基本信息
王镇  男  博导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
email: zwang@mail.sim.ac.cn
address: 上海市长宁路865号
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工作经历

   
工作简历
2012-04~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员
2011-03~2012-03,日本情报通信研究机构, 主管研究员
2006-01~2011-03,日本情报通信研究机构纳米ICT研究组, 组长
2004-04~2011-12,日本情报通信研究机构超导电子学研究组, 组长
2001-04~2004-03,日本通信综合研究所超导电子学研究组, 组长
1994-07~2001-03,日本通信综合研究所超导研究室, 室长
1992-07~1994-06,日本通信综合研究所超导研究室, 主任研究员
1991-03~1992-06,日本通信综合研究所超导研究室, 研究员
1978-09~1985-01,南京大学物理系, 助教

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 中国光学工程学会技术发明奖, 一等奖, 其他, 2019
(2) 应用物理学会超导分会论文奖, , 其他, 2012
(3) 日本文部科学大臣奖, , 部委级, 2011
(4) 2010年获得日本第14届超导科技奖, , 国家级, 2010
专利成果
( 1 ) 提高超导纳米线单光子探测器计数率的方法及系统, 2019, 第 5 作者, 专利号: 201810107671.6

( 2 ) 基于3D纳米桥结的超导量子干涉滤波器及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201711008605.5

( 3 ) 窄带吸收超导纳米线单光子探测器, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201510593967.X

( 4 ) 一种电子器件的制作方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201611257316.4

( 5 ) 一种超高分辨率的磁共振成像方法及装置, 2019, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2014/094175

( 6 ) 全张量磁场梯度测量组件及制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: 201710363781.4

( 7 ) 三维磁场测量组件及制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: 201710372145.8

( 8 ) 约瑟夫森结结构、存储单元、存储单元阵列及制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201810062542.X

( 9 ) 晶须单光子探测器件, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201710678394.X

( 10 ) 可降低恢复时间的超导纳米线单光子探测器件及制作方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201710257382.X

( 11 ) 抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201510593942.X

( 12 ) 超导纳米线单光子探测器, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201710678338.6

( 13 ) 一种超导电路结构及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: 201511028259.8

( 14 ) 氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: 201710031318.X

( 15 ) 氮化铌薄膜的制备方法、SQUID器件及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: 201511018443.4

( 16 ) 基于ERSFQ电路的低温超导读出电路及读出系统, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201611085483.5

( 17 ) 基于深硅刻蚀工艺的超导纳米线单光子探测器及制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201510593955.7

( 18 ) 一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构, 2017, 第 5 作者, 专利号: 2017218117733

( 19 ) 一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构及封装方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 2017114010318 

( 20 ) 光学胶折射率测量器件、测量系统及测量方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 2017111892769 

( 21 ) 基于3D纳米桥结的超导量子干涉滤波器及其制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 2017110086055 

( 22 ) 无磁屏蔽环境下抑制磁场干扰的SQUID器件的结构, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201410414568.8

( 23 ) 一种磁通超导探测器及制备方法以及探测方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 2017108838627

( 24 ) 约瑟夫森结电路模型和超导集成电路结构及建立方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 2017107271953 

( 25 ) 超导纳米线单光子探测器, 2017, 第 3 作者, 专利号: 2017106783386 

( 26 ) 宽谱超导纳米线单光子探测器件, 2017, 第 4 作者, 专利号: 2017106784124 

( 27 ) 一种二阶SBC超导量子干涉梯度计及制作方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201410199606.2

( 28 ) 全张量磁场梯度测量组件及制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 2017103637814 

( 29 ) 三维磁场测量组件及制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 2017103721458 

( 30 ) 具有辅助环的超导纳米线单光子探测器件及其制作方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 2017102573783 

( 31 ) 可降低恢复时间的超导纳米线单光子探测器件及制作方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201710257382X 

( 32 ) 集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器, 2017, 第 5 作者, 专利号: 2017102076155 

( 33 ) 氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201710031318X 

( 34 ) 降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201410334717X 

( 35 ) 降低纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件, 2014, 第 5 作者, 专利号: 2014101063027 

( 36 ) 超伝導単一光子検出器および超伝導単一光子検出器の実装方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: No. 2010-039628

( 37 ) 超伝導単一光子検出素子、超伝導単一光子検出素子の製造方法および超伝導単一光子検出器の部品の実装方法, 2010, 第 5 作者, 专利号: No. 2008-077174

( 38 ) 超伝導単一光子検出素子および超伝導単一光子検出素子の製造方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: No. 2007-200727

( 39 ) 信号処理回路およびインターフェイス回路, 2009, 第 3 作者, 专利号: No. 2008-077174

( 40 ) 積層型超伝導接合及びその製造方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: No.2006-293427

出版信息

   
发表著作
( 1 ) 太赫兹技术手册4.5.1. SIS混频器4.5.2. HEB混频器, Terahertz technology manual, 日本NGT出版社, 2007-06, 第 1 作者
( 2 ) 簿膜手册(第2版)4.1.2.(3) 金属系超导薄膜的制备和特性, film manual, 日本Ohmsha出版社, 2008-06, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 超导计算机研发, 负责人, 中国科学院计划, 2018-02--2023-12
( 2 ) 超导电子器件应用基础研究, 负责人, 中国科学院计划, 2012-10--2016-12
( 3 ) 超导器件平台建设项目, 负责人, 国家任务, 2011-09--2013-09