基本信息
崔利杰 男 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： ljcui@red.semi.ac.cn
通信地址： 北京海淀区清华东路甲35号中科院半导体所材料科学重点实验室
邮政编码：
电子邮件： ljcui@red.semi.ac.cn
通信地址： 北京海淀区清华东路甲35号中科院半导体所材料科学重点实验室
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教育背景
2002-07--2004-10 中国科学院半导体研究所 博士后流动站1999-09--2002-06 中国科学院半导体研究所 博士
工作经历
工作简历
2004-11~现在, 中国科学院半导体研究所, 任职2002-07~2004-10,中国科学院半导体研究所, 博士后流动站1999-09~2002-06,中国科学院半导体研究所, 博士
专利与奖励
专利成果
（ 1 ） p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN201310419775.8
科研活动
科研项目
（ 1 ） 量子霍尔器件研制, 参与, 国家任务, 2021-01--2023-12（ 2 ） 中压高稳定碳化硅MOSFET芯片关键工艺及制备技术研究, 参与, 国家任务, 2016-07--2021-06（ 3 ） 新型II-VI/III-V族多结叠层太阳电池材料与器件研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2017-12（ 4 ） 新型窄带隙锑化物二维电子气材料的自旋轨道耦合研究, 参与, 地方任务, 2014-01--2016-12