基本信息
侯铮迟 男 硕导 中国科学院上海应用物理研究所
电子邮件: houzhengchi@sinap.ac.cn
通信地址: 上海市浦东新区张江高科技园区海科路99号
邮政编码: 201800
电子邮件: houzhengchi@sinap.ac.cn
通信地址: 上海市浦东新区张江高科技园区海科路99号
邮政编码: 201800
教育背景
2002-03--2007-03 上海应用物理研究所 博士1985-09--1988-07 上海原子核研究所 硕士1981-09--1985-07 内蒙古大学化学系 学士
工作经历
工作简历
2019-01~现在, 上海高等研究院, 研究员2017-01~2018-12,上海应用物理研究所, 研究员2002-03~2007-03,上海应用物理研究所, 博士1997-01~2016-12,上海应用物理研究所, 副研究员1991-01~1996-12,上海原子核研究所, 助理研究员1988-08~1990-12,上海原子核研究所, 实习研究员1985-09~1988-07,上海原子核研究所, 硕士1981-09~1985-07,内蒙古大学化学系, 学士
社会兼职
2019-01-01-2022-12-31,上海市净水技术学会, 第十届理事会理事
专利与奖励
专利成果
( 1 ) PVDF-g-PVP接枝共聚物的制备方法及所得的接枝共聚物, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201210151999.0( 2 ) 预辐照PVDF接枝NVP的制备方法和所制得的共聚物, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201110346202.8( 3 ) 一种PVDF接枝NVP的方法及由其制得的接枝共聚物, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201110027380.4( 4 ) 聚醚砜接枝改性的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200510025006.5( 5 ) 高分子薄膜与无机晶体涂层复合材料及其制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: 200410025135.X
科研活动
科研项目
( 1 ) 均相溶液辐射接枝法制备超滤膜研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2017-12