1989-08--1992-07   中国科学院半导体研究所   研究生，硕士
1984-09--1989-07   中国科技大学   本科，学士

   

1992-08~现在, 中国科学院半导体研究所, 科研人员
1989-08~1992-07,中国科学院半导体研究所, 研究生，硕士
1984-09~1989-07,中国科技大学, 本科，学士

   

（ 1 ） 窄脊半导体器件的制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 2017 1 0054287.X

（ 2 ） 一种硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: 2016 1 0173297.0

（ 3 ） 制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: 2013 1 0032256.6

（ 4 ） 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构, 2012, 第 3 作者, 专利号: ZL 2009 1 0081987.3

（ 5 ） 一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL 2009 1 0081986.9

（ 6 ） 一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL 2009 1 0083495.8

（ 7 ） InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL 2010 1 0591575.7

   

（1） High-quality GaSb epitaxially grown on Si (001) through defects self-annihilation for CMOS-compatible near-IR light emitters, Optical Materials Express, 2023, 第 5 作者
（2） Investigation into the InAs/GaAs quantum dot material epitaxially grown on silicon for O band lasers, Investigation into the InAs/GaAs quantum dot material epitaxially grown on silicon for O band lasers, 半导体学报:英文版, 2022, 第 11 作者
（3） Novel III-V semiconductor epitaxy for optoelectronic devices through two-dimensional materials, PROGRESS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2021, 第 6 作者
（4） Boron-doped III–V semiconductors for Si-based optoelectronic devices, Boron-doped III���V semiconductors for Si-based optoelectronic devices, 半导体学报:英文版, 2020, 第 2 作者
（5） Enhancement of excited-state emission of InAs/GaAs quantum dots with large-period photonic crystal, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 2 作者
（6） Atomic-scale understanding of high thermal stability of the Mo/CoFeB/MgO spin injector for spin-injection in remanence, NANOSCALE, 2018, 第 8 作者
（7） InAs-based interband cascade lasers at 4.0 mu m operating at room temperature, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2018, 第 4 作者
（8） Anomalous temperature dependence of photoluminescence spectra from InAs/GaAs quantum dots grown by formation���dissolution���regrowth method, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 11 作者
（9） 四步法制备高质量硅基砷化镓薄膜, Four-step Method for Growing High-quality GaAs Films on Si Substrate by Molecular Beam Epitaxy, JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2016, 第 2 作者
（10） Fabrication of Low-Density Long-Wavelength InAs Quantum Dots using a Formation-Dissolution-Regrowth Method, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
（11） Cavity-mode calculation of L3 photonic crystal slab using the effective index perturbation method, OPTICAL REVIEW, 2013, 第 4 作者
（12） Effect of rapid thermal annealing on the luminescence of self-assembled InAs quantum dots embedded in GaAs-based photonic crystal nanocavities, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2012, 
（13） Study on properties of the H1 photonic crystal slab cavity using the effective index perturbation method, ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 第 3 作者
（14） Investigation of the temperature sensitivity of the long-wavelength InP-based laser, ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 第 2 作者
（15） Experimental and theoretical study for inas quantum dashes-in-a-step-well structure on (001)-oriented inp substrate, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 

   

（ 1 ） CMOS工艺兼容的硅基高性能单模量子点激光器, 参与, 国家任务, 2021-01--2025-12
（ 2 ） 硅基III-V族半导体材料外延及激光器制备, 参与, 国家任务, 2019-08--2023-07

（1）Epitaxially Grown 1.3-Micron Si-based InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers   第二十届国际分子束外延学术会议   Tian Yu, Guan-qing Yang, Bo Xu, Ping Liang, Jin-song Xia, Ying Hu, Yong-hai Chen, Zhan-guo Wang   2018-09-02
（2）MBE生长法制备的Si基1.3微米InAs/GaAs量子点激光器   第十二届全国分子束外延学术会议   杨冠卿，徐波，梁平，夏金松，胡颖，吕尊仁，于天，刘峰奇，杨涛，陈涌海，王占国   2017-08-15
（3）外延生长法制备的Si基1.3微米量子点激光器   第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会   杨冠卿，徐波，梁平，吕尊仁，胡颖，于天，刘峰奇，杨涛，陈涌海，王占国   2017-05-26