基本信息

倪海桥 男 博导 中国科学院半导体研究所
电子邮件: nihq@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路35甲,中国科学院半导体研究所2#116
邮政编码: 100083
电子邮件: nihq@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路35甲,中国科学院半导体研究所2#116
邮政编码: 100083
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学070205-凝聚态物理
招生方向
半导体激光器,探测器分子束外延,光电子器件,THz器件
教育背景
1997-09--2002-07 新加坡国立大学 博士1992-09--1995-07 北京航空航天大学 硕士1988-09--1992-07 北京航空航天大学 学士
工作经历
工作简历
2015-09~2016-08,中国科学院半导体研究所, 研究员2005-09~2015-09,中国科学院半导体研究所, 副研究员2002-09~2005-07,中国科学院半导体研究所, 博士后1997-09~2002-07,新加坡国立大学, 博士1992-09~1995-07,北京航空航天大学, 硕士1988-09~1992-07,北京航空航天大学, 学士
教授课程
半导体微纳材料与量子光电子器件半导体微纳结构光电子与量子器件
专利与奖励
专利成果
( 1 ) 微透镜阵列耦合反射层结构制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: 202110781608( 2 ) 量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: 202010252674.6( 3 ) 一种InSb/GaSb量子点单光子源及制备方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: 202010056701.2( 4 ) InAs/InGaAs/InP量子点单光子源及其制作方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: 202010056694.6( 5 ) 低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器, 2017, 第 2 作者, 专利号: ZL201510098629.9( 6 ) 共振隧穿二极管近红外探测器, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201510547194.1( 7 ) 硅基半导体超短脉冲激光器, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL201310357340.5( 8 ) 制备微透镜阵列的方法 , 2012, 第 5 作者, 专利号: 201210505204.1( 9 ) 多层量子点隧道结窜联的有源区带宽增益结构, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210333043.2( 10 ) 在衬底上生长异变缓冲层的方法 , 2011, 第 3 作者, 专利号: 201110121899.9
出版信息
发表论文
(1) InAs量子点产生的光纤耦合高计数率单光子, Fiber coupled high count-rate single-photon generated from InAs quantum dots, Journal of Semiconductors, 2021, 第 8 作者(2) 铝液滴刻蚀中纳米孔不对称性的研究, Study on the asymmetry of nanopore in Al droplet etching, Optical and Quantum Electronics, 2021, 第 3 作者(3) Cavity Quantum Electrodynamics with Second-Order Topological Corner State, Laser Photonics Review, 2021, 第 9 作者(4) Correlation between exciton polarized lifetime and fine structure splitting in InAs/GaAs quantum dots, Appl. Phys. Lett., 2020, 第 7 作者(5) Low-threshold topological nanolasers based on the second-order corner state, Light: Science & Applications volume, 2020, 第 7 作者(6) C 2v and D 3h symmetric InAs quantum dots on GaAs (001) substrate: Exciton emission and a defect field influence, AIP Advances, 2020, 第 3 作者(7) Boost of single-photon emission by perfect coupling of InAs/GaAs quantum dot and micropillar cavity mode, Nanoscale Research Letters, 2020, 通讯作者(8) 蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究, 外与激光工程, 2019, 第 6 作者(9) High performance GaSb based digital-grown InGaSb/AlGaAsSb mid-infrared lasers and bars, 中国物理B:英文版, 2019, 第 10 作者(10) Effects of growth temperature and metamorphic buffer on electron mobility of InAs film grown on Si substrate by molecular beam epitaxy, 中国物理B:英文版, 2019, 第 3 作者(11) Molecular beam epitaxial growth of high quality InAs/GaAs quantum dots for 1.3-μm quantum dot lasers, 中国物理B:英文版, 2019, 第 3 作者(12) Temperature dependence on the electrical and physical performance of InAs/AlSb heterojunction and high electron mobility transistors, Chin. Phys. B, 2018, 第 3 作者(13) Quantum frequency down-conversion of single photons at 1552 nm from single InAs quantum dot, Chin. Phys. B, 2018, 第 5 作者(14) GaSb大功率激光器, High-power GaSb-based microstripe broad-area lasers, Applied Physics Express, 2018, 第 10 作者(15) 2 μm GaSb 基大功率半导体激光器研究进展, 红外与激光工程, 2018, 第 10 作者(16) 3~4 μm 锑化物带间级联激光器研究进展(特邀), 红外与激光工程, 2018, 第 10 作者(17) Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector∗, Chin. Phys. B, 2018, 第 7 作者(18) 1.3微米单光子发射, 1.3 μm single-photon emission from strain-coupled bilayer of InAs/GaAs quantum dots at the temperature up to 120 K, Appl. Phys. Lett., 2017, 第 3 作者(19) GaAs/AlGaAs量子阱自旋各向异性, Anisotropic in-plane spin dynamics in (110)-oriented GaAs/AlGaAs multiple quantum well, Journal of Applied Physics, 2017, 第 3 作者(20) A deterministic quantum dot micropillar single photon source with >65% extraction efciency based on fuorescence imaging method, nature,ScIEnTIfIc REPOrtS | 7: 13986 | DOI:10.1038/s41598-017-13433-w, 2017, 第 7 作者(21) Optimization of wide band mesa-type enhanced terahertz photoconductive antenna at 1550 nm, Chin. Phys. B, 2017, 第 7 作者(22) HEMT太赫兹探测器的二维电子气特性分析, 红外与毫米波学报, 2017, 第 6 作者(23) Spectral dynamical behavior in two-section, quantum well, mode-locked laser at 1.064 µm, Chin. Phys. B, 2017, 第 7 作者(24) High-Power Single-Spatial-Mode GaSb Tapered Laser around 2.0 µm with Very Small Lateral Beam Divergence ∗, CHIN. PHYS. LETT., 2017, 第 7 作者(25) Intracavity Spontaneous Parametric Down-Conversion in Bragg Reflection Waveguide Edge Emitting Diode, CHIN. PHYS. LETT, 2017, 第 6 作者(26) Electron spin dynamics study of bulk p-GaAs: The screening effect, Appl. Phys. Lett. , 2013, 第 3 作者(27) High-performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate, Appl. Phys., 2011, 通讯作者(28) Optically controlled quantum dot gated transistors with high on/off ratio, Appl. Phys. Lett. , 2010, 第 4 作者(29)
科研活动
科研项目
( 1 ) 锑化物纳米结构中红外激光与探测器, 负责人, 国家任务, 2013-01--2017-12( 2 ) 基于半导体单量子点谐振腔耦合结构的超低功耗纳米发光管, 负责人, 国家任务, 2013-01--2016-12( 3 ) 基于Sb化物窄带量子阱的3微米波段中红外高功率激光器研究, 负责人, 国家任务, 2015-01--2019-12( 4 ) 电泵浦量子点单光子源与微腔激光研究, 负责人, 国家任务, 2021-07--2025-12