080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息

集成电路工程，高可靠性器件及集成技术

2002-09--2007-07   中国科学院微电子研究所   工学博士学位
1995-09--1999-07   西安电子科技大学   工学学士学位

   

2007-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2002-09~2007-07,中国科学院微电子研究所, 工学博士学位
1999-07~2002-07,海尔通信有限公司, 产品工程师
1995-09~1999-07,西安电子科技大学, 工学学士学位

2018-08-01-今,北京市电力电子学会, 会员
2018-08-01-今,北京市电力电子学会青工委, 委员

   

（1） 微电子所科研成果一等奖, 一等奖, 研究所（学校）, 2011

（ 1 ） 一种双埋层MOS栅控晶闸管, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910142423.x

（ 2 ） 一种超结器件结构、器件及制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201811477951.2

（ 3 ） 基区电阻控制晶闸管、发射极开关晶闸管及制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811521771.X

（ 4 ） 一种阳极栅MOS晶闸管及其工艺方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201711446833.0

（ 5 ） 一种超结器件, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN201710020770.6

（ 6 ） 一种超结器件耐压层的制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN201710028090.9

（ 7 ） 一种超结器件, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN201710020769.3

（ 8 ） 一种高压超结VDMOS, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN201611218670.6

（ 9 ） 一种超结MOS晶体管, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN201610542698.9

（ 10 ） 一种用于场致发射平板显示的驱动集成电路和装置, 2014, 第 1 作者, 专利号: 200810227423.1

（ 11 ） 一种具有网状外延结构的超结MOSFET, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN201410123064.0

（ 12 ） 一种硅基液晶金属布线加工方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200810119970.8

（ 13 ） 与标准互补金属氧化物半导体工艺兼容的高压互补金属氧化物半导体双栅氧制备工艺, 2005, 第 1 作者, 专利号: 200510011845.1

   

（1） 一种提升抗单粒子能力的新型超结结构, 微电子学与计算机, 2019, 第 2 作者
（2） A new snapback-free base resistance controlled thyristor with semi-superjunction, IEICE, 2019, 通讯作者
（3） A Snapback Suppressed Base Resistance Controlled Thyristor with Double N-type Buried Laye, EDSSC, 2019, 通讯作者
（4） MOS 控制晶闸管(MCT)的 di/dt 优化, 半导体技术, 2018, 通讯作者
（5） A Base Resistance Controlled Thyristor with N-type Buried Layer to Suppress the Snapback Phenomenon, ICSICT, 2018, 通讯作者
（6） A Novel Super-Junction Structure to Improve SEB Performance, ICSICT, 2018, 第 2 作者
（7） MOS栅氧的界面特性和辐照特性研究, 微电子学, 2017, 第 4 作者
（8） 频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究 , 电子设计工程 , 2012, 第 4 作者
（9） Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs , 半导体学报, 2010, 第 3 作者
（10） 深亚微米抗辐照PDSOI nMOSFET的热载流子效应 , 微电子学 , 2010, 第 3 作者
（11） LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法, 半导体技术, 2009, 第 2 作者
（12） Back-Gate Effect of SOI LDMOSFETs., Journal of Semiconductors, 2008, 第 2 作者

（ 1 ） 功率半导体器件基础, Fundamentals of power semiconductor devices, 电子工业出版社, 2013-03, 第 3 作者

   

（ 1 ） RH功率MOSFET, 参与, 国家任务, 2012-11--2016-12
（ 2 ） 场效应管7262, 参与, 国家任务, 2012-09--2015-12
（ 3 ） 场效应管9024, 参与, 国家任务, 2012-06--2014-12
（ 4 ） 场效应管67260, 参与, 国家任务, 2012-12--2016-12
（ 5 ） 场效应MOSFET晶体管IRFP32N50K, 负责人, 国家任务, 2009-10--2014-12
（ 6 ） 新型高可靠性超结MOSFET技术研究, 负责人, 研究所自主部署, 2012-12--2014-12
（ 7 ） MOSFET场效应晶体管系列, 参与, 国家任务, 2008-08--2013-12
（ 8 ） 场效应MOSFET晶体管FDS4435, 参与, 国家任务, 2009-10--2014-12
（ 9 ） 场效应MOSFET晶体管FDS6690A, 参与, 国家任务, 2009-10--2014-12

（1）MOS控制晶闸管（MCT）的di/dt优化   第三届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会   胡飞, 宋李梅, 韩郑生   2017-11-24
（2）A novel combined charge balance termination structure insensitive to ionizing radiation effect   Limei Song，Chao xiao, yanfei zhang,Botao Sun, Lixin Wang, Jiajunluo,   2017-10-02
（3）一种具有快速开关特性的平面裂栅VDMOS结构研究   新型半导体功率器件及应用技术讨论会2015年   宋李梅，王立新，张彦飞，孙博韬；   2015-11-23