1989-02--1994-05   瑞典哥德堡大学   博士学位
1985-09--1988-06   复旦大学   硕士学位
1981-09--1985-06   复旦大学   学士学位

   

2012-12~2018-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员
2012-12~2019-12,上海科技大学, 特聘教授
2008-12~2028-11,瑞典查尔姆斯理工大学, 教授
1999-06~2008-11,瑞典查尔姆斯理工大学, 副教授
1994-07~1999-05,瑞典查尔姆斯理工大学, 研究助理
1989-02~1994-05,瑞典哥德堡大学, 博士学位
1985-09~1988-06,复旦大学, 硕士学位
1981-09~1985-06,复旦大学, 学士学位

半导体器件物理学

   

（ 1 ） 一种基于铋元素的GaAs基室温红外发光材料及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN 2015106270367

（ 2 ） 一种基于稀铋磷化物材料的中间带太阳能电池结构, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL2015.1.0149341.X

（ 3 ） 一种二维锡烯材料的制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201610436234.X

（ 4 ） 一种单片原位形成图形衬底的方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: ZL2013.1.0629211.7

（ 5 ） 基于硅基三维纳米线阵列的全环栅互补金属-氧化物-半导体场效应晶体管, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL2013.1.0736928.1

（ 6 ） 一种基于稀铋磷化物材料的多结太阳能电池结构, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL2015.1.0151566.9

（ 7 ） 一种边发射半导体激光器腔面的非解理制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: ZL2013.1.0703155.7

（ 8 ） 基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: ZL2013.1.0264472.3

（ 9 ） 一种发光二极管及光学相干层析成像系统, 2016, 第 2 作者, 专利号: ZL2014.1.0052014.8

（ 10 ） 一种III-VOI结构的制备方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: ZL 2012.1.0559716.6

（ 11 ） 一种GaAsOI结构及III-VOI结构的制备方法”, 2015, 第 5 作者, 专利号: ZL2012.1.0559663.8

（ 12 ） Graphene fabrication by CVD using liquid catalysts一种液态催化剂辅助化学气相沉积制备石墨烯的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: No.201210096785.8

（ 13 ） 单片集成具有晶格失配的晶体模板及其制作方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: No.201110394410.5

（ 14 ） A method for graphene synthesis一种制备石墨烯的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: No.201210120753.7

（ 15 ） 一种提高稀铋半导体材料稳定性的而方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: ZL201310264486.5

   

“Lattice Engineering, Technologies and Applications”, Pan Stanford, 2013-01, 第 1 作者

   

（ 1 ） 2.8-4.0微米室温高性能半导体激光器材料和器件制备研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2018-12
（ 2 ） 微纳系统材料、制造与器件物理, 参与, 国家任务, 2014-01--2016-12
（ 3 ） 应用于非制冷激光器的新型稀铋半导体材料研究, 负责人, 国家任务, 2013-10--2018-12
（ 4 ） 绝缘体上III-V族化合物衬底材料制备技术研究, 负责人, 中国科学院计划, 2013-01--2015-12
（ 5 ） 中科院%%%%创新人才, 负责人, 中国科学院计划, 2013-01--2015-12
（ 6 ） III-V和Ge集成高迁移率材料工程, 参与, 中国科学院计划, 2013-01--2015-12

（1）TBD   20th International Conference on Transparent Optical Networks   2018-07-01
（2）Near infrared GaAsBi quantum well lasers   SPIE Photonics Europe 2018. Strassbourg   2018-04-22
（3）Light emitting devices of dilute bismides   8th International Workshop on Bi-containing Semiconductors   2017-07-23
（4）Novel group IV nano-and micro-structures for light sources on silicon   2017 IEEE Photonics Society Summer Topicals Meeting Series   2017-07-10
（5）Electrically pumped GaAsBi laser diodes   19th International Conference on Transparent Optical Networks   2017-07-02
（6）Recent progress on dilute bismides   Global Congress & Expo on Materials Science and Nanoscience   2016-10-24
（7）Dilute III-PBi and III-SbBi for IR applications   18th International Conference on Transparent Optical Networks   2016-07-10
（8）III-V light emitters on Ge and Si substrates   International Union of Materials Research Societies – International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2016)   2016-07-04