基本信息
徐静波  男  硕导  其他
电子邮件： xujingbo@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路三号
邮政编码：

教育背景

2005-06--2008-06   中国科学院微电子研究所   博士
2003-10--2004-09   中国电子科技集团公司第十三研究所   联合培养
2002-07--2005-05   河北工业大学   硕士
1998-09--2002-06   河北工业大学   学士

工作经历

   
工作简历
2010-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2010-03~2015-11,中国科学院物联网研究发展中心、江苏物联网研究发展中心, 外派参与筹建物联网中心
2008-07~2010-09,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2005-06~2008-06,中国科学院微电子研究所, 博士
2003-10~2004-09,中国电子科技集团公司第十三研究所, 联合培养
2002-07~2005-05,河北工业大学, 硕士
1998-09~2002-06,河北工业大学, 学士

教授课程

知识产权法

专利与奖励

   
专利成果
（ 1 ） 基于自组织神经网络的心电信号分类方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201610256973.0

（ 2 ） 基于埃尔米特函数的心电特征提取方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201610258219.0

（ 3 ） 声表面波传感器, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610727889.2

（ 4 ） 或非门逻辑单元及其形成方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL 200810227463.6

（ 5 ） 非门逻辑电路及其形成方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL 200810227459.X

（ 6 ） 增强型背栅氧化锌米线场效应晶体管及其制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL 200810227461.7

（ 7 ） 一种ZnO背栅纳米线场效应管的制备方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: ZL 200810223353.2

（ 8 ） 单片集成GaAs基ED MHEMT的制作方法, 2008, 第 4 作者, 专利号: ZL 200810103226.9

（ 9 ） 单片集成GaAs基ED MHEMT的制作方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: ZL 200810103226.9

（ 10 ） 实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法, 2008, 第 4 作者, 专利号: ZL200810103255.5

（ 11 ） 实现ZnO纳米线到场效应管衬底淀积和定位的方法, 2008, 第 4 作者, 专利号: ZL 200810103254.0

（ 12 ） 在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法, 2008, 第 4 作者, 专利号: ZL 200810103256.X

（ 13 ） 在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: ZL 200810103227.3

（ 14 ） 单片集成增强耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法 , 2008, 第 3 作者, 专利号: ZL 2008 1 0102205.5

（ 15 ） 实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: ZL200810102206.X

（ 16 ） 适用于增强型InGaP AlGaAs InGaAs PHEMT器件的栅退火方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: ZL 2007 1 0303895.6

（ 17 ） 单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构, 2007, 第 1 作者, 专利号: ZL 200710178311.7

（ 18 ） 单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构, 2007, 第 1 作者, 专利号: ZL 200710178321.0

（ 19 ） 制作单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管的方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: ZL 200710178320.6

（ 20 ） 制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: ZL 200710178310.2

（ 21 ） 单片集成的环形振荡器与分频器电路及其处理方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: ZL 200710177793.4

（ 22 ） 高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料结构, 2007, 第 1 作者, 专利号: ZL 200710063375.2

科研活动

   
科研项目
（ 1 ）  物联网核心芯片及应用技术, 参与, 中国科学院计划, 2015-07--2017-06
（ 2 ） 支持压力感知的低功耗三维触控屏研发, 参与, 地方任务, 2011-03--2013-03
（ 3 ） 基于纳米操控技术的ZnO纳米线传感器制备技术研究, 负责人, 国家任务, 2009-08--2010-08
（ 4 ） 氧化锌一维纳米线场效应晶体管的研究, 负责人, 研究所自主部署, 2008-07--2009-07
（ 5 ） W波段MHEMT功率器件, 负责人, 研究所自主部署, 2006-10--2008-09
（ 6 ） 新一代化合物半导体电子器件与电路研究——新结构InP基HEMT和增强/耗尽（E/D）型HEMT, 参与, 国家任务, 2002-10--2008-10