基本信息
郑中山  男  硕导  中国科学院微电子研究所
email: zhengzhongshan@ime.ac.cn
address: 北京市朝阳区北土城西路3号
postalCode: 100029

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
高可靠性器件与集成技术
半导体材料与器件的辐射效应

教育背景

2002-09--2005-06   中国科学院半导体研究所   研究生/博士
1986-09--1989-06   山东大学物理系   研究生/硕士
1982-09--1986-06   山东大学物理系   本科/学士

工作经历

   
工作简历
2010-10~现在, 中国科学院微电子研究所, 科研人员
2005-07~2010-09,济南大学物理科学与技术学院, 教师
2002-09~2005-06,中国科学院半导体研究所, 研究生/博士
1989-07~2002-08,济南大学物理科学与技术学院, 教师
1986-09~1989-06,山东大学物理系, 研究生/硕士
1982-09~1986-06,山东大学物理系, 本科/学士

教授课程

半导体器件物理

出版信息

   
发表论文
(1) Correlations between Static Noise Margin and Single-Event-Upset Hardness for SRAM Cells, ICSICT, 2020, 第 1 作者
(2) Fundamental Mechanism Analyses of NBTI-Induced Effects on Single-Event Upset Hardness for SRAM Cells, IPFA, 2020, 第 1 作者
(3) Studies of radiation effects in Al2O3-based metal-oxide-semiconductor structures induced by Si heavy ions, J. Appl. Phys., 2019, 第 4 作者
(4) Influences of the Source and Drain Resistance of the MOSFETs on the Single Event Upset Hardness of SRAM cells, ASICON 2019, 2019, 第 1 作者
(5) Combined Effects of Tantalum Ion and Gamma Ray Irradiations on MOS Devices with Atomic Layer Deposited Al2O3 Gate Dielectrics, RADECS 2019, 2019, 第 1 作者
(6) Comparison of the Total Dose Responses of Fully Depleted SOI nMOSFETs With Different Geometries for the Worst Case Bias Conditions, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2019, 第 1 作者
(7) Investigation of the relationship between the total dose effect and thickness of Al2O3 gate dielectric under gamma-ray irradiation, IEEE 14th ICSICT, 2018, 第 3 作者
(8) Total dose effect of Al2O3-based metal– oxide–semiconductor structures and its mechanism under gamma-ray irradiation, Semicond. Sci. Technol., 2018, 第 2 作者
(9) Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs with On-state Bias Irradiation, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 第 4 作者
(10) Correlation between the Decoupling Capacitor Layouts and Single-Event-Upset Resistances of SRAM cells, IEEE 14th ICSICT, 2018, 第 1 作者
(11) Roles of the Gate Length and Width of the Transistors in Increasing the Single Event Upset Resistance of SRAM cells, IEEE 12th International Conference on ASIC, 2017, 第 1 作者
(12) Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs, Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS), 2017, 第 3 作者
(13) Complexity of the Total Dose Radiation Response of Fully Depleted Silicon-On-Insulator NMOSFETs, IEEE 13th ICSICT, 2016, 第 1 作者
(14) The radiation hardness of the nitrogen-fluorine implanted buried oxide layer in silicon-on-insulator materials against higher total dose irradiation, SCIENCE CHINA Materials, 2016, 第 1 作者
(15) Total dose radiation and annealing responses of the back transistor of Silicon-On-Insulator pMOSFETs, Chinese Physics C, 2015, 第 2 作者
(16) Comparison of Decoupling Resistors and Capacitors for Increasing the Single Event Upset Resistance of SRAM Cells, IEEE 11th International Conference on ASIC, 2015, 第 1 作者
(17) Reducing Single Event Upset by Lowering the Threshold Voltage of Transistors, IEEE 12th ICSICT, 2014, 第 1 作者
(18) 氮氟复合注入对注氧隔离SOI材料埋氧层内固定正电荷密度的影响, 物理学报, 2013, 第 2 作者
(19) Total dose radiation response of modified commercial silicon-on-insulator materials with nitrogen implanted buried oxide, Chinese Physics B, 2012, 第 1 作者
(20) 高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响, 物理学报, 2011, 第 2 作者
(21) Influence of nitrogen dose on the charge density of nitrogen-implanted buried oxide in SOI wafers, 半导体学报, 2010, 第 1 作者
(22) Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers, Chinese Physics B, 2010, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 栅材料的辐射效应研究, 负责人, 中国科学院计划, 2016-01--2019-10
( 2 ) SOI器件的单粒子辐射效应3D模拟研究, 负责人, 其他任务, 2015-01--2016-12
( 3 ) 基于特种SOI材料的电路辐射效应研究, 参与, 中国科学院计划, 2014-01--2016-12
( 4 ) 纳米器件辐射效应研究, 参与, 其他任务, 2020-01--2022-12