基本信息
于广辉  男  博导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: ghyu@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号8号楼1203室
邮政编码: 2010050

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
招生方向


教育背景

   
学历
-- 研究生
学位
-- 博士

专利与奖励

   
专利成果
[1] 张燕辉, 于广辉, 陈志蓥, 隋妍萍. 一种石墨薄膜的制备方法. CN: CN111072022A, 2020-04-28.

[2] 陈志蓥, 于广辉, 张燕辉, 隋妍萍, 梁逸俭, 胡诗珂, 李晶, 康鹤, 王爽. 一种改变双层石墨烯耦合性的方法及双层石墨烯. CN: CN110683533A, 2020-01-14.

[3] 张燕辉, 于广辉, 陈志蓥, 隋妍萍. 铜晶须的制备方法. CN: CN108570710A, 2018-09-25.

[4] 张燕辉, 于广辉, 陈志蓥, 隋妍萍, 葛晓明, 邓荣轩, 梁逸俭, 胡诗珂. 一种石墨烯-玻璃及其制备方法. CN: CN108439812A, 2018-08-24.

[5] 张燕辉, 于广辉, 陈志蓥, 隋妍萍, 葛晓明, 邓荣轩, 梁逸俭, 胡诗珂. 一种石墨烯玻璃. CN: CN206317488U, 2017-07-11.

[6] 张燕辉, 于广辉, 葛晓明, 张浩然, 陈志蓥, 隋妍萍, 邓荣轩. 一种基于干法清洗工艺制备铜衬底的方法. CN: CN106884153A, 2017-06-23.

[7] 张燕辉, 于广辉, 葛晓明, 张浩然, 陈志蓥, 隋妍萍, 邓荣轩. 一种基于清洗工艺制备铜衬底的方法. CN: CN106884152A, 2017-06-23.

[8] 张燕辉, 于广辉, 葛晓明, 张浩然, 陈志蓥, 隋妍萍, 邓荣轩. 一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法. CN: CN106882792A, 2017-06-23.

[9] 陈志蓥, 于广辉, 张燕辉, 隋妍萍, 葛晓明, 胡诗珂, 梁逸俭. 一种提高石墨烯膜表面亲水性的方法. CN: CN106829943A, 2017-06-13.

[10] 于广辉, 张燕辉, 隋妍萍, 陈志蓥, 邓荣轩, 葛晓明, 梁逸俭, 胡诗珂. 一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法. CN: CN106756869A, 2017-05-31.

[11] 于广辉, 吴天如, 谢晓明, 时志远, 陈吉, 张燕辉, 隋妍萍, 陈志蓥. 一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构及其原位生长方法. CN: CN106756871A, 2017-05-31.

[12] 张燕辉, 于广辉, 隋妍萍, 陈志蓥, 邓荣轩, 葛晓明, 梁逸俭, 胡诗珂. 一种无粘连插层金属箔片堆垛制备石墨烯的方法. CN: CN106591798A, 2017-04-26.

[13] 隋妍萍, 于广辉, 张燕辉, 陈志蓥, 葛晓明, 张浩然. 一种基于石墨烯的表面增强拉曼基底及其制备方法. CN: CN106248649A, 2016-12-21.

[14] 张燕辉, 于广辉, 陈志蓥, 王斌, 隋妍萍, 张浩然, 张亚欠, 李晓良. 一种石墨烯的表征方法. CN: CN105021621A, 2015-11-04.

[15] 张浩然, 于广辉, 张燕辉, 张亚欠, 陈志蓥, 隋妍萍. 基于氧化亚铜薄膜衬底低成核密度石墨烯单晶的制备方法. CN: CN104975344A, 2015-10-14.

[16] 陈志蓥, 于广辉, 张燕辉, 隋妍萍, 张浩然, 张亚欠, 葛晓明, 徐伟. 一种提高金属电极与石墨烯欧姆接触的方法. CN: CN104851787A, 2015-08-19.

[17] 陈志蓥, 于广辉, 张燕辉, 隋妍萍, 张浩然, 张亚欠, 葛晓明, 徐伟. 一种通过高温高压提高石墨烯表面洁净度的方法. CN: CN104803377A, 2015-07-29.

[18] 张燕辉, 于广辉, 陈志蓥, 王斌, 隋妍萍, 张浩然, 张亚欠, 李晓良. 一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法. CN: CN104807810A, 2015-07-29.

[19] 张燕辉, 于广辉, 陈志蓥, 王斌, 隋妍萍, 张浩然, 张亚欠, 李晓良. 一种CVD石墨烯薄膜区域择优选取的方法. CN: CN104805419A, 2015-07-29.

[20] 王斌, 于广辉, 赵智德, 徐伟, 隋妍萍, 张燕辉. 一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法. CN: CN104078335A, 2014-10-01.

[21] 陈志蓥, 于广辉, 张燕辉, 隋妍萍, 张浩然, 张亚欠, 汤春苗, 朱博, 李晓良. 一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法. CN: CN104030274A, 2014-09-10.

[22] 张燕辉, 于广辉, 陈志蓥, 王彬, 张浩然. 一种柔性导热垫片的制备方法. CN: CN103965839A, 2014-08-06.

[23] 王斌, 于广辉, 赵志德, 徐伟, 张燕辉, 陈志蓥, 隋妍萍. 一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法. CN: CN103928583A, 2014-07-16.

[24] 张燕辉, 于广辉, 陈志蓥, 王彬, 张浩然. 一种增强泡沫铜在较高温度下抗氧化能力的方法. CN: CN103924207A, 2014-07-16.

[25] 张燕辉, 于广辉, 陈志蓥, 王彬, 张浩然. 一种增强泡沫铜抗氧化能力的方法. CN: CN103924274A, 2014-07-16.

[26] 陈志蓥, 于广辉, 张燕辉, 隋妍萍, 王斌, 张浩然, 张亚欠, 李晓良. 一种通过无损掺杂提高石墨烯迁移率的方法. CN: CN103896262A, 2014-07-02.

[27] 陈志蓥, 于广辉, 张燕辉, 隋妍萍, 王斌, 张浩然, 张亚欠, 汤春苗, 朱博, 李晓良. 一种辨别石墨烯连续膜完整性的方法. CN: CN103900870A, 2014-07-02.

[28] 陈志蓥, 于广辉, 王斌, 张燕辉, 王彬, 赵智德, 吴渊文, 张浩然. 一种修饰石墨烯薄膜的方法. CN: CN103848416A, 2014-06-11.

[29] 张燕辉, 于广辉, 陈志蓥, 王彬, 张浩然. 直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面缺陷分布的方法. CN: CN103352210A, 2013-10-16.

[30] 张燕辉, 于广辉, 陈志蓥, 王彬, 张浩然. 直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面褶皱分布的方法. CN: CN103353437A, 2013-10-16.

[31] 张燕辉, 于广辉, 陈志蓥, 王彬, 张浩然. 增大化学气相沉积石墨烯单晶晶畴尺寸的方法. CN: CN103352249A, 2013-10-16.

[32] 张燕辉, 于广辉, 陈志蓥, 王彬, 张浩然. 便于观察金属衬底上化学气相沉积石墨烯表面褶皱分布的方法. CN: CN103353276A, 2013-10-16.

[33] 王浩敏, 谢红, 刘晓宇, 张有为, 陈志蓥, 于广辉, 谢晓明. 一种石墨烯场效应器件制备方法. CN: CN102915929A, 2013-02-06.

[34] 吴渊文, 于广辉, 师小萍, 王彬, 张燕辉, 陈志蓥. 一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法. CN: CN102344131A, 2012-02-08.

[35] 雷本亮, 于广辉, 王笑龙, 齐鸣, 孟胜, 李爱珍. 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法. CN: CN1828837B, 2011-04-20.

[36] 王新中, 于广辉, 林朝通, 曹明霞, 卢海峰, 李晓良, 巩 航, 齐 鸣, 李爱珍. 一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法. CN: CN101488475B, 2010-09-01.

[37] 王新中, 于广辉, 雷本亮, 林朝通, 王笑龙, 齐 鸣. 采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法. CN: CN101229912B, 2010-06-16.

[38] 王新中, 于广辉, 林朝通, 曹明霞, 巩 航, 齐 鸣, 李爱珍. HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO 2 纳米掩膜及方法. 中国: CN100565804, 2009-12-02.

[39] 于广辉, 王新中, 林朝通, 曹明霞, 卢海峰, 李晓良, 巩 航, 齐 鸣, 李爱珍. HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法. CN: CN101514484A, 2009-08-26.

[40] 王新中, 于广辉, 林朝通, 曹明霞, 巩 航, 齐 鸣, 李爱珍. 利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法. CN: CN101350298A, 2009-01-21.

[41] 林朝通, 于广辉, 雷本亮, 王新中, 王笑龙, 齐 鸣. 钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法. CN: CN101220466A, 2008-07-16.

[42] 王笑龙, 于广辉, 隋妍萍, 雷本亮, 齐 鸣, 李爱珍. 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法. CN: CN1838384A, 2006-09-27.

[43] 雷本亮, 于广辉, 齐鸣, 叶好华, 孟胜, 李爱珍. 一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法. CN: CN1832112A, 2006-09-13.

[44] 雷本亮, 于广辉, 齐鸣, 叶好华, 孟胜, 李爱珍. 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法. CN: CN1744287A, 2006-03-08.

[45] 雷本亮, 于广辉, 齐 鸣, 叶好华, 孟 胜, 李爱珍. 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法. CN: CN1737195A, 2006-02-22.

[46] 于广辉, 叶好华, 雷本亮, 李爱珍, 齐鸣. 一种用于气相沉积的水平式反应器结构. CN: CN1242093C, 2006-02-15.

[47] 于广辉, 雷本亮, 叶好华, 齐 鸣, 李爱珍. 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法. CN: CN1587438A, 2005-03-02.

[48] 于广辉, 雷本亮, 叶好华, 齐鸣, 李爱珍. 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法. CN: CN1588624A, 2005-03-02.

[49] 孙洪波, 李玉东, 胡礼中, 苏士昌, 于广辉, 刘式墉. 五段式碰撞脉冲锁模量子阱激光器. CN: CN1043174C, 1999-04-28.

指导学生

已指导学生

曹明霞  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

卢海峰  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

师小萍  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

吴渊文  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵智德  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学