080903-微电子学与固体电子学

宽禁带半导体材料与器件

2003-09--2006-05   中国科学院半导体研究所   博士

   

2006-06~2016-08,中国科学院半导体研究所, 助研，副研
2003-09~2006-05,中国科学院半导体研究所, 博士

氮化镓微波器件与5G通信
半导体微纳加工技术
半导体异质结构电学特性的建模分
金属有机物化合物气相外延基础及

   

（1） 北京市科技进步二等奖, 二等奖, 部委级, 2012

（ 1 ） 双异质氮化镓基场效应晶体管结构及制作方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610594320.3

（ 2 ） 具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201310048977.6

（ 3 ） 一种具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201310054863.2

（ 4 ） 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 201210467084.0

（ 5 ） 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: 201210348006.9

（ 6 ） 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: 201110401468.8

   

（1） Highly Sensitive Detection of Deoxyribonucleic Acid Hybridization Using Au-Gated AlInN/GaN High Electron Mobility Transistor-Based Sensors, Chinese Physics Letters, 2017, 第 8 作者
（2） Fast electrical detection of carcinoembryonic antigen (CEA) based on AlGaN/GaN high electron mobility transistor aptasensor, Chinese Physics Letters, 2017, 第 8 作者
（3） Optimization of growth and fabrication techniques to enhance the InGaN/GaN multiple quantum well solar cells performance, Superlattices and Microstructures, 2017, 第 5 作者
（4） Analysis of GaN cap layer effecting on critical voltage for electrical degradation of AlGaN/GaN HEMT, The European Physical Journal Applied Physics, 2015, 第 4 作者
（5） Bipolar characteristics of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN double heterojunction structure with AlGaN as buffer layer, Journal of Alloys and Compounds, 2013, 第 4 作者
（6） Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN double heterojunction structures with AlGaN as buffer layers, Journal of Crystal Growth, 2013, 第 4 作者
（7） Tunable density of two-dimensional electron gas in GaN-based heterostructures: The effects of buffer acceptor and channel width, Journal of Applied Physics, 2013, 第 4 作者
（8） 2nm低温GaN空间层对AlGaN/InAlN/AlN/GaN异质结构2DEG的影响研究, A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport propertiesof two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures, Applied Physics Letters, 2012, 第 4 作者
（9） (AlyGa1-yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1-xN/GaN)MQW/GaN异质结构载流子限阈特性的自洽模拟, Self-consistent simulation of carrier confinement characteristics in (AlyGa1-yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1-xN/GaN)MQW/GaN heterostructures, Journal of Alloys and Compounds, 2012, 第 4 作者
（10） (AlxGa1-xN/AlN)SLs/GaN异质结构载流子限制优化研究, Numerical optimization of carrier confinement characteristics in (AlxGa1-xN/AlN)SLs/GaN heterostructures, Physica B: Physicas of Condensed Matter, 2012, 第 4 作者
（11） InAlN/AlN/GaN异质结构压力影响研究, The influence of pressure on the growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure, Eur.Phys.J.Appl.Phys, 2012, 第 3 作者
（12） n-GaN中电场影响持续光电导效应研究, Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-GaN, Appl. Phys. Lett. , 2011, 第 4 作者
（13） MOCVD方法在Si衬底上生长2μm无裂纹GaN材料, Growth of 2μm Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition, Chinese Physics Letter, 2011, 第 4 作者
（14） Computational Investigation of InxGa1-xN/InN Quantum-Dot Intermediate-Band Solar Cell, Chinese Physics Letters, 2011, 通讯作者
（15） Comparison of as grown and annealed GaN/InGaN:Mg Samples, Journal of Physics D: Applied Physics, 2011, 第 4 作者
（16） The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure, Applied physics A, 2011, 通讯作者
（17） Growth of GaN film on Si (111) substrate by using AlN sandwich structure as buffer, J Cryst Growth, 2011, 通讯作者
（18） Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy, Applied Surface Science, 2011, 第 4 作者
（19） Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates., J Cryst Growth, 2011, 第 4 作者
（20） Behavioral investigation of InN nanodots by surface topographies and phase images, Journal of Physics D-Applied Physics, 2011, 第 4 作者

   

（ 1 ） W波段GaN材料, 负责人, 国家任务, 2012-01--2016-12
（ 2 ） 09年专项, 参与, 国家任务, 2009-01--2013-12
（ 3 ） 11年专项, 参与, 国家任务, 2011-01--2013-12
（ 4 ） 4英寸材料工程化应用技术, 负责人, 国家任务, 2016-01--2018-12
（ 5 ） 高线性器件研究, 负责人, 国家任务, 2016-12--2018-12

（1）Research on InAlN-based HEMT   Wang Cuimei, Wang Xiaoliang, Xiao Hongling, Feng Chun, Jiang Lijuan, Chen Hong, Yin Haibo, Wang Zhanguo and Hou Xun   2013-05-13
（2）基于InAlN的HEMT材料和器件研究   第十七届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议   王翠梅   2012-11-07