0805Z2-半导体材料与器件

宽禁带半导体材料研究
氮化物新型光电器件研究
功能型光电集成芯片技术研究

2003-09--2006-07   中国科学院半导体研究所   博士

   

2013-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2009-01~2012-12,中国科学院半导体研究所, 副研
2006-07~2008-12,中国科学院半导体研究所, 助研
2003-09~2006-07,中国科学院半导体研究所, 博士

2022-03-24-2027-03-23,中国照明学会, 高级会员
2014-01-01-今,北京市第三代半导体材料与应用工程技术中心, 副主任

宽禁带半导体材料与器件
半导体照明与氮化镓器件
半导体照明技术

   

（1） 物证检验高单色性光源关键技术与设备, 三等奖, 部委级, 2023
（2） 高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化, 一等奖, 国家级, 2019
（3） 中国优秀专利奖, , 专项, 2014
（4） 低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术, 二等奖, 国家级, 2014
（5） 高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术, 一等奖, 省级, 2012

（ 1 ） 一种基于非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法, [[[", 第 1 作者, 专利号: [[[CN111697115A]]]

（ 2 ） 氧化镓器件及其制备方法, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN118352402A

（ 3 ） 准垂直结构GaN肖特基二极管及其制备方法, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN118315445A

（ 4 ） GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN115369379B

（ 5 ） 氧化镓衬底及其制备方法, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN117855049A

（ 6 ） 基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管及其制备方法, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN117790575A

（ 7 ） 一种用于GaN功率器件的外延结构及其生长方法, 2024, 第 5 作者, 专利号: CN117766570A

（ 8 ） 发光二极管芯片的封装结构及应用, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN117317104A

（ 9 ） 失配光谱均匀化灯具, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN117307992A

（ 10 ） 无线供能柔性发光系统及其无线能量接收端装置制备方法, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN111355308B

（ 11 ） 基于氧化镓纳米线的鳍式场效应晶体管及其制备方法, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116799041A

（ 12 ） 氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN113410192B

（ 13 ） 氮化物薄膜结构及其制备方法, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN115881864A

（ 14 ） 基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器及制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115498074A

（ 15 ） 氮化物发光器件制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115498073A

（ 16 ） 用于光医疗的柔性LED封装结构, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN115377276A

（ 17 ） 基于LED可见光的定位方法、装置、电子设备及存储介质, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115372898A

（ 18 ） GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115369379A

（ 19 ） 肖特基势垒二极管及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115347052A

（ 20 ） 基于多色谐振腔发光二极管的生物探针及其制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115224168A

（ 21 ） 生物探针及其制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115105022A

（ 22 ） 垂直腔面发射激光器及其制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115000810A

（ 23 ） 用于神经调控的光电集成模块, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114949618A

（ 24 ） 基于多色谐振腔发光二极管的生物探针及其制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202210864222.2

（ 25 ） 石墨烯作为插入层的GaN/AlGaN异质结构及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114759088A

（ 26 ） 生物探针及其制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202210707834.0

（ 27 ） 基于氧化镓纳米线的鳍式场效应晶体管及其制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202210260818.1

（ 28 ） 自支撑氮化镓衬底的制作方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113903655A

（ 29 ） 氮化物生长方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113394076A

（ 30 ） 发光二极管的外延结构及其制备方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113394318A

（ 31 ） LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111816729B

（ 32 ） 基于平面衬底的倒装RCLED芯片及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113299806A

（ 33 ） LED陶瓷封装基板及其制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113299814A

（ 34 ） 一种用于光医疗的可穿戴设备, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113209489A

（ 35 ） 一种混色LED器件, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202110671506.5

（ 36 ） 无线供能柔性发光系统及其无线能量接收端装置制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111355308A

（ 37 ） 基于绝缘衬底的纳米柱LED芯片及其制备方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111326610A

（ 38 ） 荧光材料发热测试装置, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111323398A

（ 39 ） 一种低热阻电路板, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110290635A

（ 40 ） 匀光照明模组及其应用, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN110260268A

（ 41 ） ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109524490A

（ 42 ） 在衬底上制备GaN纳米线的方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107910243A

（ 43 ） 在衬底上生长GaN平面纳米线的方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107881554A

（ 44 ） 发光二极管封装结构, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN107482099A

（ 45 ） 一种催化CVD法自生长石墨烯透明导电薄膜的方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107215858A

（ 46 ） 一种微LED器件阵列单元的制作方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107146835A

（ 47 ） 无衬底GaN基LED单颗晶粒及其制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106992232A

（ 48 ） 在MOCVD中测量半导体薄膜杂质电离能的无损测量方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106940303A

（ 49 ） 光刺激及信号采集探针, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106913315A

（ 50 ） 完全植入式光学医疗器械, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106821328A

（ 51 ） 采用变温PL谱获取半导体材料杂质电离能的无损测量方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106841146A

（ 52 ） 一种匀化白光光源及其匀化方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106838821A

（ 53 ） 柔性发光器件及其制备方法、发光装置, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105870114A

（ 54 ） LED芯片集成封装模块和封装方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105575956A

（ 55 ） 化学镀银制作氮化镓基发光二极管反射镜金属层的方法, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN105226160A

（ 56 ） 360度发光的LED球泡灯, 2015, 专利号: CN103438374B

（ 57 ） 一种LED散热结构, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103277766B

（ 58 ） 柔性发光器件阵列及其制作方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104676320A

（ 59 ） 氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104617202A

（ 60 ） 单芯片多电极调控多波长发光二极管结构及制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104617122A

（ 61 ） LED共晶焊方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104599990A

（ 62 ） LED芯片的封装方法, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104576900A

（ 63 ） 高光功率密度LED光源模块, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104534421A

（ 64 ） 一种LED外延片的切裂方法, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104505442A

（ 65 ） 电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104465921A

（ 66 ） 无线能量传输发光系统及其芯片级发光装置的制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104465856A

（ 67 ） 一种MOCVD设备中的石墨盘, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104357805A

（ 68 ） 一种LED显示模组系统, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104332134A

（ 69 ） 基于高功率密度发光阵列的投影式照明系统, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN104315462A

（ 70 ） 一种垂直结构发光二级管显示阵列, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN104183586A

（ 71 ） 一种用于发光二极管阵列的封装支架, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN104183572A

（ 72 ） 一种LED阵列光源结构, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN104183584A

（ 73 ） 无线隔离驱动式的照明系统, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN104184220A

（ 74 ） 一种自支撑LED阵列光源结构, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN104167485A

（ 75 ） 一种LED阵列结构, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN104167411A

（ 76 ） 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN104143593A

（ 77 ） 半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN104134736A

（ 78 ） 蓝宝石图形衬底晶片及制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN104051584A

（ 79 ） 氮化镓基晶体管及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103996706A

（ 80 ） GaN基发光二极管的制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103956415A

（ 81 ） LED模组的散热结构及散热方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103956358A

（ 82 ） 抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103943738A

（ 83 ） 提高光提取效率发光二极管的制备方法, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103943739A

（ 84 ） 一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103943677A

（ 85 ） 倒装高压发光二极管及其制作方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103855149A

（ 86 ） 一种氮化镓薄膜的大面积连续无损激光剥离方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103839777A

（ 87 ） 插入匀化电流结构的发光器件及其制造方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103811610A

（ 88 ） 360度发光的LED球泡灯, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103791459A

（ 89 ） 一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103762222A

（ 90 ） 采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103730558A

（ 91 ） 一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103700736A

（ 92 ） 一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103647012A

（ 93 ） 一种晶圆级基板微通孔电镀方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103646923A

（ 94 ） 一种LED散热结构, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103644549A

（ 95 ） 一种氮化镓系发光器件, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103633218A

（ 96 ） 植物补光发光二极管的制作方法, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103579422A

（ 97 ） 芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103579423A

（ 98 ） 晶圆级微透镜压印成型方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103579467A

（ 99 ） 在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103529658A

（ 100 ） 在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103484831A

（ 101 ） 光源频闪测试装置, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103487238A

（ 102 ） 一种发光二极管阵列的制备方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103474557A

（ 103 ） 氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103474536A

（ 104 ） 全彩发光二极管模组的制备方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103441101A

（ 105 ） 360度发光的LED球泡灯, 2013, 专利号: CN103438374A

（ 106 ） 具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103413886A

（ 107 ） 一种交流发光二极管, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103367386A

（ 108 ） 一种基于高压线性恒流电源的高压LED模组, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN203193983U

（ 109 ） 高功率因数的LED驱动电路, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103281840A

（ 110 ） AC-LED驱动电路, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103281841A

（ 111 ） 高压发光二极管芯片及其制造方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103258836A

（ 112 ） 任意切割式高压LED器件的制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103236474A

（ 113 ） 柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103227250A

（ 114 ） 蓝宝石图形衬底的制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103219437A

（ 115 ） 高压发光二极管芯片及其制造方法, 2013, 专利号: CN103187494A

（ 116 ） 低热阻LED封装结构及封装方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103151445A

（ 117 ） 无支架LED封装结构及封装方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103151446A

（ 118 ） 晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103107250A

（ 119 ） 制备原位级发光二极管阵列结构的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103107249A

（ 120 ） 应用石墨烯作为导热层的倒装结构发光二极管, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103066195A

（ 121 ） 激光钻孔切割异形发光二极管的方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103022280A

（ 122 ） 氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103000775A

（ 123 ） 制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102983234A

（ 124 ） 激光诱导空气隙发光二极管的制作方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN102969413A

（ 125 ） 高出光率倒装结构LED的制作方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102969422A

（ 126 ） 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN102969418A

（ 127 ） 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN102969411A

（ 128 ） 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102956774A

（ 129 ） 高光功率密度LED光源模块, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102954378A

（ 130 ） LED平板显示单元的制备方法, 2013, 第 10 作者, 专利号: CN102931330A

（ 131 ） 制作倒装高电压交直流发光二极管的方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN102903805A

（ 132 ） 侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102903815A

（ 133 ） 发光二极管封装结构的制作方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102231421B

（ 134 ） 半导体发光器件及其制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102891232A

（ 135 ） 半导体发光器件及其制造方法, 2013, 专利号: CN102891232A

（ 136 ） 应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102886609A

（ 137 ） 阵列式高压LED器件的制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102867837A

（ 138 ） 空气桥电极互联阵列式LED器件的制作方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102832225A

（ 139 ） 应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的发光二极管, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102751408A

（ 140 ） 应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的垂直结构发光二极管, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102751407A

（ 141 ） 利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外延层的方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102709415A

（ 142 ） 制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102694093A

（ 143 ） 晶圆级LED管芯整体集成封装装置, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102637789A

（ 144 ） LED封装结构及封装成型方法, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102637810A

（ 145 ） 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102623606A

（ 146 ） 纳米氮化镓发光二极管的制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102623590A

（ 147 ） 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102623588A

（ 148 ） 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102610715A

（ 149 ） 大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102610716A

（ 150 ） 侧面粗化的发光二极管及其制作方法, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102593301A

（ 151 ） 氮化物LED外延结构的生长方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102569567A

（ 152 ） 氮化镓基LED芯片立式封装的方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102569566A

（ 153 ） 晶圆级垂直结构发光二极管封装的方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102569606A

（ 154 ） 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102544271A

（ 155 ） 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102534769A

（ 156 ） 制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102544270A

（ 157 ） 将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102544289A

（ 158 ） GaN基薄膜芯片的制造方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102496667A

（ 159 ） 发光二极管封装结构, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102255034A

（ 160 ） 发光二极管封装结构的制作方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102231421A

（ 161 ） 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102214743A

（ 162 ） 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102214753A

（ 163 ） 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102208502A

（ 164 ） 一种交流发光二极管, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102110705A

（ 165 ） 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102064242A

（ 166 ） 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102064260A

（ 167 ） 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102064261A

（ 168 ） 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101974772A

（ 169 ） 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101937956A

（ 170 ） 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101937951A

（ 171 ） 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101937957A

（ 172 ） 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101355119B

（ 173 ） 低损伤PECVD沉积致密SiO 2 的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101173348B

（ 174 ） 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101789477A

（ 175 ） LED芯片的封装方法, 2009, 第 7 作者, 专利号: CN101567410A

（ 176 ） P型氮化镓电极的制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100470863C

（ 177 ） 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101286539A

（ 178 ） 低损伤PECVD沉积致密SiO 2 的方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101173348

（ 179 ） GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101174661A

（ 180 ） 采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101043059A

（ 181 ） 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法, 2006, 第 5 作者, 专利号: CN1755954A

   

（1） The design of diamond metal/intrinsic/p-type Schottky-barrier-based cells for different radioactive �� sources, Applied Physics A, 2024, 
（2） Efficiency limit for diamond metal/intrinsic/p-type Schottky-barrier-based betavoltaic cells, Applied Physics Letters, 2024, 
（3） Sn-doped ��-Ga2O3 thin films grown on off-axis sapphire substrates by LPCVD using Ga-Sn alloy solid source, Physica Scripta, 2024, 
（4） Ultra-narrow Linewidth Polariton Lasing via Optically Trapped Bose-Einstein Condensation at Room Temperature, Laser and Photonics Review, 2024, 
（5） High-quality ��-(AlxGa1���x)2O3 thin films on sapphire substrates by face-to-face annealing, CrystEngComm, 2024, 
（6） �� Ga2O3 Air-Channel Field-Emission Nanodiode with Ultrahigh Current Density and Low Turn-On Voltage, Nano Letters, 2024, 
（7） Nanowatt-level optoelectronic GaN-based heterostructure artificial synaptic device for associative learning and neuromorphic computing, Journal of Semiconductors, 2024, 
（8） Low-threshold green lasing in heterogeneously integrated InGaN-based micro-rings covered by distributed Bragg reflectors on Si (100), Optics Express, 2024, 
（9） Unidirectional-Emitted and polarization GaN-base Micro-LED with metagratings for AR display, The 10 th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors & The 21 st China International Forum on Solid State Lighting (IFWS & SSLCHINA 2024）, 2024, 第 5 作者
（10） Improved crystallinity and surface morphology of a-plane AlN grown on high temperature annealed AlN/sapphire template by pulsed-flow mode metal-organic vapor phase epitaxy, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2023, 第 7 作者
（11） Single beta-Ga2O3 nanowire based lateral FinFET on Si (vol 120, 153501, 2022), APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023, 第 12 作者
（12） Wirelessly Operated, Implantable Flexible Optoelectrical Probes for Optogenetics Neural Stimulation, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2023, 第 4 作者  通讯作者
（13） Principles for 2D-Material-Assisted Nitrides Epitaxial Growth, ADVANCED MATERIALS, 2023, 第 4 作者
（14） Electrical characteristics and photodetection mechanism of TiO2/AlGaN/GaN heterostructure-based ultraviolet detectors with a Schottky junction, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2023, 第 11 作者  通讯作者
（15） Recent Advances in Mechanically Transferable III-Nitride Based on 2D Buffer Strategy, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2023, 第 5 作者  通讯作者
（16） Linearly polarized light emission from GaNmicro-LEDs for 3D display, Applied Physics Letters, 2023, 第 1 作者  通讯作者
（17） Effects of nitrogen flux and RF sputtering power on the preparation of crystalline a-plane AlN films on r-plane sapphire substrates, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 第 8 作者  通讯作者
（18） GaN-based resonant cavity micro-LEDs for AR application, Applied Physics Letters, 2022, 第 2 作者  通讯作者
（19） High Luminous Efficacy Phosphor-Converted Mass-Produced White LEDs Achieved by AlN Prebuffer and Transitional-Refraction-Index Patterned Sapphire Substrate, NANOMATERIALS, 2022, 第 13 作者  通讯作者
（20） High power efficiency nitrides thermoelectric device, NANO ENERGY, 2022, 第 11 作者
（21） Atomic-Scale Mechanism of Spontaneous Polarity Inversion in AlN on Nonpolar Sapphire, Small, 2022, 第 8 作者
（22） Continuous Single-Crystalline GaN Film Grown on WS2-Glass Wafer, SMALL, 2022, 第 12 作者
（23） Single ��-Ga2O3 nanowire based lateral FinFET on Si, Applied Physics Letters, 2022, 第 6 作者
（24） Graphene-Assisted Epitaxy of High-Quality GaN Films on GaN Templates, Advanced Optical Materials, 2022, 第 7 作者
（25） Heterogeneously integrated InGaN-based green microdisk light-emitters on Si (100), OPTICS EXPRESS, 2022, 第 5 作者  通讯作者
（26） A Precise Measurement of D-T Neutrons With a Single-Crystal Diamond Detector, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 第 11 作者
（27） Single ��-Ga2O3 Nanowire Back-gate Field-effect Transistor, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 第 7 作者
（28） Circularly polarized light emission from a GaN micro-LED integrated with functional metasurfaces for 3D display, OPTICS LETTERS, 2021, 第 6 作者
（29） Effects of remote sediment phosphor plates on high power laser-based white light sources, OPTICS EXPRESS, 2021, 第 4 作者
（30） 单晶金刚石探测器对14 MeV单能中子的响应, Response to 14 MeV neutrons for single-crystal diamond detectors, 物理学报, 2021, 第 11 作者
（31） Investigations about Al and Cu-Based Planar Spiral Inductors on Sapphire for GaN-Based RF Applications, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2021, 第 6 作者  通讯作者
（32） Multiplexing multifoci optical metasurfaces for information encoding in the ultraviolet spectrum, APPLIED OPTICS, 2021, 第 5 作者
（33） Van der Waals epitaxy of nearly single-crystalline nitride films on amorphous graphene-glass wafer, SCIENCE ADVANCES, 2021, 第 15 作者
（34） Wafer-Scale Semipolar Micro-Pyramid Lighting-Emitting Diode Array, CRYSTALS, 2021, 第 8 作者  通讯作者
（35） Understanding homoepitaxial growth of horizontal kinked GaN nanowires, NANOTECHNOLOGY, 2021, 第 2 作者  通讯作者
（36） Size-Dependent Quantum Efficiency of Flip-Chip Light-Emitting Diodes at High Current Injection Conditions, PHOTONICS, 2021, 第 7 作者
（37） Investigations about Al and Cu-Based Planar Spiral Inductors on Sapphire for GaN-Based RF Applications, APPLIED SCIENCES, 2021, 第 6 作者
（38） 中国半导体照明发展综述, Development Summary of Semiconductor Lighting in China, 光学学报, 2021, 第 5 作者
（39） Nanohole array structured GaN-based white LEDs with improved modulation bandwidth via plasmon resonance and non-radiative energy transfer, Nanohole array structured GaN-based white LEDs with improved modulation bandwidth via plasmon resonance and non-radiative energy transfer, PHOTONICS RESEARCH, 2021, 第 6 作者  通讯作者
（40） Graphene-Nanorod Enhanced Quasi-Van Der Waals Epitaxy for High Indium Composition Nitride Films, SMALL, 2021, 第 14 作者  通讯作者
（41） 远程荧光粉薄膜浓度和厚度对白光LED性能的影响, The Influence of Remote Phosphor Film Concentration and Thickness on the Performance of White LED, 照明工程学报, 2021, 第 6 作者
（42） Catalyst-Assisted Large-Area Growth of Single-Crystal beta-Ga2O3 Nanowires on Sapphire Substrates by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, NANOMATERIALS, 2020, 第 4 作者
（43） Phosphor-free single chip GaN-based white light emitting diodes with a moderate color rendering index and significantly enhanced communications bandwidth, Phosphor-free single chip GaN-based white light emitting diodes with a moderate color rendering index and significantly enhanced communications bandwidth, PHOTONICS RESEARCH, 2020, 第 7 作者
（44） Van der Waals Epitaxy of III-Nitrides and Its Applications, MATERIALS, 2020, 第 5 作者  通讯作者
（45） Design of AIN ultraviolet metasurface for single-/multi-plane holography, APPLIED OPTICS, 2020, 第 5 作者
（46） A high responsivity and controllable recovery ultraviolet detector based on a WO3 gate AlGaN/GaN heterostructure with an integrated micro-heate, Journal of Materials Chemistry C, 2020, 第 1 作者  通讯作者
（47） Catalyst-Assisted Large-Area Growth of Single-Crystal ��-Ga2O3 Nanowires on Sapphire Substrates by Metal���Organic Chemical Vapor Deposition, NANOMATERIALS, 2020, 第 4 作者
（48） High-reflection Al-plated DPC ceramic substrate for AlGaN-based DUV LED packaging, CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS, 2020, 第 6 作者
（49） GaN based LEDs Grown on Graphene-coverd SiO2/Si(100), Crystals, 2020, 第 1 作者  通讯作者
（50） LED峰值波长对多光谱组合白光色参数的影响, Effect of LED Peak Wavelength on Multi-spectral Combination White Light Color Parameters, 照明工程学报, 2020, 第 5 作者
（51） van der walls epitaxy of III-Nitrides and its applications, materials, 2020, 第 1 作者  通讯作者
（52） High responsivity GaN nanowire UVA photodetector synthesized by hydride vapor phase epitaxy, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 13 作者  通讯作者
（53） III-V族化合物的范德华外延生长与应用, 发光学报, 2020, 第 1 作者  通讯作者
（54） Systematic study of vertically aligned ZnO nanowire arrays synthesized on p-GaN substrate by hydrothermal method, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 11 作者  通讯作者
（55） Crystal phase evolution in kinked GaN nanowires, NANOTECHNOLOGY, 2020, 第 5 作者  通讯作者
（56） Near-ultraviolet chip-based phosphor-converted solar-spectrum white light-emitting diode, OPTICAL ENGINEERING, 2020, 第 10 作者  通讯作者
（57） GaN-Based LEDs Grown on Graphene-Covered SiO2/Si (100) Substrate, CRYSTALS, 2020, 第 15 作者
（58） 用于AlGaN基DUV LED封装的高反射镀铝DPC陶瓷基板, High-reflection Al-plated DPC ceramic substrate for AlGaN-based DUV LED packaging, 液晶与显示, 2020, 第 6 作者
（59） Ⅲ-Ⅴ化合物的范德华外延生长与应用, Van der Waals Epitaxy of ���-��� Compounds and Their Applications, 发光学报, 2020, 第 6 作者
（60） Flexible graphene-assisted van der Waals epitaxy growth of crack-free AlN epilayer on SiC by lattice engineering, Appl. Surf. Sci., 2020, 
（61） Fabrication of an InGaN/GaN nanotube-based photoanode using nano-imprint lithography and a secondary sputtering process for water splitting, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 15 作者  通讯作者
（62） Suspended tungsten trioxide (WO3) gate AlGaN/GaN heterostructure deep ultraviolet detectors with integrated micro-heater, OPTICS EXPRESS, 2019, 第 5 作者
（63） A Wirelessly Controllable Optoelectronic Device for Optogenetics, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2019, 第 4 作者  通讯作者
（64） 共晶焊倒装高压LED的制备及性能分析, Fabrication and Characterization of Eutectic HV Flip-chip High Voltage LEDs, 照明工程学报, 2019, 第 5 作者
（65） 阵列式高压交直流LED芯片的隔离工艺, Chip Isolation Processes in the Monolithic Integrated LEDs, 照明工程学报, 2019, 第 6 作者
（66） Horizontal GaN nanowires grown on Si (111) substrate: the effect of catalyst migration and coalescence, NANOTECHNOLOGY, 2019, 
（67） Fabrication of InGaN/GaN nanotube based photoanode using nanoimprint lithography and secondary sputtering process for water splitting, Japanese Journal of Applied Physics, 2019, 第 1 作者  通讯作者
（68） 短波长LED近距离匀光照明系统的设计, Close-range Uniform Illumination System Design for Short-wavelength LED, 照明工程学报, 2019, 第 8 作者
（69） 高显色指数LED光谱配比与色度参数的关系, The Relationship between Spectral Ratio and Chromaticity Parameters of High Color Rendering Index LED, 照明工程学报, 2019, 第 6 作者
（70） Suppression of persistent photoconductivity AlGaN/GaN heterostructure photodetectors using pulsed heating, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019, 第 5 作者
（71） AlGaN Nanowires Grown on SiO2/Si (100) Using Graphene as a Buffer Layer, CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2019, 第 6 作者  通讯作者
（72） Simultaneously improve the luminous efficiency and color-rendering index of GaN-based white-light-emitting diodes using metal localized surface plasmon resonance, OPTICS LETTERS, 2019, 第 4 作者
（73） Current diffusion and efficiency droop in vertical light emitting diodes, Current diffusion and efficiency droop in vertical light emitting diodes, 中国物理B:英文版, 2019, 第 4 作者
（74） 具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, 400 V Normally-off Recessed MOS-Gate AlGaN/GaN HEMT with High Threshold Voltage and Ultra-Low Gate-Leakage Current, 电工技术学报, 2018, 第 4 作者
（75） 400 V Normally-off Recessed MOS-Gate AlGaN/GaN HEMT with High Threshold Voltage and Ultra-Low Gate-Leakage Current, TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY, 2018, 第 1 作者
（76） Fast Growth of Strain-Free AIN on Graphene-Buffered Sapphire, JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2018, 第 17 作者
（77） Fast Growth of Strain-Free AlN on Graphene-Buffered Sapphire, J. Am. Chem. Soc., 2018, 
（78） 具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, 400 V Normally-off Recessed MOS-Gate AlGaN/GaN HEMT with High Threshold Voltage and Ultra-Low Gate-Leakage Current, 电工技术学报, 2018, 第 4 作者
（79） Direct Growth of AlGaN Nanorod LEDs on Graphene-Covered Si, MATERIALS, 2018, 第 11 作者  通讯作者
（80） InGaN/GaN ultraviolet LED with a graphene/AZO transparent current spreading layer, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2018, 第 8 作者
（81） Impurity resonant state p-doping layer for high-efficiency nitride-based light-emitting diodes, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 2 作者
（82） Direct van der Waals Epitaxy of Crack-Free AlN Thin Film on Epitaxial WS 2, MATERIALS, 2018, 第 11 作者  通讯作者
（83） UV-C whispering-gallery modes in AlN microdisks with AlGaN-based multiple quantum wells on Si substrate, JOURNAL OF NANOPHOTONICS, 2018, 第 6 作者
（84） Ultrafast growth of horizontal GaN nanowires by HVPE through flipping the substrate, NANOSCALE, 2018, 第 4 作者  通讯作者
（85） Crystallographic orientation control and optical properties of GaN nanowires, RSC ADVANCES, 2018, 第 3 作者  通讯作者
（86） Optically pumped lasing with a Q-factor exceeding 6000 from wet-etched GaN micro-pyramids, OPTICS LETTERS, 2017, 
（87） Influence of lateral growth on the optical properties of GaN nanowires grown by hydride vapor phase epitaxy, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 第 3 作者  通讯作者
（88） Optically-Pumped Single-Mode Deep-Ultraviolet Microdisk Lasers With AlGaN-Based Multiple Quantum Wells on Si Substrate, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2017, 第 6 作者
（89） Van der Waals epitaxy of GaN-based light-emitting diodes on wet-transferred multilayer graphene film, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 
（90） Nanostructure nitride light emitting diodes via the Talbot effect using improved colloidal photolithography, NANOSCALE, 2017, 第 6 作者  通讯作者
（91） Producing deep UV-LEDs in high-yield MOVPE by improving AlN crystal quality with sputtered AlN nucleation layer, Producing deep UV-LEDs in high-yield MOVPE by improving AlN crystal quality with sputtered AlN nucleation layer, 半导体学报：英文版, 2017, 第 6 作者
（92） Hybrid Tunnel Junction-Graphene Transparent Conductive Electrodes for Nitride Lateral Light Emitting Diodes, ACSAPPLIEDMATERIALSINTERFACES, 2016, 第 4 作者
（93） Carrier leakage e ect on e ciency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes, Modern Physics Letters B, 2016, 第 1 作者  通讯作者
（94） 具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT with High On/Off Drain Current Ratio, 发光学报, 2016, 第 7 作者
（95） Direct growth of graphene on gallium nitride using C2H2 as carbon source, FRONTIERS OF PHYSICS, 2016, 第 3 作者
（96） Advances and prospects in nitrides based light-emitting-diodes, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 6 作者
（97） Analysis of symmetry breaking configurations in metal nanocavities: Identification of resonances for generating high-order magnetic modes and multiple tunable magnetic-electric Fano resonances, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 3 作者
（98） Corrigendum: Impurity Resonant States p-type Doping in Wide-Band-Gap Nitrides, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 2 作者
（99） A Novel Surface Treatment for the Sliver Ohmic Contacts to P-GaN, 2016 13TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING (SSLCHINA 2016), 2016, 第 5 作者
（100） Enhancing the performance of blue GaN-based light emitting diodes with carrier concentration adjusting layer, AIP ADVANCES, 2016, 第 4 作者  通讯作者
（101） Investigation of Isoelectronic Doping in p-GaN Based on The Thermal Quenching of UVL Band, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2016, 第 3 作者  通讯作者
（102） 具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（英文）, High-threshold-voltage Normally-off Recessed MOS-gate AlGaN/GaN HEMT with Large Gate Swing, 发光学报, 2016, 第 7 作者
（103） Co-doping of magnesium with indium in nitrides: first principle calculation and experiment, RSC ADVANCES, 2016, 第 3 作者
（104） High-Performance Nitride Vertical Light-Emitting Diodes Based on Cu Electroplating Technical Route, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 第 4 作者  通讯作者
（105） Overshoot effects of electron on efficiency droop in InGaN/GaN MQW light-emitting diodes, AIP ADVANCES, 2016, 第 3 作者  通讯作者
（106） Electroless Silver Plating Reflectors to Boost the Performance of Vertical Light-Emitting Diodes, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2016, 第 7 作者  通讯作者
（107） Analysis of Photoluminescence Thermal Quenching: Guidance for the Design of Highly Effective p-type Doping of Nitrides, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 3 作者
（108） Broadband full-color monolithic InGaN light-emitting diodes by self-assembled InGaN quantum dots, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 7 作者
（109） 具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, High-threshold-voltage Normally-off Recessed MOS-gate AlGaN/GaN HEMT with Large Gate Swing, 发光学报, 2016, 第 7 作者
（110） Interface and photoluminescence characteristics of graphene-(GaN/InGaN)n multiple quantum wells hybrid structure, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 5 作者
（111） Hybrid Tunnel Junction-Graphene Transparent Conductive Electrodes for Nitride Lateral Light Emitting Diodes., ACS Appl Mater Interfaces, 2015, 
（112） Phosphor-free InGaN micro-pyramid white light emitting diodes with multilayer graphene electrode, RSC ADVANCES, 2015, 第 9 作者
（113） Graphene-based transparent conductive electrodes for GaN-based light emitting diodes: Challenges and countermeasures, NANO ENERGY, 2015, 第 6 作者
（114） Excellent ESD Resistance Property of InGaN LEDs With Enhanced Internal Capacitance, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2015, 第 7 作者
（115） Strong carrier localization effect in carrier dynamics of 585 nm InGaN amber light-emitting diodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 第 5 作者
（116） Light extraction improvement of blue light-emitting diodes with a Metal-distributed Bragg reflector current blocking layer, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2015, 第 2 作者
（117） Enhancing the performance of blue GaN-based light emitting diodes with double electron blocking layers, AIP ADVANCES, 2015, 第 5 作者
（118） 低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术, 中国科技成果, 2015, 第 4 作者
（119） Analysis of impedance matching network on LED novel driving system based on the wireless power transfer, 2015 12TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING (SSLCHINA), 2015, 第 6 作者
（120） High Quantum Efficiency and Low Droop of 400-nm InGaN Near-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Through Suppressed Leakage Current, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2015, 第 4 作者
（121） A subversive innovation on GaN P-type reflective electrode using electroless silver plating, Solid State Lighting (SSLCHINA), 2015 12th China International Forum on, 2015, 第 1 作者  通讯作者
（122） Transparent graphene interconnects for monolithic integration of GaN-based LEDs, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2015, 第 7 作者
（123） Improved performance of lateral GaN-based light emitting diodes with novel buried CBL structure in ITO film and reflective electrodes, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2014, 第 6 作者
（124） Investigation of the wet-etching mechanism of Ga-polar AlGaN/GaN micro-pillars, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 8 作者
（125） Optimized subsequent-annealing-free Ni/Ag based metallization contact to p-type GaN for vertical light emitting diodes with high yield and extremely low operating voltage, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2014, 
（126） In Situ Fabrication of Bendable Microscale Hexagonal Pyramids Array Vertical Light Emitting Diodes with Graphene as Stretchable Electrical Interconnects, ACS PHOTONICS, 2014, 第 4 作者
（127） Optimized subsequent-annealing-free Ni/Ag based metallization contact to p-type GaN for vertical light emitting diodes with high yield and extremely low operating voltage (2.75 V@350 mA, > 95%), JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2014, 第 7 作者
（128） Tunable Fano Resonance in E-Shape Plasmonic Nanocavities, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2014, 第 4 作者
（129） Design of blue LEDs array with high optical power, OPTICAL DESIGN AND TESTING VI, 2014, 第 6 作者
（130） Two distinct carrier localization in green light-emitting diodes with InGaN/GaN multiple quantum wells, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 8 作者
（131） Efficiency improvement by polarization-reversed electron blocking structure in GaN-based light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 7 作者
（132） N-polar GaN etching and approaches to quasi-perfect micro-scale pyramid vertical light-emitting diodes array, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 4 作者
（133） Improved light output from InGaN LEDs by laser-induced dumbbell-like air-voids, OPTICS EXPRESS, 2013, 第 6 作者  通讯作者
（134） Interface and Transport Properties of Metallization Contacts to Flat and Wet-Etching Roughed N-Polar n-Type GaN, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2013, 第 5 作者
（135） Pyramid Array InGaNGaN Core���Shell Light Emitting Diodes with Homogeneous Multilayer Graphene Electrodes, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 第 6 作者
（136） InGaN-based vertical light-emitting diodes with acid-modified graphene transparent conductor and highly reflective membrane current blocking layer, PROCEEDINGS OF THE ROYAL SOCIETY A-MATHEMATICAL PHYSICAL AND ENGINEERING SCIENCES, 2013, 第 7 作者
（137） Enhanced performance of GaN-based light-emitting diodes with graphene-Ag nanowires hybrid films, AIP ADVANCES, 2013, 第 8 作者
（138） Analysis Model for Efficiency Droop of InGaN Light-Emitting Diodes Based on Reduced Effective Volume of Active Region by Carrier Localization, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 第 9 作者
（139） Enhanced performance of GaN based light-emitting diodes with a low temperature p-GaN hole injection layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 9 作者
（140） Quantum Efficiency Enhancement of 530 nm InGaN Green Light-Emitting Diodes with Shallow Quantum Well, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 第 8 作者
（141） The fabrication of GaN-based nanorod light-emitting diodes with multilayer graphene transparent electrodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 8 作者
（142） GaN-Based Light Emitting Diodes with Hybrid Micro-Nano Patterned Sapphire Substrate, ECS SOLID STATE LETTERS, 2013, 第 6 作者
（143） Effects of light extraction efficiency to the efficiency droop of InGaN-based light-emitting diodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 8 作者  通讯作者
（144） Phosphor-Free, Color-Tunable Monolithic InGaN Light-Emitting Diodes, APPLIEDPHYSICSEXPRESS, 2013, 第 7 作者
（145） Enhancing the performance of green GaN-based light-emitting diodes with graded superlattice AlGaN/GaN inserting layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 6 作者
（146） Optimal width of quantum well for reversed polarization blue InGaN light-emitting diodes, AIP ADVANCES, 2013, 第 6 作者
（147） Shape designing for light extraction enhancement bulk-GaN light-emitting diodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 4 作者
（148） Design of Shallow Acceptors in GaN through Zinc���Magnium Codoping: First-Principles Calculation, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 第 3 作者
（149） Hexagonal pyramids shaped GaN light emitting diodes array by N-polar wet etching, MATERIALSRESEARCHSOCIETYSYMPOSIUMPROCEEDINGS, 2013, 第 8 作者
（150） The fabrication of GaN-based nanorod light-emitting diodes with multilayer graphene electrodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 8 作者
（151） Improved transport properties of graphene/GaN junctions in GaN-based vertical light emitting diodes by acid doping, RSC ADVANCES, 2013, 第 6 作者
（152） Nitride-based micron-scale hexagonal pyramids array vertical light emitting diodes by N-polar wet etching, OPTICS EXPRESS, 2013, 第 8 作者
（153） The design and fabrication of a GaN-based monolithic light-emitting diode array, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 第 6 作者
（154） Characteristics of GaN-Based High-Voltage LEDs Compared to Traditional High Power LEDs, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2013, 第 7 作者
（155） Mechanisms in thermal stress aided electroless etching of GaN grown on sapphire and approaches to vertical devices, RSC ADVANCES, 2013, 第 11 作者
（156） InGaN-based vertical light emitting diodes withHNO3 modified-graphenetransparent conductive layer and high reflective membrane current blocking layer, Proceedings of Royal Society A, 2013, 第 1 作者  通讯作者
（157） Light extraction efficiency improvement by multiple laser stealth dicing in InGaN-based blue light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2012, 第 7 作者  通讯作者
（158） Annealed InGaN green light-emitting diodes with graphene transparent conductive electrodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 4 作者
（159） Partially sandwiched graphene as transparent conductive layer for InGaN-based vertical light emitting diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 6 作者
（160） Light extraction enhancement of bulk GaN light-emitting diode with hemisphere-cones-hybrid surface, OPTICS EXPRESS, 2012, 第 4 作者
（161） Light extraction efficiency improvement by curved GaN sidewalls in InGaN-based light-emitting diodes, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2012, 第 6 作者
（162） Anomalous temperature dependence of photoluminescence in self-assembled InGaN quantum dots, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 6 作者
（163） Low threading dislocation density in GaN films grown on patterned sapphire substrates, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2012, 第 9 作者
（164） Interface and transport properties of GaN/graphene junction in GaN-based LEDs, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2012, 第 6 作者
（165） Enhancement in the Light Output Power of GaN-Based Light-Emitting Diodes with Nanotextured Indium Tin Oxide Layer Using Self-Assembled Cesium Chloride Nanospheres, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 5 作者
（166） Efficiency droop in InGaN/GaN multiple-quantum-well blue light-emitting diodes grown on free-standing GaN substrate, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 4 作者
（167） 垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术, Fabrication of Vertical GaN-Based LEDs with Oblique Side Walls Structure, 半导体技术, 2011, 第 3 作者
（168） Electrical characteristics of a vertical light emitting diode with n-type contacts on a selectively wet-etching roughened surface, Electrical characteristics of a vertical light emitting diode with n-type contacts on a selectively wet-etching roughened surface, 半导体学报, 2011, 第 4 作者
（169） 阳极氧化铝工艺用于提高LED的出光效率, Extraction Efficiency of Light-Emitting Diodes Improved by AAO, 半导体技术, 2011, 第 5 作者
（170） 低损伤ICP刻蚀技术提高GaN LED出光效率, Extraction Efficiency of GaN LEDs Improved by Low Damage ICP Etching Technique, 微纳电子技术, 2011, 第 3 作者
（171） Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer, Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer, 半导体学报, 2011, 第 9 作者
（172） Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer, Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer, 半导体学报, 2011, 第 9 作者
（173） Electrical characteristics of a vertical light emitting diode with n-type contacts on a selectively wet-etching roughened surface, Electrical characteristics of a vertical light emitting diode with n-type contacts on a selectively wet-etching roughened surface, 半导体学报, 2011, 第 4 作者
（174） Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer, IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS GFP, 2011, 第 9 作者
（175） Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer, Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer, 半导体学报, 2011, 第 4 作者
（176） Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer, Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer, 半导体学报, 2011, 第 4 作者
（177） 垂直结构GaN基LEDs热压键合应力损伤分析, Stress Damage on Vertical Structure GaN-Based LEDs, 半导体技术, 2009, 第 3 作者
（178） Light extraction efficiency enhancement of GaN-based light emitting diodes by a ZnO current spreading layer, Light extraction efficiency enhancement of GaN-based light emitting diodes by a ZnO current spreading layer, 半导体学报, 2009, 第 5 作者
（179） Light extraction efficiency enhancement of GaN-based light emitting diodes by a ZnO current spreading layer, Light extraction efficiency enhancement of GaN-based light emitting diodes by a ZnO current spreading layer, 半导体学报, 2009, 第 5 作者
（180） 垂直结构GaN基LEDs电流分布计算分析, Current Distribution Study of Vertical Structure GaN-Based Light-Emitting Diodes, 半导体技术, 2009, 第 4 作者
（181） Transparent and Light-Emitting Epoxy Super-Nanocomposites Containing ZnO-QDs/SiO2 Nanocomposite Particles as Encapsulating Materials for Solid-State Lighting, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2008, 第 4 作者
（182） GaN基功率型LED可靠性分析, Analyses in Reliability of GaN-Based High Power Light Emitting Diodes, 半导体学报, 2007, 第 3 作者
（183） 功率型倒装结构LED系统热模拟及热阻分析, Thermal Simulation and Analysis of High Power Flip-Chip Light-Emitting Diode System, 半导体学报, 2007, 第 4 作者
（184） 功率型GaN基LED静电保护方法研究, Analysis of ESD Protection for High Power GaN-based Light-emitting Diodes, 半导体光电, 2007, 第 4 作者
（185） 大功率倒装结构LED芯片热模拟及热分析, Thermal Simulation and Analysis of High Power Flip-chip Light-emitting Diodes, 半导体光电, 2007, 第 4 作者
（186） 倒装GaN基发光二极管阵列微透镜的粗化技术, Surface Roughening with Sapphire Microlens Arrays in Flip-Chip GaN-Based LEDs, 半导体学报, 2007, 第 3 作者
（187） InP／Si键合界面热应力分析, Theoretical Analysis on Thermal Stresse in Interface of InP/Si Bonded Wafers, 半导体光电, 2006, 第 5 作者
（188） 倒装结构大功率蓝光LEDs的研制, Rresearch and Fabrication of Flip-chip High-power Blue LEDs, 光电子．激光, 2006, 第 1 作者
（189） 大功率GaN基LED的提取效率, Light Extraction Efficiency of High-Power GaN-Based Light-Emitting Diodes, 半导体学报, 2005, 第 3 作者
（190） 大功率倒装结构GaN LED p电极研究, Investigation of p-Electrode in High Power GaN-LED Application, 半导体学报, 2005, 第 1 作者
（191） 大功率氮化镓基LED关键技术研究, Research on Key Technologies of High Power GaN-Based LED, 半导体学报, 2005, 第 2 作者

（ 1 ） III族氮化物材料器件与纳米结构, III- Nitride materials devices and nano-structures, World Scientific, 2017-07, 第 3 作者
Light-Emitting Diodes:Materials,Processes,Devices and Applications, Springer, 2019-01, 第 5 作者
III-Nitrides Light Emitting, Springer, 2020-09, 第 3 作者

   

（ 1 ） 科技创新领军人才, 负责人, 国家任务, 2023-11--2026-12
（ 2 ） 微小尺寸LED柔性阵列制备及医疗健康应用, 负责人, 国家任务, 2021-12--2025-11
（ 3 ） 超高能效半导体光源核心材料及器件技术研究, 负责人, 国家任务, 2017-07--2021-06
（ 4 ） 超高能效LED芯片光子耦合机制与提取效率提升技术研究, 负责人, 国家任务, 2017-07--2021-06
（ 5 ） GaN基垂直腔面发射激光器基础研究, 参与, 国家任务, 2016-01--2019-12
（ 6 ） 微纳金字塔垂直结构LED量子效率研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
（ 7 ） 大尺寸硅衬底氮化镓基电力电子材料生长技术研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
（ 8 ） LED光源的生物相关理论问题及示范应用, 负责人, 中国科学院计划, 2013-10--2016-12
（ 9 ） 150lm/W的GaN基LED量子效率提升技术研究, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12

（1）面向神经调控应用的氮化镓micro-LED   中国研究型医院学会脊髓脊柱专业委员会 第五次学术大会   伊晓燕   2024-06-15
（2）氮化镓LED技术进展与计量需求   中国照明学会第八届计量测试专业委员会学术交流会   2024-05-20
（3）原位集成微纳光学结构的 Micro-LEDs 器件及应用   Micro-LED关键技术研讨会   2024-01-15
（4）面向神经调控应用的Micro-LED与异质集成   IFWS & SSLCHINA 2023   2023-11-27
（5）面向光遗传学应用的Micro-LED异质集成技术   第四届中国新材料产业发展大会   2023-10-10
（6）用于神经调控的Micro-LED器件与异质集成   第二届纳米光电材料与半导体器件发展论坛   2023-09-17
（7）程序委员会   第十七届全国MOCVD大会   2022-08-15
（8）分会委员   2021-12-06
（9）GaN nanowire ultraviolet detector with high responsivity   2020-11-24
（10）Recent Advances in Ultra-high Efficiency InGaN-based LEDs   第十六届中国国际半导体照明论坛   2019-11-25
（11）GaN nanowire grown on SiO2/Si using graphene as a buffer layer   2018-11-12
（12）芯片、器件及封装技术分会委员   第十五届中国国际半导体照明论坛   2018-10-24
（13）controllable growth and device application of nitrites nonovires   第十四届中国国际半导体照明论坛   2017-11-01
（14）芯片、器件及其封装技术分会委员   第十三届中国国际半导体照明论坛   2016-11-15
（15）芯片、器件及其封装技术分会主席   第十二届中国国际半导体照明论坛   2015-11-02