基本信息
杨少延  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: sh-yyang@semi.ac.cn
通信地址: 北京海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
0805Z2-半导体材料与器件
招生方向
宽禁带半导体材料、器件及物理研究
大失配异质外延衬底制备技术研究
氮化镓功率电子材料与器件

教育背景

2002-03--2005-10   中国科学院半导体研究所   在职博士/博士学位
1996-09--1999-07   吉林大学 材料科学与工程系   硕士研究生/或硕士学位
1992-09--1996-07   哈尔滨师范大学物理系   大学本科学生/或学士学位

工作经历

   
工作简历
2013-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2005-08~2012-12,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2002-03~2005-10,中国科学院半导体研究所, 在职博士/博士学位
2002-03~2005-07,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
1999-07~2002-02,中国科学院半导体研究所, 研究实习员
1996-09~1999-07,吉林大学 材料科学与工程系, 硕士研究生/或硕士学位
1992-09~1996-07,哈尔滨师范大学物理系, 大学本科学生/或学士学位

教授课程

半导体材料测试与分析
半导体材料
材料的气相沉积制备技术
薄膜材料制备技术
宽禁带半导体材料大失配外延技术

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 薄膜本征应力测量方法、电子设备及介质, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114112145A

( 2 ) 利用磁控溅射在硅衬底上制备的金属铪薄膜、方法和应用, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113584446A

( 3 ) 一种高结晶质量的氮化铪薄膜制备方法及应用, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112831768A

( 4 ) 一种利用磁控溅射在硅衬底上制备金属锆薄膜的方法及应用, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112831766A

( 5 ) 基于V坑调控的橙黄光LED器件及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112786743A

( 6 ) 利用磁控溅射在硅衬底上制备氮化锆薄膜的方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112746320A

( 7 ) 可协变应力AlN结构及其制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN110828627B

( 8 ) 一种AlGaN/h-BN多量子阱结构的深紫外LED及其制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112490335A

( 9 ) 硅基应力协变衬底及垂直结构氮化镓LED, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN210897327U

( 10 ) 硅基应力协变衬底及制备方法、氮化镓LED及制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN110931607A

( 11 ) 气相沉积设备的进气喷淋头, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN210104071U

( 12 ) 一种氢化物气相外延设备的反应室结构, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110257905A

( 13 ) 气相沉积设备的进气喷淋头, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110172682A

( 14 ) AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107481982A

( 15 ) 一种非极性面量子点发光二极管及其制备方法, 2017, 第 8 作者, 专利号: CN107170862A

( 16 ) 一种HEMT外延结构及制备方法, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN106252403A

( 17 ) 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104993012A

( 18 ) AlN单晶衬底生产设备及其使用方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104878450A

( 19 ) 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104495766A

( 20 ) 一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片及其制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104393140A

( 21 ) 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法, 2014, 第 11 作者, 专利号: CN104112803A

( 22 ) 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103956417A

( 23 ) 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103849853A

( 24 ) 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103633200A

( 25 ) 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103633199A

( 26 ) 制备非极性A面GaN薄膜的方法, 2013, 第 9 作者, 专利号: CN102903614A

( 27 ) 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102839417A

( 28 ) 氮化铝单晶材料制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102828251A

( 29 ) 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法, 2012, 第 10 作者, 专利号: CN102817073A

( 30 ) 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法, 2012, 第 9 作者, 专利号: CN102820213A

( 31 ) 制备非极性A面GaN薄膜的方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102820211A

( 32 ) 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法, 2011, 第 8 作者, 专利号: CN102206856A

( 33 ) 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102191540A

( 34 ) 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102050432A

( 35 ) 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法, 2010, 第 8 作者, 专利号: CN101831613A

( 36 ) 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法, 2010, 第 7 作者, 专利号: CN101831628A

( 37 ) 生长氧化锌薄膜材料的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101831693A

( 38 ) 生长氧化锌纳米棒阵列的方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101428842A

( 39 ) 一种恒温装置及其控制方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101380601A

( 40 ) 高温原位减薄硅基底的装置和方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101333658A

( 41 ) 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100424825C

( 42 ) 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101211866A

( 43 ) 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101211989A

( 44 ) 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101210345A

( 45 ) 一种氢致解耦合的异质外延用柔性衬底, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN100345247C

( 46 ) 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN101017831A

( 47 ) 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN101017830A

( 48 ) 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN101017864A

( 49 ) 低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1332062C

( 50 ) 一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1796595A

( 51 ) 一种制备金属锆薄膜材料的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1796596A

( 52 ) 一种制备金属铪薄膜材料的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1796593A

( 53 ) 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1778985A

( 54 ) 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1778984A

( 55 ) 单相钆硅化合物以及制备方法, 2006, 第 3 作者, 专利号: CN1769181A

( 56 ) 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法, 2005, 第 2 作者, 专利号: CN1216401C

( 57 ) 一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1632906A

( 58 ) 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法, 2005, 第 4 作者, 专利号: CN1591784A

( 59 ) 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底, 2005, 第 2 作者, 专利号: CN1591772A

( 60 ) 磁性p-n结薄膜材料及制备方法, 2003, 第 5 作者, 专利号: CN1452216A

( 61 ) 键合强度可调节的柔性衬底, 2003, 第 2 作者, 专利号: CN1452214A

( 62 ) 组份渐变铁磁性半导体制备方法, 2003, 第 5 作者, 专利号: CN1421878A

( 63 ) 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法, 2003, 第 8 作者, 专利号: CN1402305A

出版信息

   
发表论文
(1) Effects of pressure on GaN growth in a specific warm-wall MOCVD reactor, CRYSTENGCOMM, 2023, 第 11 作者
(2) The influence of high-temperature nitridation process on the crystalline quality of semipolar (11-22) GaN epitaxial film, Current Appl. Physics, 2022, 第 7 作者
(3) MOCVD growth of ZrN thin films on GaN/Si templates and the effect of substrate temperature on growth mode, stress state, and electrical properties, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2022, 第 11 作者
(4) Raman spectra of semi-polar (11-22) InGaN thick film, Vibrational Spectroscopy, 2022, 第 8 作者
(5) n-GaN上Au/Zr和Au/Ti金属电极的界面反应和金属间互扩散行为对比研究, 材料导报, 2022, 第 11 作者
(6) Anisotropic Strain Relaxation in Semipolar (11-22) InGaN/GaN Superlattice Relaxed Template, Nanomaterials, 2022, 第 8 作者
(7) 温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理, Temperature Dependence and Evolution Mechanism of Aluminum Nitride Morphologies, 发光学报, 2021, 第 11 作者
(8) 一种垂直递变流速氢化物气相外延(HVPE)反应腔流场分析及大尺寸材料生长, Flow Field Analysis and Large-Scale Material Growth in a Vertical Graded Varying Velocity Hydride Vapor Phase Epitaxy(HVPE)Reactor, 真空, 2021, 第 5 作者
(9) 磁控溅射ZrN薄膜的生长机理及光学性能, Growth Mechanism and Optical Properties of ZrN Films by Magnetron Sputtering, 人工晶体学报, 2021, 第 11 作者
(10) Wet etching of semi-polar (11���22) GaN on m-sapphire by different methods, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2021, 第 5 作者
(11) Stress engineering for reducing the injection current induced blue shift in InGaN-based red light-emitting diodes, CRYSTENGCOMM, 2021, 第 4 作者
(12) 衬底温度对磁控溅射ZrN薄膜结构和物理性能的影响, Effect of substrate temperature on structural and physical properties of ZrN films by magnetron sputtering, 功能材料, 2021, 第 11 作者
(13) Investigation of coherency stress-induced phase separation in AlN/AlxGa1���xN superlattices grown on sapphire substrates, CRYSTENGCOMM, 2020, 第 6 作者
(14) Analysis of growth rate and crystal quality of AlN epilayers by flow-modulated metal organic chemical vapor deposition, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2020, 第 5 作者
(15) 三层热壁金属有机化学气相外延流场计算机模拟, Numeric simulation of three-layer hot-wall metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) flow fields, 真空, 2019, 第 5 作者
(16) Hydride vapor phase epitaxy for gallium nitride substrate, Hydride vapor phase epitaxy for gallium nitride substrate, 半导体学报:英文版, 2019, 第 3 作者
(17) Growth and characterization of amber light-emitting diodes with dual-wavelength InGaN/GaN multiple-quantum-well structure, MATERRESEXPRESS620190850C8, 2019, 第 1 作者
(18) Hydride vapor phase epitaxy for gallium nitride substrate, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2019, 第 11 作者
(19) Effect of C-doped GaN film thickness on the structural and electrical properties of AlGaN/ GaN-based high electron mobility transistors, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 5 作者
(20) Impact of Cone-Shape-Patterned Sapphire Substrate and Temperature on the Epitaxial Growth of p-GaN via MOCVD, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2019, 第 5 作者
(21) Growth and characterization of amber light-emitting diodes with dual-wavelength InGaN/GaN multiple-quantum-well structures, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2019, 第 6 作者
(22) Structural and optical properties of semi-polar (11-22) InGaN/GaN green light-emitting diode structure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 第 6 作者
(23) The Residual Stress and Al Incorporation of AlGaN Epilayers by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 7 作者
(24) Red Emission of InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Light-Emitting Diode Structures with Indium-Rich Clusters, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2018, 第 6 作者
(25) Comparative Investigation of Semipolar (11-22) GaN Layers on m-Plane Sapphire with Different Nucleation Layers, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 5 作者
(26) Measurement of semi-polar (11-22) plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 第 7 作者
(27) 基于二维材料的Ⅲ族氮化物外延, 化学学报, 2017, 第 2 作者
(28) Performance enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by inserting the last quantum well into electron blocking layer, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 第 6 作者
(29) Anisotropically biaxial strain in non-polar (112-0) plane InxGa1-xN/GaN layers investigated by X-ray reciprocal space mapping, SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 第 8 作者
(30) Growth and characterization of AlN epilayers using pulsed metal organic chemical vapor deposition, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 7 作者
(31) 基于二维材料的III 族氮化物外延, Epitaxy of III-Nitrides Based on Two-Dimensional Materials, ACTA CHIMICA SINICA, 2017, 第 11 作者
(32) Epitaxy of III-Nitrides Based on Two-Dimensional Materials, ACTA CHIMICA SINICA, 2017, 第 11 作者
(33) Morphology Controlled Fabrication of InN Nanowires on Brass Substrates, NANOMATERIALS, 2016, 第 5 作者
(34) Growth of Well-Aligned InN Nanorods on Amorphous Glass Substrates, NANOSCALE RES LETT, 2016, 第 6 作者
(35) Growth of Well-Aligned InN Nanorods on Amorphous Glass Substrates, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2016, 第 11 作者
(36) The immiscibility of InAlN ternary alloy, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 9 作者
(37) Study of the aluminum incorporation efficiency in A- and C-plane AlGaN grown by MOVPE, Chinese Physics. B, 2016, 25(4):048105, 2016, 第 1 作者
(38) Anisotropic structural and optical properties of semi-polar (11 2) GaN grown on m-plane sapphire using double AlN buffer layers, Scientific Reports, 2016,6:20787, 2016, 第 1 作者
(39) Effect of the thickness of InGaN interlayer on a-plane GaN epilayer, CHINESE PHYSICS B, 2015, 第 5 作者
(40) Plasmon mode coupling and depolarization shifts in AlGaAs/GaAs asymmetric step quantum wells with and without electric field, INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2015, 第 4 作者
(41) Morphology and composition controlled growth of polar c-axis and nonpolar m-axis well-aligned ternary III-nitride nanotube arrays, NANOSCALE, 2015, 第 8 作者
(42) Theoretical study of the anisotropic electron scattering by steps in vicinal AlGaN/GaN heterostructures, PHYSICA E: LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS AND NANOSTRUCTURES, 2015, 第 6 作者
(43) Morphology and composition controlled growth of polar c-axis and nonpolar m-axis well-aligned, NANOSCALE, 2015, 第 8 作者
(44) Study of the one dimensional electron gas arrays confined by steps in vicinal GaN/AlGaN heterointerfaces, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 6 作者
(45) Determination of polar C-plane and nonpolar A-plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy, PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2014, 第 7 作者
(46) Interface roughness scattering considering the electrical field fluctuation in undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructures, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2014, 第 3 作者
(47) Band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaN heterostructures measured by X-ray photoemission spectroscopy, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2014, 第 3 作者
(48) Effects of V/III ratio on a-plane GaN epilayers with an InGaN interlayer, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 3 作者
(49) Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in Al(In)GaN/GaN heterostructures, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 3 作者
(50) Morphology and structure controlled growth of one-dimensional AlN nanorod arrays by hydride vapor phase epitaxy, RSC ADVANCES, 2014, 第 3 作者
(51) Competitive growth mechanisms of AlN on Si (111) by MOVPE, SCIENTIFIC REPORTS, 2014, 第 3 作者
(52) Mobility limited by cluster scattering in ternary alloy quantum wires, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 11 作者
(53) Significant quality improvement of GaN on Si(111) upon formation of an AlN defective layer, CRYSTENGCOMM, 2014, 第 3 作者
(54) Single-crystalline GaN nanotube arrays grown on c-Al2O3 substrates using InN nanorods as templates, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 10 作者
(55) Theoretical study of the anisotropic electrons cattering by step sin vicinal AlGaN/GaN heterostructures, Physica E, 66, 116(2015), 2014, 第 1 作者
(56) Electron mobility limited by surface and interface roughness scattering in Al_xGa_(1-x)N/GaN quantum wells, CHINESE PHYSICS B, 2013, 第 11 作者
(57) Two dimensional electron gas mobility limited by scattering of quantum dots with indium composition transition region in quantum wells, PHYSICA E: LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS AND NANOSTRUCTURES, 2013, 第 2 作者
(58) Scattering due to large cluster embedded in quantum wells, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 9 作者
(59) Strain Distributions in Non-Polar a-Plane InxGa1-xN Epitaxial Layers on r-Plane Sapphire Extracted from X-Ray Diffraction, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 硅衬底氮化镓功率电子器件工艺与功能模块开发, 负责人, 境内委托项目, 2022-03--2025-03
( 2 ) 定西市先进半导体材料联合实验室, 负责人, 境内委托项目, 2019-07--2024-07
( 3 ) 空间太阳能科学技术联合实验室, 负责人, 境内委托项目, 2018-03--2020-12
( 4 ) 垂直结构氮化镓电力电子器件研制中的关键材料制备工艺 研究, 负责人, 国家任务, 2018-01--2021-12
( 5 ) 过渡族金属及其化合物薄膜材料制备研究, 负责人, 境内委托项目, 2018-01--2018-12
( 6 ) 过渡族金属&半导体先进材料联合实验室, 负责人, 境内委托项目, 2018-01--2020-12
( 7 ) 大 尺寸氢化物气相外延设备技术及外 延, 负责人, 国家任务, 2017-07--2020-12
( 8 ) 利用玻璃衬底制备新型InGaN 基量子点全光谱太阳电池材料研究, 负责人, 国家任务, 2013-01--2015-12
( 9 ) 自支撑AlN衬底材料及AlN/蓝宝石复合衬底材料的制备, 参与, 国家任务, 2011-08--2015-08
( 10 ) 大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及封装技术, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12
参与会议
(1)中高压氮化镓功率电子器件制备生产关键技术及设备   第三代半导体材料加工技术及装备研讨会   杨少延   2019-10-23
(2)垂直流HVPE设备反应室尺寸放大流场优化设计研究   第十六届全国固体薄膜学术会议   杨少延*,李成明*,胡君*,魏鸿源,李辉杰,王占国   2018-12-11
(3)石墨烯二维材料与第三代半导体氮化物材料低成本薄膜化制备技术   2015年第十三届国际真空展览会真空学术论坛   杨少延   2015-05-06
(4)超宽禁带氮化物半导体材料在 空间太阳能发电技术中的作用与挑战   2014年 燕赵高层科技论坛系列 光伏技术进展高峰论坛   杨少延   2014-05-30
(5)硅衬底氮化镓材料发展节能新技术的机遇与挑战   2013年第十二届国际真空展览会真空学术论坛   杨少延   2013-05-16