基本信息
伊晓燕  女  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: spring@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
0805Z2-半导体材料与器件
招生方向
宽禁带半导体材料研究
氮化物新型光电器件研究
功能型光电集成芯片技术研究

教育背景

2003-09--2006-07   中国科学院半导体研究所   博士

工作经历

   
工作简历
2013-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2009-01~2012-12,中国科学院半导体研究所, 副研
2006-07~2008-12,中国科学院半导体研究所, 助研
2003-09~2006-07,中国科学院半导体研究所, 博士
社会兼职
2022-03-24-2027-03-23,中国照明学会, 高级会员
2014-01-01-今,北京市第三代半导体材料与应用工程技术中心, 副主任

教授课程

宽禁带半导体材料与器件
半导体照明与氮化镓器件
半导体照明技术

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 物证检验高单色性光源关键技术与设备, 三等奖, 部委级, 2023
(2) 高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化, 一等奖, 国家级, 2019
(3) 中国优秀专利奖, , 专项, 2014
(4) 低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术, 二等奖, 国家级, 2014
(5) 高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术, 一等奖, 省级, 2012
专利成果
( 1 ) 一种基于非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法, [[[", 第 1 作者, 专利号: [[[CN111697115A]]]

( 2 ) 氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN113410192B

( 3 ) 氮化物薄膜结构及其制备方法, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN115881864A

( 4 ) 基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器及制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115498074A

( 5 ) 氮化物发光器件制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115498073A

( 6 ) 用于光医疗的柔性LED封装结构, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN115377276A

( 7 ) 基于LED可见光的定位方法、装置、电子设备及存储介质, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115372898A

( 8 ) GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115369379A

( 9 ) 肖特基势垒二极管及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115347052A

( 10 ) 基于多色谐振腔发光二极管的生物探针及其制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115224168A

( 11 ) 生物探针及其制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115105022A

( 12 ) 垂直腔面发射激光器及其制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115000810A

( 13 ) 用于神经调控的光电集成模块, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114949618A

( 14 ) 基于多色谐振腔发光二极管的生物探针及其制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202210864222.2

( 15 ) 石墨烯作为插入层的GaN/AlGaN异质结构及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114759088A

( 16 ) 生物探针及其制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202210707834.0

( 17 ) 基于氧化镓纳米线的鳍式场效应晶体管及其制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202210260818.1

( 18 ) 自支撑氮化镓衬底的制作方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113903655A

( 19 ) 氮化物生长方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113394076A

( 20 ) 发光二极管的外延结构及其制备方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113394318A

( 21 ) LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111816729B

( 22 ) 基于平面衬底的倒装RCLED芯片及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113299806A

( 23 ) LED陶瓷封装基板及其制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113299814A

( 24 ) 一种用于光医疗的可穿戴设备, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113209489A

( 25 ) 一种混色LED器件, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202110671506.5

( 26 ) 无线供能柔性发光系统及其无线能量接收端装置制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111355308A

( 27 ) 基于绝缘衬底的纳米柱LED芯片及其制备方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111326610A

( 28 ) 荧光材料发热测试装置, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111323398A

( 29 ) 一种低热阻电路板, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110290635A

( 30 ) 匀光照明模组及其应用, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN110260268A

( 31 ) ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109524490A

( 32 ) 在衬底上制备GaN纳米线的方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107910243A

( 33 ) 在衬底上生长GaN平面纳米线的方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107881554A

( 34 ) 发光二极管封装结构, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN107482099A

( 35 ) 一种催化CVD法自生长石墨烯透明导电薄膜的方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107215858A

( 36 ) 一种微LED器件阵列单元的制作方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107146835A

( 37 ) 无衬底GaN基LED单颗晶粒及其制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106992232A

( 38 ) 在MOCVD中测量半导体薄膜杂质电离能的无损测量方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106940303A

( 39 ) 光刺激及信号采集探针, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106913315A

( 40 ) 完全植入式光学医疗器械, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106821328A

( 41 ) 采用变温PL谱获取半导体材料杂质电离能的无损测量方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106841146A

( 42 ) 一种匀化白光光源及其匀化方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106838821A

( 43 ) 柔性发光器件及其制备方法、发光装置, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105870114A

( 44 ) LED芯片集成封装模块和封装方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105575956A

( 45 ) 化学镀银制作氮化镓基发光二极管反射镜金属层的方法, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN105226160A

( 46 ) 360度发光的LED球泡灯, 2015, 专利号: CN103438374B

( 47 ) 一种LED散热结构, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103277766B

( 48 ) 柔性发光器件阵列及其制作方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104676320A

( 49 ) 氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104617202A

( 50 ) 单芯片多电极调控多波长发光二极管结构及制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104617122A

( 51 ) LED共晶焊方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104599990A

( 52 ) LED芯片的封装方法, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104576900A

( 53 ) 高光功率密度LED光源模块, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104534421A

( 54 ) 一种LED外延片的切裂方法, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104505442A

( 55 ) 电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104465921A

( 56 ) 无线能量传输发光系统及其芯片级发光装置的制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104465856A

( 57 ) 一种MOCVD设备中的石墨盘, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104357805A

( 58 ) 一种LED显示模组系统, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104332134A

( 59 ) 基于高功率密度发光阵列的投影式照明系统, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN104315462A

( 60 ) 一种垂直结构发光二级管显示阵列, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN104183586A

( 61 ) 一种用于发光二极管阵列的封装支架, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN104183572A

( 62 ) 一种LED阵列光源结构, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN104183584A

( 63 ) 无线隔离驱动式的照明系统, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN104184220A

( 64 ) 一种自支撑LED阵列光源结构, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN104167485A

( 65 ) 一种LED阵列结构, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN104167411A

( 66 ) 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN104143593A

( 67 ) 半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN104134736A

( 68 ) 蓝宝石图形衬底晶片及制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN104051584A

( 69 ) 氮化镓基晶体管及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103996706A

( 70 ) GaN基发光二极管的制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103956415A

( 71 ) LED模组的散热结构及散热方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103956358A

( 72 ) 抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103943738A

( 73 ) 提高光提取效率发光二极管的制备方法, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103943739A

( 74 ) 一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103943677A

( 75 ) 倒装高压发光二极管及其制作方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103855149A

( 76 ) 一种氮化镓薄膜的大面积连续无损激光剥离方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103839777A

( 77 ) 插入匀化电流结构的发光器件及其制造方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103811610A

( 78 ) 360度发光的LED球泡灯, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103791459A

( 79 ) 一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103762222A

( 80 ) 采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103730558A

( 81 ) 一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103700736A

( 82 ) 一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103647012A

( 83 ) 一种晶圆级基板微通孔电镀方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103646923A

( 84 ) 一种LED散热结构, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103644549A

( 85 ) 一种氮化镓系发光器件, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103633218A

( 86 ) 植物补光发光二极管的制作方法, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103579422A

( 87 ) 芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103579423A

( 88 ) 晶圆级微透镜压印成型方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103579467A

( 89 ) 在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103529658A

( 90 ) 在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103484831A

( 91 ) 光源频闪测试装置, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103487238A

( 92 ) 一种发光二极管阵列的制备方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103474557A

( 93 ) 氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103474536A

( 94 ) 全彩发光二极管模组的制备方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103441101A

( 95 ) 360度发光的LED球泡灯, 2013, 专利号: CN103438374A

( 96 ) 具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103413886A

( 97 ) 一种交流发光二极管, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103367386A

( 98 ) 一种基于高压线性恒流电源的高压LED模组, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN203193983U

( 99 ) 高功率因数的LED驱动电路, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103281840A

( 100 ) AC-LED驱动电路, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103281841A

( 101 ) 高压发光二极管芯片及其制造方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103258836A

( 102 ) 任意切割式高压LED器件的制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103236474A

( 103 ) 柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103227250A

( 104 ) 蓝宝石图形衬底的制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103219437A

( 105 ) 高压发光二极管芯片及其制造方法, 2013, 专利号: CN103187494A

( 106 ) 低热阻LED封装结构及封装方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103151445A

( 107 ) 无支架LED封装结构及封装方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103151446A

( 108 ) 晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103107250A

( 109 ) 制备原位级发光二极管阵列结构的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103107249A

( 110 ) 应用石墨烯作为导热层的倒装结构发光二极管, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103066195A

( 111 ) 激光钻孔切割异形发光二极管的方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103022280A

( 112 ) 氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103000775A

( 113 ) 制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102983234A

( 114 ) 激光诱导空气隙发光二极管的制作方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN102969413A

( 115 ) 高出光率倒装结构LED的制作方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102969422A

( 116 ) 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN102969418A

( 117 ) 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN102969411A

( 118 ) 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102956774A

( 119 ) 高光功率密度LED光源模块, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102954378A

( 120 ) LED平板显示单元的制备方法, 2013, 第 10 作者, 专利号: CN102931330A

( 121 ) 制作倒装高电压交直流发光二极管的方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN102903805A

( 122 ) 侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102903815A

( 123 ) 半导体发光器件及其制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102891232A

( 124 ) 半导体发光器件及其制造方法, 2013, 专利号: CN102891232A

( 125 ) 应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102886609A

( 126 ) 发光二极管封装结构的制作方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102231421B

( 127 ) 阵列式高压LED器件的制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102867837A

( 128 ) 空气桥电极互联阵列式LED器件的制作方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102832225A

( 129 ) 应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的垂直结构发光二极管, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102751407A

( 130 ) 应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的发光二极管, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102751408A

( 131 ) 利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外延层的方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102709415A

( 132 ) 制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102694093A

( 133 ) 晶圆级LED管芯整体集成封装装置, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102637789A

( 134 ) LED封装结构及封装成型方法, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102637810A

( 135 ) 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102623606A

( 136 ) 纳米氮化镓发光二极管的制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102623590A

( 137 ) 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102623588A

( 138 ) 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102610715A

( 139 ) 大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102610716A

( 140 ) 侧面粗化的发光二极管及其制作方法, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102593301A

( 141 ) 氮化物LED外延结构的生长方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102569567A

( 142 ) 氮化镓基LED芯片立式封装的方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102569566A

( 143 ) 晶圆级垂直结构发光二极管封装的方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102569606A

( 144 ) 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102544271A

( 145 ) 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102534769A

( 146 ) 制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102544270A

( 147 ) 将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102544289A

( 148 ) GaN基薄膜芯片的制造方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102496667A

( 149 ) 发光二极管封装结构, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102255034A

( 150 ) 发光二极管封装结构的制作方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102231421A

( 151 ) 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102214743A

( 152 ) 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102214753A

( 153 ) 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102208502A

( 154 ) 一种交流发光二极管, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102110705A

( 155 ) 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102064242A

( 156 ) 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102064260A

( 157 ) 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102064261A

( 158 ) 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101974772A

( 159 ) 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101937956A

( 160 ) 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101937951A

( 161 ) 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101937957A

( 162 ) 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101355119B

( 163 ) 低损伤PECVD沉积致密SiO 2 的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101173348B

( 164 ) 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101789477A

( 165 ) LED芯片的封装方法, 2009, 第 7 作者, 专利号: CN101567410A

( 166 ) P型氮化镓电极的制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100470863C

( 167 ) 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101286539A

( 168 ) 低损伤PECVD沉积致密SiO 2 的方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101173348

( 169 ) GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101174661A

( 170 ) 采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101043059A

( 171 ) 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法, 2006, 第 5 作者, 专利号: CN1755954A

出版信息

   
发表论文
(1) Improved crystallinity and surface morphology of a-plane AlN grown on high temperature annealed AlN/sapphire template by pulsed-flow mode metal-organic vapor phase epitaxy, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2023, 第 7 作者
(2) Wirelessly Operated, Implantable Flexible Optoelectrical Probes for Optogenetics Neural Stimulation, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2023, 第 11 作者
(3) Principles for 2D-Material-Assisted Nitrides Epitaxial Growth, ADVANCED MATERIALS, 2023, 第 4 作者
(4) Electrical characteristics and photodetection mechanism of TiO2/AlGaN/GaN heterostructure-based ultraviolet detectors with a Schottky junction, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2023, 第 11 作者
(5) Recent Advances in Mechanically Transferable III-Nitride Based on 2D Buffer Strategy, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2023, 第 11 作者
(6) GaN-based resonant cavity micro-LEDs for AR application, Applied Physics Letters, 2022, 第 11 作者
(7) Effects of nitrogen flux and RF sputtering power on the preparation of crystalline a-plane AlN films on r-plane sapphire substrates, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 第 11 作者
(8) High Luminous Efficacy Phosphor-Converted Mass-Produced White LEDs Achieved by AlN Prebuffer and Transitional-Refraction-Index Patterned Sapphire Substrate, NANOMATERIALS, 2022, 第 11 作者
(9) High power efficiency nitrides thermoelectric device, NANO ENERGY, 2022, 第 0 作者
(10) Atomic-Scale Mechanism of Spontaneous Polarity Inversion in AlN on Nonpolar Sapphire, Small, 2022, 第 8 作者
(11) Continuous Single-Crystalline GaN Film Grown on WS2-Glass Wafer, SMALL, 2022, 第 12 作者
(12) Single ��-Ga2O3 nanowire based lateral FinFET on Si, Applied Physics Letters, 2022, 第 6 作者
(13) Heterogeneously integrated InGaN-based green microdisk light-emitters on Si (100), OPTICS EXPRESS, 2022, 第 11 作者
(14) Graphene-Assisted Epitaxy of High-Quality GaN Films on GaN Templates, Advanced Optical Materials, 2022, 第 7 作者
(15) A Precise Measurement of D-T Neutrons With a Single-Crystal Diamond Detector, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 第 0 作者
(16) Single ��-Ga2O3 Nanowire Back-gate Field-effect Transistor, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 第 7 作者
(17) Circularly polarized light emission from a GaN micro-LED integrated with functional metasurfaces for 3D display, OPTICS LETTERS, 2021, 第 6 作者
(18) Effects of remote sediment phosphor plates on high power laser-based white light sources, OPTICS EXPRESS, 2021, 第 4 作者
(19) Investigations about Al and Cu-Based Planar Spiral Inductors on Sapphire for GaN-Based RF Applications, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2021, 第 11 作者
(20) Wafer-Scale Semipolar Micro-Pyramid Lighting-Emitting Diode Array, CRYSTALS, 2021, 第 11 作者
(21) Multiplexing multifoci optical metasurfaces for information encoding in the ultraviolet spectrum, APPLIED OPTICS, 2021, 第 5 作者
(22) Van der Waals epitaxy of nearly single-crystalline nitride films on amorphous graphene-glass wafer, SCIENCE ADVANCES, 2021, 第 15 作者
(23) Understanding homoepitaxial growth of horizontal kinked GaN nanowires, NANOTECHNOLOGY, 2021, 第 11 作者
(24) Size-Dependent Quantum Efficiency of Flip-Chip Light-Emitting Diodes at High Current Injection Conditions, PHOTONICS, 2021, 第 7 作者
(25) Investigations about Al and Cu-Based Planar Spiral Inductors on Sapphire for GaN-Based RF Applications, APPLIED SCIENCES, 2021, 第 6 作者
(26) 中国半导体照明发展综述, Development Summary of Semiconductor Lighting in China, 光学学报, 2021, 第 5 作者
(27) Nanohole array structured GaN-based white LEDs with improved modulation bandwidth via plasmon resonance and non-radiative energy transfer, Nanohole array structured GaN-based white LEDs with improved modulation bandwidth via plasmon resonance and non-radiative energy transfer, PHOTONICS RESEARCH, 2021, 第 11 作者
(28) Graphene-Nanorod Enhanced Quasi-Van Der Waals Epitaxy for High Indium Composition Nitride Films, SMALL, 2021, 第 11 作者
(29) 远程荧光粉薄膜浓度和厚度对白光LED性能的影响, The Influence of Remote Phosphor Film Concentration and Thickness on the Performance of White LED, 照明工程学报, 2021, 第 6 作者
(30) Phosphor-free single chip GaN-based white light emitting diodes with a moderate color rendering index and significantly enhanced communications bandwidth, Phosphor-free single chip GaN-based white light emitting diodes with a moderate color rendering index and significantly enhanced communications bandwidth, PHOTONICS RESEARCH, 2020, 第 7 作者
(31) Catalyst-Assisted Large-Area Growth of Single-Crystal beta-Ga2O3 Nanowires on Sapphire Substrates by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, NANOMATERIALS, 2020, 第 4 作者
(32) Design of AIN ultraviolet metasurface for single-/multi-plane holography, APPLIED OPTICS, 2020, 第 5 作者
(33) Van der Waals Epitaxy of III-Nitrides and Its Applications, MATERIALS, 2020, 第 11 作者
(34) A high responsivity and controllable recovery ultraviolet detector based on a WO3 gate AlGaN/GaN heterostructure with an integrated micro-heate, Journal of Materials Chemistry C, 2020, 第 11 作者
(35) High-reflection Al-plated DPC ceramic substrate for AlGaN-based DUV LED packaging, CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS, 2020, 第 6 作者
(36) Catalyst-Assisted Large-Area Growth of Single-Crystal ��-Ga2O3 Nanowires on Sapphire Substrates by Metal���Organic Chemical Vapor Deposition, NANOMATERIALS, 2020, 第 4 作者
(37) GaN based LEDs Grown on Graphene-coverd SiO2/Si(100), Crystals, 2020, 第 11 作者
(38) LED峰值波长对多光谱组合白光色参数的影响, Effect of LED Peak Wavelength on Multi-spectral Combination White Light Color Parameters, 照明工程学报, 2020, 第 5 作者
(39) van der walls epitaxy of III-Nitrides and its applications, materials, 2020, 第 11 作者
(40) High responsivity GaN nanowire UVA photodetector synthesized by hydride vapor phase epitaxy, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 11 作者
(41) III-V族化合物的范德华外延生长与应用, 发光学报, 2020, 第 11 作者
(42) Systematic study of vertically aligned ZnO nanowire arrays synthesized on p-GaN substrate by hydrothermal method, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 11 作者
(43) Near-ultraviolet chip-based phosphor-converted solar-spectrum white light-emitting diode, OPTICAL ENGINEERING, 2020, 第 11 作者
(44) Crystal phase evolution in kinked GaN nanowires, NANOTECHNOLOGY, 2020, 第 11 作者
(45) GaN-Based LEDs Grown on Graphene-Covered SiO2/Si (100) Substrate, CRYSTALS, 2020, 第 15 作者
(46) Ⅲ-Ⅴ化合物的范德华外延生长与应用, Van der Waals Epitaxy of���-���Compounds and Their Applications, 发光学报, 2020, 第 6 作者
(47) 用于AlGaN基DUV LED封装的高反射镀铝DPC陶瓷基板, High-reflection Al-plated DPC ceramic substrate for AlGaN-based DUV LED packaging, 液晶与显示, 2020, 第 6 作者
(48) Flexible graphene-assisted van der Waals epitaxy growth of crack-free AlN epilayer on SiC by lattice engineering, Appl. Surf. Sci., 2020, 
(49) Fabrication of an InGaN/GaN nanotube-based photoanode using nano-imprint lithography and a secondary sputtering process for water splitting, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 11 作者
(50) Suspended tungsten trioxide (WO3) gate AlGaN/GaN heterostructure deep ultraviolet detectors with integrated micro-heater, OPTICS EXPRESS, 2019, 第 5 作者
(51) A Wirelessly Controllable Optoelectronic Device for Optogenetics, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2019, 第 11 作者
(52) 共晶焊倒装高压LED的制备及性能分析, Fabrication and Characterization of Eutectic HV Flip-chip High Voltage LEDs, 照明工程学报, 2019, 第 5 作者
(53) 阵列式高压交直流LED芯片的隔离工艺, Chip Isolation Processes in the Monolithic Integrated LEDs, 照明工程学报, 2019, 第 6 作者
(54) Fabrication of InGaN/GaN nanotube based photoanode using nanoimprint lithography and secondary sputtering process for water splitting, Japanese Journal of Applied Physics, 2019, 第 11 作者
(55) Horizontal GaN nanowires grown on Si (111) substrate: the effect of catalyst migration and coalescence, NANOTECHNOLOGY, 2019, 
(56) 短波长LED近距离匀光照明系统的设计, Close-range Uniform Illumination System Design for Short-wavelength LED, 照明工程学报, 2019, 第 8 作者
(57) Suppression of persistent photoconductivity AlGaN/GaN heterostructure photodetectors using pulsed heating, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019, 第 5 作者
(58) 高显色指数LED光谱配比与色度参数的关系, The Relationship between Spectral Ratio and Chromaticity Parameters of High Color Rendering Index LED, 照明工程学报, 2019, 第 6 作者
(59) AlGaN Nanowires Grown on SiO2/Si (100) Using Graphene as a Buffer Layer, CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2019, 第 11 作者
(60) Simultaneously improve the luminous efficiency and color-rendering index of GaN-based white-light-emitting diodes using metal localized surface plasmon resonance, OPTICS LETTERS, 2019, 第 4 作者
(61) Current diffusion and efficiency droop in vertical light emitting diodes, Current diffusion and efficiency droop in vertical light emitting diodes, 中国物理B:英文版, 2019, 第 4 作者
(62) 具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, 400 V Normally-off Recessed MOS-Gate AlGaN/GaN HEMT with High Threshold Voltage and Ultra-Low Gate-Leakage Current, 电工技术学报, 2018, 第 4 作者
(63) 400 V Normally-off Recessed MOS-Gate AlGaN/GaN HEMT with High Threshold Voltage and Ultra-Low Gate-Leakage Current, TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY, 2018, 第 1 作者
(64) Fast Growth of Strain-Free AIN on Graphene-Buffered Sapphire, JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2018, 第 17 作者
(65) Fast Growth of Strain-Free AlN on Graphene-Buffered Sapphire, J. Am. Chem. Soc., 2018, 
(66) 具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, 400 V Normally-off Recessed MOS-Gate AlGaN/GaN HEMT with High Threshold Voltage and Ultra-Low Gate-Leakage Current, 电工技术学报, 2018, 第 4 作者
(67) InGaN/GaN ultraviolet LED with a graphene/AZO transparent current spreading layer, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2018, 第 8 作者
(68) Direct Growth of AlGaN Nanorod LEDs on Graphene-Covered Si, MATERIALS, 2018, 第 11 作者
(69) Impurity resonant state p-doping layer for high-efficiency nitride-based light-emitting diodes, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 2 作者
(70) Direct van der Waals Epitaxy of Crack-Free AlN Thin Film on Epitaxial WS 2, MATERIALS, 2018, 第 11 作者
(71) UV-C whispering-gallery modes in AlN microdisks with AlGaN-based multiple quantum wells on Si substrate, JOURNAL OF NANOPHOTONICS, 2018, 第 6 作者
(72) Ultrafast growth of horizontal GaN nanowires by HVPE through flipping the substrate, NANOSCALE, 2018, 第 11 作者
(73) Crystallographic orientation control and optical properties of GaN nanowires, RSC ADVANCES, 2018, 第 11 作者
(74) Optically pumped lasing with a Q-factor exceeding 6000 from wet-etched GaN micro-pyramids, OPTICS LETTERS, 2017, 
(75) Influence of lateral growth on the optical properties of GaN nanowires grown by hydride vapor phase epitaxy, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 第 11 作者
(76) Optically-Pumped Single-Mode Deep-Ultraviolet Microdisk Lasers With AlGaN-Based Multiple Quantum Wells on Si Substrate, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2017, 第 6 作者
(77) Van der Waals epitaxy of GaN-based light-emitting diodes on wet-transferred multilayer graphene film, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 
(78) Nanostructure nitride light emitting diodes via the Talbot effect using improved colloidal photolithography, NANOSCALE, 2017, 第 11 作者
(79) Producing deep UV-LEDs in high-yield MOVPE by improving AlN crystal quality with sputtered AlN nucleation layer, Producing deep UV-LEDs in high-yield MOVPE by improving AlN crystal quality with sputtered AlN nucleation layer, 半导体学报:英文版, 2017, 第 6 作者
(80) A Novel Surface Treatment for the Sliver Ohmic Contacts to P-GaN, 2016 13TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING (SSLCHINA 2016), 2016, 第 5 作者
(81) Enhancing the performance of blue GaN-based light emitting diodes with carrier concentration adjusting layer, AIP ADVANCES, 2016, 第 11 作者
(82) Investigation of Isoelectronic Doping in p-GaN Based on The Thermal Quenching of UVL Band, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2016, 第 11 作者
(83) 具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(英文), High-threshold-voltage Normally-off Recessed MOS-gate AlGaN/GaN HEMT with Large Gate Swing, 发光学报, 2016, 第 7 作者
(84) Co-doping of magnesium with indium in nitrides: first principle calculation and experiment, RSC ADVANCES, 2016, 第 3 作者
(85) High-Performance Nitride Vertical Light-Emitting Diodes Based on Cu Electroplating Technical Route, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 第 11 作者
(86) Overshoot effects of electron on efficiency droop in InGaN/GaN MQW light-emitting diodes, AIP ADVANCES, 2016, 第 11 作者
(87) Electroless Silver Plating Reflectors to Boost the Performance of Vertical Light-Emitting Diodes, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2016, 第 11 作者
(88) Analysis of Photoluminescence Thermal Quenching: Guidance for the Design of Highly Effective p-type Doping of Nitrides, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 3 作者
(89) Broadband full-color monolithic InGaN light-emitting diodes by self-assembled InGaN quantum dots, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 7 作者
(90) Interface and photoluminescence characteristics of graphene-(GaN/InGaN)n multiple quantum wells hybrid structure, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 5 作者
(91) 具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, High-threshold-voltage Normally-off Recessed MOS-gate AlGaN/GaN HEMT with Large Gate Swing, 发光学报, 2016, 第 7 作者
(92) Hybrid Tunnel Junction-Graphene Transparent Conductive Electrodes for Nitride Lateral Light Emitting Diodes, ACSAPPLIEDMATERIALSINTERFACES, 2016, 第 4 作者
(93) Carrier leakage e ect on e ciency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes, Modern Physics Letters B, 2016, 第 11 作者
(94) 具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT with High On/Off Drain Current Ratio, 发光学报, 2016, 第 7 作者
(95) Advances and prospects in nitrides based light-emitting-diodes, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 6 作者
(96) Direct growth of graphene on gallium nitride using C2H2 as carbon source, FRONTIERS OF PHYSICS, 2016, 第 3 作者
(97) Corrigendum: Impurity Resonant States p-type Doping in Wide-Band-Gap Nitrides, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 2 作者
(98) Analysis of symmetry breaking configurations in metal nanocavities: Identification of resonances for generating high-order magnetic modes and multiple tunable magnetic-electric Fano resonances, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 3 作者
(99) Hybrid Tunnel Junction-Graphene Transparent Conductive Electrodes for Nitride Lateral Light Emitting Diodes., ACS Appl Mater Interfaces, 2015, 
(100) Phosphor-free InGaN micro-pyramid white light emitting diodes with multilayer graphene electrode, RSC ADVANCES, 2015, 第 9 作者
(101) Graphene-based transparent conductive electrodes for GaN-based light emitting diodes: Challenges and countermeasures, NANO ENERGY, 2015, 第 6 作者
(102) Excellent ESD Resistance Property of InGaN LEDs With Enhanced Internal Capacitance, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2015, 第 7 作者
(103) Light extraction improvement of blue light-emitting diodes with a Metal-distributed Bragg reflector current blocking layer, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2015, 第 2 作者
(104) Strong carrier localization effect in carrier dynamics of 585 nm InGaN amber light-emitting diodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 第 5 作者
(105) 低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术, 中国科技成果, 2015, 第 4 作者
(106) Enhancing the performance of blue GaN-based light emitting diodes with double electron blocking layers, AIP ADVANCES, 2015, 第 5 作者
(107) Analysis of impedance matching network on LED novel driving system based on the wireless power transfer, 2015 12TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING (SSLCHINA), 2015, 第 6 作者
(108) High Quantum Efficiency and Low Droop of 400-nm InGaN Near-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Through Suppressed Leakage Current, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2015, 第 4 作者
(109) A subversive innovation on GaN P-type reflective electrode using electroless silver plating, Solid State Lighting (SSLCHINA), 2015 12th China International Forum on, 2015, 第 11 作者
(110) Transparent graphene interconnects for monolithic integration of GaN-based LEDs, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2015, 第 7 作者
(111) Improved performance of lateral GaN-based light emitting diodes with novel buried CBL structure in ITO film and reflective electrodes, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2014, 第 6 作者
(112) Optimized subsequent-annealing-free Ni/Ag based metallization contact to p-type GaN for vertical light emitting diodes with high yield and extremely low operating voltage, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2014, 
(113) Investigation of the wet-etching mechanism of Ga-polar AlGaN/GaN micro-pillars, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 8 作者
(114) In Situ Fabrication of Bendable Microscale Hexagonal Pyramids Array Vertical Light Emitting Diodes with Graphene as Stretchable Electrical Interconnects, ACS PHOTONICS, 2014, 第 4 作者
(115) Tunable Fano Resonance in E-Shape Plasmonic Nanocavities, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2014, 第 4 作者
(116) Optimized subsequent-annealing-free Ni/Ag based metallization contact to p-type GaN for vertical light emitting diodes with high yield and extremely low operating voltage (2.75 V@350 mA, > 95%), JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2014, 第 7 作者
(117) Design of blue LEDs array with high optical power, OPTICAL DESIGN AND TESTING VI, 2014, 第 6 作者
(118) Two distinct carrier localization in green light-emitting diodes with InGaN/GaN multiple quantum wells, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 8 作者
(119) Efficiency improvement by polarization-reversed electron blocking structure in GaN-based light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 7 作者
(120) N-polar GaN etching and approaches to quasi-perfect micro-scale pyramid vertical light-emitting diodes array, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 4 作者
(121) Interface and Transport Properties of Metallization Contacts to Flat and Wet-Etching Roughed N-Polar n-Type GaN, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2013, 第 5 作者
(122) Improved light output from InGaN LEDs by laser-induced dumbbell-like air-voids, OPTICS EXPRESS, 2013, 第 11 作者
(123) Pyramid Array InGaNGaN Core���Shell Light Emitting Diodes with Homogeneous Multilayer Graphene Electrodes, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 第 6 作者
(124) InGaN-based vertical light-emitting diodes with acid-modified graphene transparent conductor and highly reflective membrane current blocking layer, PROCEEDINGS OF THE ROYAL SOCIETY A-MATHEMATICAL PHYSICAL AND ENGINEERING SCIENCES, 2013, 第 7 作者
(125) Enhanced performance of GaN-based light-emitting diodes with graphene-Ag nanowires hybrid films, AIP ADVANCES, 2013, 第 8 作者
(126) Analysis Model for Efficiency Droop of InGaN Light-Emitting Diodes Based on Reduced Effective Volume of Active Region by Carrier Localization, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 第 9 作者
(127) Quantum Efficiency Enhancement of 530 nm InGaN Green Light-Emitting Diodes with Shallow Quantum Well, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 第 8 作者
(128) Enhanced performance of GaN based light-emitting diodes with a low temperature p-GaN hole injection layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 9 作者
(129) The fabrication of GaN-based nanorod light-emitting diodes with multilayer graphene transparent electrodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 8 作者
(130) GaN-Based Light Emitting Diodes with Hybrid Micro-Nano Patterned Sapphire Substrate, ECS SOLID STATE LETTERS, 2013, 第 6 作者
(131) Effects of light extraction efficiency to the efficiency droop of InGaN-based light-emitting diodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 11 作者
(132) Shape designing for light extraction enhancement bulk-GaN light-emitting diodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 4 作者
(133) Enhancing the performance of green GaN-based light-emitting diodes with graded superlattice AlGaN/GaN inserting layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 6 作者
(134) Phosphor-Free, Color-Tunable Monolithic InGaN Light-Emitting Diodes, APPLIEDPHYSICSEXPRESS, 2013, 第 7 作者
(135) Optimal width of quantum well for reversed polarization blue InGaN light-emitting diodes, AIP ADVANCES, 2013, 第 6 作者
(136) The fabrication of GaN-based nanorod light-emitting diodes with multilayer graphene electrodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 8 作者
(137) Hexagonal pyramids shaped GaN light emitting diodes array by N-polar wet etching, MATERIALSRESEARCHSOCIETYSYMPOSIUMPROCEEDINGS, 2013, 第 8 作者
(138) Improved transport properties of graphene/GaN junctions in GaN-based vertical light emitting diodes by acid doping, RSC ADVANCES, 2013, 第 6 作者
(139) Design of Shallow Acceptors in GaN through Zinc���Magnium Codoping: First-Principles Calculation, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 第 3 作者
(140) Nitride-based micron-scale hexagonal pyramids array vertical light emitting diodes by N-polar wet etching, OPTICS EXPRESS, 2013, 第 8 作者
(141) The design and fabrication of a GaN-based monolithic light-emitting diode array, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 第 6 作者
(142) Characteristics of GaN-Based High-Voltage LEDs Compared to Traditional High Power LEDs, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2013, 第 7 作者
(143) Mechanisms in thermal stress aided electroless etching of GaN grown on sapphire and approaches to vertical devices, RSC ADVANCES, 2013, 第 0 作者
(144) InGaN-based vertical light emitting diodes withHNO3 modified-graphenetransparent conductive layer and high reflective membrane current blocking layer, Proceedings of Royal Society A, 2013, 第 11 作者
(145) Light extraction efficiency improvement by multiple laser stealth dicing in InGaN-based blue light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2012, 第 11 作者
(146) Annealed InGaN green light-emitting diodes with graphene transparent conductive electrodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 4 作者
(147) Light extraction enhancement of bulk GaN light-emitting diode with hemisphere-cones-hybrid surface, OPTICS EXPRESS, 2012, 第 4 作者
(148) Partially sandwiched graphene as transparent conductive layer for InGaN-based vertical light emitting diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 6 作者
(149) Light extraction efficiency improvement by curved GaN sidewalls in InGaN-based light-emitting diodes, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2012, 第 6 作者
(150) Anomalous temperature dependence of photoluminescence in self-assembled InGaN quantum dots, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 6 作者
(151) Low threading dislocation density in GaN films grown on patterned sapphire substrates, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2012, 第 9 作者
(152) Interface and transport properties of GaN/graphene junction in GaN-based LEDs, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2012, 第 6 作者
(153) Enhancement in the Light Output Power of GaN-Based Light-Emitting Diodes with Nanotextured Indium Tin Oxide Layer Using Self-Assembled Cesium Chloride Nanospheres, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 5 作者
(154) Efficiency droop in InGaN/GaN multiple-quantum-well blue light-emitting diodes grown on free-standing GaN substrate, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 4 作者
(155) 垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术, Fabrication of Vertical GaN-Based LEDs with Oblique Side Walls Structure, 半导体技术, 2011, 第 3 作者
(156) Electrical characteristics of a vertical light emitting diode with n-type contacts on a selectively wet-etching roughened surface, Electrical characteristics of a vertical light emitting diode with n-type contacts on a selectively wet-etching roughened surface, 半导体学报, 2011, 第 4 作者
(157) 阳极氧化铝工艺用于提高LED的出光效率, Extraction Efficiency of Light-Emitting Diodes Improved by AAO, 半导体技术, 2011, 第 5 作者
(158) 低损伤ICP刻蚀技术提高GaN LED出光效率, Extraction Efficiency of GaN LEDs Improved by Low Damage ICP Etching Technique, 微纳电子技术, 2011, 第 3 作者
(159) Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer, Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer, 半导体学报, 2011, 第 9 作者
(160) Electrical characteristics of a vertical light emitting diode with n-type contacts on a selectively wet-etching roughened surface, Electrical characteristics of a vertical light emitting diode with n-type contacts on a selectively wet-etching roughened surface, 半导体学报, 2011, 第 4 作者
(161) Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer, Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer, 半导体学报, 2011, 第 9 作者
(162) Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer, IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS GFP, 2011, 第 9 作者
(163) Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer, Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer, 半导体学报, 2011, 第 4 作者
(164) Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer, Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer, 半导体学报, 2011, 第 4 作者
(165) 垂直结构GaN基LEDs热压键合应力损伤分析, Stress Damage on Vertical Structure GaN-Based LEDs, 半导体技术, 2009, 第 3 作者
(166) Light extraction efficiency enhancement of GaN-based light emitting diodes by a ZnO current spreading layer, Light extraction efficiency enhancement of GaN-based light emitting diodes by a ZnO current spreading layer, 半导体学报, 2009, 第 5 作者
(167) Light extraction efficiency enhancement of GaN-based light emitting diodes by a ZnO current spreading layer, Light extraction efficiency enhancement of GaN-based light emitting diodes by a ZnO current spreading layer, 半导体学报, 2009, 第 5 作者
(168) 垂直结构GaN基LEDs电流分布计算分析, Current Distribution Study of Vertical Structure GaN-Based Light-Emitting Diodes, 半导体技术, 2009, 第 4 作者
(169) Transparent and Light-Emitting Epoxy Super-Nanocomposites Containing ZnO-QDs/SiO2 Nanocomposite Particles as Encapsulating Materials for Solid-State Lighting, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2008, 第 4 作者
(170) GaN基功率型LED可靠性分析, Analyses in Reliability of GaN-Based High Power Light Emitting Diodes, 半导体学报, 2007, 第 3 作者
(171) 功率型倒装结构LED系统热模拟及热阻分析, Thermal Simulation and Analysis of High Power Flip-Chip Light-Emitting Diode System, 半导体学报, 2007, 第 4 作者
(172) 功率型GaN基LED静电保护方法研究, Analysis of ESD Protection for High Power GaN-based Light-emitting Diodes, 半导体光电, 2007, 第 4 作者
(173) 大功率倒装结构LED芯片热模拟及热分析, Thermal Simulation and Analysis of High Power Flip-chip Light-emitting Diodes, 半导体光电, 2007, 第 4 作者
(174) 倒装GaN基发光二极管阵列微透镜的粗化技术, Surface Roughening with Sapphire Microlens Arrays in Flip-Chip GaN-Based LEDs, 半导体学报, 2007, 第 3 作者
(175) InP/Si键合界面热应力分析, Theoretical Analysis on Thermal Stresse in Interface of InP/Si Bonded Wafers, 半导体光电, 2006, 第 5 作者
(176) 倒装结构大功率蓝光LEDs的研制, Rresearch and Fabrication of Flip-chip High-power Blue LEDs, 光电子.激光, 2006, 第 1 作者
(177) 大功率GaN基LED的提取效率, Light Extraction Efficiency of High-Power GaN-Based Light-Emitting Diodes, 半导体学报, 2005, 第 3 作者
(178) 大功率倒装结构GaN LED p电极研究, Investigation of p-Electrode in High Power GaN-LED Application, 半导体学报, 2005, 第 1 作者
(179) 大功率氮化镓基LED关键技术研究, Research on Key Technologies of High Power GaN-Based LED, 半导体学报, 2005, 第 2 作者
发表著作
( 1 ) III族氮化物材料器件与纳米结构, III- Nitride materials devices and nano-structures, World Scientific, 2017-07, 第 3 作者
Light-Emitting Diodes:Materials,Processes,Devices and Applications, Springer, 2019-01, 第 5 作者
III-Nitrides Light Emitting, Springer, 2020-09, 第 3 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 科技创新领军人才, 负责人, 国家任务, 2023-11--2026-12
( 2 ) 微小尺寸LED柔性阵列制备及医疗健康应用, 负责人, 国家任务, 2021-12--2025-11
( 3 ) 超高能效半导体光源核心材料及器件技术研究, 负责人, 国家任务, 2017-07--2021-06
( 4 ) 超高能效LED芯片光子耦合机制与提取效率提升技术研究, 负责人, 国家任务, 2017-07--2021-06
( 5 ) GaN基垂直腔面发射激光器基础研究, 参与, 国家任务, 2016-01--2019-12
( 6 ) 微纳金字塔垂直结构LED量子效率研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
( 7 ) 大尺寸硅衬底氮化镓基电力电子材料生长技术研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
( 8 ) LED光源的生物相关理论问题及示范应用, 负责人, 中国科学院计划, 2013-10--2016-12
( 9 ) 150lm/W的GaN基LED量子效率提升技术研究, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12
参与会议
(1)面向神经调控应用的Micro-LED与异质集成   IFWS & SSLCHINA 2023   2023-11-27
(2)面向光遗传学应用的Micro-LED异质集成技术   第四届中国新材料产业发展大会   2023-10-10
(3)用于神经调控的Micro-LED器件与异质集成   第二届纳米光电材料与半导体器件发展论坛   2023-09-17
(4)程序委员会   第十七届全国MOCVD大会   2022-08-15
(5)分会委员   2021-12-06
(6)GaN nanowire ultraviolet detector with high responsivity   2020-11-24
(7)Recent Advances in Ultra-high Efficiency InGaN-based LEDs   第十六届中国国际半导体照明论坛   2019-11-25
(8)GaN nanowire grown on SiO2/Si using graphene as a buffer layer   2018-11-12
(9)芯片、器件及封装技术分会委员   第十五届中国国际半导体照明论坛   2018-10-24
(10)controllable growth and device application of nitrites nonovires   第十四届中国国际半导体照明论坛   2017-11-01
(11)芯片、器件及其封装技术分会委员   第十三届中国国际半导体照明论坛   2016-11-15
(12)芯片、器件及其封装技术分会主席   第十二届中国国际半导体照明论坛   2015-11-02