2003-09--2006-05   中国科学院半导体研究所   博士

   

2006-06~2016-08,中国科学院半导体研究所, 助研，副研
2003-09~2006-05,中国科学院半导体研究所, 博士

氮化镓微波器件与5G通信
半导体微纳加工技术
半导体异质结构电学特性的建模分
金属有机物化合物气相外延基础及

   

（1） 北京市科技进步二等奖, 二等奖, 部委级, 2012

（ 1 ） 双异质氮化镓基场效应晶体管结构及制作方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610594320.3

（ 2 ） 具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201310048977.6

（ 3 ） 一种具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201310054863.2

（ 4 ） 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 201210467084.0

（ 5 ） 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: 201210348006.9

（ 6 ） 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: 201110401468.8

   

（ 1 ） 高线性器件研究, 负责人, 国家任务, 2016-12--2018-12
（ 2 ） 4英寸材料工程化应用技术, 负责人, 国家任务, 2016-01--2018-12
（ 3 ） W波段GaN材料, 负责人, 国家任务, 2012-01--2016-12
（ 4 ） 11年专项, 参与, 国家任务, 2011-01--2013-12
（ 5 ） 09年专项, 参与, 国家任务, 2009-01--2013-12

（1）Research on InAlN-based HEMT   Wang Cuimei, Wang Xiaoliang, Xiao Hongling, Feng Chun, Jiang Lijuan, Chen Hong, Yin Haibo, Wang Zhanguo and Hou Xun   2013-05-13
（2）基于InAlN的HEMT材料和器件研究   第十七届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议   王翠梅   2012-11-07