基本信息
刘键  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: liuj_12222@yahoo.com
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 100029

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
集成电路先导工艺技术
新原理装备技术

教育背景

1993-09--1997-09   北京科技大学   博士学位
1984-09--1987-06   南开大学电子科学系   硕士学位
1980-09--1984-07   南开大学物理系   学士学位

工作经历

   
工作简历
2002-05~现在, 中科院微电子所, 研究员
2000-04~2002-04,美国纽约洲立大学, 访问学者
1997-10~1999-10,中科院高能物理研究所, 博士后
1993-09~1997-09,北京科技大学, 博士学位
1987-09~1993-07,机电部13所, 工程师
1984-09~1987-06,南开大学电子科学系, 硕士学位
1980-09~1984-07,南开大学物理系, 学士学位

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010560899.4

( 2 ) 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010561021.2,

( 3 ) 一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010560898.x

( 4 ) 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010546602.9,

( 5 ) 一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010546604.8

( 6 ) 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010546594.8

( 7 ) 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: 200910306624.5

( 8 ) 一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: 200910306635.3

出版信息

   
发表论文
(1) 紫外日盲焦平面探测器成像处理系统研制, Design of image processing system for UV solar blind focal plane detector, 红外与激光工程, 2011, 
(2) 焦平面阵列BP神经网络非均匀性校正及其算法改进, BP Neural Network Nonuniformity Correction Technique for FPA and Improved Algorithm, 红外技术, 2010, 第 4 作者
(3) 三维物体的重建方法, Method of 3D Reconstruction, 微纳电子技术, 2010, 第 2 作者
(4) 具有低欧姆接触电阻的高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
(5) 高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制, 半导体学报, 2005, 第 2 作者
(6) 基于Flip-Chip技术的AlGaN/GaN HEMTs, 半导体学报, 2005, 第 1 作者
(7) Co-implantation of carbon and nitrogen into silicon dioxide for synthesis of carbon nitride materials, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2002, 
(8) Investigation of SiC films deposited onto stainless steel and their retarding effects on tritium permeation, SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, 2000, 
(9) A Rapid Annealing Study of Neutron-Irradiated GaAs by Rutherford Backscattering Spectrometry/Channeling, J. of Vacuum Science and Technology B, 2000, 第 1 作者
(10) A Photoluminescence Study of the Defects Induced by Neutron Irradiation and Rapid Annealing in SI-GaAs, Journal of Applied Physics, 2000, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 大功率LED 模组生产工艺及成套设备, 负责人, 地方任务, 2011-01--2013-12
( 2 ) 新型三维成像与三维微显示技术及器件基础研究, 负责人, 国家任务, 2010-01--2014-12