基本信息
曾传滨  男  博导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: chbzeng@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
高可靠集成电路设计、高可靠器件与工艺开发,高可靠电路模块研究

教育背景

2004-01--2009-07   中国科学院微电子所   博士
2003-01--2003-12   清华大学   进修
1997-01--2001-12   南昌航空工业学院   学士

工作经历

   
工作简历
2017-07~现在, 中国科学院微电子所, 研究员
2012-07~2017-07,中国科学院微电子所, 副研究员
2009-01~2012-07,中国科学院微电子所, 助理研究员
2001-07~2004-12,珠海南科集成电子有限公司, 工艺工程师
社会兼职
2019-10-16-2023-10-16,计算机学会集成电路设计专业组, 执行委员
2019-08-01-2023-08-01,核物理学会抗辐照分会, 理事
2019-01-01-2024-01-01,北京客家海外联谊会, 副会长

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 优秀毕业生, 一等奖, 研究所(学校), 2022
(2) 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 富满微杯华北赛区, 一等奖, 其他, 2022
(3) 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 芯来RISC-V杯华北赛区, 二等奖, 其他, 2022
(4) 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 芯海杯华北赛区, 三等奖, 其他, 2022
(5) 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 富满微杯全国总决赛, 二等奖, 其他, 2022
(6) 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 优秀指导教师, 其他, 2022
(7) 研究生最喜爱导师, 一等奖, 研究所(学校), 2019
(8) 优秀论文奖, 一等奖, 其他, 2019
(9) 优秀毕业生, 一等奖, 研究所(学校), 2019
专利成果
( 1 ) 高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路, 专利授权, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN109884414B

( 2 ) 一种SOI功率开关的ESD保护器件, 专利授权, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN109786374B

( 3 ) 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 专利授权, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN109935581B

( 4 ) 功率智能开关电路负载电流的测试电路及其测试方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112653441A

( 5 ) 一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112491021A

( 6 ) 一种静电放电防护钳位电路, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112491020A

( 7 ) 一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112466950A

( 8 ) 一种BTS型MOSFET结构及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112466949A

( 9 ) 一种MOS器件及避免MOS器件寄生晶体管开启的方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466951A

( 10 ) 一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466953A

( 11 ) 一种维持电压可调的SOI工艺可控硅静电放电保护结构, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466937A

( 12 ) 一种基于静电放电保护结构的场效应管, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466947A

( 13 ) 一种可控硅器件, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466940A

( 14 ) 一种具有静电放电保护功能的可控硅器件, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466939A

( 15 ) 一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112466938A

( 16 ) 一种功率器件抗闩锁测试电路和测试装置, 外观设计, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN212341366U

( 17 ) 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 专利授权, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN108039365B

( 18 ) 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 专利授权, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN108039364B

( 19 ) 一种基于张弛振荡器的时钟产生电路, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN112104361A

( 20 ) 一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112054061A

( 21 ) 一种体接触SOI MOS器件结构及形成方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112054060A

( 22 ) 一种SOI MOSFET器件及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112054062A

( 23 ) 一种串联SOI MOSFET器件结构及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112054025A

( 24 ) 一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112053968A

( 25 ) 一种半导体器件模型的建模方法及装置, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111680465A

( 26 ) 一种功率器件电学闩锁测试系统, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111551837A

( 27 ) 一种终端极化电路、及终端极化装置, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111510113A

( 28 ) 一种半导体器件的测试装置、方法及系统, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111487516A

( 29 ) 一种传输线脉冲测试系统, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111487451A

( 30 ) 一种超快电流探测装置及脉冲测试系统, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111487452A

( 31 ) 一种双向触发的ESD保护器件, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111199971A

( 32 ) 用于SOI智能功率集成电路的双向低触发电压的ESD保护结构, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111129006A

( 33 ) 一种低温漂欠压锁定电路, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110867826A

( 34 ) 一种ESD钳位电路及集成电路, 专利授权, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN107863339B

( 35 ) 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109962098A

( 36 ) 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 发明专利, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109962099A

( 37 ) 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 发明专利, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109962099A

( 38 ) 单个高能粒子离化电荷测试电路, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109917269A

( 39 ) 一种SOI功率开关的ESD保护器件, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109786374A

( 40 ) 一种同轴水银继电器, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109616364A

( 41 ) 一种动态比较器, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN106533447B

( 42 ) 一种高速信号隔离装置, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN105929317B

( 43 ) 一种SR锁存器, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108667446A

( 44 ) 一种低漏电连接器, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108037325A

( 45 ) 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108039364A

( 46 ) 一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器, 实用新型, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN205900097U

( 47 ) 一种高速信号自隔离装置, 实用新型, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN205720554U

( 48 ) 一种环形振荡器测试系统, 实用新型, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN203688739U

( 49 ) 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103792438A

( 50 ) 一种ESD防护电阻, 实用新型, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN202373579U

( 51 ) 一种静电放电防护装置及由其组成的系统, 实用新型, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN202549831U

( 52 ) 一种半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102646601A

( 53 ) 静电放电保护用可控硅结构, 实用新型, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN202384340U

( 54 ) 一种提高维持电压的方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102543999A

( 55 ) 一种激光脉冲单粒子效应模拟系统, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102495355A

( 56 ) 温控可充气真空辐射设备, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102339655A

( 57 ) 一种维持电压可调节的可控硅结构, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102332467A

( 58 ) 一种半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102332403A

( 59 ) 一种芯片内利用尖端放电的ESD保护结构, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102324421A

( 60 ) 一种改变静电保护器件触发电压的方法及装置, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102290340A

( 61 ) 一种利用尖端放电进行静电保护的封装结构, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102222662A

( 62 ) 一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101562188

( 63 ) 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101562187

( 64 ) 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101562140

( 65 ) 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法, 发明专利, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101276788

出版信息

   
发表论文
(1) Applications of Direct-Current Current-Voltage Method to Total Ionizing Dose Radiation Characterization in SOI NMOSFETs with Different Process Conditions, ELECTRONICS, 2021, 
(2) 用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性, High-Temperature Characteristics of PDSOI NMOSFETs with ESD Protection, 半导体技术, 2021, 第 4 作者
(3) Study on the trigger mechanism of PDSOI NMOS devices for ESD protection operating under elevated temperatures, Chinese Physics B, 2021, 第 1 作者
(4) SOI MOSFET自加热效应测试方法, Test Method of Self-Heating Effects in SOI MOSFETs, 半导体技术, 2021, 第 2 作者
(5) 28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究, Study on High Temperature Characteristics of 28 nm Ultra-Thin-Body FD-SOI, 微电子学, 2021, 第 2 作者
(6) 瞬时剂量率效应激光模拟测试技术, Testing technology of laser simulation of transient dose rate effects, 太赫兹科学与电子信息学报, 2020, 第 3 作者
(7) 一种用于智能高边功率IC的负载开路检测电路, An on-state open load detection circuit for intelligent high side power IC, 微电子学与计算机, 2020, 第 3 作者
(8) 部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究, Study on NBTI Effect of PDSOI MOSFET, 航空科学技术, 2020, 第 6 作者
(9) Effect of Radiation on Interface Traps of SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique, IEEE ACCESS, 2019, 
(10) A probabilistic analysis technique for single event transient sensitivity evaluation of phase-lock-loops, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 
(11) 瞬时剂量率效应激光模拟测试技术研究, 太赫兹科学与电子信息学报, 2019, 通讯作者
(12) 氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充, Inhibition of N Plasma Treatment for the Improvement of Tungsten Gap Fill, 微纳电子技术, 2019, 第 14 作者
(13) DCIV技术提取辐照前后PDSOI器件背栅界面态密度, DCIV Technique for Extracting BackGate Interface Traps Density in Non-irradiated and Irradiated PDSOI Devices, 微电子学与计算机, 2018, 第 2 作者
(14) Investigation of interface traps at Si/SiO2 interface of SOI pMOSFETs induced by Fowler-Nordheim tunneling stress using the DCIV method, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 
(15) 基于PDSOI的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究, Research on Single-Event Transients Sensitivity in Phase-Locked Loops Based on PDSOI Process, 微电子学与计算机, 2017, 第 2 作者
(16) A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2017, 第 2 作者
(17) Experimental and Simulation Studies of Single Event Transient in Partially-depleted SOI MOSFET, CHINESE PHYSICS B, 2017, 
(18) 基于PDSOI的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究, 微电子学与计算机, 2017, 第 1 作者
(19) Comparison Study of Bulk and SOI CMOS Technologies based Rad-hard ADCs in Space, 2016, 第 4 作者
(20) 一种基于标准CMOS工艺实现的锁相环电路, Implementation of a PLL based on standard CMOS process, 电子设计工程, 2016, 第 4 作者
(21) 异步TSPC分频器的激光脉冲实验研究, 第十二届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会, 2015, 第 2 作者
(22) 部分耗尽SOI器件背栅界面陷阱密度的提取, Extraction of Back Channel Interface Traps Density for PD SOI Device, 微电子学, 2015, 第 3 作者
(23) DCIV技术提取SOI器件前栅界面与背界面态密度, DCIV Technique for Extracting Front Channel and Back Channel Interface Traps Density in SOI Device, 微电子学与计算机, 2015, 第 3 作者
(24) 0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究, 物理学报, 2015, 第 6 作者
(25) DCIV 技术表征 MOS / SOI 界面陷阱能级密度分布, Characterization of the Interface Traps Energy Density Distribution of MOS / SOI Devices by the DCIV Technique, 半导体技术, 2015, 第 2 作者
(26) 锁相环敏感模块的单粒子效应与设计加固, 半导体技术, 2015, 第 3 作者
(27) Estimation of pulsed laser-induced single event transient in a partially depleted silicon-on-insulator 0.18-μm MOSFET, Chinese Physics. B, 2014, 
(28) 提高集成电路ESD防护能力的仿真方法, Simulation Method of Improving ESD Protection Capability of Integrated Circuits, 半导体技术, 2013, 第 2 作者
(29) The abnormal electrostatic discharge of a no-connect metal cover in a ceramic packaging device, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 
(30) H型栅SOIMOS作为静电保护器件的维持电压的研究, Investigation on Holding Voltage of H-gate SOI MOS as ESD Protection Device, 固体电子学研究与进展, 2013, 
(31) ESD protection design for the gate oxide of an RF-LDMOS, ESD protection design for the gate oxide of an RF-LDMOS, 半导体学报, 2012, 
(32) 核反应影响半导体器件单粒子翻转的Geant4仿真, Geant4 simulation of contribution of nuclear reaction to single event upset, 核技术, 2012, 第 3 作者
(33) Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon-on-insulator technology, Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon-on-insulator technology, 半导体学报, 2012, 
(34) PDSOINMOS/CMOS闩锁特性, Latch behavior in partially- depleted SOI(PDSOI) NMOS/CMOS, 功能材料与器件学报, 2009, 第 1 作者
(35) 采用容性封装技术提高ESD防护性能研究, Study on Robustness Improved ESD Protection Method by Capacitive Packaging Technology, 半导体技术, 2009, 第 5 作者
(36) 栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究, Study on the Gate Triggered PDSOI CMOS Latch Effect, 半导体技术, 2009, 第 1 作者
(37) 传输线脉冲发生器电压探测中振荡问题的研究, Study on the Oscillation Problem of Voltage Probing in Transmission Line Pulsing Generator System, 半导体技术, 2009, 第 1 作者
(38) 源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响, Influence of silicide on the ESD protection in SOI NMOSFETs, 功能材料与器件学报, 2008, 第 3 作者

科研活动

   
参与会议
(1)基于FDSOI 28nm工艺的伪90nm高速电路单粒子免疫加固技术研究   第十五届核技术应用学术交流会   王可   2019-11-15
(2)SOI器件高温特性及其在深地领域的应用研究   第六届青年地学论坛   曾传滨   2019-10-12
(3)A Probabilistic Analysis Technique for Single Event Transient Sensitivity Evaluation of Phase-Lock-Loops   李多力、曾传滨等   2019-09-23
(4)Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique   李洋洋   2019-09-14
(5)瞬时剂量率效应激光模拟测试技术研究   第十三届抗辐射电子学与电磁脉冲   倪涛   2019-07-22
(6)Investigation of high aspect ratio multi-level contact holes etching process in three-dimensional flash memory manufacturing   王玉岐   2018-10-31
(7)人体静电模型引起的封装体内的火花放电现象研究   全国辐射物理学术交流会   李松   2014-11-01
(8)正面入射单光子吸收激光脉冲测试影响因素研究   全国辐射物理学术交流会   高林春   2014-09-01
(9)PDSOI SRAM XXX激光脉冲XXX对应关系   全国辐射物理学术交流会   曾传滨   2014-02-01
(10)The ESD protection designed for LDMOS power amplifier   姜一波   2012-11-03
(11)传输线脉冲发生器在半导体技术中的应用研究   半导体数值仿真技术论坛   曾传滨   2012-09-01

指导学生

已指导学生

张念华  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

向银松  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

王玉岐  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

朱航  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

张小琴  硕士研究生  085209-集成电路工程  

王玉伟  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

盖春赟  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

陈涛  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

陈凯  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

张颢译  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵姗姗  硕士研究生  085209-集成电路工程  

现指导学生

许立达  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李雪勤  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李逸帆  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

曹泽文  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王润坚  硕士研究生  085400-电子信息  

骆新宇  硕士研究生  085400-电子信息  

孙晨岳  硕士研究生  085400-电子信息  

董玉颖  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

阮泓睿  硕士研究生  085400-电子信息  

王云亮  硕士研究生  085400-电子信息