基本信息
伊晓燕  女  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: spring@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
080501-材料物理与化学
招生方向
GaN基LED量子效率提升技术研究
氮化物新型光电器件研究
新型光电器件与应用系统

教育背景

2003-09--2006-07   中国科学院半导体研究所   博士

工作经历

   
工作简历
2013-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2009-01~2012-12,中国科学院半导体研究所, 副研
2006-07~2008-12,中国科学院半导体研究所, 助研
2003-09~2006-07,中国科学院半导体研究所, 博士
社会兼职
2022-03-24-2027-03-23,中国照明学会, 高级会员
2014-01-01-今,北京市第三代半导体材料与应用工程技术中心, 副主任

教授课程

半导体照明与氮化镓器件
宽禁带半导体材料与器件
半导体照明技术

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化, 一等奖, 国家级, 2019
(2) 中国优秀专利奖, , 专项, 2014
(3) 低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术, 二等奖, 国家级, 2014
(4) 高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术, 一等奖, 省级, 2012
专利成果
( 1 ) 一种基于非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法, [[[", 第 1 作者, 专利号: [[[CN111697115A]]]

( 2 ) LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111816729B

( 3 ) 一种用于光医疗的可穿戴设备, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113209489A

( 4 ) 一种用于发光二极管阵列的封装支架, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN212783497U

( 5 ) 匀光照明模组及其应用, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN110260268B

( 6 ) ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN109524490B

( 7 ) 一种匀化白光光源及其匀化方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN106838821B

( 8 ) 一种低热阻电路板, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110290635A

( 9 ) 柔性发光器件及其制备方法、发光装置, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN105870114B

( 10 ) 在衬底上制备GaN纳米线的方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107910243A

( 11 ) 在衬底上生长GaN平面纳米线的方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107881554A

( 12 ) 一种氮化镓系发光器件, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN103633218B

( 13 ) LED芯片集成封装模块和封装方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN105575956B

( 14 ) 一种催化CVD法自生长石墨烯透明导电薄膜的方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107215858A

( 15 ) 一种微LED器件阵列单元的制作方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107146835A

( 16 ) 无衬底GaN基LED单颗晶粒及其制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106992232A

( 17 ) 一种LED外延片的切裂方法, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN104505442B

( 18 ) 采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN103730558B

( 19 ) 在MOCVD中测量半导体薄膜杂质电离能的无损测量方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106940303A

( 20 ) 光刺激及信号采集探针, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106913315A

( 21 ) 电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN104465921B

( 22 ) 完全植入式光学医疗器械, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106821328A

( 23 ) 采用变温PL谱获取半导体材料杂质电离能的无损测量方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106841146A

( 24 ) 一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN103647012B

( 25 ) 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN104143593B

( 26 ) 抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法, 2017, 第 8 作者, 专利号: CN103943738B

( 27 ) 低热阻LED封装结构及封装方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN103151445B

( 28 ) 柔性发光器件阵列及其制作方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN104676320B

( 29 ) 无线能量传输发光系统及其芯片级发光装置的制备方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN104465856B

( 30 ) 提高光提取效率发光二极管的制备方法, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN103943739B

( 31 ) 一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN103943677B

( 32 ) 一种LED显示模组系统, 2016, 第 7 作者, 专利号: CN104332134B

( 33 ) 芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN103579423B

( 34 ) 高功率因数的LED驱动电路, 2016, 第 7 作者, 专利号: CN103281840B

( 35 ) 晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法, 2016, 第 7 作者, 专利号: CN103107250B

( 36 ) 激光诱导空气隙发光二极管的制作方法, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN102969413B

( 37 ) 化学镀银制作氮化镓基发光二极管反射镜金属层的方法, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN105226160A

( 38 ) 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN102969411B

( 39 ) 一种LED散热结构, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103277766B

( 40 ) 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102956774B

( 41 ) 氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104617202A

( 42 ) 单芯片多电极调控多波长发光二极管结构及制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104617122A

( 43 ) LED共晶焊方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104599990A

( 44 ) 高光功率密度LED光源模块, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104534421A

( 45 ) 在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN103529658B

( 46 ) 高出光率倒装结构LED的制作方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN102969422B

( 47 ) 一种MOCVD设备中的石墨盘, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104357805A

( 48 ) 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN102969418B

( 49 ) 基于高功率密度发光阵列的投影式照明系统, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN104315462A

( 50 ) 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN102534769B

( 51 ) 一种垂直结构发光二级管显示阵列, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN104183586A

( 52 ) 一种LED阵列光源结构, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN104183584A

( 53 ) 无线隔离驱动式的照明系统, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN104184220A

( 54 ) 一种自支撑LED阵列光源结构, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN104167485A

( 55 ) 一种LED阵列结构, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN104167411A

( 56 ) 半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN104134736A

( 57 ) 蓝宝石图形衬底晶片及制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN104051584A

( 58 ) 氮化镓基LED芯片立式封装的方法, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN102569566B

( 59 ) 氮化镓基晶体管及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103996706A

( 60 ) LED模组的散热结构及散热方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103956358A

( 61 ) GaN基发光二极管的制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103956415A

( 62 ) 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102623588B

( 63 ) 倒装高压发光二极管及其制作方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103855149A

( 64 ) 一种氮化镓薄膜的大面积连续无损激光剥离方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103839777A

( 65 ) 插入匀化电流结构的发光器件及其制造方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103811610A

( 66 ) 一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103762222A

( 67 ) 自支撑氮化镓衬底的制作方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN102208340B

( 68 ) 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102610715B

( 69 ) 一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103700736A

( 70 ) 一种晶圆级基板微通孔电镀方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103646923A

( 71 ) 植物补光发光二极管的制作方法, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103579422A

( 72 ) 晶圆级微透镜压印成型方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103579467A

( 73 ) 在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103484831A

( 74 ) 光源频闪测试装置, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103487238A

( 75 ) 一种发光二极管阵列的制备方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103474557A

( 76 ) 氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103474536A

( 77 ) 全彩发光二极管模组的制备方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103441101A

( 78 ) 360度发光的LED球泡灯, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103438374A

( 79 ) 具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103413886A

( 80 ) 一种基于高压线性恒流电源的高压LED模组, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN203193983U

( 81 ) AC-LED驱动电路, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103281841A

( 82 ) 任意切割式高压LED器件的制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103236474A

( 83 ) 柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103227250A

( 84 ) 高压发光二极管芯片及其制造方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103187494A

( 85 ) 无支架LED封装结构及封装方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103151446A

( 86 ) 制备原位级发光二极管阵列结构的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103107249A

( 87 ) 应用石墨烯作为导热层的倒装结构发光二极管, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103066195A

( 88 ) 激光钻孔切割异形发光二极管的方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103022280A

( 89 ) 氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103000775A

( 90 ) 制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102983234A

( 91 ) 一种交流发光二极管, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102110705B

( 92 ) LED平板显示单元的制备方法, 2013, 第 10 作者, 专利号: CN102931330A

( 93 ) 制作倒装高电压交直流发光二极管的方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN102903805A

( 94 ) 侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102903815A

( 95 ) 半导体发光器件及其制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102891232A

( 96 ) 应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102886609A

( 97 ) 发光二极管封装结构的制作方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102231421B

( 98 ) 阵列式高压LED器件的制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102867837A

( 99 ) 空气桥电极互联阵列式LED器件的制作方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102832225A

( 100 ) 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102208502B

( 101 ) 应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的垂直结构发光二极管, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102751407A

( 102 ) 应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的发光二极管, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102751408A

( 103 ) 利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外延层的方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102709415A

( 104 ) 制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102694093A

( 105 ) 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102064261B

( 106 ) 晶圆级LED管芯整体集成封装装置, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102637789A

( 107 ) LED封装结构及封装成型方法, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102637810A

( 108 ) 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102064242B

( 109 ) 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102064260B

( 110 ) 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102623606A

( 111 ) 纳米氮化镓发光二极管的制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102623590A

( 112 ) 大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102610716A

( 113 ) 侧面粗化的发光二极管及其制作方法, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102593301A

( 114 ) 氮化物LED外延结构的生长方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102569567A

( 115 ) 晶圆级垂直结构发光二极管封装的方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102569606A

( 116 ) 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102544271A

( 117 ) 制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102544270A

( 118 ) 将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102544289A

( 119 ) 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN101974772B

( 120 ) GaN基薄膜芯片的制造方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102496667A

( 121 ) 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN101937951B

( 122 ) 蓝宝石图形衬底的制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101471404B

( 123 ) 发光二极管封装结构, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102255034A

( 124 ) 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102214743A

( 125 ) 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102214753A

( 126 ) 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101937956A

( 127 ) 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101937957A

( 128 ) 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101355119B

( 129 ) 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101789477A

( 130 ) LED芯片的封装方法, 2009, 第 7 作者, 专利号: CN101567410A

( 131 ) P型氮化镓电极的制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100470863C

( 132 ) GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100461476C

( 133 ) 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101286539A

( 134 ) 低损伤PECVD沉积致密SiO 2 的方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101173348

( 135 ) 采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101043059A

( 136 ) 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法, 2007, 第 5 作者, 专利号: CN100340008C

出版信息

   
发表论文
(1) Circularly polarized light emission from a GaN micro-LED integrated with functional metasurfaces for 3D display, OPTICS LETTERS, 2021, 第 6 作者
(2) Multiplexing multifoci optical metasurfaces for information encoding in the ultraviolet spectrum, APPLIED OPTICS, 2021, 第 5 作者
(3) Wafer-Scale Semipolar Micro-Pyramid Lighting-Emitting Diode Array, CRYSTALS, 2021, 通讯作者
(4) Van der Waals epitaxy of nearly single-crystalline nitride films on amorphous graphene-glass wafer, SCIENCE ADVANCES, 2021, 第 15 作者
(5) Understanding homoepitaxial growth of horizontal kinked GaN nanowires, NANOTECHNOLOGY, 2021, 通讯作者
(6) Size-Dependent Quantum Efficiency of Flip-Chip Light-Emitting Diodes at High Current Injection Conditions, PHOTONICS, 2021, 第 7 作者
(7) Investigations about Al and Cu-Based Planar Spiral Inductors on Sapphire for GaN-Based RF Applications, Applied Sciences, 2021, 
(8) 中国半导体照明发展综述, Development Summary of Semiconductor Lighting in China, 光学学报, 2021, 第 5 作者
(9) Nanohole array structured GaN-based white LEDs with improved modulation bandwidth via plasmon resonance and non-radiative energy transfer, Nanohole array structured GaN-based white LEDs with improved modulation bandwidth via plasmon resonance and non-radiative energy transfer, PHOTONICS RESEARCH, 2021, 通讯作者
(10) Graphene-Nanorod Enhanced Quasi-Van Der Waals Epitaxy for High Indium Composition Nitride Films, SMALL, 2021, 通讯作者
(11) 远程荧光粉薄膜浓度和厚度对白光LED性能的影响, The Influence of Remote Phosphor Film Concentration and Thickness on the Performance of White LED, 照明工程学报, 2021, 第 6 作者
(12) Phosphor-free single chip GaN-based white light emitting diodes with a moderate color rendering index and significantly enhanced communications bandwidth, Phosphor-free single chip GaN-based white light emitting diodes with a moderate color rendering index and significantly enhanced communications bandwidth, PHOTONICS RESEARCH, 2020, 第 7 作者
(13) Catalyst-Assisted Large-Area Growth of Single-Crystal beta-Ga2O3 Nanowires on Sapphire Substrates by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, NANOMATERIALS, 2020, 第 4 作者
(14) Design of AIN ultraviolet metasurface for single-/multi-plane holography, APPLIED OPTICS, 2020, 第 5 作者
(15) Van der Waals Epitaxy of III-Nitrides and Its Applications, MATERIALS, 2020, 通讯作者
(16) A high responsivity and controllable recovery ultraviolet detector based on a WO3 gate AlGaN/GaN heterostructure with an integrated micro-heate, Journal of Materials Chemistry C, 2020, 通讯作者
(17) Catalyst-Assisted Large-Area Growth of Single-Crystal β -Ga 2 O 3 Nanowires on Sapphire Substrates by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition, Nanomaterials, 2020, 
(18) High-reflection Al-plated DPC ceramic substrate for AlGaN-based DUV LED packaging, CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS, 2020, 第 6 作者
(19) GaN based LEDs Grown on Graphene-coverd SiO2/Si(100), Crystals, 2020, 通讯作者
(20) LED峰值波长对多光谱组合白光色参数的影响, Effect of LED Peak Wavelength on Multi-spectral Combination White Light Color Parameters, 照明工程学报, 2020, 第 5 作者
(21) van der walls epitaxy of III-Nitrides and its applications, materials, 2020, 通讯作者
(22) High responsivity GaN nanowire UVA photodetector synthesized by hydride vapor phase epitaxy, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 通讯作者
(23) Systematic study of vertically aligned ZnO nanowire arrays synthesized on p-GaN substrate by hydrothermal method, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 通讯作者
(24) III-V族化合物的范德华外延生长与应用, 发光学报, 2020, 通讯作者
(25) Crystal phase evolution in kinked GaN nanowires, NANOTECHNOLOGY, 2020, 通讯作者
(26) Near-ultraviolet chip-based phosphor-converted solar-spectrum white light-emitting diode, OPTICAL ENGINEERING, 2020, 通讯作者
(27) GaN-Based LEDs Grown on Graphene-Covered SiO2/Si (100) Substrate, CRYSTALS, 2020, 第 15 作者
(28) Ⅲ-Ⅴ化合物的范德华外延生长与应用, Van der Waals Epitaxy ofⅢ-ⅤCompounds and Their Applications, 发光学报, 2020, 第 6 作者
(29) 用于AlGaN基DUV LED封装的高反射镀铝DPC陶瓷基板, High-reflection Al-plated DPC ceramic substrate for AlGaN-based DUV LED packaging, 液晶与显示, 2020, 第 6 作者
(30) Flexible graphene-assisted van der Waals epitaxy growth of crack-free AlN epilayer on SiC by lattice engineering, Appl. Surf. Sci., 2020, 
(31) Fabrication of an InGaN/GaN nanotube-based photoanode using nano-imprint lithography and a secondary sputtering process for water splitting, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 通讯作者
(32) Suspended tungsten trioxide (WO3) gate AlGaN/GaN heterostructure deep ultraviolet detectors with integrated micro-heater, OPTICS EXPRESS, 2019, 第 5 作者
(33) A Wirelessly Controllable Optoelectronic Device for Optogenetics, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2019, 通讯作者
(34) 共晶焊倒装高压LED的制备及性能分析, Fabrication and Characterization of Eutectic HV Flip-chip High Voltage LEDs, 照明工程学报, 2019, 第 5 作者
(35) 阵列式高压交直流LED芯片的隔离工艺, Chip Isolation Processes in the Monolithic Integrated LEDs, 照明工程学报, 2019, 第 6 作者
(36) Fabrication of InGaN/GaN nanotube based photoanode using nanoimprint lithography and secondary sputtering process for water splitting, Japanese Journal of Applied Physics, 2019, 通讯作者
(37) Horizontal GaN nanowires grown on Si (111) substrate: the effect of catalyst migration and coalescence, NANOTECHNOLOGY, 2019, 
(38) 短波长LED近距离匀光照明系统的设计, Close-range Uniform Illumination System Design for Short-wavelength LED, 照明工程学报, 2019, 第 8 作者
(39) Suppression of persistent photoconductivity AlGaN/GaN heterostructure photodetectors using pulsed heating, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019, 第 5 作者
(40) 高显色指数LED光谱配比与色度参数的关系, The Relationship between Spectral Ratio and Chromaticity Parameters of High Color Rendering Index LED, 照明工程学报, 2019, 第 6 作者
(41) AlGaN Nanowires Grown on SiO2/Si (100) Using Graphene as a Buffer Layer, CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2019, 通讯作者
(42) Simultaneously improve the luminous efficiency and color-rendering index of GaN-based white-light-emitting diodes using metal localized surface plasmon resonance, OPTICS LETTERS, 2019, 第 4 作者
(43) Current diffusion and efficiency droop in vertical light emitting diodes, Current diffusion and efficiency droop in vertical light emitting diodes, 中国物理B:英文版, 2019, 第 4 作者
(44) 具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, 400 V Normally-off Recessed MOS-Gate AlGaN/GaN HEMT with High Threshold Voltage and Ultra-Low Gate-Leakage Current, 电工技术学报, 2018, 第 4 作者
(45) 400 V Normally-off Recessed MOS-Gate AlGaN/GaN HEMT with High Threshold Voltage and Ultra-Low Gate-Leakage Current, TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY, 2018, 第 1 作者
(46) Fast Growth of Strain-Free AIN on Graphene-Buffered Sapphire, JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2018, 第 17 作者
(47) Fast Growth of Strain-Free AlN on Graphene-Buffered Sapphire, J. Am. Chem. Soc., 2018, 
(48) 具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, 400 V Normally-off Recessed MOS-Gate AlGaN/GaN HEMT with High Threshold Voltage and Ultra-Low Gate-Leakage Current, 电工技术学报, 2018, 第 4 作者
(49) InGaN/GaN ultraviolet LED with a graphene/AZO transparent current spreading layer, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2018, 第 8 作者
(50) Direct Growth of AlGaN Nanorod LEDs on Graphene-Covered Si, MATERIALS, 2018, 通讯作者
(51) Impurity resonant state p-doping layer for high-efficiency nitride-based light-emitting diodes, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 2 作者
(52) Direct van der Waals Epitaxy of Crack-Free AlN Thin Film on Epitaxial WS 2, MATERIALS, 2018, 通讯作者
(53) UV-C whispering-gallery modes in AlN microdisks with AlGaN-based multiple quantum wells on Si substrate, JOURNAL OF NANOPHOTONICS, 2018, 第 6 作者
(54) Ultrafast growth of horizontal GaN nanowires by HVPE through flipping the substrate, NANOSCALE, 2018, 通讯作者
(55) Crystallographic orientation control and optical properties of GaN nanowires, RSC ADVANCES, 2018, 通讯作者
(56) Optically pumped lasing with a Q-factor exceeding 6000 from wet-etched GaN micro-pyramids, OPTICS LETTERS, 2017, 
(57) Influence of lateral growth on the optical properties of GaN nanowires grown by hydride vapor phase epitaxy, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 通讯作者
(58) Van der Waals epitaxy of GaN-based light-emitting diodes on wet-transferred multilayer graphene film, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 
(59) Optically-Pumped Single-Mode Deep-Ultraviolet Microdisk Lasers With AlGaN-Based Multiple Quantum Wells on Si Substrate, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2017, 第 6 作者
(60) Nanostructure nitride light emitting diodes via the Talbot effect using improved colloidal photolithography, NANOSCALE, 2017, 通讯作者
(61) Producing deep UV-LEDs in high-yield MOVPE by improving AlN crystal quality with sputtered AlN nucleation layer, Producing deep UV-LEDs in high-yield MOVPE by improving AlN crystal quality with sputtered AlN nucleation layer, 半导体学报:英文版, 2017, 第 6 作者
(62) A Novel Surface Treatment for the Sliver Ohmic Contacts to P-GaN, 2016 13TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING (SSLCHINA 2016), 2016, 
(63) Enhancing the performance of blue GaN-based light emitting diodes with carrier concentration adjusting layer, AIP ADVANCES, 2016, 通讯作者
(64) Investigation of Isoelectronic Doping in p-GaN Based on The Thermal Quenching of UVL Band, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2016, 通讯作者
(65) 具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(英文), High-threshold-voltage Normally-off Recessed MOS-gate AlGaN/GaN HEMT with Large Gate Swing, 发光学报, 2016, 第 7 作者
(66) Co-doping of magnesium with indium in nitrides: first principle calculation and experiment, RSC ADVANCES, 2016, 第 3 作者
(67) High-Performance Nitride Vertical Light-Emitting Diodes Based on Cu Electroplating Technical Route, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 通讯作者
(68) Electroless Silver Plating Reflectors to Boost the Performance of Vertical Light-Emitting Diodes, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2016, 通讯作者
(69) Overshoot effects of electron on efficiency droop in InGaN/GaN MQW light-emitting diodes, AIP ADVANCES, 2016, 通讯作者
(70) Analysis of Photoluminescence Thermal Quenching: Guidance for the Design of Highly Effective p-type Doping of Nitrides, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 3 作者
(71) Broadband full-color monolithic InGaN light-emitting diodes by self-assembled InGaN quantum dots, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 7 作者
(72) Interface and photoluminescence characteristics of graphene-(GaN/InGaN)n multiple quantum wells hybrid structure, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 5 作者
(73) 具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, High-threshold-voltage Normally-off Recessed MOS-gate AlGaN/GaN HEMT with Large Gate Swing, Chinese Journal of Luminescence, 2016, 第 7 作者
(74) Hybrid Tunnel Junction-Graphene Transparent Conductive Electrodes for Nitride Lateral Light Emitting Diodes, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2016, 第 4 作者
(75) Carrier leakage e ect on e ciency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes, Modern Physics Letters B, 2016, 通讯作者
(76) 具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT with High On/Off Drain Current Ratio, 发光学报, 2016, 第 7 作者
(77) Direct growth of graphene on gallium nitride using C2H2 as carbon source, FRONTIERS OF PHYSICS, 2016, 第 3 作者
(78) Advances and prospects in nitrides based light-emitting-diodes, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 6 作者
(79) Analysis of symmetry breaking configurations in metal nanocavities: Identification of resonances for generating high-order magnetic modes and multiple tunable magnetic-electric Fano resonances, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 3 作者
(80) Corrigendum: Impurity Resonant States p-type Doping in Wide-Band-Gap Nitrides, Scientific Reports, 2016, 
(81) Hybrid Tunnel Junction-Graphene Transparent Conductive Electrodes for Nitride Lateral Light Emitting Diodes., ACS Appl Mater Interfaces, 2015, 
(82) Phosphor-free InGaN micro-pyramid white light emitting diodes with multilayer graphene electrode, RSC ADVANCES, 2015, 第 9 作者
(83) Graphene-based transparent conductive electrodes for GaN-based light emitting diodes: Challenges and countermeasures, NANO ENERGY, 2015, 第 6 作者
(84) Excellent ESD Resistance Property of InGaN LEDs With Enhanced Internal Capacitance, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2015, 第 7 作者
(85) Light extraction improvement of blue light-emitting diodes with a Metal-distributed Bragg reflector current blocking layer, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2015, 第 2 作者
(86) Strong carrier localization effect in carrier dynamics of 585 nm InGaN amber light-emitting diodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 第 5 作者
(87) 低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术, 中国科技成果, 2015, 第 4 作者
(88) Enhancing the performance of blue GaN-based light emitting diodes with double electron blocking layers, AIP ADVANCES, 2015, 第 5 作者
(89) Analysis of impedance matching network on LED novel driving system based on the wireless power transfer, 2015 12TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING (SSLCHINA), 2015, 
(90) High Quantum Efficiency and Low Droop of 400-nm InGaN Near-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Through Suppressed Leakage Current, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2015, 第 4 作者
(91) A subversive innovation on GaN P-type reflective electrode using electroless silver plating, Solid State Lighting (SSLCHINA), 2015 12th China International Forum on, 2015, 通讯作者
(92) Transparent graphene interconnects for monolithic integration of GaN-based LEDs, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2015, 第 7 作者
(93) Improved performance of lateral GaN-based light emitting diodes with novel buried CBL structure in ITO film and reflective electrodes, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2014, 第 6 作者
(94) Optimized subsequent-annealing-free Ni/Ag based metallization contact to p-type GaN for vertical light emitting diodes with high yield and extremely low operating voltage, Journal of physics d-applied physics, 2014, 
(95) Investigation of the wet-etching mechanism of Ga-polar AlGaN/GaN micro-pillars, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 8 作者
(96) In Situ Fabrication of Bendable Microscale Hexagonal Pyramids Array Vertical Light Emitting Diodes with Graphene as Stretchable Electrical Interconnects, ACS PHOTONICS, 2014, 第 4 作者
(97) Tunable Fano Resonance in E-Shape Plasmonic Nanocavities, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2014, 第 4 作者
(98) Optimized subsequent-annealing-free Ni/Ag based metallization contact to p-type GaN for vertical light emitting diodes with high yield and extremely low operating voltage (2.75 V@350 mA, > 95%), JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2014, 第 7 作者
(99) Design of blue LEDs array with high optical power, OPTICAL DESIGN AND TESTING VI, 2014, 
(100) Two distinct carrier localization in green light-emitting diodes with InGaN/GaN multiple quantum wells, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 8 作者
(101) Efficiency improvement by polarization-reversed electron blocking structure in GaN-based light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 7 作者
(102) N-polar GaN etching and approaches to quasi-perfect micro-scale pyramid vertical light-emitting diodes array, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 4 作者
(103) Improved light output from InGaN LEDs by laser-induced dumbbell-like air-voids, OPTICS EXPRESS, 2013, 通讯作者
(104) Interface and Transport Properties of Metallization Contacts to Flat and Wet-Etching Roughed N-Polar n-Type GaN, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2013, 第 5 作者
(105) Pyramid Array InGaNGaN Core–Shell Light Emitting Diodes with Homogeneous Multilayer Graphene Electrodes, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 第 6 作者
(106) InGaN-based vertical light-emitting diodes with acid-modified graphene transparent conductor and highly reflective membrane current blocking layer, PROCEEDINGS OF THE ROYAL SOCIETY A-MATHEMATICAL PHYSICAL AND ENGINEERING SCIENCES, 2013, 第 7 作者
(107) Enhanced performance of GaN-based light-emitting diodes with graphene-Ag nanowires hybrid films, AIP ADVANCES, 2013, 第 8 作者
(108) Analysis Model for Efficiency Droop of InGaN Light-Emitting Diodes Based on Reduced Effective Volume of Active Region by Carrier Localization, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 第 9 作者
(109) Enhanced performance of GaN based light-emitting diodes with a low temperature p-GaN hole injection layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 9 作者
(110) Quantum Efficiency Enhancement of 530 nm InGaN Green Light-Emitting Diodes with Shallow Quantum Well, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 第 8 作者
(111) GaN-Based Light Emitting Diodes with Hybrid Micro-Nano Patterned Sapphire Substrate, ECS SOLID STATE LETTERS, 2013, 第 6 作者
(112) The fabrication of GaN-based nanorod light-emitting diodes with multilayer graphene transparent electrodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 8 作者
(113) Effects of light extraction efficiency to the efficiency droop of InGaN-based light-emitting diodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 通讯作者
(114) Enhancing the performance of green GaN-based light-emitting diodes with graded superlattice AlGaN/GaN inserting layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 6 作者
(115) Phosphor-Free, Color-Tunable Monolithic InGaN Light-Emitting Diodes, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 第 7 作者
(116) Shape designing for light extraction enhancement bulk-GaN light-emitting diodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 4 作者
(117) Optimal width of quantum well for reversed polarization blue InGaN light-emitting diodes, AIP ADVANCES, 2013, 第 6 作者
(118) Improved transport properties of graphene/GaN junctions in GaN-based vertical light emitting diodes by acid doping, RSC ADVANCES, 2013, 第 6 作者
(119) The fabrication of GaN-based nanorod light-emitting diodes with multilayer graphene electrodes, Journal of applied physics, 2013, 第 8 作者
(120) Design of Shallow Acceptors in GaN through Zinc–Magnium Codoping: First-Principles Calculation, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 第 3 作者
(121) Hexagonal pyramids shaped GaN light emitting diodes array by N-polar wet etching, Materials research society symposium proceedings, 2013, 第 8 作者
(122) Nitride-based micron-scale hexagonal pyramids array vertical light emitting diodes by N-polar wet etching, OPTICS EXPRESS, 2013, 第 8 作者
(123) The design and fabrication of a GaN-based monolithic light-emitting diode array, Journal of semiconductors, 2013, 第 6 作者
(124) Characteristics of GaN-Based High-Voltage LEDs Compared to Traditional High Power LEDs, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2013, 第 7 作者
(125) Mechanisms in thermal stress aided electroless etching of GaN grown on sapphire and approaches to vertical devices, RSC ADVANCES, 2013, 第11作者
(126) InGaN-based vertical light emitting diodes withHNO3 modified-graphenetransparent conductive layer and high reflective membrane current blocking layer, Proceedings of Royal Society A, 2013, 通讯作者
(127) Light extraction efficiency improvement by multiple laser stealth dicing in InGaN-based blue light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2012, 通讯作者
(128) Annealed InGaN green light-emitting diodes with graphene transparent conductive electrodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 4 作者
(129) Light extraction enhancement of bulk GaN light-emitting diode with hemisphere-cones-hybrid surface, OPTICS EXPRESS, 2012, 第 4 作者
(130) Partially sandwiched graphene as transparent conductive layer for InGaN-based vertical light emitting diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 6 作者
(131) Light extraction efficiency improvement by curved GaN sidewalls in InGaN-based light-emitting diodes, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2012, 第 6 作者
(132) Anomalous temperature dependence of photoluminescence in self-assembled InGaN quantum dots, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 6 作者
(133) Low threading dislocation density in GaN films grown on patterned sapphire substrates, Journal of semiconductors, 2012, 第 9 作者
(134) Interface and transport properties of GaN/graphene junction in GaN-based LEDs, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2012, 第 6 作者
(135) Enhancement in the Light Output Power of GaN-Based Light-Emitting Diodes with Nanotextured Indium Tin Oxide Layer Using Self-Assembled Cesium Chloride Nanospheres, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 5 作者
(136) Efficiency droop in InGaN/GaN multiple-quantum-well blue light-emitting diodes grown on free-standing GaN substrate, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 4 作者
(137) 垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术, Fabrication of Vertical GaN-Based LEDs with Oblique Side Walls Structure, 半导体技术, 2011, 第 3 作者
(138) Electrical characteristics of a vertical light emitting diode with n-type contacts on a selectively wet-etching roughened surface, Electrical characteristics of a vertical light emitting diode with n-type contacts on a selectively wet-etching roughened surface, 半导体学报, 2011, 第 4 作者
(139) 阳极氧化铝工艺用于提高LED的出光效率, Extraction Efficiency of Light-Emitting Diodes Improved by AAO, 半导体技术, 2011, 第 5 作者
(140) 低损伤ICP刻蚀技术提高GaN LED出光效率, Extraction Efficiency of GaN LEDs Improved by Low Damage ICP Etching Technique, 微纳电子技术, 2011, 第 3 作者
(141) Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer, Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer, 半导体学报, 2011, 第 9 作者
(142) Electrical characteristics of a vertical light emitting diode with n-type contacts on a selectively wet-etching roughened surface, Electrical characteristics of a vertical light emitting diode with n-type contacts on a selectively wet-etching roughened surface, 半导体学报, 2011, 第 4 作者
(143) Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer, Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer, 半导体学报, 2011, 第 9 作者
(144) Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer, Ieee international conference on group iv photonics gfp, 2011, 第 9 作者
(145) Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer, Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer, 半导体学报, 2011, 第 4 作者
(146) Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer, Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer, 半导体学报, 2011, 第 4 作者
(147) 垂直结构GaN基LEDs热压键合应力损伤分析, Stress Damage on Vertical Structure GaN-Based LEDs, 半导体技术, 2009, 第 3 作者
(148) Light extraction efficiency enhancement of GaN-based light emitting diodes by a ZnO current spreading layer, Light extraction efficiency enhancement of GaN-based light emitting diodes by a ZnO current spreading layer, 半导体学报, 2009, 第 5 作者
(149) Light extraction efficiency enhancement of GaN-based light emitting diodes by a ZnO current spreading layer, Light extraction efficiency enhancement of GaN-based light emitting diodes by a ZnO current spreading layer, 半导体学报, 2009, 第 5 作者
(150) 垂直结构GaN基LEDs电流分布计算分析, Current Distribution Study of Vertical Structure GaN-Based Light-Emitting Diodes, 半导体技术, 2009, 第 4 作者
(151) Transparent and Light-Emitting Epoxy Super-Nanocomposites Containing ZnO-QDs/SiO2 Nanocomposite Particles as Encapsulating Materials for Solid-State Lighting, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2008, 第 4 作者
(152) GaN基功率型LED可靠性分析, Analyses in Reliability of GaN-Based High Power Light Emitting Diodes, 半导体学报, 2007, 第 3 作者
(153) 功率型倒装结构LED系统热模拟及热阻分析, Thermal Simulation and Analysis of High Power Flip-Chip Light-Emitting Diode System, 半导体学报, 2007, 第 4 作者
(154) 功率型GaN基LED静电保护方法研究, Analysis of ESD Protection for High Power GaN-based Light-emitting Diodes, 半导体光电, 2007, 第 4 作者
(155) 大功率倒装结构LED芯片热模拟及热分析, Thermal Simulation and Analysis of High Power Flip-chip Light-emitting Diodes, 半导体光电, 2007, 第 4 作者
(156) 倒装GaN基发光二极管阵列微透镜的粗化技术, Surface Roughening with Sapphire Microlens Arrays in Flip-Chip GaN-Based LEDs, 半导体学报, 2007, 第 3 作者
(157) InP/Si键合界面热应力分析, Theoretical Analysis on Thermal Stresse in Interface of InP/Si Bonded Wafers, 半导体光电, 2006, 第 5 作者
(158) 倒装结构大功率蓝光LEDs的研制, Rresearch and Fabrication of Flip-chip High-power Blue LEDs, 光电子.激光, 2006, 第 1 作者
(159) 大功率GaN基LED的提取效率, Light Extraction Efficiency of High-Power GaN-Based Light-Emitting Diodes, 半导体学报, 2005, 第 3 作者
(160) 大功率倒装结构GaN LED p电极研究, Investigation of p-Electrode in High Power GaN-LED Application, 半导体学报, 2005, 第 1 作者
(161) 大功率氮化镓基LED关键技术研究, Research on Key Technologies of High Power GaN-Based LED, 半导体学报, 2005, 第 2 作者
发表著作
( 1 ) III族氮化物材料器件与纳米结构, III- Nitride materials devices and nano-structures, World Scientific, 2017-07, 第 3 作者
Light-Emitting Diodes:Materials,Processes,Devices and Applications, Springer, 2019-01, 第 5 作者
III-Nitrides Light Emitting, Springer, 2020-09, 第 3 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 150lm/W的GaN基LED量子效率提升技术研究, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12
( 2 ) 微纳金字塔垂直结构LED量子效率研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
( 3 ) 大尺寸硅衬底氮化镓基电力电子材料生长技术研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
( 4 ) LED光源的生物相关理论问题及示范应用, 负责人, 中国科学院计划, 2013-10--2016-12
( 5 ) GaN基垂直腔面发射激光器基础研究, 参与, 国家任务, 2016-01--2019-12
( 6 ) 超高能效半导体光源核心材料及器件技术研究, 负责人, 国家任务, 2017-07--2021-06
( 7 ) 超高能效LED芯片光子耦合机制与提取效率提升技术研究, 负责人, 国家任务, 2017-07--2021-06
( 8 ) 微小尺寸LED柔性阵列制备及医疗健康应用, 负责人, 国家任务, 2021-12--2025-11
参与会议
(1)分会委员   2021-12-06
(2)GaN nanowire ultraviolet detector with high responsivity   2020-11-24
(3)Recent Advances in Ultra-high Efficiency InGaN-based LEDs   第十六届中国国际半导体照明论坛   2019-11-25
(4)GaN nanowire grown on SiO2/Si using graphene as a buffer layer   2018-11-12
(5)芯片、器件及封装技术分会委员   第十五届中国国际半导体照明论坛   2018-10-24
(6)controllable growth and device application of nitrites nonovires   第十四届中国国际半导体照明论坛   2017-11-01
(7)芯片、器件及其封装技术分会委员   第十三届中国国际半导体照明论坛   2016-11-15
(8)芯片、器件及其封装技术分会主席   第十二届中国国际半导体照明论坛   2015-11-02