基本信息

季海铭 男 中国科学院半导体研究所
电子邮件: jhm@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号半导体所1号楼409
邮政编码: 100083
电子邮件: jhm@semi.ac.cn
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邮政编码: 100083
招生信息
招生专业
080901-物理电子学
招生方向
低维异质结构化合物半导体光电材料,低维异质结构半导体激光器
教育背景
2005-09--2010-06 中国科学院研究生院 工学博士学位2001-09--2005-06 复旦大学材料科学系 理学学士
工作经历
工作简历
2015-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员2013-11~2014-12,美国加州大学洛杉矶分校, 访问学者2010-07~2013-11,中国科学院半导体研究所, 助理研究员2005-09~2010-06,中国科学院研究生院, 工学博士学位2001-09~2005-06,复旦大学材料科学系, 理学学士
教授课程
化合物半导体材料生长与表征
出版信息
发表论文
(1) Design optimization of silicon-based 1.55 μm InAs/InGaAs quantum dot square microcavity lasers with output waveguides, Laser Physics, 2021, 第 10 作者(2) Numerical investigation on threading dislocation bending with InAs/GaAs quantum dots, Chinese Physics B, 2021, 第 10 作者(3) Low-threshold, single-transverse-mode, 940-nm vertical-cavity surface-emitting laser with a mode filter and half-wavelength cavity, Quantum Electronics, 2020, 第 8 作者(4) Large Signal Modulation Characteristics in the Transition Regime for Two-State Lasing Quantum Dot Lasers, Chinese Physics Letters, 2016, 通讯作者(5) Hybrid type-I InAs/GaAs and type-II GaSb/GaAs quantum dot structure with enhanced photoluminescence, Applied Physcis Letters, 2015, 第 1 作者(6) Dynamic characteristics of two-state lasing quantum dot lasers under large signal modulation, AIP Advances, 2015, 通讯作者(7) High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy, Optics Express, 2015, 第 2 作者(8) Three-region characteristic temperature in p-doped quantum dot lasers, Applied Physcis Letters, 2014, 第 2 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) STS双创引导项目“5G通信用1270nm 25G高速半导体激光芯片外延材料产业化”, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2020-12( 2 ) 中国科学院稳定支持基础研究领域青年团队计划“拓扑腔面发射激光芯片”项目, 参与, 中国科学院计划, 2021-06--2026-06