基本信息
徐波  男  硕导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: srex@semi.ac.cn
通信地址: 半导体所2#233
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
招生方向
III-V族半导体低维光电材料制备及器件应用
半导体材料高端制造与集成
硅基III-V族光电材料制备

教育背景

1989-08--1992-07   中国科学院半导体研究所   研究生,硕士
1984-09--1989-07   中国科技大学   本科,学士

工作经历

   
工作简历
1992-08~现在, 中国科学院半导体研究所, 科研人员
1989-08~1992-07,中国科学院半导体研究所, 研究生,硕士
1984-09~1989-07,中国科技大学, 本科,学士

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 窄脊半导体器件的制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 2017 1 0054287.X

( 2 ) 一种硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: 2016 1 0173297.0

( 3 ) 制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: 2013 1 0032256.6

( 4 ) 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构, 2012, 第 3 作者, 专利号: ZL 2009 1 0081987.3

( 5 ) 一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL 2009 1 0081986.9

( 6 ) 一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL 2009 1 0083495.8

( 7 ) InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL 2010 1 0591575.7

出版信息

   
发表论文
(1) Novel III-V semiconductor epitaxy for optoelectronic devices through two-dimensional materials, PROGRESS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2021, 第 6 作者
(2) Boron-doped III–V semiconductors for Si-based optoelectronic devices, Boron-doped III–V semiconductors for Si-based optoelectronic devices, 半导体学报:英文版, 2020, 第 2 作者
(3) Enhancement of excited-state emission of InAs/GaAs quantum dots with large-period photonic crystal, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 2 作者
(4) Atomic-scale understanding of high thermal stability of the Mo/CoFeB/MgO spin injector for spin-injection in remanence, NANOSCALE, 2018, 第 8 作者
(5) InAs-based interband cascade lasers at 4.0 mu m operating at room temperature, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2018, 第 4 作者
(6) Anomalous temperature dependence of photoluminescence spectra from InAs/GaAs quantum dots grown by formation–dissolution–regrowth method, CHINESE PHYSICS B, 2017, 通讯作者
(7) 四步法制备高质量硅基砷化镓薄膜, Four-step Method for Growing High-quality GaAs Films on Si Substrate by Molecular Beam Epitaxy, JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2016, 第 2 作者
(8) Fabrication of Low-Density Long-Wavelength InAs Quantum Dots using a Formation-Dissolution-Regrowth Method, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(9) Cavity-mode calculation of L3 photonic crystal slab using the effective index perturbation method, OPTICAL REVIEW, 2013, 第 4 作者
(10) Effect of rapid thermal annealing on the luminescence of self-assembled InAs quantum dots embedded in GaAs-based photonic crystal nanocavities, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2012, 
(11) Investigation of the temperature sensitivity of the long-wavelength InP-based laser, ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 第 2 作者
(12) Study on properties of the H1 photonic crystal slab cavity using the effective index perturbation method, ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 第 3 作者
(13) Experimental and theoretical study for inas quantum dashes-in-a-step-well structure on (001)-oriented inp substrate, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 硅基III-V族半导体材料外延及激光器制备, 参与, 国家任务, 2019-08--2023-07
( 2 ) CMOS工艺兼容的硅基高性能单模量子点激光器, 参与, 国家任务, 2021-01--2025-12
参与会议
(1)Epitaxially Grown 1.3-Micron Si-based InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers   第二十届国际分子束外延学术会议   Tian Yu, Guan-qing Yang, Bo Xu, Ping Liang, Jin-song Xia, Ying Hu, Yong-hai Chen, Zhan-guo Wang   2018-09-02
(2)MBE生长法制备的Si基1.3微米InAs/GaAs量子点激光器   第十二届全国分子束外延学术会议   杨冠卿,徐波,梁平,夏金松,胡颖,吕尊仁,于天,刘峰奇,杨涛,陈涌海,王占国   2017-08-15
(3)外延生长法制备的Si基1.3微米量子点激光器   第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会   杨冠卿,徐波,梁平,吕尊仁,胡颖,于天,刘峰奇,杨涛,陈涌海,王占国   2017-05-26