基本信息
彭红玲  女  硕导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: hlpeng@semi.ac.cn
通信地址: 北京海淀区清华东路甲35号半导体研究所
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体探测器、太阳电池、激光器等有源器件、硅基光电集成

教育背景

2003-09--2007-03   中国科学院半导体研究所   博士

工作经历

   
工作简历
2007-04~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2003-09~2007-03,中国科学院半导体研究所, 博士
2000-07~2003-08,上海贝尔-阿尔卡特公司, 通信工程师

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种中红外波段调制器及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910035208.x

( 2 ) 3~5μm红外波段雪崩光电二极管探测器及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201810408182.4

( 3 ) 硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201810408181.X

( 4 ) 半导体激光器驱动电路, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201310155864.6

( 5 ) 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL201010595700.1

( 6 ) 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL201010595707.3

出版信息

   
发表论文
(1) A promising low noise and high gain InGaAs/Si avalanche photodiode, SPIE, 2020, 第 1 作者
(2) The Research of InSb on Si Avalanche Photodiode, SPIE, 2019, 第 1 作者
(3) The Development on High Sensitivity Silicon Avalanche Photodiode Array, SPIE, 2017, 第 1 作者
(4) 键合的双结太阳能电池研究, 太阳能学报, 2015, 第 1 作者
(5) 直接键合的三结太阳能电池研究, 物理学报, 2014, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 高速发端调制研究, 负责人, 中国科学院计划, 2016-06--2021-05
( 2 ) 高填充因子高响应度 APD 阵列研制, 负责人, 其他任务, 2019-06--2024-05