基本信息
崔利杰  男  硕导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: ljcui@red.semi.ac.cn
通信地址: 北京海淀区清华东路甲35号中科院半导体所材料科学重点实验室
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
招生方向
分子束外延,二维电子气,自旋轨道耦合,化合物半导体
垂直腔面发射激光器,激光器
InGaAs太赫兹外延材料

教育背景

2002-07--2004-10   中国科学院半导体研究所   博士后流动站
1999-09--2002-06   中国科学院半导体研究所   博士

工作经历

   
工作简历
2004-11~现在, 中国科学院半导体研究所, 任职
2002-07~2004-10,中国科学院半导体研究所, 博士后流动站
1999-09~2002-06,中国科学院半导体研究所, 博士

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN201310419775.8

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 量子霍尔器件研制, 参与, 国家任务, 2021-01--2023-12
( 2 ) 中压高稳定碳化硅MOSFET芯片关键工艺及制备技术研究, 参与, 国家任务, 2016-07--2021-06
( 3 ) 新型II-VI/III-V族多结叠层太阳电池材料与器件研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2017-12
( 4 ) 新型窄带隙锑化物二维电子气材料的自旋轨道耦合研究, 参与, 地方任务, 2014-01--2016-12