基本信息
魏彦锋  男  博导  中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: yfwei@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 上海市玉田路500号
邮政编码: 200083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
红外半导体材料与器件

教育背景

1994-09--1999-07 复旦大学物理系 博士
1990-09--1994-07 武汉大学物理系 学士

工作经历

   
工作简历
2011-07--今 上海技术物理研究所 研究员
1999-07--2001-07 上海技术物理研究所 博士后

出版信息

   
发表论文
[1] Wei YanFeng, Sun QuanZhi. A convolution approach for the epilayer thickness in liquid phase epitaxial growth. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2021, 40(2): 161-165, http://dx.doi.org/10.11972/j.issn.1001-9014.2021.02.004.
[2] Li, Xun, Wang, Xi, Lin, Chun, Wei, Yanfeng, Zhou, Songmin, Sun, Quanzhi. Analysis of temperature dependent dark current mechanisms for long-wavelength infrared p-on-n HgCdTe detectors. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY[J]. 2021, 36(5): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000646875400001.
[3] 魏彦锋. Au掺杂HgCdTe材料的光电特性. 红外与激光工程. 2021, [4] Lu, Qi, Wang, Xi, Wei, Yanfeng, Sun, Quanzhi, Lin, Chun. Investigation of the influence of graded-gap layer formed by annealing on the electrical properties of the near-surface of LPE HgCdTe using MIS structure. MATERIALS RESEARCH EXPRESS[J]. 2021, 8(1): http://dx.doi.org/10.1088/2053-1591/abda6b.
[5] 丁瑞军, 杨建荣, 何力, 胡晓宁, 陈路, 林春, 廖清君, 叶振华, 陈洪雷, 魏彦锋. 碲镉汞红外焦平面器件技术进展. 红外与激光工程[J]. 2020, 49(1): 85-91, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7101214949.
[6] 李浩, 林春, 周松敏, 郭慧君, 王溪, 陈洪雷, 魏彦锋, 陈路, 丁瑞军, 何力. 碲镉汞雪崩焦平面器件. 红外与毫米波学报. 2019, 38(05期): 587-590, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7003051254.
[7] Li Hao, Lin Chun, Zhou SongMin, Guo HuiJun, Wang Xi, Chen HongLei, Wei YanFeng, Chen Lu, Ding RuiJun, He Li. HgCdTe avalanche photodiode FPA. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2019, 38(5): 587-590, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000493720100007.
[8] 张姗, 沈益铭, 刘丹, 钟艳红, 魏彦锋, 廖清君, 陈洪雷, 林春, 丁瑞军, 何力. 可见/近红外超光谱碲镉汞焦平面研究. 应用光学[J]. 2019, 40(3): 429-434, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7001993273.
[9] 任士远, 林春, 魏彦锋, 周松敏, 王溪, 郭慧君, 陈路, 丁瑞军, 何力. 碲镉汞器件光敏元电容测试与分析. 红外技术[J]. 2019, 41(5): 413-417, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7002029846.
[10] Wang Xi, Zhou SongMin, Sun ChangHong, Wei YanFeng, Shen Hao, Lin Chun. Annealing of Au doped HgCdTe covered by electron beam evaporated CdTe. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2018, 37(4): 399-402, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000448285000004.
[11] Wang Xi, Zhou SongMin, Sun ChangHong, Wei YanFeng, Shen Hao, Lin Chun. Annealing of Au doped HgCdTe covered by electron beam evaporated CdTe. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2018, 37(4): 399-402, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000448285000004.
[12] Hao Lichao, Huang Aibo, Xie Xiaohui, Li Hui, Lai Canxiong, Chen Honglei, Wei Yanfeng, Ding Ruijun. 32×32甚长波红外HgCdTe焦平面器件. 红外与激光工程[J]. 2017, 46(5): 0504001-1, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=672269393.
[13] 郑华, 樊华, 王子仪, 魏彦锋, 张荣君. 碲镉汞红外探测器增透结构设计. 实验室研究与探索. 2017, 36(1): 46-48, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=671462963.
[14] 郝立超, 黄爱波, 解晓辉, 李辉, 赖灿雄, 陈洪雷, 魏彦锋, 丁瑞军. 32×32甚长波红外HgCdTe焦平面器件. 红外与激光工程. 2017, 46(5): 59-64, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=672269393.
[15] 孙权志, 孙瑞赟, 魏彦锋, 孙士文, 周昌鹤, 徐超, 虞慧娴, 杨建荣. 50mm×50mm高性能HgCdTe液相外延材料的批生产技术. 红外与毫米波学报. 2017, 36(1): 49-53, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=671470041.
[16] Sun QuanZhi, Sun RuiYun, Wei YanFeng, Sun ShiWen, Zhou ChangHe, Xu Chao, Yu HuiXiang, Yang JianRong. Batch production technology of 50 mm x 50 mm HgCdTe LPE materials with high performance. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2017, 36(1): 49-+, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000395722400010.
[17] Sun, Quanzhi, Wei, Yanfeng, Zhang, Juan, Sun, Ruiyun. Effect of Lattice Mismatch on HgCdTe LPE Film Surface Morphology. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS[J]. 2016, 45(9): 4674-4679, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000381080000026.
[18] Hu, ErTao, Cai, QingYuan, Zhang, RongJun, Wei, YanFeng, Zhou, WenChao, Wang, SongYou, Zheng, YuXiang, Wei, Wei, Chen, LiangYao. Effective method to study the thickness-dependent dielectric functions of nanometal thin film. OPTICS LETTERS[J]. 2016, 41(21): 4907-4910, http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/56965.
[19] Wang Ziyi, Zhang Rongjun, Tang Bin, Sun Yuancheng, Xu Jiping, Zheng Yuxiang, Wang Songyou, Chen Liangyao, Fan Hua, Liao Qingjun, Wei Yanfeng. 唯一性检测在椭圆偏振光谱薄膜拟合中的应用. 红外与毫米波学报[J]. 2015, 34(6): 663-667, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=667225520.
[20] Sun, Quanzhi, Yang, Jianrong, Wei, Yanfeng, Zhang, Juan, Sun, Ruiyun. Characteristics of Au Migration and Concentration Distributions in Au-Doped HgCdTe LPE Materials. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS[J]. 2015, 44(8): 2773-2778, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000357041400030.
[21] Zhou Songmin, Lin Chun, Li Haibin, Wei Yanfeng, Ye Zhenhua, Ding Ruijun, He Li, Andresen BF, Fulop GF, Hanson CM, Norton PR. Mercury cadmium telluride implanted junction profile measurement and depth control. INFRARED TECHNOLOGY AND APPLICATIONS XLnull. 2014, 9070: [22] 崔宝双, 魏彦锋, 孙权志, 杨建荣. HgCdTe薄膜材料组分分布对器件响应光谱的影响. 红外与毫米波学报[J]. 2013, 32(3): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1141636.
[23] 崔宝双, 魏彦锋, 孙权志, 杨建荣. 液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性对器件响应光谱的影响. 红外与激光工程[J]. 2013, 42(4): 845-849, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=45830877.
[24] Li HaiBin, Lin Chun, Chen XingGuo, Wei YanFeng, Xu JingJe, He Li. Fabrication and performances of arsenic-doped HgCdTe long-wavelength infrared photodiode arrays. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2012, 31(5): 403-406, [25] 高矿红, 魏来明, 俞国林, 杨睿, 林铁, 魏彦锋, 杨建荣, 孙雷, 戴宁, 褚君浩. HgCdTe反型层的磁输运性质. 物理学报[J]. 2012, 61(2): 027301-1, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=40817430.
[26] 徐竟杰, 陈兴国, 周松敏, 魏彦锋, 林春, 杨建荣. HgCdTe红外探测器CdTe钝化蒸发生长改进. 激光与红外[J]. 2012, 42(11): 1263-1267, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=43975875.
[27] 李艳鹏, 张传杰, 徐庆庆, 魏彦锋, 杨建荣. 激活退火对As掺杂型HgCdTe材料的影响. 激光与红外. 2010, 40(5): 506-510, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=33840116.
[28] 杨建荣, 张传杰, 方维政, 魏彦锋, 刘从峰, 孙士文, 陈晓静, 徐庆庆, 顾仁杰, 陈新强. 碲镉汞富碲垂直液相外延技术. 红外与毫米波学报. 2009, 28(5): 325-329, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=31993652.
[29] Yang, J R, Cao, X L, Wei, Y F, He, L. Traces of HgCdTe defects as revealed by etch pits. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS[J]. 2008, 37(9): 1241-1246, http://202.127.1.142/handle/181331/530.
[30] 焦翠灵, 徐庆庆, 赵守仁, 孙士文, 方维政, 魏彦锋. HgCdTe组分异质结的生长与表征. 半导体学报[J]. 2008, 29(7): 1342-1346, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=27726560.
[31] 徐庆庆, 陈新强, 魏彦锋, 杨建荣, 陈路. Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延材料的生长与性能分析. 半导体学报[J]. 2007, 28(7): 1078-1082, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=24955628.
[32] 焦翠灵, 赵守仁, 陈新强, 魏彦锋. HgCdTe/CdZnTe晶格失配与X光衍射貌相的关系研究. 激光与红外. 2007, 37(B09): 910-914, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=25390287.
[33] 魏彦锋, 陈新强, 曹妩媚. HgCdTe液相外延薄膜生长及缺陷表征. 红外与激光工程[J]. 2006, 35(3): 294-296,313, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=22275747.
[34] 王庆学, 魏彦锋, 朱建妹, 杨建荣, 何力. B^+注入HgCdTe外延材料的红外透射光谱分析. 光子学报. 2005, 34(8): 1179-1182, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=18159089.
[35] 王庆学, 杨建荣, 魏彦锋, 方维政, 陈新强, 何力. HgCdTe组分不均性对X射线反射率的影响. 光学学报. 2005, 25(10): 1365-1370, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=20232386.
[36] 徐庆庆, 陈新强, 魏彦锋, 曹妩媚, 赵守仁, 杨建荣. 采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜. 激光与红外. 2005, 35(11): 842-844, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=20776422.
[37] 王庆学, 杨建荣, 魏彦锋, 方维政, 陈新强, 何力. Hg1-xCdxTe/Cd1-zZnzTe的X射线反射率及半峰全宽的动力学研究. 光学学报. 2005, 25(5): 712-716, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=15626433.
[38] 王庆学, 魏彦锋, 方维政, 杨建荣, 何力. HgCdTe/CdZnTe液相外延材料的倒易空间图研究. 功能材料与器件学报. 2005, 11(1): 112-116, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=15264649.
[39] 王庆学, 魏彦锋, 杨建荣, 何力. 液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性对红外透射光谱的影响. 半导体学报. 2005, 26(5): 904-909, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=15727191.
[40] 魏彦锋, 王庆学, 陈新强, 杨建荣, 何力. Hg1-χCdχTe液相外延薄膜的X射线衍射. 半导体学报. 2004, 25(8): 946-950, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=10155557.
[41] 魏彦锋. The annealing study of Cd1-xZnxTe crystals by IR transmission and micro-Raman spectrum. Proceedings of SPIE. 2002, [42] 魏彦锋, 张小平, 杨建荣, 方维政, 何力. 垂直Bridgman生长CdTe过程的数值模拟. 半导体学报[J]. 2001, 22(7): 853-, [43] 杨建荣, 王福建, 方维政, 黄大鸣, 刘从峰, 王兴军, 魏彦锋, 何力. Cd1—xZnxTe合金的退火研究. 半导体学报[J]. 2001, 22(8): 992-, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=5406086.
[44] []. HgCdTe液相外延薄膜表面缺陷的控制. http://202.127.1.142/handle/181331/1195.

科研活动

   
科研项目
(1) 碲镉汞薄膜富汞液相外延系统,主持,院级级,2010-07--2012-06
(2) 硅基碲镉汞外延新技术研究,主持,国家级,2009-01--2011-12

指导学生

已指导学生

徐庆庆  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

焦翠灵  硕士研究生  070205-凝聚态物理  

李艳鹏  硕士研究生  077303-微电子学与固体电子学  

现指导学生

崔宝双  硕士研究生  077303-微电子学与固体电子学  

仇光寅  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学