基本信息
刘超  男  硕导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: cliu@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
085600-材料与化工
招生方向
半导体薄膜材料外延生长工艺与器件应用研究
新型高效太阳电池材料与器件

教育背景

1986-09--1989-06   四川大学 高温高压物理研究所   硕士学位
1982-09--1986-06   华东理工大学 物理系化学物理专业   学士学位

工作经历

   
工作简历
2000-12~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
1999-01~2000-12,德国Juelich研究中心 固体物理研究所, 客座研究员
1989-07~1999-01,中国核动力研究设计院 核材料研究所, 助研、副研究员
1986-09~1989-06,四川大学 高温高压物理研究所, 硕士学位
1982-09~1986-06,华东理工大学 物理系化学物理专业, 学士学位

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN201310419775.8

出版信息

   
发表论文
(1) ZnSeTe薄膜的分子束外延生长, 半导体技术, 2016, 第 2 作者
(2) Growth and characterization of highly nitrogen doped ZnTe films on GaAs(001) by molecular beam epitaxy, Materials Science in Semiconductor Processing, 2015, 第 2 作者
(3) Colossal magnetic moment in Cr and Er co-implanted GaN films, Journal of Alloys and Compounds, 2015, 第 2 作者
(4) Structural, Raman scattering and magnetic characteristics of Er+ -implanted GaN thin films, Journal of Alloys and Compounds, 2015, 第 1 作者
(5) 硅基II-VI族单结及多结太阳电池研究进展, 半导体技术, 2014, 第 2 作者
(6) Structural surface and electrical properties of nitrogen ion implanted ZnTe epilayers, Applied Physics A, 2014, 第 2 作者
(7) Structural and magnetic properties of Er-implanted GaN films, Materials Letters, 2014, 第 2 作者
(8) II-VI族材料在叠层太阳能电池中的应用, 真空科学与技术学报, 2013, 第 2 作者
(9) 快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响, 半导体技术, 2013, 第 2 作者
(10) Structural and magnetic properties of Yb-implanted GaN, Journal of Semiconductors, 2013, 通讯作者
(11) Structural morphological and magnetic characteristics of Tb-implanted GaN and AlGaN films, Materials Science and Engineering B, 2013, 通讯作者
(12) Structural, morphological and magnetic properties of AlGaN thin films co-implanted with Cr and Sm ions, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2013, 通讯作者
(13) 离子注入法制备GaN:Er薄膜的拉曼光谱分析, 光谱学与光谱分析, 2013, 通讯作者
(14) Effects of a ZnTe buffer layer on structural quality and morphology of CdTe epilayer grown on (001)GaAs by molecular beam epitaxy, Vacuum, 2012, 第 3 作者
(15) 低温缓冲层对MBE生长ZnTe材料性能的改善, 半导体技术, 2012, 第 3 作者
(16) Annealing effect on structural and magnetic properties of Tb and Cr co-implanted AlGaN, Frontiers of Materials Science, 2012, 通讯作者
(17) Growth and annealing of zinc-blende CdSe thin films on GaAs(001)by molecular beam epitaxy, Applied Surface Science, 2011, 第 4 作者
(18) II-VI族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展, 半导体光电, 2011, 第 2 作者
(19) 锑化物HEMT器件研究进展, 功能材料与器件学报, 2011, 第 2 作者
(20) The impact of annealing temperature on the structural and magnetic properties of Sm implanted GaN films, Materials Letters, 2011, 第 2 作者
(21) Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001)by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2010, 第 3 作者
(22) 锑化物超晶格红外探测器的研究进展, 固体电子学研究与进展, 2010, 第 2 作者
(23) Progress in antimonide based III-V compound semiconductors and devices, Engineering, 2010, 第 1 作者
(24) Structural and magnetic properties of GaN-Sm-Eu films fabricated by co-implantation method, Materials Letters, 2010, 第 2 作者
(25) Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy, Applied Surface Science, 2010, 第 3 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 新型II-VI/III-V族多结叠层太阳电池材料与器件研究, 参与, 国家任务, 2014-01--2017-12