080903-微电子学与固体电子学

高功率半导体激光二极管及组件

1992-09--1995-07   吉林大学   理学硕士
1988-09--1992-07   吉林大学   理学学士

   

2009-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员级高工
1999-10~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
1995-09~现在, 中国科学院半导体研究所, 助理研究员
1992-09~1995-07,吉林大学, 理学硕士
1988-09~1992-07,吉林大学, 理学学士

2005-08-03-2020-08-20,激光安全国家标准化委员会, 技术委员

   

（1） 大功率半导体激光二极管及组件, 三等奖, 省级, 2012
（2） LD泵浦源封装准直整形技术研究, 三等奖, 部委级, 2009
（3） 高功率激光二极管列阵, 二等奖, 院级, 2000
（4） 大功率半导体激光器, 三等奖, 国家级, 1998
（5） 大功率半导体激光器, 一等奖, 部委级, 1997

（ 1 ） 一种具有电流阻挡层的激光器, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113206448A

（ 2 ） 一种主振荡功率放大激光器及制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113206441A

（ 3 ） 光子晶体垂直腔面发射激光器, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113140961A

（ 4 ） 排布优化方法、排布优化装置、电子设备及可读存储介质, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113065258A

（ 5 ） 一种AlGaAs/AlGaInP混合材料的外延生长方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN111404025B

（ 6 ） 一种微机电系统、垂直腔面发射激光器及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112537752A

（ 7 ） 利用杂质诱导混杂技术制作半导体激光器的方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN109217108B

（ 8 ） 矩形平面镜夹具结构及夹持平面镜的方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN108802951B

（ 9 ） 一种低位错原位刻蚀MOCVD二次外延生长方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111180313A

（ 10 ） 用于二次外延预处理的腐蚀液、其制备方法及预处理方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111073649A

（ 11 ） 可快速装卸料管式炉, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN108800930B

（ 12 ） 一种电镀夹具及其使用方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN108360047B

（ 13 ） 半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN108847575B

（ 14 ） 电镀夹具, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110359079A

（ 15 ） 半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110289549A

（ 16 ） 半导体器件芯片结构及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110277733A

（ 17 ） 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN106025795B

（ 18 ） 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN106099637B

（ 19 ） 磨抛夹具, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN106695554B

（ 20 ） 半导体光电器件衬底减薄方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109760220A

（ 21 ） 单管半导体激光器的多单管多波长波长合束模块, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109713567A

（ 22 ） 一种半导体激光器慢轴准直夹具组件及其应用方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN107275920B

（ 23 ） 半导体单管激光器的存储装置, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN106742604B

（ 24 ） 冷却小通道热沉, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN105048281B

（ 25 ） 手持式研磨制样夹具, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108789064A

（ 26 ） 波长稳定DFB激光器及切趾光栅的制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108400522A

（ 27 ） 三波长多单管半导体激光器的光纤耦合装置, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN107884885A

（ 28 ） 单一波长多单管半导体激光器的尾纤耦合装置, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN107884884A

（ 29 ） 单管半导体激光器的多管合束装置, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN207009893U

（ 30 ） 半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN107230932A

（ 31 ） 一种高功率密度半导体激光器热沉, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN104682189B

（ 32 ） 半导体激光器微通道水冷叠阵的对齐组装装置, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106532427A

（ 33 ） 光纤耦合慢轴夹具装置, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105807377A

（ 34 ） 单管芯激光二极管测试老化夹具, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105699709A

（ 35 ） 用于单管芯激光二极管测试老化夹具及使用方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105628984A

（ 36 ） 多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及其制造方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105429004A

（ 37 ） 一种半导体激光器列阵烧结装置和烧结方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105428995A

（ 38 ） 分布反馈激光器中基于纳米压印光栅干法刻蚀的方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104901160A

（ 39 ） 一种半导体激光器及其制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104466671A

（ 40 ） 大功率低阈值基横模975nm半导体激光器管芯, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104466678A

（ 41 ） 一种激光二极管测试老化夹具, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN104166020A

（ 42 ） 一种用于LDA的外腔锁模波长合束装置和方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN104134930A

（ 43 ） 一种用于激光器无遮挡镀膜的镀膜架装置, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN104037617A

（ 44 ） 激光器合束装置和方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103904557A

（ 45 ） 一种窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103474873A

（ 46 ） 柔性掩模板的制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102747319A

（ 47 ） 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102163804A

（ 48 ） 宽面808nm分立模式半导体激光器结构的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102148479A

（ 49 ） 光纤侧圆柱面镀膜旋转装置及方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102071404A

（ 50 ） 固体激光器用YAG棒的固定方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102074879A

（ 51 ） 带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101841123A

（ 52 ） 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构, 2010, 第 10 作者, 专利号: CN101888056A

（ 53 ） LD单管光束整形模块, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101840070A

（ 54 ） 高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101841124A

（ 55 ） 一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101820134A

（ 56 ） 光纤放大器种子源模块, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101783478A

（ 57 ） 半导体激光器储存盒, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101774462A

（ 58 ） 半导体激光器储存盒, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101774463A

（ 59 ） 半导体激光器bar条储存盒, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101774461A

（ 60 ） 半导体激光器储存盒, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101746578A

（ 61 ） 晶圆表面脱液处理装置, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101740354A

（ 62 ） 掺Yb双包层光纤激光器v形槽侧面粘和泵浦方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101645576

（ 63 ） 叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101640368

（ 64 ） 叠层LD光纤光导椎泵浦光纤激光器的制作方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101635430

（ 65 ） 减薄抛光用的精密磨抛头机械装置, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101269478

（ 66 ） 偏心调焦的光纤转接器结构和光纤转接器调整方法, 2008, 第 6 作者, 专利号: CN100417964

（ 67 ） 半导体激光器热沉, 2008, 第 7 作者, 专利号: CN101242079

（ 68 ） 半导体激光器热沉管道, 2008, 第 5 作者, 专利号: CN201048240

（ 69 ） 半导体激光器热沉管道, 2008, 第 9 作者, 专利号: CN201048241

（ 70 ） 自动搅拌滴料桶, 2008, 第 8 作者, 专利号: CN201042780

（ 71 ） 减薄抛光用的精密磨抛头机械装置, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN201009162

（ 72 ） 一种适合于大批量生产的激光器COD消除方法, 2006, 第 4 作者, 专利号: CN1877935

（ 73 ） 数字多功能光盘用大功率650nm半导体激光器及制作方法, 2006, 第 4 作者, 专利号: CN1805027

（ 74 ） 半绝缘衬底长波长半导体激光器及其制作方法, 2006, 第 4 作者, 专利号: CN1756010

（ 75 ） 铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法, 2006, 第 4 作者, 专利号: CN1719677

（ 76 ） 带导轨的镀膜架, 2004, 第 1 作者, 专利号: CN2651264

   

（1） 带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管, High Performance InGaAs/AlGaAs Quantum Well Semiconductor Laser Diode with Non-absorption Window, 发光学报, 2022, 第 5 作者
（2） 高功率高可靠性9XX nm激光二极管, High-Power and High-Reliability 9XX-nm Laser Diode, 中国激光, 2020, 第 4 作者
（3） Si杂质扩散诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的研究（英文）, 中国光学, 2020, 第 6 作者
（4） 具有线性张角结构和非线性张角结构的锥形激光放大器的分析, Analysis of Tapered Laser Amplifiers with Linear and Nonlinear Angle-Opening Structures, 光学学报, 2020, 第 3 作者
（5） Comprehensive design and simulation of a composite reflector for mode control and thermal management of a high-power VCSEL, JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA B-OPTICAL PHYSICS, 2020, 第 3 作者
（6） Si杂质扩散诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的研究, Intermixing in InGaAs/AlGaAs quantum well structures induced by the interdiffusion of Si impurities, 中国光学, 2020, 第 6 作者
（7） High power density and temperature stable vertical-cavity surface-emitting laser with a ring close packing structure, OPTICS AND LASER TECHNOLOGY, 2020, 第 3 作者
（8） 极低内部光学损耗975 nm半导体激光器, 975 nm Semiconductor Lasers with Ultra-Low Internal Optical Loss, 光学学报, 2020, 第 4 作者
（9） 高功率半导体激光泵浦源研究进展, Research progress of high power semiconductor laser pump source, 强激光与粒子束, 2020, 第 4 作者
（10） 半导体激光器边缘绝热封装改善慢轴光束质量, Improving Slow-Axis Laser Beam Quality of Semiconductor Laser with Edge Adiabatic Package, 中国激光, 2020, 第 6 作者
（11） 808 nm宽条型激光器绝热封装改善慢轴光束质量, Improving Slow Axis Beam Quality of 808 nm Broad-area Laser Diodes with Adiabatic Package, 发光学报, 2019, 第 5 作者
（12） 915nm半导体激光器新型腔面钝化工艺, 915nm semiconductor laser new type facet passivation technology, 红外与激光工程, 2019, 第 8 作者
（13） 管式炉中半导体激光器巴条Au80Sn20焊料封装研究, Study on Au80Sn20 Solder Package for Semiconductor Laser Bar in Tube Furnace, 发光学报, 2019, 第 5 作者
（14） 砷化镓基近红外大功率半导体激光器的发展及应用, Development and Applications of GaAs-Based Near-Infrared High Power Semiconductor Lasers, 激光与光电子学进展, 2019, 第 5 作者
（15） 808nm半导体分布反馈激光器的光栅设计与制作, Design and preparation of grating for 808nm semiconductor distributed feedback laser, 红外与激光工程, 2019, 第 4 作者
（16） 大功率半导体激光器封装热应力研究, Thermal Stressin High-Power Semiconductor Laser Packaging, 中国激光, 2019, 第 4 作者
（17） Optimized arrangement of vertical cavity surface emitting laser arrays to improve thermal characteristics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 3 作者
（18） Thermal Stressin High-Power Semiconductor Laser Packaging, CHINESE JOURNAL OF LASERS-ZHONGGUO JIGUANG, 2019, 第 4 作者
（19） 电致发光用于大功率半导体激光器失效模式分析, Failure Mode Analysis of High-power Laser Diodes by Electroluminescence, 发光学报, 2018, 第 5 作者
（20） 基于GaAs膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究, Impurity-free Vacancy Diffusion Induces Intermixing inGaInP/AlGaInP Quantum Wells Using GaAs Encapsulation, 发光学报, 2018, 第 4 作者
（21） 外延叠层多有源区激光器的结构优化设计, Optimization Design of Epitaxially-Stacked Multiple-Active-Region Lasers, 光学学报, 2018, 第 4 作者
（22） 半导体激光器双波长光纤耦合模块的ZEMAX设计, Design of double wavelengths fiber coupled module of semiconductor diode laser by ZEMAX, 红外与激光工程, 2018, 第 6 作者
（23） Bulk Degradation of High Power InAlGaAs-AlGaAs Strained Quantum Well Lasers, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 6 作者
（24） 电致发光用于大功率半导体激光器失效模式分析, Failure Mode Analysis of High-power Laser Diodes by Electroluminescence, 发光学报, 2018, 第 5 作者
（25） 基于GaAs膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究, Impurity-free Vacancy Diffusion Induces Intermixing inGaInP/AlGaInP Quantum Wells Using GaAs Encapsulation, 发光学报, 2018, 第 4 作者
（26） AuSn焊料组分对半导体激光器件性能的影响, Performance of Semiconductor Laser Devices Packaged by Different AuSn Solder Composition, 发光学报, 2018, 第 7 作者
（27） 基于SiO2薄膜的915nm半导体激光器的无杂质空位诱导量子阱混合研究, Impurity-free Vacancy Diffusion Induces Quantum Well Intermixing in 915nm Semiconductor Laser Based on SiO2 Film, 光子学报, 2018, 第 6 作者
（28） 大功率半导体激光器可靠性研究和失效分析, Reliability Test and Failure Analysis of High Power Semicounductor Laser, 发光学报, 2017, 第 6 作者
（29） 110 W高功率高亮度915 nm半导体激光器光纤耦合模块研究, 110 W High Power and High Brightness 915 nm Fiber Coupled Laser Diode Module, 发光学报, 2017, 第 8 作者
（30） 1.06 μm high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers, 1.06 μm high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers, 半导体学报：英文版, 2017, 第 4 作者
（31） 110 W高功率高亮度915 nm半导体激光器光纤耦合模块研究, 110 W High Power and High Brightness 915 nm Fiber Coupled Laser Diode Module, 发光学报, 2017, 第 8 作者
（32） 1.06 μm high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers, 1.06 μm high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers, 半导体学报：英文版, 2017, 第 4 作者
（33） High power 980 nm broad area distributed feedback laser with first-order gratings, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 6 作者
（34） 高功率密度激光二极管叠层散热结构的热分析, Thermal Analysis of High Power Density Laser Diode Stack Cooling Structure, 发光学报, 2016, 第 5 作者
（35） 980nm大功率基横模分布反馈激光器研究, 中国激光, 2016, 第 1 作者
（36） Effects of the substrate misorientation on the structural and optoelectronic characteristics of tensile GaInP quantum well laser diode wafer, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 第 9 作者
（37） Life prediction of 808nm high power semiconductor laser by accelerated life test of constant current stress, Spie proceedings, 2016, 第 5 作者
（38） Parylene 膜对半导体激光器性能的影响, 半导体技术, 2016, 第 5 作者
（39） 高功率半导体激光器陶瓷封装散热性能研究, Thermal Performance of High-power Semiconductor Laser Packaged by Ceramic Submount, 发光学报, 2016, 第 5 作者
（40） 980 nm大功率基横模分布反馈激光器, 980 nm High-Power Fundamental Mode Distributed-Feedback Laser, 中国激光, 2016, 第 6 作者
（41） Finite element analysis of expansion-matched submounts for high-power laser diodes packaging, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 4 作者
（42） 半导体激光器光纤耦合输出光斑均匀性的研究, Study on Uniformity of Fiber Optical Spots of Semiconductor Lasers, 半导体光电, 2015, 第 8 作者
（43） GaAs基高功率半导体激光器单管耦合研究, 发光学报, 2015, 第 6 作者
（44） Design and simulation of a novel high-efficiency cooling heat-sink structure using fluid-thermodynamics, Journal of Semiconductors, 2015, 第 5 作者
（45） 带有非吸收窗口的大功率915nm半导体激光器, High Power 915 nm Semiconductor Lasers with Non-Absorbing windows, 半导体技术, 2015, 第 3 作者
（46） Life Prediction of 808nm High Power Semiconductor Laser by Accelerated Life Test of Constant Current Stress, AOPC 2015: ADVANCES IN LASER TECHNOLOGY AND APPLICATIONS, 2015, 
（47） An exploration of slab-coupled semiconductor lasers, Journal of Semiconductors, 2014, 第 7 作者
（48） GaAs基半导体激光器真空解理钝化工艺研究, Study on Vacuum Cleavage Passivation Technology of GaAs Semiconductor Laser, 半导体光电, 2014, 第 6 作者
（49） Fabrication of GdBa2Cu3O7-delta films by photo-assisted-MOCVD process, PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS, 2014, 第 5 作者
（50） High power single mode 980 nm AlGaInAs/AlGaAs quantum well lasers with a very low threshold current, Journal of semiconductors, 2013, 第 4 作者
（51） Improved spectral characteristics of 980 nm broad area slotted Fabry-Perot diode lasers, Improved spectral characteristics of 980 nm broad area slotted Fabry-Perot diode lasers, 半导体学报, 2012, 第 5 作者
（52） Improved spectral characteristics of 980 nm broad area slotted Fabry-Perot diode lasers, Improved spectral characteristics of 980 nm broad area slotted Fabry-Perot diode lasers, 半导体学报, 2012, 第 5 作者
（53） Study of high-power broad area distributed-feedback laser, Zhongguo jiguang/chinese journal of lasers, 2011, 第 4 作者
（54） High power885 nm laser diodes with graded optical expand structures for small divergence angle, Hongwai yu jiguang gongcheng/infrared and laser engineering, 2011, 第 9 作者
（55） 渐变光扩展结构减小885nm高功率激光二极管发散角, High power 885 nm laser diodes with graded optical expand structures for small divergence angle, 红外与激光工程, 2011, 第 9 作者
（56） 大功率宽条分布反馈激光器研究, Study of High-Power Broad Area Distributed-Feedback Laser, 中国激光, 2011, 第 4 作者
（57） 新型激光二极管列阵光束整形方法, Novel Beam-Shaping Method for LDA, 半导体技术, 2010, 第 7 作者
（58） 高效率半导体激光器波导层掺杂的优化设计, Doping Profile Optimization and Design of Waveguide Layer for Laser Diode with High Conversion Efficiency, 半导体光电, 2010, 第 6 作者
（59） 非对称波导结构提高980nm激光二极管电光效率的机理研究, Mechanisms of high efficiency for 980nm diode lasers with asymmetric waveguide structure, 强激光与粒子束, 2010, 第 9 作者
（60） 大功率小垂直发散角980nm量子阱激光器, High-power 980nm Quantum-well Laser Diode with a Small Vertical Divergence Angle, 半导体光电, 2010, 第 6 作者
（61） 连续百瓦级高功率半导体阵列激光器热效应分析, Thermal Analysis of High Power Diode Laser Arrays with Hundred-Watt Continuous-Wave Output Power, 激光与光电子学进展, 2010, 第 7 作者
（62） 双包层光纤激光器微棱镜反射式侧面耦合的新技术, New Reflecting Side-Pumped method of Double-Clad Fiber Laser by Micro-prism, 光学学报, 2009, 第 3 作者
（63） 半导体激光器单管准直实验研究, Study on Collimating of Semiconductor Diode Laser, 半导体技术, 2009, 第 7 作者
（64） 双包层光纤梯形微棱镜侧面耦合技术, A Side-Pumping Method of Double-Clad Fiber by Trapezoidal Micro-prism, 中国激光, 2009, 第 3 作者
（65） 双平行平面反射镜在激光二极管阵列光束整形中的应用, Study of the Beam Shaping of Laser Diode Arrays Using Two Parallel Plane Mirrors, 中国激光, 2009, 第 8 作者
（66） 国内大功率半导体激光器研究及应用现状, Present situation of investigations and applications in high power semiconductor lasers, 红外与激光工程, 2008, 第 3 作者
（67） 259W准连续无铝808nm激光二极管列阵, 半导体学报, 2008, 第 1 作者
（68） 259W准连续无铝808nm激光二极管线列阵, 259W QCW Al-Free 808nm Linear Laser Diode Arrays, 半导体学报, 2008, 第 1 作者
（69） 采用双折射晶体实现大功率半导体列阵激光器偏振复合, Polarization multiplexing of high power diode laser arrays by using a birefringent crystal, 光电子．激光, 2008, 第 7 作者
（70） 60％电光效率高功率激光二极管阵列, High Power Laser Diode Array with 60% Electro-Optical Efficiency, 中国激光, 2008, 第 8 作者
（71） 大功率半导体列阵激光器的偏振复用技术研究, Study on Polarization Multiplexing Technology for High-power Diode Laser Arrays, 半导体光电, 2008, 第 6 作者
（72） 百分之六十电光效率高功率激光二极管阵列, 中国激光, 2008, 通讯作者
（73） 808nm大功率无铝有源区非对称波导结构激光器, 808 nm High-Power Lasers with Al-Free Active Region with Asymmetric Waveguide Structure, 中国激光, 2007, 第 8 作者
（74） 808-nm fiber coupled module with a CW output power up to 130 W, CHINESE OPTICS LETTERS, 2007, 第 5 作者
（75） High power red-light GaInP/AlGaInP laser diodes with nonabsorbing windows based on Zn diffusion-induced quantum well intermixing, Chinese optics letters, 2006, 第 5 作者
（76） 大功率670nm半导体激光器的研制, Fabrication of High Power 670nm Laser Diodes, 半导体学报, 2005, 第 5 作者
（77） Low-Threshold-Current and High-out-Power 660 nm Laser Diodes with a p-GaAs Current Blocking Layer for DVD-RAM/R, Low-Threshold-Current and High-out-Power 660 nm Laser Diodes with a p-GaAs Current Blocking Layer for DVD-RAM/R, 中国物理快报：英文版, 2005, 第 5 作者
（78） High Power 940 nm Al-free Active Region Laser Diodes and Bars with a Broad Waveguide, Chinese journal of lasers, 2002, 第 8 作者
（79） High Power 940 nm Al-free Active Region Laser Diodes and Bars with a Broad Waveguide, Chinese Journal of Lasers. B, 2002, 第 8 作者
（80） 157W准连续AlGaAs／GaAs激光二极管线列阵, 半导体学报, 2000, 第 2 作者
（81） 带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵, 高技术通讯, 2000, 第 7 作者
（82） 915—980nm应变量子阱激光器新进展, 功能材料与器件学报, 2000, 第 2 作者
（83） 连续输出20WAlGaAs／GaAs量子阱激光二极管线列阵, 高技术通讯, 1998, 第 2 作者
（84） 准连续大功率二维层叠量子阱激光器列阵, 高技术通讯, 1998, 第 2 作者
（85） 分布布拉格反射镜中具有渐变层的垂直腔面发射半导体激光器, 中国激光, 1996, 第 5 作者
（86） InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器, 红外与毫米波学报, 1996, 第 10 作者
（87） 半导体激光器的击穿失效及其预防措施, 激光集锦, 1996, 第 1 作者
（88） 具有金属反射膜的钨丝掩蔽两次质子轰击垂直腔面发射激光器, 半导体学报, 1995, 第 3 作者
（89） 室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器, 半导体学报, 1995, 第 10 作者
（90） 阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管, 半导体学报, 1995, 第 6 作者

   

（ 1 ） 高效率准连续激光二极管, 参与, 国家任务, 2009-09--2012-06
（ 2 ） 单管芯激光器, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
（ 3 ） 基础研发条件建设, 参与, 国家任务, 2014-10--2017-01
（ 4 ） 高温半导体激光器, 参与, 国家任务, 2015-01--2016-12
（ 5 ） 宽光谱高温半导体激光器, 参与, 国家任务, 2015-01--2017-12
（ 6 ） 高功率单管芯半导体激光器, 负责人, 企业委托, 2017-10--2020-10
（ 7 ） 中国科学院关键技术人才项目, 负责人, 其他任务, 2017-01--2020-12
（ 8 ） 外延生长技术, 负责人, 国家任务, 2020-01--2022-12
（ 9 ） 高功率半导体激光器研制, 负责人, 企业委托, 2020-06--2025-12
（ 10 ） 中长波量子级联激光器及阵列技术研究2, 负责人, 国家任务, 2021-01--2023-12