基本信息
于丽娟  女  硕导  中国科学院半导体研究所
email: ylj@red.semi.ac.cn
address: 半导体所家属院宿舍11号楼
postalCode: 100083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
半导体光放大器的研究
光电子器件与集成

教育背景

1996-09--2000-01   西安交通大学   博士
1986-09--1989-06   吉林大学   硕士
1982-09--1986-06   吉林大学   学士学位

工作经历

   
工作简历
2007-03~2014-07,中科院半导体研究所, 副研究员
2006-03~2007-03,英国帝国理工大学, 高级访问学者
2002-05~现在, 中科院半导体所, 副研究员
1996-09~2000-01,西安交通大学, 博士
1989-07~1999-12,西安建筑科技大学, 副教授
1986-09~1989-06,吉林大学, 硕士
1982-09~1986-06,吉林大学, 学士学位

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 晶片直接键合过程中实验参数的优化, 2005, 第 2 作者, 专利号: 200510130770.9
( 2 ) Z字形自准直半导体光放大器热沉, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410047192.1
( 3 ) 一种测量半导体光放大器偏振灵敏度的装置, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN201410784900.X
( 4 ) 斜腔半导体光放大器的耦合方法 , 2014, 第 1 作者, 专利号: CN201410784618.1
( 5 ) 外腔窄线宽激光器, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN 201510999578.7
( 6 ) 少模面发射激光器, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN 201511006107.8
( 7 ) 双沟宽脊型半导体光放大器及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN 201610037070.3

出版信息

   
发表论文
(1) Few-Mode Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers for Space-Division Multiplexing, Chin. J. Semicon, 2017, 第 2 作者
(2) Vertical cavity surface emitting laser with two emission controllable transverse modes, IEEE Photonics Technology Letters, 2017, 第 2 作者
(3) 用阶梯变化金属纳米光栅增加介质中的光吸收, 太阳能, 2013, 第 1 作者
(4) CW InP-InGaAsP Quantum-Well Lasers on Si Fabricated by Wafer Bonding, Chin. J. Semicon., 2007, 第 1 作者
(5) Thermal stress analysis for GaInAsP multiple quantum well wafer chemically bonded to Si (100), J. Appl. Phys., 2006, 第 2 作者
(6) Strain analysis of InP/InGaAsP wafer bonded on Si by X-ray double crystalline diffraction,  Material Science and Engineering B, 2006, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 模式产生、转换与复用机制及控制, 参与, 国家级, 2014-01--2019-01
( 2 ) xxxx集成光源, 主持, 国家级, 2017-03--2018-03
( 3 ) xxxx光频梳, 参与, 国家级, 2016-09--2020-09