080903-微电子学与固体电子学
070205-凝聚态物理

半导体激光器，探测器
分子束外延，光电子器件，THz器件

1997-09--2002-07   新加坡国立大学   博士
1992-09--1995-07   北京航空航天大学   硕士
1988-09--1992-07   北京航空航天大学   学士

   

2015-09~2016-08,中国科学院半导体研究所, 研究员
2005-09~2015-09,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2002-09~2005-07,中国科学院半导体研究所, 博士后
1997-09~2002-07,新加坡国立大学, 博士
1992-09~1995-07,北京航空航天大学, 硕士
1988-09~1992-07,北京航空航天大学, 学士

半导体微纳材料与量子光电子器件
半导体微纳结构光电子与量子器件

   

（ 1 ） 微透镜阵列耦合反射层结构制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: 202110781608

（ 2 ） 量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: 202010252674.6

（ 3 ） 一种InSb/GaSb量子点单光子源及制备方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: 202010056701.2

（ 4 ） InAs/InGaAs/InP量子点单光子源及其制作方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: 202010056694.6

（ 5 ） 低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器, 2017, 第 2 作者, 专利号: ZL201510098629.9

（ 6 ） 共振隧穿二极管近红外探测器, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201510547194.1

（ 7 ） 硅基半导体超短脉冲激光器, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL201310357340.5

（ 8 ） 制备微透镜阵列的方法 , 2012, 第 5 作者, 专利号: 201210505204.1

（ 9 ） 多层量子点隧道结窜联的有源区带宽增益结构, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210333043.2

（ 10 ） 在衬底上生长异变缓冲层的方法 , 2011, 第 3 作者, 专利号: 201110121899.9

   

（1） InAs量子点产生的光纤耦合高计数率单光子, Fiber coupled high count-rate single-photon generated from InAs quantum dots, Journal of Semiconductors, 2021, 第 8 作者
（2） 铝液滴刻蚀中纳米孔不对称性的研究, Study on the asymmetry of nanopore in Al droplet etching, Optical and Quantum Electronics, 2021, 第 3 作者
（3） Cavity Quantum Electrodynamics with Second-Order Topological Corner State, Laser Photonics Review, 2021, 第 9 作者
（4） Correlation between exciton polarized lifetime and fine structure splitting in InAs/GaAs quantum dots, Appl. Phys. Lett., 2020, 第 7 作者
（5） Low-threshold topological nanolasers based on the second-order corner state, Light: Science & Applications volume, 2020, 第 7 作者
（6） C 2v and D 3h symmetric InAs quantum dots on GaAs (001) substrate: Exciton emission and a defect field influence, AIP Advances, 2020, 第 3 作者
（7） Boost of single-photon emission by perfect coupling of InAs/GaAs quantum dot and micropillar cavity mode, Nanoscale Research Letters, 2020, 通讯作者
（8） 蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究, 外与激光工程, 2019, 第 6 作者
（9） High performance GaSb based digital-grown InGaSb/AlGaAsSb mid-infrared lasers and bars, 中国物理B:英文版, 2019, 第 10 作者
（10） Effects of growth temperature and metamorphic buffer on electron mobility of InAs film grown on Si substrate by molecular beam epitaxy, 中国物理B:英文版, 2019, 第 3 作者
（11） Molecular beam epitaxial growth of high quality InAs/GaAs quantum dots for 1.3-μm quantum dot lasers, 中国物理B:英文版, 2019, 第 3 作者
（12） Temperature dependence on the electrical and physical performance of InAs/AlSb heterojunction and high electron mobility transistors, Chin. Phys. B, 2018, 第 3 作者
（13） Quantum frequency down-conversion of single photons at 1552 nm from single InAs quantum dot, Chin. Phys. B, 2018, 第 5 作者
（14） GaSb大功率激光器, High-power GaSb-based microstripe broad-area lasers, Applied Physics Express, 2018, 第 10 作者
（15） 2 μm GaSb 基大功率半导体激光器研究进展, 红外与激光工程, 2018, 第 10 作者
（16） 3~4 μm 锑化物带间级联激光器研究进展(特邀), 红外与激光工程, 2018, 第 10 作者
（17） Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector∗, Chin. Phys. B, 2018, 第 7 作者
（18） 1.3微米单光子发射, 1.3 μm single-photon emission from strain-coupled bilayer of InAs/GaAs quantum dots at the temperature up to 120 K, Appl. Phys. Lett., 2017, 第 3 作者
（19） GaAs/AlGaAs量子阱自旋各向异性, Anisotropic in-plane spin dynamics in (110)-oriented GaAs/AlGaAs multiple quantum well, Journal of Applied Physics, 2017, 第 3 作者
（20） A deterministic quantum dot micropillar single photon source with >65% extraction efciency based on fuorescence imaging method, nature，ScIEnTIfIc REPOrtS | 7: 13986 | DOI:10.1038/s41598-017-13433-w, 2017, 第 7 作者
（21） Optimization of wide band mesa-type enhanced terahertz photoconductive antenna at 1550 nm, Chin. Phys. B, 2017, 第 7 作者
（22） HEMT太赫兹探测器的二维电子气特性分析, 红外与毫米波学报, 2017, 第 6 作者
（23） Spectral dynamical behavior in two-section, quantum well, mode-locked laser at 1.064 µm, Chin. Phys. B, 2017, 第 7 作者
（24） High-Power Single-Spatial-Mode GaSb Tapered Laser around 2.0 µm with Very Small Lateral Beam Divergence ∗, CHIN. PHYS. LETT., 2017, 第 7 作者
（25） Intracavity Spontaneous Parametric Down-Conversion in Bragg Reflection Waveguide Edge Emitting Diode, CHIN. PHYS. LETT, 2017, 第 6 作者
（26） Electron spin dynamics study of bulk p-GaAs: The screening effect, Appl. Phys. Lett. , 2013, 第 3 作者
（27） High-performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate, Appl. Phys., 2011, 通讯作者
（28） Optically controlled quantum dot gated transistors with high on/off ratio, Appl. Phys. Lett. , 2010, 第 4 作者
（29） 

   

（ 1 ） 锑化物纳米结构中红外激光与探测器, 负责人, 国家任务, 2013-01--2017-12
（ 2 ） 基于半导体单量子点谐振腔耦合结构的超低功耗纳米发光管, 负责人, 国家任务, 2013-01--2016-12
（ 3 ） 基于Sb化物窄带量子阱的3微米波段中红外高功率激光器研究, 负责人, 国家任务, 2015-01--2019-12
（ 4 ） 电泵浦量子点单光子源与微腔激光研究, 负责人, 国家任务, 2021-07--2025-12