基本信息
贾嘉  男  硕导  中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: jiasitp@sohu.com
通信地址: 新乐路194号4室
邮政编码: 200031

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
红外器件

教育背景

2001-09--2004-07   上海技术物理研究所   微电子学工学硕士
1995-09--1999-07   上海大学   微电子技术学士学位

工作经历

   
工作简历
2001-09~2004-07,上海技术物理研究所, 微电子学工学硕士
1999-08~现在, 上海技术物理研究所, 十室工作
1995-09~1999-07,上海大学, 微电子技术学士学位

出版信息

   
发表论文
(1) The evaluation of curved extended electrode for off-area bonding of HgCdTe infrared photoconductive detectors, ISPDI, 2011, 第 2 作者
(2) 粘接法评价光电器件薄膜附着力的研究进展, 红外, 2011, 第 2 作者
(3) 基于正交试验的双离子束溅射沉积系数参数优化设计, 红外与激光工程, 2010, 第 2 作者
(4) 室温短波碲镉汞结区的LBIC方法研究, 红外与毫米波学报, 2005, 第 1 作者
(5) 变磁场I-V法对碲镉汞光伏器件扩散特性的研究, 红外与毫米波学报, 2005, 第 1 作者
(6) 碲镉汞纳米材料与器件的LBIC检测技术, 云南大学学报, 2005, 第 1 作者
(7) 1MeV电子辐照对短波HgCdTe光伏探测器的影响, 强激光与粒子束, 2005, 第 3 作者
(8) 离子束溅射工艺中的基片温度及其控制方法, 光学仪器, 2004, 第 1 作者
(9) 溅射法制备纳米薄膜材料, 半导体技术, 2004, 第 1 作者
(10) PCVD法制备硅系纳米复合薄膜材料, 功能材料, 2004, 第 1 作者
(11) Experimental detemination of diffusion length in SWIR HgCdTe photodiodes, proceedings of SPIE, 2004, 第 1 作者
(12) 1MeV电子辐照对碲镉汞中波光导器件的影响, 红外与毫米波学报, 2004, 第 2 作者