080901-物理电子学

低维异质结构化合物半导体光电材料，低维异质结构半导体激光器

2005-09--2010-06   中国科学院研究生院   工学博士学位
2001-09--2005-06   复旦大学材料科学系   理学学士

   

2015-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2013-11~2014-12,美国加州大学洛杉矶分校, 访问学者
2010-07~2013-11,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2005-09~2010-06,中国科学院研究生院, 工学博士学位
2001-09~2005-06,复旦大学材料科学系, 理学学士

化合物半导体材料生长与表征

   

（1） Design optimization of silicon-based 1.55 μm InAs/InGaAs quantum dot square microcavity lasers with output waveguides, Laser Physics, 2021, 第 10 作者
（2） Numerical investigation on threading dislocation bending with InAs/GaAs quantum dots, Chinese Physics B, 2021, 第 10 作者
（3） Low-threshold, single-transverse-mode, 940-nm vertical-cavity surface-emitting laser with a mode filter and half-wavelength cavity, Quantum Electronics, 2020, 第 8 作者
（4） Large Signal Modulation Characteristics in the Transition Regime for Two-State Lasing Quantum Dot Lasers, Chinese Physics Letters, 2016, 通讯作者
（5） Hybrid type-I InAs/GaAs and type-II GaSb/GaAs quantum dot structure with enhanced photoluminescence, Applied Physcis Letters, 2015, 第 1 作者
（6） Dynamic characteristics of two-state lasing quantum dot lasers under large signal modulation, AIP Advances, 2015, 通讯作者
（7） High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy, Optics Express, 2015, 第 2 作者
（8） Three-region characteristic temperature in p-doped quantum dot lasers, Applied Physcis Letters, 2014, 第 2 作者

   

（ 1 ） STS双创引导项目“5G通信用1270nm 25G高速半导体激光芯片外延材料产业化”, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2020-12
（ 2 ） 中国科学院稳定支持基础研究领域青年团队计划“拓扑腔面发射激光芯片”项目, 参与, 中国科学院计划, 2021-06--2026-06