基本信息
张韵  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: yzhang34@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所1号科研楼
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080501-材料物理与化学
080901-物理电子学
招生方向
AlGaN高效率紫外LED与激光器
GaN射频毫米波与太赫兹器件及MMIC
GaN高压电力电子横向器件与纵向器件

教育背景

2006-05--2011-07   佐治亚理工学院   博士
2001-09--2005-07   清华大学   本科

工作经历

   
工作简历
2015-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 所长助理
2012-04~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2011-08~2012-02,美国高平(Kopin)半导体公司, 研发工程师
2006-05~2011-07,佐治亚理工学院, 博士
2001-09~2005-07,清华大学, 本科

教授课程

半导体照明与氮化镓器件
半导体照明技术
专题实践

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: 202010445714.9

( 2 ) 用于半桥模块寄生电感校准测试的测试装置及方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113156216A

( 3 ) 激光照明装置, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112648548A

( 4 ) 在侧向外延薄膜上自对准形成图形及制备外延材料的方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN109920727B

( 5 ) 一种AlGaN基二极管及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111341893B

( 6 ) 声学滤波器与HEMT异构集成的结构及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN109534278B

( 7 ) HEMT器件及其制作方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111952177A

( 8 ) 高显色指数及色温可调的高光通量白光激光照明装置, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111578159A

( 9 ) 体声波谐振器及其底电极的制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN107437930B

( 10 ) p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构及制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111446296A

( 11 ) 金属上单晶氮化物薄膜制备方法及体声波谐振器, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN106341095B

( 12 ) 可提高LED出光效率的硅基反射圈、制备方法及LED器件, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110299441A

( 13 ) 芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN107256911B

( 14 ) 半导体激光器及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109962406A

( 15 ) 半导体器件及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109841708A

( 16 ) 降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN104900689B

( 17 ) 一种体声波谐振器的结构及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109672419A

( 18 ) 兰姆波谐振器及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109560785A

( 19 ) 兰姆波谐振器及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109560785A

( 20 ) 隐形切割制备正、倒和倒梯形台状衬底的LED芯片的方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN106328778B

( 21 ) 一种凹槽阳极肖特基二极管的制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108091566A

( 22 ) 一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HEMT结构及生长方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN104241352B

( 23 ) GaN基LED器件, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN207765474U

( 24 ) GaN基LED器件及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108110097A

( 25 ) 一种凹槽阳极肖特基二极管及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108010959A

( 26 ) 增强型GaN HEMT的制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107887435A

( 27 ) 声表面波谐振器、滤波器及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107634734A

( 28 ) 一种LED芯片的图形化基板结构及其制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106531871A

( 29 ) 一种体声波器件的制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106341094A

( 30 ) 一种带有LED杀菌降解有机物功能的手持洗衣装置, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107119417A

( 31 ) 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN206440330U

( 32 ) 高光出射效率的LED芯片及其制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107068826A

( 33 ) 一种杀菌消毒的装置, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN206337054U

( 34 ) LED倒装基板的结构, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN206236704U

( 35 ) 紫外发光二极管器件的制备方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106784180A

( 36 ) 一种杀菌消毒的装置, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106517410A

( 37 ) 一种LED芯片的图形化基板及其制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106505130A

( 38 ) 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106441485A

( 39 ) 单晶体声波器件及制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106374032A

( 40 ) 增强型高电子迁移率晶体管及制备方法、半导体器件, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105720097A

( 41 ) 倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104538304A

( 42 ) 栅极与源漏极异面的GaN基HEMT的结构及其制作方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN105047709A

( 43 ) 无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管及制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104882522A

( 44 ) 转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104538303A

( 45 ) 采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104465905A

( 46 ) 一种紫外发光二极管器件的制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103956414A

( 47 ) 多功能LED手电筒, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN203743880U

( 48 ) 紫外发光二极管器件的制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103943737A

( 49 ) 可杀菌消毒的多功能餐盒, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN203692762U

( 50 ) 氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103811609A

( 51 ) 氮化镓激光器腔面的制作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103701037A

( 52 ) 在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103311097A

( 53 ) 一种金属纳米圆环的制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103268910A

( 54 ) 一种无线充电系统, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103227490A

出版信息

   
发表论文
(1) An Experimental and Theoretical Study of Impact of Device Parameters on Performance of AlN/Sapphire-Based SAW Temperature Sensors, Micromachines, 2022, 通讯作者
(2) Terahertz strong-field physics in light-emitting diodes for terahertz detection and imaging, COMMUNICATIONS PHYSICS, 2021, 第 14 作者
(3) E/D-Mode GaN Inverter on a 150-mm Si Wafer Based on p-GaN Gate E-Mode HEMT Technology, MICROMACHINES, 2021, 通讯作者
(4) Reducing the reverse leakage current of AlGaN/GaN heterostructures via low-fluence neutron irradiation, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2021, 第 10 作者
(5) Design and Switching Characteristics of Flip-Chip GaN Half-Bridge Modules Integrated with Drivers, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2021, 通讯作者
(6) Experimental and theoretical study on device-processing-incorporated fluorine in AlGaN/GaN heterostructures, AIP ADVANCES, 2020, 第 9 作者
(7) Light Extraction and Auger Recombination in AlGaN-Based Ultraviolet Light-Emitting Diodes, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2020, 通讯作者
(8) Soliton Comb Generation in Air-Clad AlN Microresonators, 2020 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO), 2020, 
(9) Phosphor-converted laser-diode-based white lighting module with high luminous flux and color rendering index, OPTICS EXPRESS, 2020, 通讯作者
(10) Structural characterization of AlN (11-22) films prepared by sputtering and thermal annealing on m-plane sapphire substrates, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2020, 通讯作者
(11) The Influence of Anode Trench Geometries on Electrical Properties of AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes, ELECTRONICS, 2020, 通讯作者
(12) Acceptor Decoration of Threading Dislocations in (Al, Ga)N/GaN Heterostructures, PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2020, 第 10 作者
(13) Enhanced performance of AIN SAW devices with wave propagation along the direction on c-plane sapphire substrate, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2019, 通讯作者
(14) Method of the out-of-band rejection improvement of the AlN based surface acoustic wave filters, ULTRASONICS, 2019, 通讯作者
(15) AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistor With Selective-Area Grown Emitter and Improved Base Contact, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 通讯作者
(16) Defect evolution of oxygen induced V-th-shift for ON-state biased AlGaN/GaN HEMTs, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 9 作者
(17) AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode on high-temperature annealed sputtered AlN template, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 通讯作者
(18) Reducing stimulated emission threshold power density of AlGaN/AlN multiple quantum wells by nano-trench-patterned AlN template, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 通讯作者
(19) 具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, 400 V Normally-off Recessed MOS-Gate AlGaN/GaN HEMT with High Threshold Voltage and Ultra-Low Gate-Leakage Current, 电工技术学报, 2018, 第 3 作者
(20) AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes on sputter-deposited AlN templates with epitaxial AlN/AlGaN superlattices, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 通讯作者
(21) Crystal quality improvement of sputtered AlN film on sapphire substrate by high-temperature annealing, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 通讯作者
(22) 具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, 400 V Normally-off Recessed MOS-Gate AlGaN/GaN HEMT with High Threshold Voltage and Ultra-Low Gate-Leakage Current, 电工技术学报, 2018, 第 3 作者
(23) Generation of multiple near-visible comb lines in an AlN microring via chi((2)) and chi((3)) optical nonlinearities, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 其他(合作组作者)
(24) Enhancing the light extraction of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes in the nanoscale, JOURNAL OF NANOPHOTONICS, 2018, 第 3 作者
(25) Integrated High-Q Crystalline AIN Microresonators for Broadband Kerr and Raman Frequency Combs, ACS PHOTONICS, 2018, 其他(合作组作者)
(26) Impact of device parameters on performance of one-port type SAW resonators on AIN/sapphire, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2018, 第 3 作者
(27) Deep-ultraviolet stimulated emission from AlGaN/AlN multiple-quantum-wells on nano-patterned AlN/sapphire templates with reduced threshold power density, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 通讯作者
(28) The effect of AlN/AlGaN superlattices on crystal and optical properties of AlGaN epitaxial layers, The effect of AlN/AlGaN superlattices on crystal and optical properties of AlGaN epitaxial layers, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2017, 通讯作者
(29) Enhancing light coupling and emission efficiencies of AlGaN thin film and AlGaN/GaN multiple quantum wells with periodicity-wavelength matched nanostructure array, NANOSCALE, 2017, 第 5 作者
(30) Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition, CRYSTENGCOMM, 2017, 第 9 作者
(31) 大面积规则排布的AlN纳米柱阵列制备, Preparation of Ordered Aligned AlN Nanorods Array with Large-Scale Area, 半导体技术, 2017, 第 4 作者
(32) Aluminum nitride-on-sapphire platform for integrated high-Q microresonators., OPTICS EXPRESS, 2017, 其他(合作组作者)
(33) Light extraction enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by substrate sidewall roughening, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 通讯作者
(34) Sapphire substrate sidewall shaping of deep ultraviolet light-emitting diodes by picosecond laser multiple scribing, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2017, 通讯作者
(35) Graphene-assisted growth of high-quality AlN by metalorganic chemical vapor deposition, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 6 作者
(36) Cross-stacked carbon nanotubes assisted self-separation of free-standing GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 6 作者
(37) The study of the contribution of the surface and bulk traps to the dynamic Rdson in AlGaN/GaN HEMT by light illumination, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 5 作者
(38) Formation and characteristics of AlGaN-based three-dimensional hexagonal nanopyramid semi-polar multiple quantum wells, NANOSCALE, 2016, 通讯作者
(39) Normally-off Recessed MOS-gate AlGaN/GaN HEMTs with Over+4V Saturation Drain Current Density and a 400V Breakdown Voltage, 2016 13TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING: INTERNATIONAL FORUM ON WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS CHINA (SSLCHINA: IFWS), 2016, 
(40) 具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(英文), High-threshold-voltage Normally-off Recessed MOS-gate AlGaN/GaN HEMT with Large Gate Swing, 发光学报, 2016, 第 2 作者
(41) GaN-based violet lasers grown on sapphire with a novel facet fabrication method, Solid state lighting (sslchina), 2015 12th china international forum, 2016, 第 2 作者
(42) 具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, High-threshold-voltage Normally-off Recessed MOS-gate AlGaN/GaN HEMT with Large Gate Swing, Chinese Journal of Luminescence, 2016, 第 2 作者
(43) AlGaN/GaN high electron mobility transistors with selective area grown p-GaN gates, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 通讯作者
(44) Improved Crystalline Quality of AlN by Epitaxial Lateral Overgrowth Using Two-Phase Growth Method for Deep-Ultraviolet Stimulated Emission, IEEE Photonics Journal, 2016, 第 3 作者
(45) Stimulated emission at 272 nm from an AlxGa1−xN-based multiple-quantum-well laser with two-step etched facets, RSC ADVANCES, 2016, 通讯作者
(46) 具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管, Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT with High On/Off Drain Current Ratio, 发光学报, 2016, 第 2 作者
(47) Broadband tunable microwave photonic phase shifter with low RF power variation in a high-Q AlN microring, OPTICS LETTERS, 2016, 其他(合作组作者)
(48) AlGaN/GaN 功率器件缓冲层陷阱的分析方法, Analysis Methods of the Traps in the Buffer Layer in AlGaN/GaN Power Devices, 半导体技术, 2016, 第 6 作者
(49) A PMT-like high gain avalanche photodiode based on GaN/AlN periodically stacked structure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 16 作者
(50) Stimulated emission at 288 nm from silicon-doped AlGaN-based multiple-quantum-well laser, OPTICS EXPRESS, 2015, 第 3 作者
(51) AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on High-quality AlN template using MOVPE, Journal of Crystal Growth, 2015, 第 3 作者
(52) 氮化物深紫外LED研究新进展, SCIENTIA SINICA Physica, Mechanica & Astronomica, 2015, 第 4 作者
(53) 氮化物深紫外LED研究新进展, SCIENTIA SINICA Physica, Mechanica & Astronomica, 2015, 第 4 作者
(54) AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on High-quality AIN template using MOVPE, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 第 3 作者
(55) AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes grown on nano-patterned sapphire substrates with significant improvement in internal quantum efficiency, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 3 作者
(56) Optical properties of nanopillar AlGaN/GaN MQWs for ultraviolet light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 3 作者
(57) Influence of AlGaN Electron Blocking Layer on Modulation Bandwidth of GaN-Based Light Emitting Diodes, ECS SOLID STATE LETTERS, 2014, 第 4 作者
(58) 282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 4 作者
发表著作
( 1 ) 中国新材料热点领域产业发展战略, 科学技术文献出版社, 2015-05, 第 3 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) ****青年项目, 负责人, 国家任务, 2012-04--2015-03
( 2 ) 高铝组分氮化物材料制备技术研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
( 3 ) GaN基HBT射频性能提升的研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2017-12
( 4 ) 高效GaN基绿光LED研究, 参与, 国家任务, 2014-01--2017-12
( 5 ) AlGaN基紫外激光二极管研究, 参与, 国家任务, 2014-01--2017-12
( 6 ) 深紫外LED材料与芯片自主研制, 负责人, 地方任务, 2016-01--2017-12
( 7 ) 用于中等功率通用电源的高效率GaN基电力电子技术, 负责人, 国家任务, 2017-07--2020-12
( 8 ) 氮化镓基高空穴迁移率晶体管材料与器件研究, 负责人, 国家任务, 2019-01--2019-12
( 9 ) 太赫兹微系统基础问题, 负责人, 国家任务, 2018-01--2021-11
( 10 ) GaN基毫米波HEMT关键工艺与集成, 负责人, 企业委托, 2022-04--2023-03
参与会议
(1)AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes on high-temperature annealed sputtered AlN on sapphire   2018-11-11
(2)Ultra-high-power characteristics of GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors   3. Yi-Che Lee, Yun Zhang, Zachary M. Lochner, Hee Jin Kim, Jae-Hyun Ryou, Russell D. Dupuis, and Shyh-Chiang Shen   2011-07-15
(3)Low-knee-voltage GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors with collector current density 20 kA/cm2   5. Yun Zhang, Yi-Che Lee, Zachary Lochner, Hee Jin Kim, Jae-Hyun Ryou, Russell D. Dupuis, and Shyh-Chiang Shen   2011-05-17
(4)Direct-growth GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors on sapphire substrates with current gain 100 and JC 7.2 kA/cm2 and power density 240 kW/cm2   Yun Zhang, Yi-Che Lee, Zachary Lochner, Hee Jin Kim, Suk Choi, Jae-Hyun Ryou, Russell D. Dupuis, and Shyh-Chiang Shen   2010-09-21
(5)A surface treatment technique for III-N device fabrication   Y. Zhang, M. Britt, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, and S.-C. Shen   2008-04-15
(6)GaN ultraviolet avalanche photodiodes fabricated on free-standing bulk GaN substrates   Y. Zhang, D. Yoo, J.-B. Limb, J. H. Ryou, R. D. Dupuis, and S.-C. Shen   2007-09-24