080903-微电子学与固体电子学
080501-材料物理与化学
080901-物理电子学

AlGaN高效率紫外LED与激光器
GaN射频毫米波与太赫兹器件及MMIC
GaN高压电力电子横向器件与纵向器件

2006-05--2011-07   佐治亚理工学院   博士
2001-09--2005-07   清华大学   本科

   

2015-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 所长助理
2012-04~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2011-08~2012-02,美国高平（Kopin）半导体公司, 研发工程师
2006-05~2011-07,佐治亚理工学院, 博士
2001-09~2005-07,清华大学, 本科

半导体照明与氮化镓器件
半导体照明技术
专题实践

   

（ 1 ） 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: 202010445714.9

（ 2 ） 用于半桥模块寄生电感校准测试的测试装置及方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113156216A

（ 3 ） 激光照明装置, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112648548A

（ 4 ） 在侧向外延薄膜上自对准形成图形及制备外延材料的方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN109920727B

（ 5 ） 一种AlGaN基二极管及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111341893B

（ 6 ） 声学滤波器与HEMT异构集成的结构及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN109534278B

（ 7 ） HEMT器件及其制作方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111952177A

（ 8 ） 高显色指数及色温可调的高光通量白光激光照明装置, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111578159A

（ 9 ） 体声波谐振器及其底电极的制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN107437930B

（ 10 ） p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构及制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111446296A

（ 11 ） 金属上单晶氮化物薄膜制备方法及体声波谐振器, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN106341095B

（ 12 ） 可提高LED出光效率的硅基反射圈、制备方法及LED器件, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110299441A

（ 13 ） 芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN107256911B

（ 14 ） 半导体激光器及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109962406A

（ 15 ） 半导体器件及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109841708A

（ 16 ） 降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN104900689B

（ 17 ） 一种体声波谐振器的结构及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109672419A

（ 18 ） 兰姆波谐振器及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109560785A

（ 19 ） 兰姆波谐振器及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109560785A

（ 20 ） 隐形切割制备正、倒和倒梯形台状衬底的LED芯片的方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN106328778B

（ 21 ） 一种凹槽阳极肖特基二极管的制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108091566A

（ 22 ） 一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HEMT结构及生长方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN104241352B

（ 23 ） GaN基LED器件, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN207765474U

（ 24 ） GaN基LED器件及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108110097A

（ 25 ） 一种凹槽阳极肖特基二极管及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108010959A

（ 26 ） 增强型GaN HEMT的制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107887435A

（ 27 ） 声表面波谐振器、滤波器及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107634734A

（ 28 ） 一种LED芯片的图形化基板结构及其制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106531871A

（ 29 ） 一种体声波器件的制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106341094A

（ 30 ） 一种带有LED杀菌降解有机物功能的手持洗衣装置, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107119417A

（ 31 ） 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN206440330U

（ 32 ） 高光出射效率的LED芯片及其制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107068826A

（ 33 ） 一种杀菌消毒的装置, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN206337054U

（ 34 ） LED倒装基板的结构, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN206236704U

（ 35 ） 紫外发光二极管器件的制备方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106784180A

（ 36 ） 一种杀菌消毒的装置, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106517410A

（ 37 ） 一种LED芯片的图形化基板及其制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106505130A

（ 38 ） 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106441485A

（ 39 ） 单晶体声波器件及制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106374032A

（ 40 ） 增强型高电子迁移率晶体管及制备方法、半导体器件, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105720097A

（ 41 ） 倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104538304A

（ 42 ） 栅极与源漏极异面的GaN基HEMT的结构及其制作方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN105047709A

（ 43 ） 无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管及制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104882522A

（ 44 ） 转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104538303A

（ 45 ） 采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104465905A

（ 46 ） 一种紫外发光二极管器件的制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103956414A

（ 47 ） 多功能LED手电筒, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN203743880U

（ 48 ） 紫外发光二极管器件的制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103943737A

（ 49 ） 可杀菌消毒的多功能餐盒, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN203692762U

（ 50 ） 氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103811609A

（ 51 ） 氮化镓激光器腔面的制作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103701037A

（ 52 ） 在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103311097A

（ 53 ） 一种金属纳米圆环的制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103268910A

（ 54 ） 一种无线充电系统, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103227490A

   

（1） 抢占“镓体系”半导体科技制高点助力实现光电子信息产业的率先突破, 中国科学院院刊, 2023, 第 1 作者
（2） Scaled InAlN/GaN HEMT on Sapphire With fT/fmax of 190/301 GHz, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023, 通讯作者
（3） Simulation and Comprehensive Analysis of AlGaN/GaN HBT for High Voltage and High Current, ELECTRONICS, 2023, 通讯作者
（4） N-AlGaN Free Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diode with Transverse Electron Injection, ACS PHOTONICS, 2023, 通讯作者
（5） Dynamic Performance Analysis of Logic Gates Based on p -GaN/AlGaN/GaN HEMTs at High Temperature, Ieee Electron Device Letters, 2023, 通讯作者
（6） AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors With High Current Gain and Low Specific On-Resistance, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 通讯作者
（7） Bulk GaN-based SAW resonators with high quality factors for wireless temperature sensor, Journal of Semiconductors, 2022, 通讯作者
（8） An Experimental and Theoretical Study of Impact of Device Parameters on Performance of AlN/Sapphire-Based SAW Temperature Sensors, MICROMACHINES, 2021, 通讯作者
（9） Terahertz strong-field physics in light-emitting diodes for terahertz detection and imaging, COMMUNICATIONS PHYSICS, 2021, 第 14 作者
（10） E/D-Mode GaN Inverter on a 150-mm Si Wafer Based on p-GaN Gate E-Mode HEMT Technology, MICROMACHINES, 2021, 通讯作者
（11） Reducing the reverse leakage current of AlGaN/GaN heterostructures via low-fluence neutron irradiation, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2021, 第 10 作者
（12） Design and Switching Characteristics of Flip-Chip GaN Half-Bridge Modules Integrated with Drivers, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2021, 通讯作者
（13） Experimental and theoretical study on device-processing-incorporated fluorine in AlGaN/GaN heterostructures, AIP ADVANCES, 2020, 第 9 作者
（14） Light Extraction and Auger Recombination in AlGaN-Based Ultraviolet Light-Emitting Diodes, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2020, 通讯作者
（15） Soliton Comb Generation in Air-Clad AlN Microresonators, 2020CONFERENCEONLASERSANDELECTROOPTICSCLEO, 2020, 第 13 作者
（16） Phosphor-converted laser-diode-based white lighting module with high luminous flux and color rendering index, OPTICS EXPRESS, 2020, 通讯作者
（17） Structural characterization of AlN (11-22) films prepared by sputtering and thermal annealing on m-plane sapphire substrates, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2020, 通讯作者
（18） The Influence of Anode Trench Geometries on Electrical Properties of AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes, ELECTRONICS, 2020, 通讯作者
（19） Acceptor Decoration of Threading Dislocations in ( Al , Ga ) N / Ga N Heterostructures, PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2020, 第 10 作者
（20） Defect evolution of oxygen induced V-th-shift for ON-state biased AlGaN/GaN HEMTs, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 9 作者
（21） AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode on high-temperature annealed sputtered AlN template, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 通讯作者
（22） Reducing stimulated emission threshold power density of AlGaN/AlN multiple quantum wells by nano-trench-patterned AlN template, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 通讯作者
（23） Enhanced performance of AIN SAW devices with wave propagation along the direction on c-plane sapphire substrate, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2019, 通讯作者
（24） AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistor With Selective-Area Grown Emitter and Improved Base Contact, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 通讯作者
（25） Method of the out-of-band rejection improvement of the AlN based surface acoustic wave filters, ULTRASONICS, 2019, 通讯作者
（26） 具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, 400 V Normally-off Recessed MOS-Gate AlGaN/GaN HEMT with High Threshold Voltage and Ultra-Low Gate-Leakage Current, 电工技术学报, 2018, 第 3 作者
（27） AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes on sputter-deposited AlN templates with epitaxial AlN/AlGaN superlattices, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 通讯作者
（28） Crystal quality improvement of sputtered AlN film on sapphire substrate by high-temperature annealing, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 通讯作者
（29） 具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, 400 V Normally-off Recessed MOS-Gate AlGaN/GaN HEMT with High Threshold Voltage and Ultra-Low Gate-Leakage Current, 电工技术学报, 2018, 第 3 作者
（30） Generation of multiple near-visible comb lines in an AlN microring via chi((2)) and chi((3)) optical nonlinearities, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 其他（合作组作者）
（31） Enhancing the light extraction of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes in the nanoscale, JOURNAL OF NANOPHOTONICS, 2018, 第 3 作者
（32） Integrated High-Q Crystalline AIN Microresonators for Broadband Kerr and Raman Frequency Combs, ACS PHOTONICS, 2018, 其他（合作组作者）
（33） Impact of device parameters on performance of one-port type SAW resonators on AIN/sapphire, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2018, 第 3 作者
（34） Deep-ultraviolet stimulated emission from AlGaN/AlN multiple-quantum-wells on nano-patterned AlN/sapphire templates with reduced threshold power density, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 通讯作者
（35） The effect of AlN/AlGaN superlattices on crystal and optical properties of AlGaN epitaxial layers, The effect of AlN/AlGaN superlattices on crystal and optical properties of AlGaN epitaxial layers, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2017, 通讯作者
（36） Enhancing light coupling and emission efficiencies of AlGaN thin film and AlGaN/GaN multiple quantum wells with periodicity-wavelength matched nanostructure array, NANOSCALE, 2017, 第 5 作者
（37） 大面积规则排布的AlN纳米柱阵列制备, Preparation of Ordered Aligned AlN Nanorods Array with Large-Scale Area, 半导体技术, 2017, 第 4 作者
（38） Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition, CRYSTENGCOMM, 2017, 第 9 作者
（39） Aluminum nitride-on-sapphire platform for integrated high-Q microresonators., OPTICS EXPRESS, 2017, 其他（合作组作者）
（40） Light extraction enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by substrate sidewall roughening, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 通讯作者
（41） Sapphire substrate sidewall shaping of deep ultraviolet light-emitting diodes by picosecond laser multiple scribing, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2017, 通讯作者
（42） Graphene-assisted growth of high-quality AlN by metalorganic chemical vapor deposition, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 6 作者
（43） Cross-stacked carbon nanotubes assisted self-separation of free-standing GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 6 作者
（44） The study of the contribution of the surface and bulk traps to the dynamic Rdson in AlGaN/GaN HEMT by light illumination, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 5 作者
（45） Formation and characteristics of AlGaN-based three-dimensional hexagonal nanopyramid semi-polar multiple quantum wells, NANOSCALE, 2016, 通讯作者
（46） Normally-off Recessed MOS-gate AlGaN/GaN HEMTs with Over+4V Saturation Drain Current Density and a 400V Breakdown Voltage, 2016 13TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING: INTERNATIONAL FORUM ON WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS CHINA (SSLCHINA: IFWS), 2016, 通讯作者
（47） 具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（英文）, High-threshold-voltage Normally-off Recessed MOS-gate AlGaN/GaN HEMT with Large Gate Swing, 发光学报, 2016, 第 2 作者
（48） GaN-based violet lasers grown on sapphire with a novel facet fabrication method, Solid state lighting (sslchina), 2015 12th china international forum, 2016, 第 2 作者
（49） 具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN／GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, High-threshold-voltage Normally-off Recessed MOS-gate AlGaN/GaN HEMT with Large Gate Swing, 发光学报, 2016, 第 2 作者
（50） Improved Crystalline Quality of AlN by Epitaxial Lateral Overgrowth Using Two-Phase Growth Method for Deep-Ultraviolet Stimulated Emission, IEEEPHOTONICSJOURNAL, 2016, 第 3 作者
（51） AlGaN/GaN high electron mobility transistors with selective area grown p-GaN gates, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 通讯作者
（52） Stimulated emission at 272 nm from an AlxGa1−xN-based multiple-quantum-well laser with two-step etched facets, RSC ADVANCES, 2016, 通讯作者
（53） 具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT with High On/Off Drain Current Ratio, 发光学报, 2016, 第 2 作者
（54） Broadband tunable microwave photonic phase shifter with low RF power variation in a high-Q AlN microring, OPTICS LETTERS, 2016, 其他（合作组作者）
（55） A PMT-like high gain avalanche photodiode based on GaN/AlN periodically stacked structure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 16 作者
（56） AlGaN/GaN 功率器件缓冲层陷阱的分析方法, Analysis Methods of the Traps in the Buffer Layer in AlGaN/GaN Power Devices, 半导体技术, 2016, 第 6 作者
（57） Stimulated emission at 288 nm from silicon-doped AlGaN-based multiple-quantum-well laser, OPTICS EXPRESS, 2015, 第 3 作者
（58） AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on High-quality AlN template using MOVPE, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 第 3 作者
（59） 氮化物深紫外LED研究新进展, SCIENTIA SINICA PHYSICA, MECHANICA & ASTRONOMICA, 2015, 第 4 作者
（60） AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on High-quality AIN template using MOVPE, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 第 3 作者
（61） AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes grown on nano-patterned sapphire substrates with significant improvement in internal quantum efficiency, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 3 作者
（62） Optical properties of nanopillar AlGaN/GaN MQWs for ultraviolet light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 3 作者
（63） Influence of AlGaN Electron Blocking Layer on Modulation Bandwidth of GaN-Based Light Emitting Diodes, ECS SOLID STATE LETTERS, 2014, 第 4 作者
（64） 282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 4 作者
（65） 氮化物深紫外LED研究新进展, 中国科学: 物理学 力学 天文学, 第 4 作者

（ 1 ） 中国新材料热点领域产业发展战略, 科学技术文献出版社, 2015-05, 第 3 作者

   

（ 1 ） ****青年项目, 负责人, 国家任务, 2012-04--2015-03
（ 2 ） 高铝组分氮化物材料制备技术研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
（ 3 ） GaN基HBT射频性能提升的研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2017-12
（ 4 ） 高效GaN基绿光LED研究, 参与, 国家任务, 2014-01--2017-12
（ 5 ） AlGaN基紫外激光二极管研究, 参与, 国家任务, 2014-01--2017-12
（ 6 ） 深紫外LED材料与芯片自主研制, 负责人, 地方任务, 2016-01--2017-12
（ 7 ） 用于中等功率通用电源的高效率GaN基电力电子技术, 负责人, 国家任务, 2017-07--2020-12
（ 8 ） 氮化镓基高空穴迁移率晶体管材料与器件研究, 负责人, 国家任务, 2019-01--2019-12
（ 9 ） 太赫兹微系统基础问题, 负责人, 国家任务, 2018-01--2021-11
（ 10 ） GaN基毫米波HEMT关键工艺与集成, 负责人, 境内委托项目, 2022-04--2023-03
（ 11 ） 5G/6G高性能射频器件研究, 负责人, 中国科学院计划, 2022-07--2027-07

（1）AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes on high-temperature annealed sputtered AlN on sapphire   2018-11-11
（2）Ultra-high-power characteristics of GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors   3. Yi-Che Lee, Yun Zhang, Zachary M. Lochner, Hee Jin Kim, Jae-Hyun Ryou, Russell D. Dupuis, and Shyh-Chiang Shen   2011-07-15
（3）Low-knee-voltage GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors with collector current density 20 kA/cm2   5. Yun Zhang, Yi-Che Lee, Zachary Lochner, Hee Jin Kim, Jae-Hyun Ryou, Russell D. Dupuis, and Shyh-Chiang Shen   2011-05-17
（4）Direct-growth GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors on sapphire substrates with current gain 100 and JC 7.2 kA/cm2 and power density 240 kW/cm2   Yun Zhang, Yi-Che Lee, Zachary Lochner, Hee Jin Kim, Suk Choi, Jae-Hyun Ryou, Russell D. Dupuis, and Shyh-Chiang Shen   2010-09-21
（5）A surface treatment technique for III-N device fabrication   Y. Zhang, M. Britt, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, and S.-C. Shen   2008-04-15
（6）GaN ultraviolet avalanche photodiodes fabricated on free-standing bulk GaN substrates   Y. Zhang, D. Yoo, J.-B. Limb, J. H. Ryou, R. D. Dupuis, and S.-C. Shen   2007-09-24