基本信息
王占国  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: zgwang@red.semi.ac.cn
通信地址: 中关村黄庄小区801乙楼901
邮政编码: 100190

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
080903-微电子学与固体电子学
0805Z2-半导体材料与器件
招生方向
半导体材料及材料物理,低维半导体微结构材料和量子器件
宽禁带半导体材料、器件和物理
宽禁带半导体材料生长制备和SiC电力电子器件

工作经历

   
工作简历
1994-06~1994-07,英国Surrey大学电电气工程系, 短期访问教授(中英科学合作项目)
1991-05~1991-07,瑞典隆德大学固体物理系, 访问教授
1984-01~现在, 中科院半导体研究所, 助研、研究员、研究室主任、副所长
1980-10~1983-11,瑞典隆德大学固体物理系, 访问学者
1962-09~1980-10,中国科学院半导体研究所, 实习研究员、助研
社会兼职
2007-10-01-2013-07-01,国家973计划新材料技术领域咨询委员会, 组长
2005-11-30-2015-07-02,中国电子学会半导体和集成技术分会, 主任委员
2005-05-01-今,天津市人民政府特聘专家, 特聘专家
2003-05-01-2008-10-08,中国材料研究学会, 副理事长
1991-04-30-2000-12-31,国家863计划新材料领域专家委员会, 委员、常委、功能专家组组长

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 自组织生长量子点激光材料和器件研究, 二等奖, 国家级, 2001
(2) “何梁何利科学与技术进步奖”,“宝洁优秀研究生导师奖”, , 其他, 2001
(3) 自组织生长量子点激光材料和器件研究, 一等奖, 部委级, 2000
专利成果
( 1 ) 硅基薄膜叠层太阳能电池隧道结的制作方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: ZL。200910078560.8

( 2 ) 一种可控量子点和量子环的方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: ZL。200810104761.6

( 3 ) 一种InAs量子点成核的方法, 2010, 第 5 作者, 专利号: ZL 2008 1 0102198.9

( 4 ) 一种半导体晶片表面损伤层的测量方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: ZL2005100012173.6

( 5 ) 一只自组织量子点为有源区的超辐射发光管, 2005, 第 2 作者, 专利号: ZL 02147587.3

出版信息

   
发表著作
( 1 ) 纳米半导体技术, Semicondutor Nanotechnology, 化学工业出版社, 2006-04, 第 1 作者
( 2 ) 中国材料工程大典:“信息功能材料工程第11、12和13卷”, Information-functional Materials Engineering No.11.12 and13 Vol., 化学工业出版社, 2006-06, 第 1 作者
( 3 ) 半导体材料研究进展 第一卷, Reasearch Progress of Semiconductor Materials Volume 1, 高等教育出版社, 2012-01, 第 1 作者
( 4 ) 超宽禁带半导体材料, Urtra-wide Bandgap Semiconductor Mateirals, Elsevier, 2019-10, 第 3 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 无制冷高速直调量子点激光器研究, 参与, 国家任务, 2016-07--2019-12
( 2 ) Electrical control of Spin Injection in spin-LEDs , 负责人, 国家任务, 2011-10--2014-12
( 3 ) 有机/无机半导体复合太阳能光伏材料与器件基础研究, 负责人, 国家任务, 2009-12--2014-01