基本信息
冯春  女  硕导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: cfeng@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号1号路606
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
招生方向
宽禁带半导体材料物理,半导体材料MOCVD生长、宽禁带半导体电力电子器件

教育背景

2004-09--2009-07   中国科学院半导体研究所   获得博士学位
2000-09--2004-07   北京航空航天大学   获得工学学士学位

工作经历

   
工作简历
2015-01~2016-08,中国科学院半导体研究所, 任副研究员
2009-09~2014-12,中国科学院半导体研究所, 任助理研究员
2004-09~2009-07,中国科学院半导体研究所, 获得博士学位
2000-09~2004-07,北京航空航天大学, 获得工学学士学位

教授课程

宽禁带半导体电子器件
半导体的霍尔效应及霍尔检测方法
半导体材料检测技术

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 高性能GaN外延材料, 二等奖, 部委级, 2012
专利成果
( 1 ) MOFET器件, 2020, 第 3 作者, 专利号: ZL201910175096.8

( 2 ) 一种混合极性InGaN太阳能电池结构, 2020, 第 4 作者, 专利号: ZL201810091655.2

( 3 ) 可调节的感应线圈装置, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811421443.2

( 4 ) 用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘, 2015, 第 5 作者, 专利号: 201510002676.9

( 5 ) 一种基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: 201410112734.9

( 6 ) 源输送混合比可调气路装置, 2014, 第 5 作者, 专利号: 201410092524.8

( 7 ) 密封传动装置, 2014, 第 5 作者, 专利号: 201410018204.8

( 8 ) 具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: 201310048977.6

( 9 ) 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统, 2011, 第 3 作者, 专利号: ZL200610112883.0

出版信息

   
发表论文
(1) Simulation Study of Performance Degradation in β-Ga2O3 (001) Vertical Schottky Barrier Diodes Based on Anisotropic Mobility Modeling, Journal of Solid State Science and Technology, 2021, 通讯作者
(2) Comparative Study of SiC Planar MOSFETs With Different p-Body Designs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 5 作者
(3) Study of Asymmetric Cell Structure Tilt Implanted 4H-SiC Trench MOSFET, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 第 5 作者
(4) Investigationof the current collapse induced in InGaN back barrier AlGaN/GaN high electron mobility transistors, Journal of Semiconductors, 2013, 第 4 作者
(5) Effect of CO on Characteristics of AlGaN/GaN Schottky Diode, Chin. Phys. Lett, 2008, 第 1 作者
(6) AlGaN-GaN型气体传感器对CO的响应研究, 半导体学报, 2008, 第 1 作者
(7) Hydrogen sensors based on AlGaN/AlN/GaN Schottky diodes, Chinese Physics Letters, 2008, 第 3 作者
(8) Hydrogen sensors based on AlGaN/AlN/GaN HEMT, Microelectronics Journal, 2008, 第 3 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) GaN基DNA生物传感器研究, 负责人, 国家任务, 2012-01--2014-12
( 2 ) 面向下一代移动通信的GaN基射频器件关键技术及系统应用-高效率器件研究, 参与, 国家任务, 2016-01--2020-12
( 3 ) GaN功率器件及MMIC, 参与, 国家任务, 2014-01--2016-12
( 4 ) 宽带GaN微波功率器件及MMIC, 参与, 国家任务, 2011-01--2013-12
( 5 ) GaN功率器件与MMIC, 参与, 国家任务, 2017-01--2020-12
参与会议
(1)Fabrication and study on multi-gate-finger AlGaN/GaN power devices with Si3N4 as bridge   2013-08-24