基本信息
赵发展  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: zhaofazhan@ime.ac.cn
通信地址: 北京
邮政编码: 100065

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080902-电路与系统
085209-集成电路工程
招生方向
高可靠元器件设计与加固技术
半导体器件可靠性技术
半导体测试技术

教育背景

2003-09--2008-07   中国科学院微电子研究所   硕博连读/博士
1999-09--2003-07   河北工业大学   本科

工作经历

   
工作简历
2008-07~2012-10,中国科学院微电子研究所, 副研究员

教授课程

TCAD仿真技术

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种全电流灵敏放大器, 发明, 2013, 第 3 作者, 专利号: 201110303631.7
( 2 ) 一种SRAM存储器, 实用新型, 2013, 第 2 作者, 专利号: 201320326372.4
( 3 ) 一种SRAM存储器, 实用新型, 2013, 第 2 作者, 专利号: 201320332576.9
( 4 ) 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: 201010531161.5

出版信息

   
发表论文
(1) SOI SRAM 边缘效应对单粒子敏感度的影响, Influence of edge effects on single event upset susceptibility of SOI SRAMs, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2015, 第 3 作者
(2) 高可靠性SRAM中缩短汉明码EDAC电路的失效分析, Failure analysis of Shortened Hamming code EDAC of high reliability SRAM, 电子设计工程, 2014, 第 2 作者
(3) 基于RHBD 技术的深亚微米抗辐射SRAM 电路的研究, Study on the Deep Submicron Radiation Hardened SRAM, 集成电路设计、制造与应用, 2012, 第 2 作者
(4) 超深亚微米SRAM电流灵敏放大电路的分析和优化, analysis and optimization of current sensing circuit for deep sub-micron sram, journal of semiconductors, 2011, 第 2 作者
(5) 8k×8 SOI SRAMs 单粒子效应的实验研究, Experimental Study of the Heavy Ion Single Event Effect on the 8k×8 SOI SRAMs, 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2010, 第 1 作者
(6) SOI NMOSFET 单粒子效应的3-D 模拟, Study of the Single-Event Effect of SOI NMOSFET by 3-D Simulation, 核电子学与探测技术, 2008, 第 1 作者
(7) 一种PDSOI 8位 MCU 的瞬态实验与分析, Transient Radiation experiments for 8-bit PDSOI MCU, 核电子学与探测技术, 2008, 第 1 作者
(8) 总剂量辐照加固的PDSOI 8 位微控制器, Total dose radiation hard PDSOI CMOS 8 BITMCU, 功能材料与器件学报, 2008, 第 2 作者
(9) 部分耗尽静态随机存储器剂量率效应研究, Study on the dose rate upset effect of partially depleted silicon-on-insulator static random, Chinese Physics B, 2008, 第 1 作者
(10) PDSOI 8位 MCU 瞬态实验检测程序设计, Design of the test program of PDSOI 8-bit MCU for dose rate experiment, 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集, 2007, 第 1 作者
(11) 总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 64k 静态随机存储器, Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 8K×8 SRAMs, 半 导 体 学 报, 2007, 第 2 作者
(12) PDSOI CMOS SRAM 单元临界电荷的确定, Critical Charge Definition for PDSOI CMOS SRAM, 电子器件, 2007, 第 2 作者
(13) LPCVD 原位掺杂多晶硅研究, The study of in-situ doped polysilicon, 第十四界全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2006, 第 1 作者
(14) 基于二维数值仿真的SOI PMOS的单粒子效应机理研究, Study of the SEU Effect Mechanism on SOI PMOS by 2-D Simulation, 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Electronic Version Proceedings, 2006, 第 1 作者
发表著作
(1) 空间单粒子效应---影响航天电子系统的危险因素, Single Event Effects in Aerospace, 电子工业出版社, 2016-03, 第 4 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 20M静态随机存储器, 参与, 国家级, 2014-10--2018-11
( 2 ) SOI/CMOS半导体特种器件, 参与, 国家级, 2008-12--2016-12
( 3 ) 25-13高可靠性工艺开发及服务平台建设, 参与, 国家级, 2009-01--2016-12
( 4 ) 工艺平台先导产品设计与验证1工艺平台先导产品设计与验证1, 参与, 国家级, 2009-01--2016-12
( 5 ) 公共技术服务中心, 参与, 部委级, 2009-09--2016-12
( 6 ) 特种接口电路165, 参与, 国家级, 2011-12--2016-12
( 7 ) 特种接口电路164, 参与, 国家级, 2011-12--2016-12
( 8 ) 计数器-163, 参与, 国家级, 2013-11--2016-12
( 9 ) 感性负载下MOS栅功率器件, 参与, 国家级, 2014-11--2018-12

指导学生

现指导学生

罗志鹏  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王加鑫  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学