080903-微电子学与固体电子学
080902-电路与系统
085209-集成电路工程

高可靠元器件设计与加固技术
半导体器件可靠性技术
半导体测试技术

2003-09--2008-07   中国科学院微电子研究所   硕博连读/博士
1999-09--2003-07   河北工业大学   本科

   

2008-07~2012-10,中国科学院微电子研究所, 副研究员

TCAD仿真技术

   

[1] 高马利, 蔡小五, 郝宁, 丁利强, 高悦欣, 夏瑞瑞, 赵发展. 一种具有快速瞬态响应和低负载调整率的线性稳压器. CN: CN114200993A, 2022-03-18.
[2] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种抑制集成电路发生静电损伤的方法. CN: CN113990861A, 2022-01-28.
[3] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种集成电路的静电防护方法. CN: CN113990863A, 2022-01-28.
[4] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种新型静电防护方法. CN: CN113990862A, 2022-01-28.
[5] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种低成本静电防护方法. CN: CN113990860A, 2022-01-28.
[6] 高见头, 王可, 孙澎, 蔡小五, 赵发展. 芯片封装结构和半导体器件. CN: CN215496677U, 2022-01-11.
[7] 任建伟, 丛密芳, 李科, 李永强, 宋李梅, 赵发展. 平面螺旋电感及相应的宽带射频功率放大器内匹配电路. CN: CN113782673A, 2021-12-10.
[8] 任建伟, 丛密芳, 李科, 李永强, 宋李梅, 赵发展. 一种新型射频功率放大器内匹配电路. CN: CN113746439A, 2021-12-03.
[9] 任建伟, 李科, 丛密芳, 李永强, 宋李梅, 赵发展. 螺旋电感的制备方法、螺旋电感及无源器件模块. CN: CN113745404A, 2021-12-03.
[10] 李博, 苏泽鑫, 宿晓慧, 任洪宇, 卜建辉, 赵发展. 一种SRAM-PUF单元结构、存储器以及上电模式的控制方法. CN: CN113689907A, 2021-11-23.
[11] 李明珠, 蔡小五, 曾传滨",null,"赵发展. 半导体功率器件及其制备方法. CN: CN113644055A, 2021-11-12.
[12] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108270429B, 2021-10-15.
[13] 韩添, 赵发展. 一种电流检测电路及方法. CN: CN113281551A, 2021-08-20.
[14] 吴飞彤, 蔡小五, 刘海南, 赵海涛, 卜建辉, 赵发展. 一种无片外电容线性稳压电路. CN: CN213934662U, 2021-08-10.
[15] 陆芃, 任洪宇",null,"刘凡宇, 李多力, 卜建辉",null,"赵发展. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN113224167A, 2021-08-06.
[16] 高马利, 蔡小五, 郝宁, 丁利强, 夏瑞瑞, 高悦欣, 赵发展. 一种低侧功率开关集成模组和驱动芯片. CN: CN113054975A, 2021-06-29.
[17] 李博, 苏泽鑫, 宿晓慧, 王磊, 卜建辉, 赵发展, 韩郑生. 一种自动校验数据的SRAM安全存储系统及其方法. CN: CN112908394A, 2021-06-04.
[18] 李垌帅, 卜建辉, 王成成, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种半导体器件建模方法及装置. CN: CN112883675A, 2021-06-01.
[19] 吴飞彤, 蔡小五, 刘海南, 赵海涛, 卜建辉, 赵发展. 一种瞬时响应线性稳压器. CN: CN112860002A, 2021-05-28.
[20] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种SRAM的版图布局方法及装置. CN: CN112765926A, 2021-05-07.
[21] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种存储器数据通路版图的构建方法、装置及存储介质. CN: CN112685989A, 2021-04-20.
[22] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生, 曹硕. 一种场发射显示像素单元. CN: CN112509895A, 2021-03-16.
[23] 李晓静, 曾传滨, 闫薇薇, 高林春, 倪涛, 单梁, 王加鑫, 李多力, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种可控硅器件. CN: CN112466940A, 2021-03-09.
[24] 曾传滨, 李晓静, 闫薇薇, 高林春, 倪涛, 单梁, 王加鑫, 李多力, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件. CN: CN112466938A, 2021-03-09.
[25] 赵发展, 卜建辉. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.
[26] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.
[27] 赵发展, 卜建辉, 罗家俊. 一种功率器件. CN: CN211743090U, 2020-10-23.
[28] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊. 一种用于对集成电路器件进行仿真的方法及装置. CN: CN111680466A, 2020-09-18.
[29] 高立博, 卜建辉, 高见头, 赵发展, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置. CN: CN111291480A, 2020-06-16.
[30] 罗志鹏, 罗家俊, 赵发展. 一种改善SiC器件界面特征的方法及SiC器件. CN: CN109801840A, 2019-05-24.
[31] 苏洪源, 赵发展, 李晶, 罗家俊, 瞿磊, 席茜. 用于检测多芯片并联瞬态电流不均匀度的方法及装置. CN: CN109752637A, 2019-05-14.
[32] 卜建辉, 罗家俊, 王成成, 高见头, 赵发展, 李多力, 韩郑生. SOI器件及其制作方法. CN: CN109742145A, 2019-05-10.
[33] 王磊, 李博, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊, 刘新宇. 一种单光子光源的制备方法及元器件. CN: CN109713094A, 2019-05-03.
[34] 王磊, 孔延梅, 焦斌斌, 李博, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊, 刘新宇. 一种可检真空度的真空玻璃及系统. CN: CN109665725A, 2019-04-23.
[35] 赵发展, 韩郑生, 罗家俊. 一种存储器的联想方法及存储器. CN: CN109491597A, 2019-03-19.
[36] 徐辉, 王春林, 高见头, 赵发展, 罗家俊, 张刚. 一种功率VDMOS器件远程测试系统. CN: CN208547692U, 2019-02-26.
[37] 苏洪源, 赵发展, 李晶, 罗家俊, 瞿磊, 席茜. 一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法. CN: CN108279369A, 2018-07-13.
[38] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗瞬态效应的选通器. CN: CN108233904A, 2018-06-29.
[39] 刘梦新",null,"赵发展. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108055032A, 2018-05-18.
[40] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108055032A, 2018-05-18.
[41] 高见头, 李彬鸿, 赵发展, 罗家俊. 一种环形振荡器. CN: CN206517390U, 2017-09-22.
[42] 王春林, 高见头, 赵发展, 刘征, 罗家俊. 一种电子元器件测试恒温系统. CN: CN206161182U, 2017-05-10.
[43] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 辐射探测电路. CN: CN104345329B, 2016-10-26.
[44] 刘鑫, 赵发展, 刘梦新, 韩郑生. 一种灵敏放大器. CN: CN103559903B, 2016-09-28.
[45] 刘刚, 高博, 罗家俊, 赵发展, 刘梦新. 一种板级系统局部芯片辐照装置. CN: CN205317864U, 2016-06-15.
[46] 周宏宇, 刘刚, 陆江, 赵发展. SMD表面贴系列封装功率器件测试连接装置. CN: CN204462193U, 2015-07-08.
[47] 周宏宇, 赵发展, 陆江, 刘刚. TO-39封装功率器件测试连接装置. CN: CN204462194U, 2015-07-08.
[48] 陆江, 刘刚, 周宏宇, 赵发展. 用于TO-3封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置. CN: CN204389541U, 2015-06-10.
[49] 陆江, 赵发展, 周宏宇, 刘刚. 适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置. CN: CN204347072U, 2015-05-20.
[50] 陆江, 赵发展, 周宏宇, 刘刚. 三管腿通孔封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置. CN: CN204303799U, 2015-04-29.
[51] 刘倩茹, 赵发展, 刘刚, 罗家俊, 韩郑生. 一种多通道SRAM单粒子测试方法及装置. CN: CN104505125A, 2015-04-08.
[52] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. (15, 5)BCH码的编码电路设计方法. CN: CN104506201A, 2015-04-08.
[53] 刘倩茹, 赵发展, 刘刚, 罗家俊, 韩郑生. 一种多模式SRAM单粒子测试方法及装置. CN: CN104485135A, 2015-04-01.
[54] 赵发展, 刘刚. 一种防护突发暴力事件的解决方案. CN: CN104482804A, 2015-04-01.
[55] 刘鑫, 刘梦新, 赵发展, 韩郑生. 一种十管抗瞬态效应SRAM存储单元. CN: CN104464796A, 2015-03-25.
[56] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊. 辐射探测电路. CN: CN104407373A, 2015-03-11.
[57] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 辐射探测电路. CN: CN104391315A, 2015-03-04.
[58] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 辐射探测电路. CN: CN104345329A, 2015-02-11.
[59] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 辐射探测电路. CN: CN104345327A, 2015-02-11.
[60] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. (15,7)BCH码的编码电路设计方法. CN: CN104320145A, 2015-01-28.
[61] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 抗干扰存储元件. CN: CN104157304A, 2014-11-19.
[62] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 静态随机存储器单元的抗干扰电路和存储元件. CN: CN104157303A, 2014-11-19.
[63] 刘鑫, 刘梦新, 赵发展, 韩郑生. 抗辐射SRAM单元. CN: CN103971734A, 2014-08-06.
[64] 刘梦新, 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元. CN: CN103956184A, 2014-07-30.
[65] 刘梦新, 赵发展, 刘鑫, 韩郑生. 抗辐射SRAM单元. CN: CN103956183A, 2014-07-30.
[66] 刘鑫, 赵发展, 刘梦新, 韩郑生. 一种异步SRAM的I/O接口电路. CN: CN103646665A, 2014-03-19.
[67] 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 一种纠错SRAM的回写方法. CN: CN103631669A, 2014-03-12.
[68] 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 一种SRAM型存储器的纠错电路. CN: CN103617811A, 2014-03-05.
[69] 刘鑫, 赵发展, 刘梦新, 韩郑生. 一种灵敏放大器. CN: CN103559903A, 2014-02-05.
[70] 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 地址转变信号探测电路. CN: CN103514934A, 2014-01-15.
[71] 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 一种SRAM存储器. CN: CN203276859U, 2013-11-06.
[72] 赵发展. 一种婴儿护理装置. CN: CN103330609A, 2013-10-02.
[73] 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 基于并行编码译码的循环汉明码的纠错方法. CN: CN103309766A, 2013-09-18.
[74] 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法. CN: CN103117093A, 2013-05-22.
[75] 刘鑫, 赵发展, 韩郑生. 一种基于并行编码译码的循环汉明码的纠错方法. CN: CN103023518A, 2013-04-03.
[76] 王一奇, 韩郑生, 赵发展, 刘梦新, 毕津顺. 存储单元测试电路及其测试方法. CN: CN102903392A, 2013-01-30.
[77] 赵发展. 集成电路辅助测试装置. CN: CN102466774A, 2012-05-23.
[78] 刘梦新, 赵发展, 刘刚, 罗家俊, 韩郑生. 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管. CN: CN102468332A, 2012-05-23.
[79] 王一奇, 韩郑生, 赵发展, 刘梦新, 毕津顺. 一种MOS晶体管电容. CN: CN102412312A, 2012-04-11.
[80] 王一奇, 韩郑生, 赵发展, 刘梦新. 一种全电流灵敏放大器. CN: CN102394094A, 2012-03-28.
[81] 蔡小五, 赵发展, 海潮和, 陆江, 王立新. 功率VDMOS开启电压远程在线自动测试系统及方法. CN: CN101458292A, 2009-06-17.

   

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（1） 空间单粒子效应---影响航天电子系统的危险因素, Single Event Effects in Aerospace, 电子工业出版社, 2016-03, 第 4 作者

   

（ 1 ） 20M静态随机存储器, 参与, 国家级, 2014-10--2018-11
（ 2 ） SOI/CMOS半导体特种器件, 参与, 国家级, 2008-12--2016-12
（ 3 ） 25-13高可靠性工艺开发及服务平台建设, 参与, 国家级, 2009-01--2016-12
（ 4 ） 工艺平台先导产品设计与验证1工艺平台先导产品设计与验证1, 参与, 国家级, 2009-01--2016-12
（ 5 ） 公共技术服务中心, 参与, 部委级, 2009-09--2016-12
（ 6 ） 特种接口电路165, 参与, 国家级, 2011-12--2016-12
（ 7 ） 特种接口电路164, 参与, 国家级, 2011-12--2016-12
（ 8 ） 计数器-163, 参与, 国家级, 2013-11--2016-12
（ 9 ） 感性负载下MOS栅功率器件, 参与, 国家级, 2014-11--2018-12

现指导学生

罗志鹏  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王加鑫  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学