制备方法. CN: CN112054025A, 2020-12-08.
[34] 高林春, 曾传滨, 李晓静, 闫薇薇, 倪涛, 李多力, 卜建辉, 张颢译, 王可, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置. CN: CN112053968A, 2020-12-08.
[35] 高林春, 曾传滨, 闫薇薇, 李晓静, 李多力, 单梁, 钱频, 倪涛, 王娟娟, 罗家俊, 韩郑生. 一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构及其制作方法. CN: CN112054061A, 2020-12-08.
[36] 王家佳, 李多力, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种体接触SOI MOS器件结构及形成方法. CN: CN112054060A, 2020-12-08.
[37] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 曾传滨, 韩郑生, 罗家俊. 一种半导体器件模型的建模方法及装置. CN: CN111680465A, 2020-09-18.
[38] 曾传滨, 罗家俊, 孙佳星, 倪涛, 王娟娟, 王玉娟, 张煦. 一种半导体器件的测试装置、方法及系统. CN: CN111487516A, 2020-08-04.
[39] 孙佳星, 倪涛, 曾传滨, 王娟娟, 王玉娟, 张煦, 罗家俊. 一种功率器件抗闩锁测试电路和测试装置. CN: CN212341366U, 2021-01-12.
[40] 曾传滨, 王娟娟, 倪涛, 孙佳星, 罗家俊, 韩郑生, 王玉娟, 张煦. 一种传输线脉冲测试系统. CN: CN111487451A, 2020-08-04.
[41] 王娟娟, 曾传滨, 倪涛, 孙佳星, 罗家俊, 韩郑生, 王玉娟, 张煦. 一种超快电流探测装置及脉冲测试系统. CN: CN111487452A, 2020-08-04.
[42] 倪涛, 曾传滨, 王娟娟, 孙佳星, 韩郑生, 罗家俊. 一种功率器件电学闩锁测试系统. CN: CN111551837A, 2020-08-18.
[43] 倪涛, 曾传滨, 孙佳星, 王娟娟, 韩郑生, 罗家俊. 一种终端极化电路、及终端极化装置. CN: CN111510113A, 2020-08-07.
[44] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备. CN: CN111341770A, 2020-06-26.
[45] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备. CN: CN111370401A, 2020-07-03.
[46] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备. CN: CN111370401B, 2023-01-17.
[47] 高立博, 卜建辉, 高见头, 赵发展, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置. CN: CN111291480A, 2020-06-16.
[48] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 用于SOI智能功率集成电路的双向低触发电压的ESD保护结构. CN: CN111129006A, 2020-05-08.
[49] 蔡小五, 高悦欣, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 夏瑞瑞, 罗家俊. 一种双向触发的ESD保护器件. CN: CN111199971A, 2020-05-26.
[50] 李晶, 刘征, 蔡小五, 曾传滨, 罗家俊. 一种测试夹具. CN: CN211697889U, 2020-10-16.
[51] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109935582A, 2019-06-25.
[52] 蔡小五, 罗家俊, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 陆江, 罗家俊. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109962098A, 2019-07-02.
[53] 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊, 曾传滨, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109962099A, 2019-07-02.
[54] 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊, 曾传滨, 卜建辉, 罗家俊. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109935581B, 2021-04-13.
[55] 闫薇薇, 曾传滨, 高林春, 李晓静, 倪涛, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路. CN: CN109884414A, 2019-06-14.
[56] 闫薇薇, 曾传滨, 高林春, 李晓静, 倪涛, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 单个高能粒子离化电荷测试电路. CN: CN109917269A, 2019-06-21.
[57] 倪涛, 孙佳星, 王娟娟, 曾传滨, 罗家俊, 王玉娟, 张煦. 一种同轴水银继电器. CN: CN109616364A, 2019-04-12.
[58] 蔡小五, 曾传滨, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 罗家俊. 一种SOI功率开关的ESD保护器件. CN: CN109786374A, 2019-05-21.
[59] 蔡小五, 曾传滨, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 罗家俊. 一种SOI功率开关的ESD保护器件. CN: CN109742071A, 2019-05-10.
[60] 王芳芳, 曾传滨, 高林春, 罗家俊, 韩郑生. 一种SR锁存器. CN: CN108667446A, 2018-10-16.
[61] 曾传滨, 王瑞恒, 倪涛, 高林春, 李晓静, 罗家俊. 一种低漏电连接器. CN: CN108037325A, 2018-05-15.
[62] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 陆江, 曾传滨, 卜建辉, 赵海涛. 一种ESD钳位电路及集成电路. CN: CN107863339A, 2018-03-30.
[63] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039362A, 2018-05-15.
[64] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039365A, 2018-05-15.
[65] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039364A, 2018-05-15.
[66] 于猛, 曾传滨, 闫薇薇, 罗家俊, 韩郑生. 一种动态比较器. CN: CN106533447B, 2019-03-08.
[67] 于猛, 曾传滨, 闫薇薇, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器. CN: CN205900097U, 2017-01-18.
[68] 曾传滨, 张晴, 倪涛, 罗家俊, 韩郑生. 一种高速信号隔离装置. CN: CN105929317A, 2016-09-07.
[69] 曾传滨, 张晴, 倪涛, 罗家俊, 韩郑生. 一种高速信号自隔离装置. CN: CN205720554U, 2016-11-23.
[70] 李书振, 卜建辉, 毕津顺, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法. CN: CN103792438A, 2014-05-14.
[71] 卜建辉, 曾传滨, 张刚, 罗家俊, 韩郑生. 一种环形振荡器测试系统. CN: CN203688739U, 2014-07-02.
[72] 张小琴, 曾传滨, 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊. 一种低温漂欠压锁定电路. CN: CN103309390A, 2013-09-18.
[73] 姜一波, 曾传滨, 杜寰. 一种半导体结构及其制造方法. 中国: CN102646601A, 2012-08-22.
[74] 姜一波, 曾传滨. 一种提高维持电压的方法. CN: CN102543999A, 2012-07-04.
[75] 曾传滨, 高林春, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. 一种激光脉冲单粒子效应模拟系统. CN: CN102495355A, 2012-06-13.
[76] 曾传滨, 李多力, 海潮和, 李晶, 罗家俊, 韩郑生. 一种ESD防护电阻. CN: CN202373579U, 2012-08-08.
[77] 曾传滨, 毕津顺, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 静电放电保护用可控硅结构. CN: CN202384340U, 2012-08-15.
[78] 曾传滨, 毕津顺, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种维持电压可调节的可控硅结构. CN: CN102332467A, 2012-01-25.
[79] 姜一波, 曾传滨, 杜寰. 一种半导体结构及其制造方法. 中国: CN102332403A, 2012-01-25.
[80] 曾传滨, 姜一波, 罗家俊, 韩郑生. 一种静电放电防护装置及由其组成的系统. CN: CN202549831U, 2012-11-21.
[81] 曾传滨, 毕津顺, 刘刚, 罗家俊, 韩郑生. 温控可充气真空辐射设备. CN: CN102339655A, 2012-02-01.
[82] 姜一波, 杜寰, 曾传滨, 王立新. 一种改变静电保护器件触发电压的方法及装置. CN: CN102290340A, 2011-12-21.
[83] 姜一波, 杜寰, 曾传滨. 一种利用尖端放电进行静电保护的封装结构. CN: CN102222662A, 2011-10-19.
[84] 姜一波, 杜寰, 曾传滨. 一种芯片内利用尖端放电的ESD保护结构. CN: CN102324421A, 2012-01-18.
[85] 曾传滨, 李 晶, 海潮和, 李多力, 韩郑生. 一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构. CN: CN101562188A, 2009-10-21.
[86] 曾传滨, 海潮和, 李 晶, 李多力, 韩郑生. 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构. CN: CN101562187A, 2009-10-21.
[87] 曾传滨, 海潮和, 李 晶, 李多力, 韩郑生. 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法. CN: CN101562140B, 2010-12-01.
[88] 曾传滨, 李多力, 李 晶, 海潮和, 韩郑生. 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法. CN: CN101276788A, 2008-10-01.

   

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（1）开源芯片—机遇、挑战以及对策   中国计算机大会   2022-12-08
（2）基于FDSOI 28nm工艺的伪90nm高速电路单粒子免疫加固技术研究   第十五届核技术应用学术交流会   王可   2019-11-15
（3）SOI器件高温特性及其在深地领域的应用研究   第六届青年地学论坛   曾传滨   2019-10-12
（4）A Probabilistic Analysis Technique for Single Event Transient Sensitivity Evaluation of Phase-Lock-Loops   李多力、曾传滨等   2019-09-23
（5）Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique   李洋洋   2019-09-14
（6）瞬时剂量率效应激光模拟测试技术研究   第十三届抗辐射电子学与电磁脉冲   倪涛   2019-07-22
（7）Investigation of high aspect ratio multi-level contact holes etching process in three-dimensional flash memory manufacturing   王玉岐   2018-10-31
（8）人体静电模型引起的封装体内的火花放电现象研究   全国辐射物理学术交流会   李松   2014-11-01
（9）正面入射单光子吸收激光脉冲测试影响因素研究   全国辐射物理学术交流会   高林春   2014-09-01
（10）PDSOI SRAM XXX激光脉冲XXX对应关系   全国辐射物理学术交流会   曾传滨   2014-02-01
（11）The ESD protection designed for LDMOS power amplifier   姜一波   2012-11-03
（12）传输线脉冲发生器在半导体技术中的应用研究   半导体数值仿真技术论坛   曾传滨   2012-09-01

已指导学生

张念华  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

向银松  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

王玉岐  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

朱航  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

张小琴  硕士研究生  085209-集成电路工程  

王玉伟  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

盖春赟  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

陈涛  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

陈凯  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

张颢译  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵姗姗  硕士研究生  085209-集成电路工程  

李雪勤  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李逸帆  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王润坚  硕士研究生  085400-电子信息  

骆新宇  硕士研究生  085400-电子信息  

孙晨岳  硕士研究生  085400-电子信息  

现指导学生

许立达  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

曹泽文  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

阮泓睿  硕士研究生  085400-电子信息  

王云亮  硕士研究生  085400-电子信息  

胡竞元  硕士研究生  085400-电子信息  

韩雨潼  硕士研究生  085400-电子信息  

王炼  硕士研究生  085400-电子信息  

李江涛  博士研究生  085400-电子信息  

胡军  硕士研究生  085400-电子信息