080903-微电子学与固体电子学

高功率半导体激光二极管及组件

1992-09--1995-07   吉林大学   理学硕士
1988-09--1992-07   吉林大学   理学学士

   

2009-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员级高工
1999-10~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
1995-09~现在, 中国科学院半导体研究所, 助理研究员
1992-09~1995-07,吉林大学, 理学硕士
1988-09~1992-07,吉林大学, 理学学士

2005-08-01-2027-07-31,激光安全国家标准化委员会, 技术委员

   

（1） 高性能大功率面发射半导体激光 技术及应用开发, 二等奖, 省级, 2023
（2） 高功率激光二极管阵列及组件, 二等奖, 部委级, 2018
（3） 大功率半导体激光二极管及组件, 三等奖, 省级, 2012
（4） LD泵浦源封装准直整形技术研究, 三等奖, 部委级, 2009
（5） 高功率激光二极管列阵, 二等奖, 院级, 2000
（6） 大功率半导体激光器, 三等奖, 国家级, 1998
（7） 大功率半导体激光器, 一等奖, 部委级, 1997

（ 1 ） 激光器的制备方法及激光器, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114122914A

（ 2 ） 激光器的制备方法及激光器, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114038742A

（ 3 ） 一种去除外延片衬底的方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113764968A

（ 4 ） 锥形半导体激光器分离电极热沉, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113517628A

（ 5 ） 亚波长光栅及垂直腔面发射激光器, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113488846A

（ 6 ） 一种具有电流阻挡层的激光器, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113206448A

（ 7 ） 一种主振荡功率放大激光器及制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113206441A

（ 8 ） 光子晶体垂直腔面发射激光器, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113140961A

（ 9 ） 排布优化方法、排布优化装置、电子设备及可读存储介质, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113065258A

（ 10 ） 半导体激光器电源驱动装置, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112803802A

（ 11 ） 一种AlGaAs/AlGaInP混合材料的外延生长方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN111404025B

（ 12 ） 一种微机电系统、垂直腔面发射激光器及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112537752A

（ 13 ） 一种半导体激光器及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112510486A

（ 14 ） 磨抛夹具, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN211916518U

（ 15 ） 一种低位错原位刻蚀MOCVD二次外延生长方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111180313A

（ 16 ） 用于二次外延预处理的腐蚀液、其制备方法及预处理方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111073649A

（ 17 ） 电镀夹具, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110359079A

（ 18 ） 电镀夹具, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110359079A

（ 19 ） 半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110289549A

（ 20 ） 半导体器件芯片结构及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110277733A

（ 21 ） 半导体光电器件衬底减薄方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109760220A

（ 22 ） 单管半导体激光器的多单管多波长波长合束模块, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109713567A

（ 23 ） 利用杂质诱导混杂技术制作半导体激光器的方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109217108A

（ 24 ） 半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108847575A

（ 25 ） 可快速装卸料管式炉, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN108800930A

（ 26 ） 手持式研磨制样夹具, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108789064A

（ 27 ） 矩形平面镜夹具结构及夹持平面镜的方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108802951A

（ 28 ） 波长稳定DFB激光器及切趾光栅的制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108400522A

（ 29 ） 一种电镀夹具及其使用方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108360047A

（ 30 ） 三波长多单管半导体激光器的光纤耦合装置, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN107884885A

（ 31 ） 单一波长多单管半导体激光器的尾纤耦合装置, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN107884884A

（ 32 ） 单管半导体激光器的多管合束装置, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN207009893U

（ 33 ） 一种半导体激光器慢轴准直夹具组件及其应用方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107275920A

（ 34 ） 半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN107230932A

（ 35 ） 半导体单管激光器的存储装置, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN106742604A

（ 36 ） 磨抛夹具, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106695554A

（ 37 ） 半导体激光器微通道水冷叠阵的对齐组装装置, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106532427A

（ 38 ） 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN106099637A

（ 39 ） 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN106025795A

（ 40 ） 光纤耦合慢轴夹具装置, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105807377A

（ 41 ） 单管芯激光二极管测试老化夹具, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105699709A

（ 42 ） 用于单管芯激光二极管测试老化夹具及使用方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105628984A

（ 43 ） 多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及其制造方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105429004A

（ 44 ） 一种半导体激光器列阵烧结装置和烧结方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105428995A

（ 45 ） 冷却小通道热沉, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN105048281A

（ 46 ） 分布反馈激光器中基于纳米压印光栅干法刻蚀的方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104901160A

（ 47 ） 一种高功率密度半导体激光器热沉, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104682189A

（ 48 ） 一种半导体激光器及其制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104466671A

（ 49 ） 大功率低阈值基横模975nm半导体激光器管芯, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104466678A

（ 50 ） 一种激光二极管测试老化夹具, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN104166020A

（ 51 ） 一种用于LDA的外腔锁模波长合束装置和方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN104134930A

（ 52 ） 一种用于激光器无遮挡镀膜的镀膜架装置, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN104037617A

（ 53 ） 激光器合束装置和方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103904557A

（ 54 ） 一种窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103474873A

（ 55 ） 柔性掩模板的制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102747319A

（ 56 ） 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102163804A

（ 57 ） 宽面808nm分立模式半导体激光器结构的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102148479A

（ 58 ） 光纤侧圆柱面镀膜旋转装置及方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102071404A

（ 59 ） 固体激光器用YAG棒的固定方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102074879A

（ 60 ） 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构, 2010, 第 10 作者, 专利号: CN101888056A

（ 61 ） LD单管光束整形模块, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101840070A

（ 62 ） 高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101841124A

（ 63 ） 带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101841123A

（ 64 ） 一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101820134A

（ 65 ） 光纤放大器种子源模块, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101783478A

（ 66 ） 半导体激光器储存盒, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101774462A

（ 67 ） 半导体激光器储存盒, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101774463A

（ 68 ） 半导体激光器bar条储存盒, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101774461A

（ 69 ） 半导体激光器储存盒, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101746578A

（ 70 ） 减薄抛光用的精密磨抛头机械装置, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101269478B

（ 71 ） 晶圆表面脱液处理装置, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101740354A

（ 72 ） 掺Yb双包层光纤激光器v形槽侧面粘和泵浦方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101645576A

（ 73 ） 叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101640368A

（ 74 ） 叠层LD光纤光导椎泵浦光纤激光器的制作方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101635430A

（ 75 ） 减薄抛光用的精密磨抛头机械装置, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101269478A

（ 76 ） 半导体激光器热沉, 2008, 第 7 作者, 专利号: CN101242079A

（ 77 ） 半导体激光器热沉管道, 2008, 第 5 作者, 专利号: CN201048241Y

（ 78 ） 半导体激光器热沉管道, 2008, 第 9 作者, 专利号: CN201048240Y

（ 79 ） 自动搅拌滴料桶, 2008, 第 8 作者, 专利号: CN201042780Y

（ 80 ） 偏心调焦的光纤转接器结构和光纤转接器调整方法, 2007, 第 6 作者, 专利号: CN1908714A

（ 81 ） 一种适合于大批量生产的激光器COD消除方法, 2006, 第 4 作者, 专利号: CN1877935A

（ 82 ） 数字多功能光盘用大功率650nm半导体激光器及制作方法, 2006, 第 4 作者, 专利号: CN1805027A

（ 83 ） 半绝缘衬底长波长半导体激光器及其制作方法, 2006, 第 4 作者, 专利号: CN1756010A

（ 84 ） 铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法, 2006, 第 4 作者, 专利号: CN1719677A

（ 85 ） 带导轨的镀膜架, 2004, 第 1 作者, 专利号: CN2651264Y

   

（1） Zn杂质诱导GaInP/AlGaInP红光半导体激光器量子阱混杂的研究, Study on Quantum Well Intermixing Induced by Zn Impurities in GaInP/AlGaInP Red Semiconductor Lasers, 光子学报, 2024, 第 2 作者
（2） 可调谐垂直腔面发射激光器支撑结构优化设计, 光学学报, 2023, 第 6 作者
（3） 795 nm大功率外腔半导体激光器的研究, Research on 795 nm High Power External Cavity Semiconductor Laser, 光学学报, 2023, 第 6 作者
（4） 宽温度锁定808 nm激光器阵列, 808 nm Laser Array with Wide Temperature���Locking Range, 中国激光, 2023, 第 6 作者
（5） 940 nm VCSEL 中 DBR 的反射特性分析, 中国激光, 2023, 第 6 作者
（6） 1064 nm半导体可饱和吸收镜的特性, 光学学报, 2023, 第 4 作者
（7） 940 nm 垂直腔面发射激光器单管器件的设计与制备, 物理学报, 2023, 第 6 作者
（8） 多变量Si杂质诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂研究, InGaAs/AlGaAs quantum well intermixing induced by Si impurities under multi-variable conditions, 中国光学(中英文), 2023, 第 5 作者
（9） 905 nm多有源区半导体激光器芯片结构优化设计, Chip Structure Optimization of 905 nm Multiple-Active-Region Semiconductor Lasers, 光学学报, 2023, 第 6 作者
（10） 1550nm高功率基横模半导体激光器及温度特性, 1550 nm High-Power Fundamental Transverse Mode Semiconductor Laser and Its Temperature Characteristics, 光学学报, 2023, 第 8 作者
（11） 高功率1060 nm锥形激光器, High Power 1060 nm Tapered Laser, 光学学报, 2022, 第 7 作者
（12） 光子晶体垂直腔面发射激光器的设计分析, Design and Analysis of Photonic Crystal Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, 光学学报, 2022, 第 5 作者
（13） 带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管, High Performance InGaAs/AlGaAs Quantum Well Semiconductor Laser Diode with Non-absorption Window, 发光学报, 2022, 第 5 作者
（14） 对915nm InGaAsP/GaAsP初次外延片量子阱混杂的研究, Quantum Well Intermixing of 915 nm InGaAsP/GaAsP Primary Epitaxial Wafers, 光学学报, 2022, 第 4 作者
（15） 应变补偿多量子阱结构半导体可饱和吸收镜, Strain-Compensated Multiquantum Well Structure Semiconductor Saturable Absorber Mirror, 中国激光, 2022, 第 6 作者
（16） 基于循环退火的Si诱导量子阱混杂研究（特邀）, Research on Si-induced Quantum Well Intermixing Based on Cyclic Annealing(Invited), 光子学报, 2022, 第 6 作者
（17） Si_（x）N_（y）沉积参数对量子阱混杂效果的影响, Influence of Si_(x)N_(y) Deposition Parameters on Intermixing of Quantum Wells, 光学学报, 2022, 第 5 作者
（18） 不同Al组分的扩散阻挡层对无杂质空位诱导量子阱混杂的影响, Influence of Diffusion Barriers with Different Al Compositions on Impurity-Free Vacancy Induced Quantum Well Mixing, 中国激光, 2021, 第 5 作者
（19） 高性能9xx nm大功率半导体激光器, High Performance 9xx nm High Power Semiconductor Laser, 发光学报, 2020, 第 4 作者
（20） 高功率高可靠性9XX nm激光二极管, High-Power and High-Reliability 9XX-nm Laser Diode, 中国激光, 2020, 第 4 作者
（21） Si杂质扩散诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的研究（英文）, 中国光学, 2020, 第 6 作者
（22） 具有线性张角结构和非线性张角结构的锥形激光放大器的分析, Analysis of Tapered Laser Amplifiers with Linear and Nonlinear Angle-Opening Structures, 光学学报, 2020, 第 3 作者
（23） Comprehensive design and simulation of a composite reflector for mode control and thermal management of a high-power VCSEL, JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA B-OPTICAL PHYSICS, 2020, 第 3 作者
（24） Si杂质扩散诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的研究, Intermixing in InGaAs/AlGaAs quantum well structures induced by the interdiffusion of Si impurities, 中国光学, 2020, 第 6 作者
（25） High power density and temperature stable vertical-cavity surface-emitting laser with a ring close packing structure, OPTICS AND LASER TECHNOLOGY, 2020, 第 3 作者
（26） 极低内部光学损耗975 nm半导体激光器, 975 nm Semiconductor Lasers with Ultra-Low Internal Optical Loss, 光学学报, 2020, 第 4 作者
（27） 高功率半导体激光泵浦源研究进展, Research progress of high power semiconductor laser pump source, 强激光与粒子束, 2020, 第 4 作者
（28） 半导体激光器边缘绝热封装改善慢轴光束质量, Improving Slow-Axis Laser Beam Quality of Semiconductor Laser with Edge Adiabatic Package, 中国激光, 2020, 第 6 作者
（29） 808 nm宽条型激光器绝热封装改善慢轴光束质量, Improving Slow Axis Beam Quality of 808 nm Broad-area Laser Diodes with Adiabatic Package, 发光学报, 2019, 第 5 作者
（30） 915nm半导体激光器新型腔面钝化工艺, 915nm semiconductor laser new type facet passivation technology, 红外与激光工程, 2019, 第 8 作者
（31） 管式炉中半导体激光器巴条Au80Sn20焊料封装研究, Study on Au80Sn20 Solder Package for Semiconductor Laser Bar in Tube Furnace, 发光学报, 2019, 第 5 作者
（32） 大功率半导体激光器封装热应力研究, Thermal Stressin High-Power Semiconductor Laser Packaging, 中国激光, 2019, 第 4 作者
（33） 砷化镓基近红外大功率半导体激光器的发展及应用, Development and Applications of GaAs-Based Near-Infrared High Power Semiconductor Lasers, 激光与光电子学进展, 2019, 第 5 作者
（34） 808nm半导体分布反馈激光器的光栅设计与制作, Design and preparation of grating for 808nm semiconductor distributed feedback laser, 红外与激光工程, 2019, 第 4 作者
（35） Optimized arrangement of vertical cavity surface emitting laser arrays to improve thermal characteristics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 3 作者
（36） Thermal Stressin High-Power Semiconductor Laser Packaging, CHINESE JOURNAL OF LASERS-ZHONGGUO JIGUANG, 2019, 第 4 作者
（37） 基于GaAs膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究, Impurity-free Vacancy Diffusion Induces Intermixing inGaInP/AlGaInP Quantum Wells Using GaAs Encapsulation, 发光学报, 2018, 第 4 作者
（38） 外延叠层多有源区激光器的结构优化设计, Optimization Design of Epitaxially-Stacked Multiple-Active-Region Lasers, 光学学报, 2018, 第 4 作者
（39） 电致发光用于大功率半导体激光器失效模式分析, Failure Mode Analysis of High-power Laser Diodes by Electroluminescence, 发光学报, 2018, 第 5 作者
（40） 半导体激光器双波长光纤耦合模块的ZEMAX设计, Design of double wavelengths fiber coupled module of semiconductor diode laser by ZEMAX, 红外与激光工程, 2018, 第 6 作者
（41） Bulk Degradation of High Power InAlGaAs-AlGaAs Strained Quantum Well Lasers, JOURNALOFNANOSCIENCEANDNANOTECHNOLOGY, 2018, 第 6 作者
（42） 电致发光用于大功率半导体激光器失效模式分析, Failure Mode Analysis of High-power Laser Diodes by Electroluminescence, 发光学报, 2018, 第 5 作者
（43） 基于GaAs膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究, Impurity-free Vacancy Diffusion Induces Intermixing inGaInP/AlGaInP Quantum Wells Using GaAs Encapsulation, 发光学报, 2018, 第 4 作者
（44） AuSn焊料组分对半导体激光器件性能的影响, Performance of Semiconductor Laser Devices Packaged by Different AuSn Solder Composition, 发光学报, 2018, 第 7 作者
（45） 基于SiO2薄膜的915nm半导体激光器的无杂质空位诱导量子阱混合研究, Impurity-free Vacancy Diffusion Induces Quantum Well Intermixing in 915nm Semiconductor Laser Based on SiO2 Film, 光子学报, 2018, 第 6 作者
（46） 110 W高功率高亮度915 nm半导体激光器光纤耦合模块研究, 110 W High Power and High Brightness 915 nm Fiber Coupled Laser Diode Module, 发光学报, 2017, 第 8 作者
（47） 1.06 μm high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers, 1.06 ��m high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers, 半导体学报：英文版, 2017, 第 4 作者
（48） 110 W高功率高亮度915 nm半导体激光器光纤耦合模块研究, 110 W High Power and High Brightness 915 nm Fiber Coupled Laser Diode Module, 发光学报, 2017, 第 8 作者
（49） 1.06 μm high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers, 1.06 ��m high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers, 半导体学报：英文版, 2017, 第 4 作者
（50） 高功率密度激光二极管叠层散热结构的热分析, Thermal Analysis of High Power Density Laser Diode Stack Cooling Structure, 发光学报, 2016, 第 5 作者
（51） High power 980 nm broad area distributed feedback laser with first-order gratings, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 6 作者
（52） 980nm大功率基横模分布反馈激光器研究, 中国激光, 2016, 第 1 作者
（53） Effects of the substrate misorientation on the structural and optoelectronic characteristics of tensile GaInP quantum well laser diode wafer, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 第 9 作者
（54） Life prediction of 808nm high power semiconductor laser by accelerated life test of constant current stress, SPIE PROCEEDINGS, 2016, 第 5 作者
（55） Parylene 膜对半导体激光器性能的影响, 半导体技术, 2016, 第 5 作者
（56） 980 nm大功率基横模分布反馈激光器, 980 nm High-Power Fundamental Mode Distributed-Feedback Laser, 中国激光, 2016, 第 6 作者
（57） 高功率半导体激光器陶瓷封装散热性能研究, Thermal Performance of High-power Semiconductor Laser Packaged by Ceramic Submount, 发光学报, 2016, 第 5 作者
（58） Finite element analysis of expansion-matched submounts for high-power laser diodes packaging, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 4 作者
（59） 半导体激光器光纤耦合输出光斑均匀性的研究, Study on Uniformity of Fiber Optical Spots of Semiconductor Lasers, 半导体光电, 2015, 第 8 作者
（60） GaAs基高功率半导体激光器单管耦合研究, 发光学报, 2015, 第 6 作者
（61） Design and simulation of a novel high-efficiency cooling heat-sink structure using fluid-thermodynamics, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 5 作者
（62） 带有非吸收窗口的大功率915 nm半导体激光器, High Power 915 nm Semiconductor Lasers with Non-absorbing Windows, 半导体技术, 2015, 第 3 作者
（63） Life Prediction of 808nm High Power Semiconductor Laser by Accelerated Life Test of Constant Current Stress, AOPC 2015: ADVANCES IN LASER TECHNOLOGY AND APPLICATIONS, 2015, 第 5 作者
（64） An exploration of slab-coupled semiconductor lasers, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2014, 第 7 作者
（65） GaAs基半导体激光器真空解理钝化工艺研究, Study on Vacuum Cleavage Passivation Technology of GaAs Semiconductor Laser, 半导体光电, 2014, 第 6 作者
（66） Fabrication of GdBa2Cu3O7-delta films by photo-assisted-MOCVD process, PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS, 2014, 第 5 作者
（67） High power single mode 980 nm AlGaInAs/AlGaAs quantum well lasers with a very low threshold current, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 第 4 作者
（68） Improved spectral characteristics of 980 nm broad area slotted Fabry-Perot diode lasers, Improved spectral characteristics of 980 nm broad area slotted Fabry-Perot diode lasers, 半导体学报, 2012, 第 5 作者
（69） Improved spectral characteristics of 980 nm broad area slotted Fabry-Perot diode lasers, Improved spectral characteristics of 980 nm broad area slotted Fabry-Perot diode lasers, 半导体学报, 2012, 第 5 作者
（70） 大功率宽条分布反馈激光器研究, Study of High-Power Broad Area Distributed-Feedback Laser, 中国激光, 2011, 第 4 作者
（71） Study of high-power broad area distributed-feedback laser, ZHONGGUO JIGUANG/CHINESE JOURNAL OF LASERS, 2011, 第 4 作者
（72） High power885 nm laser diodes with graded optical expand structures for small divergence angle, HONGWAI YU JIGUANG GONGCHENG/INFRARED AND LASER ENGINEERING, 2011, 第 9 作者
（73） 渐变光扩展结构减小885nm高功率激光二极管发散角, High power 885 nm laser diodes with graded optical expand structures for small divergence angle, 红外与激光工程, 2011, 第 9 作者
（74） 新型激光二极管列阵光束整形方法, Novel Beam-Shaping Method for LDA, 半导体技术, 2010, 第 7 作者
（75） 高效率半导体激光器波导层掺杂的优化设计, Doping Profile Optimization and Design of Waveguide Layer for Laser Diode with High Conversion Efficiency, 半导体光电, 2010, 第 6 作者
（76） 非对称波导结构提高980nm激光二极管电光效率的机理研究, Mechanisms of high efficiency for 980nm diode lasers with asymmetric waveguide structure, 强激光与粒子束, 2010, 第 9 作者
（77） 大功率小垂直发散角980nm量子阱激光器, High-power 980nm Quantum-well Laser Diode with a Small Vertical Divergence Angle, 半导体光电, 2010, 第 6 作者
（78） 连续百瓦级高功率半导体阵列激光器热效应分析, Thermal Analysis of High Power Diode Laser Arrays with Hundred-Watt Continuous-Wave Output Power, 激光与光电子学进展, 2010, 第 7 作者
（79） 双包层光纤激光器微棱镜反射式侧面耦合的新技术, New Reflecting Side-Pumped method of Double-Clad Fiber Laser by Micro-prism, 光学学报, 2009, 第 3 作者
（80） 半导体激光器单管准直实验研究, Study on Collimating of Semiconductor Diode Laser, 半导体技术, 2009, 第 7 作者
（81） 双包层光纤梯形微棱镜侧面耦合技术, A Side-Pumping Method of Double-Clad Fiber by Trapezoidal Micro-prism, 中国激光, 2009, 第 3 作者
（82） 双平行平面反射镜在激光二极管阵列光束整形中的应用, Study of the Beam Shaping of Laser Diode Arrays Using Two Parallel Plane Mirrors, 中国激光, 2009, 第 8 作者
（83） 259W准连续无铝808nm激光二极管列阵, 半导体学报, 2008, 第 1 作者
（84） 国内大功率半导体激光器研究及应用现状, Present situation of investigations and applications in high power semiconductor lasers, 红外与激光工程, 2008, 第 3 作者
（85） 259W准连续无铝808nm激光二极管线列阵, 259W QCW Al-Free 808nm Linear Laser Diode Arrays, 半导体学报, 2008, 第 1 作者
（86） 采用双折射晶体实现大功率半导体列阵激光器偏振复合, Polarization multiplexing of high power diode laser arrays by using a birefringent crystal, 光电子．激光, 2008, 第 7 作者
（87） 60％电光效率高功率激光二极管阵列, High Power Laser Diode Array with 60% Electro-Optical Efficiency, 中国激光, 2008, 第 8 作者
（88） 大功率半导体列阵激光器的偏振复用技术研究, Study on Polarization Multiplexing Technology for High-power Diode Laser Arrays, 半导体光电, 2008, 第 6 作者
（89） 百分之六十电光效率高功率激光二极管阵列, 中国激光, 2008, 第 1 作者  通讯作者
（90） 808nm大功率无铝有源区非对称波导结构激光器, 808 nm High-Power Lasers with Al-Free Active Region with Asymmetric Waveguide Structure, 中国激光, 2007, 第 8 作者
（91） 808-nm fiber coupled module with a CW output power up to 130 W, CHINESE OPTICS LETTERS, 2007, 第 5 作者
（92） High power red-light GaInP/AlGaInP laser diodes with nonabsorbing windows based on Zn diffusion-induced quantum well intermixing, CHINESE OPTICS LETTERS, 2006, 第 5 作者
（93） 大功率670nm半导体激光器的研制, Fabrication of High Power 670nm Laser Diodes, 半导体学报, 2005, 第 5 作者
（94） Low-Threshold-Current and High-out-Power 660 nm Laser Diodes with a p-GaAs Current Blocking Layer for DVD-RAM/R, Low-Threshold-Current and High-out-Power 660 nm Laser Diodes with a p-GaAs Current Blocking Layer for DVD-RAM/R, 中国物理快报：英文版, 2005, 第 5 作者
（95） High Power 940 nm Al-free Active Region Laser Diodes and Bars with a Broad Waveguide, CHINESE JOURNAL OF LASERS, 2002, 第 8 作者
（96） High Power 940 nm Al-free Active Region Laser Diodes and Bars with a Broad Waveguide, CHINESE JOURNAL OF LASERS. B, 2002, 第 8 作者
（97） 157W准连续AlGaAs／GaAs激光二极管线列阵, 半导体学报, 2000, 第 2 作者
（98） 带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵, 高技术通讯, 2000, 第 7 作者
（99） 915—980nm应变量子阱激光器新进展, 功能材料与器件学报, 2000, 第 2 作者
（100） 连续输出20WAlGaAs／GaAs量子阱激光二极管线列阵, 高技术通讯, 1998, 第 2 作者
（101） 准连续大功率二维层叠量子阱激光器列阵, 高技术通讯, 1998, 第 2 作者
（102） 分布布拉格反射镜中具有渐变层的垂直腔面发射半导体激光器, 中国激光, 1996, 第 5 作者
（103） InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器, 红外与毫米波学报, 1996, 第 10 作者
（104） 半导体激光器的击穿失效及其预防措施, 激光集锦, 1996, 第 1 作者
（105） 具有金属反射膜的钨丝掩蔽两次质子轰击垂直腔面发射激光器, 半导体学报, 1995, 第 3 作者
（106） 室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器, 半导体学报, 1995, 第 10 作者
（107） 阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管, 半导体学报, 1995, 第 6 作者

   

（ 1 ） 波长稳定半导体激光器, 负责人, 国家任务, 2023-01--2025-11
（ 2 ） 1018nm激光器放大技术, 负责人, 国家任务, 2023-01--2025-11
（ 3 ） 中长波量子级联激光器及阵列技术研究2, 负责人, 国家任务, 2021-01--2023-12
（ 4 ） 光纤输出激光器, 负责人, 国家任务, 2021-01--2023-06
（ 5 ） 高功率半导体外延材料与器件, 负责人, 其他, 2021-01--2023-12
（ 6 ） 外延生长技术, 负责人, 国家任务, 2020-01--2022-12
（ 7 ） 高功率单管芯半导体激光器, 负责人, 境内委托项目, 2017-10--2020-10
（ 8 ） 中国科学院关键技术人才项目, 负责人, 其他国际合作项目, 2017-01--2020-12
（ 9 ） 高温半导体激光器, 参与, 国家任务, 2015-01--2016-12
（ 10 ） 宽光谱高温半导体激光器, 参与, 国家任务, 2015-01--2017-12
（ 11 ） 基础研发条件建设, 参与, 国家任务, 2014-10--2017-01
（ 12 ） 单管芯激光器, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
（ 13 ） 高效率准连续激光二极管, 参与, 国家任务, 2009-09--2012-06