基本信息
丁瑞军  男  博导  中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: dingrj@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 上海玉田路500号
邮政编码: 200083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
红外光电器件,集成电路设计

教育背景

1988-09--1991-07   华东师范大学   研究生 硕士
1983-09--1988-07   华东师范大学   本科

工作经历

   
工作简历
2011-01~现在, 上海技术物理研究所, 研究员
1997-03~2001-01,上海技术物理研究所, 副研究员
1991-07~1997-03,上海技术物理研究所, 研究实习员 助理研究员
1988-09~1991-07,华东师范大学, 研究生 硕士
1983-09~1988-07,华东师范大学, 本科

专利与奖励

   
奖励信息
(1) XX红外探测关键技术, 一等奖, 部委级, 2018
(2) 硅基碲镉汞红外焦平面成像器件技术, 一等奖, 省级, 2017
(3) 航天红外焦平面技术研究集体, 特等奖, 院级, 2013
(4) 实践7号试验卫星多谱段相机, 一等奖, 部委级, 2007
(5) 2000元中波线列焦平面组件, 二等奖, 部委级, 2006
(6) InSb凝视红外焦平面组件, 二等奖, 国家级, 2004
(7) 红外焦平面参数测试系统, 三等奖, 部委级, 1998
专利成果
( 1 ) 基于超表面的红外彩色探测器, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN212539415U

( 2 ) 一种基于超表面的红外彩色探测器, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN112013956A

( 3 ) 一种基于超表面的红外伪彩色探测器, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN110823377A

( 4 ) 同时模式双波段碲镉汞探测器, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN209929317U

( 5 ) 一种同时模式双波段碲镉汞探测器, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110265492A

( 6 ) 可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN208904029U

( 7 ) 有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN208690263U

( 8 ) 一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN105762209B

( 9 ) 一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108807567A

( 10 ) 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜, 2017, 第 9 作者, 专利号: CN206282822U

( 11 ) 上端面开窗液氮杜瓦, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN206410789U

( 12 ) 一种上端面开窗的液氮杜瓦, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106872050A

( 13 ) 一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法, 2017, 第 9 作者, 专利号: CN106784133A

( 14 ) 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法, 2017, 第 9 作者, 专利号: CN106449377A

( 15 ) 低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片, 2016, 第 7 作者, 专利号: CN205609536U

( 16 ) 一种碲镉汞器件埋结工艺, 2016, 第 7 作者, 专利号: CN105762221A

( 17 ) 一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104889573A

( 18 ) 一种台面型红外探测器引出电极的结构, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN204516778U

( 19 ) 一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104752244A

( 20 ) 一种台面型红外探测器引出电极的结构及制备方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104752563A

( 21 ) 一种用于红外探测器的批量倒装回熔焊工艺方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104752243A

( 22 ) 一种用于红外探测器的回熔提拉倒装回熔焊工艺方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104752402A

( 23 ) 一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN204088348U

( 24 ) 一种用于红外焦平面读出电路的逐次逼近型模数转换器, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103916128A

( 25 ) 用于红外焦平面读出电路的逐次逼近型模数转换器, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN203883813U

( 26 ) 硅基碲镉汞长波光电二极管芯片, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN104037256A

( 27 ) 一种具有记忆功能背景抑制结构的读出电路, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN203772423U

( 28 ) 一种制备用于观察倒焊互连情况的制样方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103900880A

( 29 ) 具有记忆功能背景抑制结构的读出集成电路, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103852174A

( 30 ) 一种具有两步背景抑制功能的读出电路, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN203629686U

( 31 ) 一种铟表面处理的方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103762274A

( 32 ) 一种具有两步背景抑制功能的读出集成电路, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103256986A

( 33 ) 一种具有记忆功能背景抑制结构的读出集成电路, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103247636A

( 34 ) 短波红外探测器阵列读出电路适用的CTIA结构输入级, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102818637A

( 35 ) 双波段线列红外焦平面探测器集成结构, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102820308A

( 36 ) 一种短波红外探测器弱信号读出的模拟信号链结构, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102818639A

( 37 ) 一种具有数字输出的红外焦平面读出集成电路, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102252759A

( 38 ) 一种浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器, 2011, 第 9 作者, 专利号: CN201749851U

( 39 ) 一种金属化共用离子注入窗口的碲镉汞光伏探测芯片, 2011, 第 9 作者, 专利号: CN101958330A

( 40 ) 一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片, 2011, 第 9 作者, 专利号: CN101958331A

( 41 ) 一种光电二极管n区结构优化的碲镉汞长波探测芯片, 2011, 第 9 作者, 专利号: CN101958332A

( 42 ) 碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法, 2010, 第 7 作者, 专利号: CN101740502A

( 43 ) 一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器, 2010, 第 9 作者, 专利号: CN101894847A

( 44 ) 一种具有自动盲元剔除功能的读出集成电路, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101876570A

( 45 ) 一种掩模用光刻胶微凸镜列阵的等离子体回流成形方法, 2010, 第 9 作者, 专利号: CN101872804A

( 46 ) 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法, 2010, 第 9 作者, 专利号: CN101872803A

( 47 ) 离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法, 2010, 第 7 作者, 专利号: CN101740501A

( 48 ) 碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法, 2010, 第 9 作者, 专利号: CN101740662A

( 49 ) 红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法, 2010, 第 9 作者, 专利号: CN101726364A

( 50 ) 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法, 2010, 第 9 作者, 专利号: CN101719505A

( 51 ) 红外焦平面列阵器件混成互连铟焊点寿命的提高方法, 2010, 第 9 作者, 专利号: CN101718588A

( 52 ) 碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100466302

( 53 ) 红外探测器焦平面组件应力模拟实验结构, 2009, 第 4 作者, 专利号: CN101373155

( 54 ) 置于碲镉汞红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片, 2008, 第 7 作者, 专利号: CN100443928

( 55 ) 用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法, 2008, 第 6 作者, 专利号: CN101220477

( 56 ) 背向集成微透镜红外焦平面探测器及微透镜的制备方法, 2008, 第 5 作者, 专利号: CN100444381

( 57 ) 带有增透会聚微镜的红外焦平面探测器及微镜制备方法, 2008, 第 6 作者, 专利号: CN100433328

( 58 ) 窄带双波段扫描型红外焦平面探测器, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN100424492

( 59 ) 用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法, 2008, 第 4 作者, 专利号: CN100365780

( 60 ) 碲镉汞焦平面器件微台面列阵的反应离子刻蚀方法, 2007, 第 3 作者, 专利号: CN100334694

( 61 ) 红外焦平面列阵器件混成互连铟柱的微熔回流加固方法, 2007, 第 6 作者, 专利号: CN1937190

( 62 ) 微台面列阵碲镉汞红外双波段焦平面探测器芯片, 2006, 第 3 作者, 专利号: CN1794473

( 63 ) 钢丝绳测长装置, 1999, 第 3 作者, 专利号: CN2303266

出版信息

   
发表论文
(1) 具有背景抑制功能的长波红外读出电路, Long wavelength infrared readout circuit with background suppression function, 红外与激光工程, 2021, 第 3 作者
(2) Readout integrated circuit with multi-mode background suppression for long wavelength infrared focal plane arrays, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2021, 通讯作者
(3) Effects of etching processes on surface dark current of long-wave infrared InAs/GaSb superlattice detectors, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2020, 第 10 作者
(4) 碲镉汞红外焦平面器件技术进展, Development of technologies for HgCdTe IRFPA, 红外与激光工程, 2020, 第 1 作者
(5) Effects of different passivation layers on RV characteristics of long-wave HgCdTe gate-controlled diodes, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 4 作者
(6) 红外焦平面列级ADC数字读出电路测试技术研究, Research on testing technology of column-level ADC in IRFPA digital readout circuits, 红外与激光工程, 2020, 第 4 作者
(7) Fabrication and Characterization of InAs/GaSb type-II Superlattice Long-Wavelength Infrared Detectors Aiming High Temperature Sensitivity, JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2020, 第 10 作者
(8) 碲镉汞雪崩焦平面器件, HgCdTe avalanche photodiode FPA, 红外与毫米波学报, 2019, 第 9 作者
(9) Studies on InAs/GaAsSb mid-wavelength interband cascade infrared focal plane arrays, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 10 作者
(10) 干涉式大气垂直探测仪读出电路研究, Research of ROIC for geostationary interferometric infrared sounder, 红外与激光工程, 2019, 第 4 作者
(11) HgCdTe avalanche photodiode FPA, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 9 作者
(12) 可见/近红外超光谱碲镉汞焦平面研究, Research on HgCdTe focal plane arrays for ultra-spectrum detection in Vis/NIR, 应用光学, 2019, 第 9 作者
(13) 一种改进型天文应用低噪声红外探测器读出电路结构设计, An Improved Design of ROIC for Ultralow Noise Infrared Detector, 半导体光电, 2019, 第 3 作者
(14) Analysis of dark current generated by long-wave infrared HgCdTe photodiodes with different implantation shapes, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2019, 第 4 作者
(15) 碲镉汞器件光敏元电容测试与分析, Capacitance Measurement and Analysis ofMercury Cadmium Telluride Photosensitive Elements, 红外技术, 2019, 第 8 作者
(16) InAs/GaAsSb带间级联中波红外焦平面研究, Studies on InAs/GaAsSb mid-wavelength interband cascade infrared focal plane arrays, 红外与毫米波学报, 2019, 第 10 作者
(17) 一种深低温环境LVDS驱动电路, A LVDS Driver Circuit for Deep Low Working Temperature, 微电子学, 2019, 第 2 作者
(18) Ge量级大满阱容量脉冲频率调制电路设计, Design of Pulse Frequency Modulation Circuit with Full Capacity at Ge-Level, 红外技术, 2019, 第 2 作者
(19) Design of a readout circuit incorporating a 12-bit analog-to-digital converter for cooled infrared focal plane array, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2019, 第 4 作者
(20) A review on plasma-etch-process induced damage of HgCdTe, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 4 作者
(21) 超长线列双波段红外焦平面探测器杜瓦封装技术研究, Study on Dewar package for dual-band long linear IRFPA detectors, 红外与激光工程, 2018, 第 8 作者
(22) 飞行时间测距电路设计, Circuit design for time flight ranging, 电子设计工程, 2018, 第 3 作者
(23) 32×32甚长波红外HgCdTe焦平面器件, 32×32 very long wave infrared HgCdTe FPAs, 红外与激光工程, 2017, 第 8 作者
(24) InAs /GaSb II类超晶格长波红外探测器的实时γ 辐照效应, Real-time γ irradiation effects on long-wavelength InAs /GaSb Type II superlattice infrared detector, 红外与毫米波学报, 2017, 第 10 作者
(25) 基于分时共享方案的640×512红外读出电路设计, Design of 640×512 infrared ROIC based on time-sharing method, 红外与激光工程, 2017, 第 4 作者
(26) 32×32甚长波红外HgCdTe焦平面器件, 32×32 very long wave infrared HgCdTe FPAs, 红外与激光工程, 2017, 第 8 作者
(27) Real-time gamma irradiation effects on long-wavelength InAs/GaSb Type II superlattice infrared detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2017, 第 10 作者
(28) 用于IRFPA ROIC的高性能缓冲器模块的设计, 光电技术应用, 2017, 第 1 作者
(29) InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应, Real-time γ irradiation effects on long-wavelength InAs/GaSb Type Ⅱ superlattice infrared detector, 红外与毫米波学报, 2017, 第 10 作者
(30) 320×256大电荷容量的长波红外读出电路结构设计, 320×256 LW IRFPA ROIC with large charge capacity, 红外与激光工程, 2016, 第 2 作者
(31) 低维半导体异质结构光电探测材料及器件验证, Low dimensional semiconductor hetero-structure photoelectric detecting materials and devices, 红外与毫米波学报, 2016, 第 6 作者
(32) A novel electrode design and implementation for mesa-arrayed infrared detectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 第 7 作者
(33) 一种用于台面探测器的新型电极结构, A novel electrode design and implementation for mesa-arrayed infrared detectors, 红外与毫米波学报, 2016, 第 7 作者
(34) 利用傅里叶变换测量红外焦平面器件响应光谱, Spectrum of IRFPA measured by FT-IR, 激光与红外, 2016, 第 5 作者
(35) 一种用于台面探测器的新型电极结构, A novel electrode design and implementation for mesa-arrayed infrared detectors, 红外与毫米波学报, 2016, 第 7 作者
(36) 具有记忆功能背景抑制结构的共享型读出电路, Shared readout integrated circuit with memory-function background suppression, 红外与激光工程, 2015, 第 7 作者
(37) 320×256中/长波双色IRFPAs读出电路设计, 320×256 MW/LW dual-color IRFPAs readout circuits, 红外与激光工程, 2015, 第 2 作者
(38) 红外焦平面读出电路集成数字输出, IRFPA ROIC integrated digital output, 红外与激光工程, 2015, 第 5 作者
(39) 320 x 256 long wavelength infrared focal plane arrays based on type- II InAs/GaSb superlattice, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 10 作者
(40) 短波红外焦平面弱信号读出的高帧频模拟链路设计, High frequency weak signal analog chain design of short-wavelength IRFPAs, 红外与激光工程, 2014, 第 2 作者
(41) Mercury cadmium telluride implanted junction profile measurement and depth control, INFRARED TECHNOLOGY AND APPLICATIONS XL, 2014, 第 5 作者
(42) BDI型甚长波IRFPA读出电路研究与设计, Improved readout circuit with BDI structure for VLWIR FPAs, 红外与激光工程, 2014, 第 5 作者
(43) Numerical Simulation of Refractive-Microlensed HgCdTe Infrared Focal Plane Arrays Operating in Optical Systems, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2014, 其他(合作组作者)
(44) 碲镉汞e-APD焦平面数字化读出电路设计, Design of digital ROIC for HgCdTe e-APD FPA, 红外与激光工程, 2014, 第 6 作者
(45) Parameter determination from current-voltage characteristics of HgCdTe photodiodes in forward bias region, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2013, 第 5 作者
(46) 短波IRFPAs读出电路CTIA输入级的优化设计, CTIA input stage design of short- wavelength staring IRFPAs ROIC, 激光与红外, 2013, 第 2 作者
(47) Crosstalk suppressing design of GaAs microlenses integrated on HgCdTe infrared focal plane array, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2013, 第 5 作者
(48) 同时模式的中波/长波碲镉汞双色红外探测器, Simultaneous mode MW/LW two color HgCdTe infrared detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 第 8 作者
(49) 红外焦平面器件线性度测试误差分析, Analysis of infrared FPA linearity test error, 激光与红外, 2012, 第 3 作者
(50) Simultaneous mode MW/LW two color HgCdTe infrared detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 第 9 作者
(51) HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰, HgCdTe long-wavelength photodiode arrays modified with high-density hydrogen plasma, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 第 10 作者
(52) 中波2048元长线列碲镉汞焦平面杜瓦组件, Dewar for medium wave 2048 pixel long linear HgCdTe IRFPA, 红外与激光工程, 2011, 第 7 作者
(53) HgCdTe mid-wavelength infrared detector with interface passivated by hydrogen implantation, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 10 作者
(54) MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵, HgCdTe photodiode arrays passivated by MBE in-situ grown CdTe film, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 10 作者
(55) 钝化界面植氢优化的碲镉汞中波红外探测芯片, HgCdTe mid-wavelength infrared detector with interface passivated by hydrogen implantation, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 10 作者
(56) 基于硬件实现具有范围判断功能的动态线性拉伸算法, Dynamic Linear Extension Algorithm Based on Hardware Realization, 科学技术与工程, 2010, 第 4 作者
(57) 128 x 128 sw/mw two-color hgcdte irfpas, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 第 10 作者
(58) 128*128 Dual-color ROIC with electrical crosstalk resistant design, SPIE, 2010, 第 1 作者
(59) A novel design of infrared focal plane arrays with digital readout interface, 2010, 第 1 作者
(60) 一种程控实现任意行选的红外焦平面读出电路, A programmed IRFPA readout integrated circuit with arbitrary row selecting function, 激光与红外, 2010, 第 1 作者
(61) 128×128短波/中波双色红外焦平面探测器, 128×128 SW/MW TWO-COLOR HgCdTe IRFPAs, 红外与毫米波学报, 2010, 第 10 作者
(62) 32×32双色红外探测器同步读出电路设计, 32 × 32 Two Color IR Detector Readout Circuit With Simultaneous Integration Mode, 激光与红外, 2009, 第 2 作者
(63) A Study of Hg1-xCdxTe Surfaces Processed Using Inductively Coupled Plasma with CH4/H-2/N-2/Ar Mixture, 2008 INTERNATIONAL CONFERENCE ON OPTICAL INSTRUMENTS AND TECHNOLOGY: MICROELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC DEVICES AND INTEGRATION, 2009, 第 3 作者
(64) 红外焦平面读出电路辐射特性研究, Radiation effects study of readout IC for the infrared focal plane arrays, 激光与红外, 2009, 第 2 作者
(65) A frond-end ASIC design for non-uniformity correction, 2008 INTERNATIONAL CONFERENCE ON OPTICAL INSTRUMENTS AND TECHNOLOGY: OPTICAL SYSTEMS AND OPTOELECTRONIC INSTRUMENTS, 2009, 
(66) 红外焦平面非均匀性校正ASIC芯片设计, ASIC design of non -uniformity correction for IRFPA, 激光与红外, 2009, 第 4 作者
(67) 长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件, LONG-WAVE INFRARED 2048-ELEMENTS LINEAR HgCdTe FOCAL PLANE ARRAY, 红外与毫米波学报, 2009, 第 5 作者
(68) A CMOS readout integrated xircuit with automatic deselecting function for IRFPA, SPIE Vol.7509, 2009, 第 1 作者
(69) The theory and experiment of very-long-wavelength 256x1 GaAs/AlxGa1-xAs quantum well infrared detector linear arrays, SCIENCE IN CHINA SERIES G-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2008, 第 7 作者
(70) Spice model for ldd structure cmos device at 35k, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2008, 第 2 作者
(71) 双色红外焦平面研究进展, Review of two-color infrared focal plane arrays, 红外与激光工程, 2008, 第11作者
(72) 35K CMOS器件LDD结构的SPICE宏模型, 红外与毫米波学报, 2008, 第 1 作者
(73) 碲镉汞红外焦平面器件热失配应力研究, STUDY ON THERMAL MISMATCH STRESS OF HgCdTe INFRARED FOCAL PLANE ARRAY, 红外与毫米波学报, 2008, 第 4 作者
(74) 35KCMOS器件LDD结构的SPICE宏模型, SPICE MODEL FOR LDD STRUCTURE CMOS DEVICE AT 35K, 红外与毫米波学报, 2008, 第 3 作者
(75) 256×1甚长波多量子阱红外焦平面线列研制, 中国科学:G辑, 2008, 第 7 作者
(76) 双色红外焦平面研制进展, 红外与激光工程, 2008, 第 1 作者
(77) HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究, Study on Mask Technology of HgCdTe Etched by Inductively Coupled Plasma Dry Etching, 激光与红外, 2007, 第 4 作者
(78) 基于电流镜的同步积分模式双色读出结构设计, 2-color Readout Input Circuit with Simultaneous Integration Mode Based on Current Mirror, 激光与红外, 2007, 第 2 作者
(79) 读出电路数字模块设计, Digital Module Design of Readout Circuit, 激光与红外, 2007, 第 2 作者
(80) Kink效应对低温CMOS读出电路的影响, Impact of Kink Effect on CMOS Readout Circuits for Cryogenic Operation, 激光与红外, 2007, 第 3 作者
(81) 红外探测器背景抑制读出结构设计研究, Background Suppression of Readout Circuits for IR Detectors, 激光与红外, 2007, 第 2 作者
(82) 第三代红外焦平面基础技术的研究进展, Recent progress of the 3rd generation infrared FPAs, 红外与激光工程, 2007, 第 3 作者
(83) 红外焦平面失效现象仿真研究, Simulation Study of Infrared Focal Plane Arrays Invalidation Phenomenon, 激光与红外, 2007, 第 2 作者
(84) 一种红外焦平面数控偏置电压电路的实现, Implementation of Digital-controlled Bias Voltage Circuit on IRFPA, 半导体光电, 2006, 第 1 作者
(85) An investigation on spectral-characteristic of HgCdTe two-color detector, CONFERENCE DIGEST OF THE 2006 JOINT 31ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED AND MILLIMETER WAVES AND 14TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON TERAHERTZ ELECTRONICS, 2006, 第 4 作者
(86) 一种新型红外焦平面片上模数转换电路, A New On-chip Analog-to-digital Conversion Circuit for IRFPA, 半导体光电, 2006, 第 2 作者
(87) 应对第三代红外焦平面技术挑战的HgCdTe分子束外延, MBE HgCdTe.A Challenge to the Realization of Third Generation Infrared FPAs, 半导体学报, 2006, 第 8 作者
(88) 应对第三代红外焦平面技术挑战的HgCdTe分子束外延, MBE HgCdTe.A Challenge to the Realization of Third Generation Infrared FPAs, 半导体学报, 2006, 第 8 作者
(89) 一种红外焦平面片上模数转换电路的设计, 激光与红外, 2006, 第 5 作者
(90) 碲镉汞深微台面列阵干法隔离的轮廓研究, 激光与红外, 2006, 第 5 作者
(91) 面向第三代红外焦平面的碲镉汞材料器件研究, Molecular Beam Epitaxy of HgCdTe and Related Devices:towards to the 3rd Generation IRFPAs, 激光与红外, 2005, 第 2 作者
(92) 双色红外焦平面读出电路信号输入级初探, Signal Input Circuits of Dual Band IRFPA Readout Circuits, 激光与红外, 2005, 第 2 作者
(93) 64×64元InSb红外焦平面读出电路研制进展, Design and fabrication of readout integrated circuits for 64*64 InSb IR focal plane array, 红外与激光工程, 2002, 第 3 作者
(94) HgCdTe分子束外延In原子的掺杂特性, Indium Doping in MBE Grown HgCdTe, 固体电子学研究与进展, 2002, 第 9 作者
(95) 红外焦平面参数定义和测试方法的讨论, 红外与激光工程, 1997, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 高性能锑化物超晶格长波/甚长波材料与器件, 负责人, 国家任务, 2016-07--2020-12