基本信息
彭红玲  女  硕导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: hlpeng@semi.ac.cn
通信地址: 北京海淀区清华东路甲35号半导体研究所
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体探测器、太阳电池、激光器等有源器件、硅基光电集成

教育背景

2003-09--2007-03   中国科学院半导体研究所   博士

工作经历

   
工作简历
2007-04~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2003-09~2007-03,中国科学院半导体研究所, 博士
2000-07~2003-08,上海贝尔-阿尔卡特公司, 通信工程师

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种双载流子倍增的雪崩光电探测器, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116247118B

( 2 ) 一种硅基线性雪崩光电探测器、制备方法及应用, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116072755B

( 3 ) 硅红外增强倏逝波耦合雪崩光电探测器及其制作方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113629159A

( 4 ) 一种中红外波段调制器及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109683354A

( 5 ) 3~5μm红外波段雪崩光电二极管探测器及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108630781A

( 6 ) 硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108573989A

( 7 ) 半导体激光器驱动电路, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103227413A

( 8 ) InSb晶片与Si晶片键合的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103199156A

出版信息

   
发表论文
(1) 2 �� 128 Silicon Avalanche Photodiode Linear Arrays With High Uniformity, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2024, 第 2 作者
(2) Mid-wavelength nBn photodetector with high operating temperature and low dark current based on InAs/InAsSb superlattice absorber, Chinese Optics Letters, 2024, 第 3 作者
(3) Low-Energy Ion Implantation and Deep-Mesa Si-Avalanche Photodiodes with Improved Fabrication Process, SENSORS (BASEL, SWITZERLAND), 2024, 第 2 作者
(4) InP衬底上的双载流子倍增雪崩光电二极管结构设计, 物理学报, 2023, 第 2 作者  通讯作者
(5) Study of InGaAs/InP avalanche photodiodes to suppress edge breakdown, Fourteenth International Conference on Information Optics and Photonics, 2023, 第 2 作者  通讯作者
(6) Growth and Dark Current Analysis of GaSb- and InP-Based Metamorphic In0.8Ga0.2As Photodetectors, MATERIALS, 2023, 第 3 作者
(7) Surface passivation of random alloy AlGaAsSb avalanche photodiode, ELECTRONICS LETTERS, 2023, 第 2 作者
(8) High-uniformity 2��64 silicon avalanche photodiode arrays with silicon multiple epitaxy technology, 中国光学快报:英文版, 2023, 第 3 作者  通讯作者
(9) A promising low noise and high gain InGaAs/Si avalanche photodiode, SPIE, 2020, 第 1 作者
(10) The Research of InSb on Si Avalanche Photodiode, AOPC 2019 :, 2019, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 高填充因子高响应度 APD 阵列研制, 负责人, 其他国际合作项目, 2019-08--2024-07
( 2 ) 高速发端调制研究, 负责人, 中国科学院计划, 2016-06--2021-05