基本信息
周夕淋  男  博导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: xilinzhou@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
相变存储器材料,器件,纳米集成工艺

教育背景

2009-09--2014-07   中国科学院大学   工学博士
2005-09--2009-07   华东师范大学   理学学士

工作经历

   
工作简历
2020-09~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2017-08~2020-07,德国马普学会微结构物理研究所, 博士后
2014-07~2017-07,新加坡科技设计大学, 博士后
2009-09~2014-07,中国科学院大学, 工学博士
2005-09~2009-07,华东师范大学, 理学学士

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 上海市浦江(A类)人才计划, 省级, 2021
(2) 上海市优秀博士论文, 省级, 2016
(3) UCAS-BHP BILLITON SCHOLARSHIP, 部委级, 2013
专利成果
( 1 ) 一种存储器及其制作方法, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN105322090B

( 2 ) 一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103531710A

( 3 ) 一种相变存储器单元及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102832340A

( 4 ) 用于高温环境的N-Ge-Te相变存储材料及制备方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102623632A

( 5 ) 用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102610745A

( 6 ) 一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb 2 Te 3 相变存储材料, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102593355A

( 7 ) 一种电阻式随机存取存储器及其制造方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102254927A

( 8 ) 用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102134698A

( 9 ) 用于相变存储器的Si-Sb-Te材料, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102130298A

( 10 ) 用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101924180A

出版信息

   
发表论文
(1) Ionitronic manipulation of current-induced domain wall motion in synthetic antiferromagnets, NATURE COMMUNICATIONS, 2021, 第 2 作者
(2) Design of c-Axis-Oriented Pnictogen Chalcogenides, ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 通讯作者
(3) Increased Efficiency of Current-Induced Motion of Chiral Domain Walls by Interface Engineering, ADVANCED MATERIALS, 2021, 第 2 作者
(4) Giant Transition-State Quasiparticle Spin-Hall Effect in an Exchange-Spin-Split Superconductor Detected by Nonlocal Magnon Spin Transport, ACS NANO, 2020, 第 3 作者
(5) Resistance modulation in Ge2Sb2Te5, Resistance modulation in Ge2Sb2Te5, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2020, 第 3 作者
(6) Wide Bandgap Phase Change Material Tuned Visible Photonics, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2019, 第 7 作者
(7) Sb2Te3 and Its Superlattices: Optimization by Statistical Design, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 第 2 作者
(8) Understanding phase-change materials with unexpectedly low resistance drift for phase-change memories, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2018, 通讯作者
(9) Tunable Mid-Infrared Phase-Change Metasurface, ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2018, 第 3 作者
(10) Tuneable Thermal Emission Using Chalcogenide Metasurface, ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2018, 第 5 作者
(11) Avalanche atomic switching in strain engineered Sb2Te3-GeTe interfacial phase-change memory cells, NANO FUTURES, 2017, 通讯作者
(12) Laser switching and characterisation of chalcogenides: systems, measurements, and applicability to photonics Invited, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2017, 第 2 作者
(13) Phase-Change Memory Materials by Design: A Strain Engineering Approach, ADVANCED MATERIALS, 2016, 通讯作者
(14) Evolutionary design of interfacial phase change van der Waals heterostructures, NANOSCALE, 2016, 第 2 作者
(15) Oxygen Tuned Local Structure and Phase-Change Performance of Germanium Telluride, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2016, 通讯作者
(16) 相变存储器材料研究, Study of phase change materials for phase change random access memory, 中国科学. 物理学, 力学, 天文学, 2016, 第 3 作者
(17) Strain-engineered diffusive atomic switching in two-dimensional crystals, NATURE COMMUNICATIONS, 2016, 第 2 作者
(18) Study on WSb3Te material for phase-change memory applications, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 第 2 作者
(19) A zero density change phase change memory material: GeTe-O structural characteristics upon crystallisation, SCIENTIFIC REPORTS, 2015, 通讯作者
(20) RESET Distribution Improvement of Phase Change Memory: The Impact of Pre-Programming, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 第 4 作者
(21) Understanding Phase-Change Behaviors of Carbon-Doped Ge2Sb2Te5 for Phase-Change Memory Application, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2014, 第 1 作者
(22) 新型相变材料高数据保持力、多级存储机理研究, Investigation on Novel Phase-change Materials with High Data Retention and Multi-level Data Storage, 2014, 第 1 作者
(23) High thermal stability and low density variation of carbon-doped Ge2Sb2Te5 for phase-change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 3 作者
(24) Nitrogen-doped Sb-rich Si-Sb-Te phase-change material for high-performance phase-change memory, ACTA MATERIALIA, 2013, 第 1 作者
(25) Sb含量对GeTe-Sb相变薄膜电学性能和微观结构的影响, The characteristics of GeTe-Sb thin films with different Sb concentration for phase change memory, 电子显微学报, 2013, 第 2 作者
(26) A simple method used to evaluate phase-change materials based on focused-ion beam technique, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 6 作者
(27) Phase transition characteristics of Al-Sb phase change materials for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 通讯作者
(28) Investigation on nitrogen-doped Ge2Sb2Te5 material for phase-change memory application, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2013, 第 2 作者
(29) Ti10Sb60Te30 for phase change memory with high-temperature data retention and rapid crystallization speed, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 7 作者
(30) Investigation on Sb-rich Sb–Se–Te phase-change material for phase change memory application, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2012, 第 5 作者
(31) W-Sb-Te phase-change material: A candidate for the trade-off between programming speed and data retention, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 8 作者
(32) Improved Thermal Stability and Electrical Properties for Al-Sb-Te Based Phase-Change Memory, ECS SOLID STATE LETTERS, 2012, 第 8 作者
(33) Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第 5 作者
(34) Carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material: A candidate for high-density phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 通讯作者
(35) Study on Interface Adhesion between Phase Change Material Film and SiO2 Layer by Nanoscratch Test, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 通讯作者
(36) Investigation on phase change behaviors of Si-Sb-Te alloy: The effect of tellurium segregation, Materials Research Society Symposium Proceedings.New Functional Materials and Emerging Device Architectures for Nonvolatile Memories, 2011, 第 1 作者
(37) Investigation of Sb-rich Si2Sb2+x Te-6 material for phase change random access memory application, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2011, 通讯作者
(38) Investigation of phase transition behaviors of the nitrogen-doped Sb-rich Si–Sb–Te films for phase-change memory, THIN SOLID FILMS, 2011, 第 1 作者
(39) N-doped Sb2Te phase change materials for higher data retention, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2011, 第 7 作者
(40) Si-Sb-Te materials for phase change memory applications, NANOTECHNOLOGY, 2011, 第 4 作者
(41) Sb-rich Si-Sb-Te phase change material for multilevel data storage: The degree of disorder in the crystalline state, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 通讯作者
(42) Al1.3Sb3Te material for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 8 作者
(43) Sb-rich Si-Sb-Te Phase-Change Material for Phase-Change Random Access Memory Applications, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2011, 第 2 作者
(44) Nano composite Si2Sb2Te film for phase change memory, THIN SOLID FILMS, 2011, 第 6 作者
(45) Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 第 5 作者
(46) Study of phase change memory cell with inserting buffer layer, PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7 NO 3-4, 2010, 
(47) Au-197 irradiation study of phase-change memory cell with GeSbTe alloy, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2010, 第 2 作者
(48) Si2Sb2Te6 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2009, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) Bi2X3基超晶格相变材料与器件及其低功耗高速阈值转变机理, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12
( 2 ) 高密度超晶格相变材料与器件及其转变机理研究, 负责人, 地方任务, 2021-10--2023-09
( 3 ) 超晶格相变存储器原子级界面调控与机理, 负责人, 研究所自选, 2021-01--2023-12
( 4 ) 超晶格相变存储器研究, 负责人, 研究所自选, 2020-06--2022-05
参与会议
(1)Racetrack memory by design: enhanced current induced domain wall motion through interfacial engineering   2019-09-20
(2)Design of Highly C-Axis Oriented Bismuth Chalcogenides for Strain Engineered Interfacial Phase Change Memory   2017-04-20
(3)Strain Engineered Diffusive Atomic Switching in Chalcogenide Heterostructure Superlattices   2016-03-31
(4)Strained interfacial phase-change memory based on GeTe-SbxTe1-x superlattices   2015-09-06