基本信息

赵发展 男 博导 所外单位
电子邮件: zhaofazhan@ime.ac.cn
通信地址: 北京
邮政编码: 100065
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学080902-电路与系统085209-集成电路工程
招生方向
高可靠元器件设计与加固技术半导体器件可靠性技术半导体测试技术
教育背景
2003-09--2008-07 中国科学院微电子研究所 硕博连读/博士1999-09--2003-07 河北工业大学 本科
工作经历
工作简历
2008-07~2012-10,中国科学院微电子研究所, 副研究员
教授课程
TCAD仿真技术
专利与奖励
专利成果
[1] 高马利, 蔡小五, 郝宁, 丁利强, 高悦欣, 夏瑞瑞, 赵发展. 一种具有快速瞬态响应和低负载调整率的线性稳压器. CN: CN114200993A, 2022-03-18.[2] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种抑制集成电路发生静电损伤的方法. CN: CN113990861A, 2022-01-28.[3] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种集成电路的静电防护方法. CN: CN113990863A, 2022-01-28.[4] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种新型静电防护方法. CN: CN113990862A, 2022-01-28.[5] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种低成本静电防护方法. CN: CN113990860A, 2022-01-28.[6] 高见头, 王可, 孙澎, 蔡小五, 赵发展. 芯片封装结构和半导体器件. CN: CN215496677U, 2022-01-11.[7] 任建伟, 丛密芳, 李科, 李永强, 宋李梅, 赵发展. 平面螺旋电感及相应的宽带射频功率放大器内匹配电路. CN: CN113782673A, 2021-12-10.[8] 任建伟, 丛密芳, 李科, 李永强, 宋李梅, 赵发展. 一种新型射频功率放大器内匹配电路. CN: CN113746439A, 2021-12-03.[9] 任建伟, 李科, 丛密芳, 李永强, 宋李梅, 赵发展. 螺旋电感的制备方法、螺旋电感及无源器件模块. CN: CN113745404A, 2021-12-03.[10] 李博, 苏泽鑫, 宿晓慧, 任洪宇, 卜建辉, 赵发展. 一种SRAM-PUF单元结构、存储器以及上电模式的控制方法. CN: CN113689907A, 2021-11-23.[11] 李明珠, 蔡小五, 曾传滨",null,"赵发展. 半导体功率器件及其制备方法. CN: CN113644055A, 2021-11-12.[12] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108270429B, 2021-10-15.[13] 韩添, 赵发展, 蔡小五. 一种电流检测电路及方法. CN: CN113281551A, 2021-08-20.[14] 吴飞彤, 蔡小五, 刘海南, 赵海涛, 卜建辉, 赵发展. 一种无片外电容线性稳压电路. CN: CN213934662U, 2021-08-10.[15] 陆芃, 任洪宇",null,"刘凡宇, 李多力, 卜建辉",null,"赵发展. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN113224167A, 2021-08-06.[16] 高马利, 蔡小五, 郝宁, 丁利强, 夏瑞瑞, 高悦欣, 赵发展. 一种低侧功率开关集成模组和驱动芯片. CN: CN113054975A, 2021-06-29.[17] 李博, 苏泽鑫, 宿晓慧, 王磊, 卜建辉, 赵发展, 韩郑生. 一种自动校验数据的SRAM安全存储系统及其方法. CN: CN112908394A, 2021-06-04.[18] 李垌帅, 卜建辉, 王成成, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种半导体器件建模方法及装置. CN: CN112883675A, 2021-06-01.[19] 吴飞彤, 蔡小五, 刘海南, 赵海涛, 卜建辉, 赵发展. 一种瞬时响应线性稳压器. CN: CN112860002A, 2021-05-28.[20] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种SRAM的版图布局方法及装置. CN: CN112765926A, 2021-05-07.[21] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种存储器数据通路版图的构建方法、装置及存储介质. CN: CN112685989A, 2021-04-20.[22] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生, 曹硕. 一种场发射显示像素单元. CN: CN112509895A, 2021-03-16.[23] 李晓静, 曾传滨, 闫薇薇, 高林春, 倪涛, 单梁, 王加鑫, 李多力, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种可控硅器件. CN: CN112466940A, 2021-03-09.[24] 曾传滨, 李晓静, 闫薇薇, 高林春, 倪涛, 单梁, 王加鑫, 李多力, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件. CN: CN112466938A, 2021-03-09.[25] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.[26] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.[27] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.[28] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊. 一种用于对集成电路器件进行仿真的方法及装置. CN: CN111680466A, 2020-09-18.[29] 高立博, 卜建辉, 高见头, 赵发展, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置. CN: CN111291480A, 2020-06-16.[30] 罗志鹏, 罗家俊, 赵发展. 一种改善SiC器件界面特征的方法及SiC器件. CN: CN109801840A, 2019-05-24.[31] 苏洪源, 赵发展, 李晶, 罗家俊, 瞿磊, 席茜. 用于检测多芯片并联瞬态电流不均匀度的方法及装置. CN: CN109752637A, 2019-05-14.[32] 卜建辉, 罗家俊, 王成成, 高见头, 赵发展, 李多力, 韩郑生. SOI器件及其制作方法. CN: CN109742145A, 2019-05-10.[33] 王磊, 李博, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊, 刘新宇. 一种单光子光源的制备方法及元器件. CN: CN109713094A, 2019-05-03.[34] 王磊, 孔延梅, 焦斌斌, 李博, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊, 刘新宇. 一种可检真空度的真空玻璃及系统. CN: CN109665725A, 2019-04-23.[35] 赵发展, 韩郑生, 罗家俊. 一种存储器的联想方法及存储器. CN: CN109491597A, 2019-03-19.[36] 徐辉, 王春林, 高见头, 赵发展, 罗家俊, 张刚. 一种功率VDMOS器件远程测试系统. CN: CN208547692U, 2019-02-26.[37] 苏洪源, 赵发展, 李晶, 罗家俊, 瞿磊, 席茜. 一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法. CN: CN108279369A, 2018-07-13.[38] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗瞬态效应的选通器. CN: CN108233904A, 2018-06-29.[39] 刘梦新",null,"赵发展",null,"罗家俊. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108055032A, 2018-05-18.[40] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108055032A, 2018-05-18.[41] 高见头, 李彬鸿, 赵发展, 罗家俊. 一种环形振荡器. CN: CN206517390U, 2017-09-22.[42] 王春林, 高见头, 赵发展, 刘征, 罗家俊. 一种电子元器件测试恒温系统. CN: CN206161182U, 2017-05-10.[43] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 辐射探测电路. CN: CN104345329B, 2016-10-26.[44] 刘鑫, 赵发展, 刘梦新, 韩郑生. 一种灵敏放大器. CN: CN103559903B, 2016-09-28.[45] 刘刚, 高博, 罗家俊, 赵发展, 刘梦新. 一种板级系统局部芯片辐照装置. CN: CN205317864U, 2016-06-15.[46] 周宏宇, 刘刚, 陆江, 赵发展. 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出版信息
发表论文
[1] 刘涛, 岂飞涛, 朱蓓丽, 张琳, 刘海南, 滕瑞, 李博, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 基于静态输入检测的ADC单粒子效应测试系统. 微电子学[J]. 2022, 52(2): 329-333, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107576952.[2] 张琳, 岂飞涛, 刘涛, 朱蓓丽, 刘海南, 滕瑞, 李博, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 高速模数转换器的关键测量技术. 微电子学[J]. 2022, 52(2): 334-338, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107576953.[3] 王娟娟, 李江江, 曾传滨, 李逸帆, 倪涛, 罗家俊, 赵发展. 90nm SOI nMOSFET自加热效应研究. 半导体技术[J]. 2022, 47(5): 369-372, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107500952.[4] 李明珠, 蔡小五, 曾传滨, 李晓静, 李多力, 倪涛, 王娟娟, 韩郑生, 赵发展. 高温对MOSFET ESD防护器件维持特性的影响. 物理学报[J]. 2022, 71(12): 489-496, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107488772.[5] 高鹤, 宿晓慧, 李博, 刘海南, 赵发展. 一种智能多通路自适应调控寄生供电系统. 半导体光电[J]. 2021, 42(3): 418-423, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7105480355.[6] 赵捷, 赵野, 童纪昀, 王莎, 张孟翟, 李博, 赵发展. 一种用于TOF激光雷达的多通道时数转换芯片设计. 半导体光电[J]. 2021, 42(3): 342-347, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7105480341.[7] 王加鑫, 李晓静, 赵发展, 曾传滨, 李博, 韩郑生, 罗家俊. 用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性. 半导体技术[J]. 2021, 46(3): 210-215, https://kns.cnki.net/KCMS/detail/detail.aspx?dbcode=CJFQ&dbname=CJFDLAST2021&filename=BDTJ202103008&v=MzE1MzZyV00xRnJDVVI3dWZZZWRtRmlyaFdyN0JKeW5mWkxHNEhORE1ySTlGYklSOGVYMUx1eFlTN0RoMVQzcVQ=.[8] Xiong, Guodong, Qin, Zilun, Li, Bo, Wang, Lei, Zhang, Xuewen, Zheng, Zhongshan, Zhu, Huiping, Zhao, Suling, Gao, Jiantou, Li, Binhong, Yang, Jianqun, Li, Xingji, Luo, Jiajun, Han, Zhengsheng, Liu, Xinyu, Zhao, Fazhan. 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发表著作
(1) 空间单粒子效应---影响航天电子系统的危险因素, Single Event Effects in Aerospace, 电子工业出版社, 2016-03, 第 4 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 20M静态随机存储器, 参与, 国家级, 2014-10--2018-11( 2 ) SOI/CMOS半导体特种器件, 参与, 国家级, 2008-12--2016-12( 3 ) 25-13高可靠性工艺开发及服务平台建设, 参与, 国家级, 2009-01--2016-12( 4 ) 工艺平台先导产品设计与验证1工艺平台先导产品设计与验证1, 参与, 国家级, 2009-01--2016-12( 5 ) 公共技术服务中心, 参与, 部委级, 2009-09--2016-12( 6 ) 特种接口电路165, 参与, 国家级, 2011-12--2016-12( 7 ) 特种接口电路164, 参与, 国家级, 2011-12--2016-12( 8 ) 计数器-163, 参与, 国家级, 2013-11--2016-12( 9 ) 感性负载下MOS栅功率器件, 参与, 国家级, 2014-11--2018-12
指导学生
现指导学生
罗志鹏 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
王加鑫 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学