基本信息
赵发展  男  博导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: zhaofazhan@ime.ac.cn
通信地址: 北京
邮政编码: 100065

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080902-电路与系统
085209-集成电路工程
招生方向
高可靠元器件设计与加固技术
半导体器件可靠性技术
半导体测试技术

教育背景

2003-09--2008-07   中国科学院微电子研究所   硕博连读/博士
1999-09--2003-07   河北工业大学   本科

工作经历

   
工作简历
2008-07~2012-10,中国科学院微电子研究所, 副研究员

教授课程

TCAD仿真技术

专利与奖励

   
专利成果
[1] 高马利, 蔡小五, 郝宁, 丁利强, 高悦欣, 夏瑞瑞, 赵发展. 一种具有快速瞬态响应和低负载调整率的线性稳压器. CN: CN114200993A, 2022-03-18.

[2] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种抑制集成电路发生静电损伤的方法. CN: CN113990861A, 2022-01-28.

[3] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种集成电路的静电防护方法. CN: CN113990863A, 2022-01-28.

[4] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种新型静电防护方法. CN: CN113990862A, 2022-01-28.

[5] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种低成本静电防护方法. CN: CN113990860A, 2022-01-28.

[6] 高见头, 王可, 孙澎, 蔡小五, 赵发展. 芯片封装结构和半导体器件. CN: CN215496677U, 2022-01-11.

[7] 任建伟, 丛密芳, 李科, 李永强, 宋李梅, 赵发展. 平面螺旋电感及相应的宽带射频功率放大器内匹配电路. CN: CN113782673A, 2021-12-10.

[8] 任建伟, 丛密芳, 李科, 李永强, 宋李梅, 赵发展. 一种新型射频功率放大器内匹配电路. CN: CN113746439A, 2021-12-03.

[9] 任建伟, 李科, 丛密芳, 李永强, 宋李梅, 赵发展. 螺旋电感的制备方法、螺旋电感及无源器件模块. CN: CN113745404A, 2021-12-03.

[10] 李博, 苏泽鑫, 宿晓慧, 任洪宇, 卜建辉, 赵发展. 一种SRAM-PUF单元结构、存储器以及上电模式的控制方法. CN: CN113689907A, 2021-11-23.

[11] 李明珠, 蔡小五, 曾传滨",null,"赵发展. 半导体功率器件及其制备方法. CN: CN113644055A, 2021-11-12.

[12] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108270429B, 2021-10-15.

[13] 韩添, 赵发展, 蔡小五. 一种电流检测电路及方法. CN: CN113281551A, 2021-08-20.

[14] 吴飞彤, 蔡小五, 刘海南, 赵海涛, 卜建辉, 赵发展. 一种无片外电容线性稳压电路. CN: CN213934662U, 2021-08-10.

[15] 陆芃, 任洪宇",null,"刘凡宇, 李多力, 卜建辉",null,"赵发展. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN113224167A, 2021-08-06.

[16] 高马利, 蔡小五, 郝宁, 丁利强, 夏瑞瑞, 高悦欣, 赵发展. 一种低侧功率开关集成模组和驱动芯片. CN: CN113054975A, 2021-06-29.

[17] 李博, 苏泽鑫, 宿晓慧, 王磊, 卜建辉, 赵发展, 韩郑生. 一种自动校验数据的SRAM安全存储系统及其方法. CN: CN112908394A, 2021-06-04.

[18] 李垌帅, 卜建辉, 王成成, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种半导体器件建模方法及装置. CN: CN112883675A, 2021-06-01.

[19] 吴飞彤, 蔡小五, 刘海南, 赵海涛, 卜建辉, 赵发展. 一种瞬时响应线性稳压器. CN: CN112860002A, 2021-05-28.

[20] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种SRAM的版图布局方法及装置. CN: CN112765926A, 2021-05-07.

[21] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种存储器数据通路版图的构建方法、装置及存储介质. CN: CN112685989A, 2021-04-20.

[22] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生, 曹硕. 一种场发射显示像素单元. CN: CN112509895A, 2021-03-16.

[23] 李晓静, 曾传滨, 闫薇薇, 高林春, 倪涛, 单梁, 王加鑫, 李多力, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种可控硅器件. CN: CN112466940A, 2021-03-09.

[24] 曾传滨, 李晓静, 闫薇薇, 高林春, 倪涛, 单梁, 王加鑫, 李多力, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件. CN: CN112466938A, 2021-03-09.

[25] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.

[26] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.

[27] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.

[28] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊. 一种用于对集成电路器件进行仿真的方法及装置. CN: CN111680466A, 2020-09-18.

[29] 高立博, 卜建辉, 高见头, 赵发展, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置. CN: CN111291480A, 2020-06-16.

[30] 罗志鹏, 罗家俊, 赵发展. 一种改善SiC器件界面特征的方法及SiC器件. CN: CN109801840A, 2019-05-24.

[31] 苏洪源, 赵发展, 李晶, 罗家俊, 瞿磊, 席茜. 用于检测多芯片并联瞬态电流不均匀度的方法及装置. CN: CN109752637A, 2019-05-14.

[32] 卜建辉, 罗家俊, 王成成, 高见头, 赵发展, 李多力, 韩郑生. SOI器件及其制作方法. CN: CN109742145A, 2019-05-10.

[33] 王磊, 李博, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊, 刘新宇. 一种单光子光源的制备方法及元器件. CN: CN109713094A, 2019-05-03.

[34] 王磊, 孔延梅, 焦斌斌, 李博, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊, 刘新宇. 一种可检真空度的真空玻璃及系统. CN: CN109665725A, 2019-04-23.

[35] 赵发展, 韩郑生, 罗家俊. 一种存储器的联想方法及存储器. CN: CN109491597A, 2019-03-19.

[36] 徐辉, 王春林, 高见头, 赵发展, 罗家俊, 张刚. 一种功率VDMOS器件远程测试系统. CN: CN208547692U, 2019-02-26.

[37] 苏洪源, 赵发展, 李晶, 罗家俊, 瞿磊, 席茜. 一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法. CN: CN108279369A, 2018-07-13.

[38] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗瞬态效应的选通器. CN: CN108233904A, 2018-06-29.

[39] 刘梦新",null,"赵发展",null,"罗家俊. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108055032A, 2018-05-18.

[40] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108055032A, 2018-05-18.

[41] 高见头, 李彬鸿, 赵发展, 罗家俊. 一种环形振荡器. CN: CN206517390U, 2017-09-22.

[42] 王春林, 高见头, 赵发展, 刘征, 罗家俊. 一种电子元器件测试恒温系统. CN: CN206161182U, 2017-05-10.

[43] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 辐射探测电路. CN: CN104345329B, 2016-10-26.

[44] 刘鑫, 赵发展, 刘梦新, 韩郑生. 一种灵敏放大器. CN: CN103559903B, 2016-09-28.

[45] 刘刚, 高博, 罗家俊, 赵发展, 刘梦新. 一种板级系统局部芯片辐照装置. CN: CN205317864U, 2016-06-15.

[46] 周宏宇, 刘刚, 陆江, 赵发展. SMD表面贴系列封装功率器件测试连接装置. CN: CN204462193U, 2015-07-08.

[47] 周宏宇, 赵发展, 陆江, 刘刚. TO-39封装功率器件测试连接装置. CN: CN204462194U, 2015-07-08.

[48] 陆江, 刘刚, 周宏宇, 赵发展. 用于TO-3封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置. CN: CN204389541U, 2015-06-10.

[49] 陆江, 赵发展, 周宏宇, 刘刚. 适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置. CN: CN204347072U, 2015-05-20.

[50] 陆江, 赵发展, 周宏宇, 刘刚. 三管腿通孔封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置. CN: CN204303799U, 2015-04-29.

[51] 刘倩茹, 赵发展, 刘刚, 罗家俊, 韩郑生. 一种多通道SRAM单粒子测试方法及装置. CN: CN104505125A, 2015-04-08.

[52] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. (15, 5)BCH码的编码电路设计方法. CN: CN104506201A, 2015-04-08.

[53] 刘倩茹, 赵发展, 刘刚, 罗家俊, 韩郑生. 一种多模式SRAM单粒子测试方法及装置. CN: CN104485135A, 2015-04-01.

[54] 赵发展, 刘刚. 一种防护突发暴力事件的解决方案. CN: CN104482804A, 2015-04-01.

[55] 刘鑫, 刘梦新, 赵发展, 韩郑生. 一种十管抗瞬态效应SRAM存储单元. CN: CN104464796A, 2015-03-25.

[56] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊. 辐射探测电路. CN: CN104407373A, 2015-03-11.

[57] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 辐射探测电路. CN: CN104391315A, 2015-03-04.

[58] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 辐射探测电路. CN: CN104345329A, 2015-02-11.

[59] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 辐射探测电路. CN: CN104345327A, 2015-02-11.

[60] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. (15,7)BCH码的编码电路设计方法. CN: CN104320145A, 2015-01-28.

[61] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 抗干扰存储元件. CN: CN104157304A, 2014-11-19.

[62] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 静态随机存储器单元的抗干扰电路和存储元件. CN: CN104157303A, 2014-11-19.

[63] 刘鑫, 刘梦新, 赵发展, 韩郑生. 抗辐射SRAM单元. CN: CN103971734A, 2014-08-06.

[64] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元. CN: CN103956184A, 2014-07-30.

[65] 刘梦新, 赵发展, 刘鑫, 韩郑生. 抗辐射SRAM单元. CN: CN103956183A, 2014-07-30.

[66] 刘鑫, 赵发展, 刘梦新, 韩郑生. 一种异步SRAM的I/O接口电路. CN: CN103646665A, 2014-03-19.

[67] 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 一种纠错SRAM的回写方法. CN: CN103631669A, 2014-03-12.

[68] 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 一种SRAM型存储器的纠错电路. CN: CN103617811A, 2014-03-05.

[69] 刘鑫, 赵发展, 刘梦新, 韩郑生. 一种灵敏放大器. CN: CN103559903A, 2014-02-05.

[70] 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 地址转变信号探测电路. CN: CN103514934A, 2014-01-15.

[71] 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 一种SRAM存储器. CN: CN203276859U, 2013-11-06.

[72] 赵发展. 一种婴儿护理装置. CN: CN103330609A, 2013-10-02.

[73] 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 基于并行编码译码的循环汉明码的纠错方法. CN: CN103309766A, 2013-09-18.

[74] 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法. CN: CN103117093A, 2013-05-22.

[75] 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 一种基于并行编码译码的循环汉明码的纠错方法. CN: CN103023518A, 2013-04-03.

[76] 王一奇, 韩郑生, 赵发展, 刘梦新, 毕津顺. 存储单元测试电路及其测试方法. CN: CN102903392A, 2013-01-30.

[77] 赵发展. 集成电路辅助测试装置. CN: CN102466774A, 2012-05-23.

[78] 刘梦新, 赵发展, 刘刚, 罗家俊, 韩郑生. 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管. CN: CN102468332A, 2012-05-23.

[79] 王一奇, 韩郑生, 赵发展, 刘梦新, 毕津顺. 一种MOS晶体管电容. CN: CN102412312A, 2012-04-11.

[80] 王一奇, 韩郑生, 赵发展, 刘梦新. 一种全电流灵敏放大器. CN: CN102394094A, 2012-03-28.

[81] 蔡小五, 赵发展, 海潮和, 陆江, 王立新. 功率VDMOS开启电压远程在线自动测试系统及方法. CN: CN101458292A, 2009-06-17.

出版信息

   
发表论文
[1] 刘涛, 岂飞涛, 朱蓓丽, 张琳, 刘海南, 滕瑞, 李博, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 基于静态输入检测的ADC单粒子效应测试系统. 微电子学[J]. 2022, 52(2): 329-333, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107576952.
[2] 张琳, 岂飞涛, 刘涛, 朱蓓丽, 刘海南, 滕瑞, 李博, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 高速模数转换器的关键测量技术. 微电子学[J]. 2022, 52(2): 334-338, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107576953.
[3] 王娟娟, 李江江, 曾传滨, 李逸帆, 倪涛, 罗家俊, 赵发展. 90nm SOI nMOSFET自加热效应研究. 半导体技术[J]. 2022, 47(5): 369-372, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107500952.
[4] 李明珠, 蔡小五, 曾传滨, 李晓静, 李多力, 倪涛, 王娟娟, 韩郑生, 赵发展. 高温对MOSFET ESD防护器件维持特性的影响. 物理学报[J]. 2022, 71(12): 489-496, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107488772.
[5] 高鹤, 宿晓慧, 李博, 刘海南, 赵发展. 一种智能多通路自适应调控寄生供电系统. 半导体光电[J]. 2021, 42(3): 418-423, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7105480355.
[6] 赵捷, 赵野, 童纪昀, 王莎, 张孟翟, 李博, 赵发展. 一种用于TOF激光雷达的多通道时数转换芯片设计. 半导体光电[J]. 2021, 42(3): 342-347, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7105480341.
[7] 王加鑫, 李晓静, 赵发展, 曾传滨, 李博, 韩郑生, 罗家俊. 用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性. 半导体技术[J]. 2021, 46(3): 210-215, https://kns.cnki.net/KCMS/detail/detail.aspx?dbcode=CJFQ&dbname=CJFDLAST2021&filename=BDTJ202103008&v=MzE1MzZyV00xRnJDVVI3dWZZZWRtRmlyaFdyN0JKeW5mWkxHNEhORE1ySTlGYklSOGVYMUx1eFlTN0RoMVQzcVQ=.
[8] Xiong, Guodong, Qin, Zilun, Li, Bo, Wang, Lei, Zhang, Xuewen, Zheng, Zhongshan, Zhu, Huiping, Zhao, Suling, Gao, Jiantou, Li, Binhong, Yang, Jianqun, Li, Xingji, Luo, Jiajun, Han, Zhengsheng, Liu, Xinyu, Zhao, Fazhan. Radiation hardness and abnormal photoresponse dynamics of the CH3NH3PbI3 perovskite photodetector. JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C[J]. 2021, 9(6): 2095-2105, http://dx.doi.org/10.1039/d0tc05148a.
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[10] 张颢译, 曾传滨, 李晓静, 闫薇薇, 倪涛, 高林春, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 28nm超薄体FD-SOI高温输出电流特性研究. 微电子学与计算机[J]. 2021, 38(12): 75-79, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7106280404.
[11] 倪涛, 杜川华, 曾传滨, 高林春, 王娟娟, 高见头, 赵发展, 罗家俊. 瞬时剂量率效应激光模拟测试技术. 太赫兹科学与电子信息学报[J]. 2020, 18(6): 1157-1161, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7104039216.
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[13] Wang, Lei, Liu, Ningyang, Li, Bo, Zhu, Huiping, Shan, Xiaoting, Yuan, Qingxi, Zhang, Xuewen, Gong, Zheng, Zhao, Fazhan, Liu, Naixin, Liu, Mengxin, Li, Binhong, Gao, Jiantou, Huang, Yang, Yang, Jianqun, Li, Xingji, Luo, Jiajun, Han, Zhengsheng, Liu, Xinyu. Comparison of X-Ray and Proton Irradiation Effects on the Characteristics of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Light-Emitting Diodes. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE[J]. 2020, 67(7): 1345-1350, http://apps.webofknowledge.com/CitedFullRecord.do?product=UA&colName=WOS&SID=5CCFccWmJJRAuMzNPjj&search_mode=CitedFullRecord&isickref=WOS:000550669800017.
[14] 赵发展. 封装盖板镀金层对SOI SRAM单粒子效应的影响. microelectronics reliability. 2019, [15] 赵发展. 一种PDSOI MOSFET 瞬态辐照效应Spice 模型. 2019 MOSAK. 2019, [16] 赵发展. 背栅对4kbit 双栅 SOI SRAM性能的影响. NSREC. 2018, [17] Gu, Song, Liu, Jie, Bi, Jinshun, Zhao, Fazhan, Zhang, Zhangang, Xi, Kai, Peng, Kai, Zhang, Yingjun. The Impacts of Heavy Ion Energy on Single Event Upsets in SOI SRAMs. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE[J]. 2018, 65(5): 1091-1100, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000432470500002.
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[41] 赵发展. 基于二维数值仿真的SOI PMOS的单粒子效应机理研究. 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Electronic Version Proceedings. 2006, [42] 赵发展. LPCVD 原位掺杂多晶硅研究. 第十四界全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集. 2006, 
发表著作
(1) 空间单粒子效应---影响航天电子系统的危险因素, Single Event Effects in Aerospace, 电子工业出版社, 2016-03, 第 4 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 20M静态随机存储器, 参与, 国家级, 2014-10--2018-11
( 2 ) SOI/CMOS半导体特种器件, 参与, 国家级, 2008-12--2016-12
( 3 ) 25-13高可靠性工艺开发及服务平台建设, 参与, 国家级, 2009-01--2016-12
( 4 ) 工艺平台先导产品设计与验证1工艺平台先导产品设计与验证1, 参与, 国家级, 2009-01--2016-12
( 5 ) 公共技术服务中心, 参与, 部委级, 2009-09--2016-12
( 6 ) 特种接口电路165, 参与, 国家级, 2011-12--2016-12
( 7 ) 特种接口电路164, 参与, 国家级, 2011-12--2016-12
( 8 ) 计数器-163, 参与, 国家级, 2013-11--2016-12
( 9 ) 感性负载下MOS栅功率器件, 参与, 国家级, 2014-11--2018-12

指导学生

现指导学生

罗志鹏  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王加鑫  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学