基本信息
季海铭  男    中国科学院半导体研究所
电子邮件: jhm@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号半导体所1号楼409
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
080901-物理电子学
招生方向
低维异质结构化合物半导体光电材料,低维异质结构半导体激光器

教育背景

2005-09--2010-06   中国科学院研究生院   工学博士学位
2001-09--2005-06   复旦大学材料科学系   理学学士

工作经历

   
工作简历
2015-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2013-11~2014-12,美国加州大学洛杉矶分校, 访问学者
2010-07~2013-11,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2005-09~2010-06,中国科学院研究生院, 工学博士学位
2001-09~2005-06,复旦大学材料科学系, 理学学士

教授课程

化合物半导体材料生长与表征

出版信息

   
发表论文
(1) Design optimization of silicon-based 1.55 μm InAs/InGaAs quantum dot square microcavity lasers with output waveguides, Laser Physics, 2021, 第 10 作者
(2) Numerical investigation on threading dislocation bending with InAs/GaAs quantum dots, Chinese Physics B, 2021, 第 10 作者
(3) Low-threshold, single-transverse-mode, 940-nm vertical-cavity surface-emitting laser with a mode filter and half-wavelength cavity, Quantum Electronics, 2020, 第 8 作者
(4) Large Signal Modulation Characteristics in the Transition Regime for Two-State Lasing Quantum Dot Lasers, Chinese Physics Letters, 2016, 通讯作者
(5) Hybrid type-I InAs/GaAs and type-II GaSb/GaAs quantum dot structure with enhanced photoluminescence, Applied Physcis Letters, 2015, 第 1 作者
(6) Dynamic characteristics of two-state lasing quantum dot lasers under large signal modulation, AIP Advances, 2015, 通讯作者
(7) High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy, Optics Express, 2015, 第 2 作者
(8) Three-region characteristic temperature in p-doped quantum dot lasers, Applied Physcis Letters, 2014, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) STS双创引导项目“5G通信用1270nm 25G高速半导体激光芯片外延材料产业化”, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2020-12
( 2 ) 中国科学院稳定支持基础研究领域青年团队计划“拓扑腔面发射激光芯片”项目, 参与, 中国科学院计划, 2021-06--2026-06