基本信息
张苗  女  博导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: mzhang@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号8号楼601
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
招生方向


教育背景

   
学历
-- 研究生
学位
-- 博士

专利与奖励

   
专利成果
[1] 狄增峰, 王刚, 陈达, 陆子同, 叶林, 郑晓虎, 张苗, 丁古巧, 谢晓明. 一种石墨烯的制备方法. CN: CN113929090A, 2022-01-14.

[2] 狄增峰, 刘冠宇, 薛忠营, 田子傲, 张苗. 一种介电材料的制备方法及半导体结构. CN: CN113078044A, 2021-07-06.

[3] 狄增峰, 刘冠宇, 薛忠营, 田子傲, 张苗. 一种顶栅结构的制备方法及半导体结构. CN: CN113078053A, 2021-07-06.

[4] 狄增峰, 刘冠宇, 薛忠营, 田子傲, 张苗. 一种电极层的制备方法及半导体结构. CN: CN113078054A, 2021-07-06.

[5] 张苗, 狄增峰, 薛忠营, 王晨, 田子傲, 陈玉龙. TMDs二维材料薄膜、器件及制备方法. CN: CN113072099A, 2021-07-06.

[6] 张苗, 王雅斓, 李攀林, 薛忠营, 狄增峰. 一种石墨烯纳米带器件阵列及其制备方法. CN: CN111129113B, 2021-06-25.

[7] 张苗, 母志强, 陈达, 薛忠营, 狄增峰, 王曦. 一种光电探测器的制备方法. CN: CN112331744A, 2021-02-05.

[8] 狄增峰, 马喆, 薛忠营, 张苗, 梅永丰. 基于硅-石墨烯的光电探测器的制备方法. CN: CN108933183B, 2020-07-31.

[9] 殷华湘, 狄增峰, 卞建涛, 叶甜春, 魏星, 张苗, 王曦. 一种CMOS器件及其制作方法. CN: CN107464783B, 2020-01-31.

[10] 张苗, 陈玉龙, 狄增峰, 薛忠营, 贾鹏飞. 一种二维材料层及制备方法. CN: CN110117780A, 2019-08-13.

[11] 狄增峰, 贾鹏飞, 薛忠营, 郑晓虎, 张苗, 王曦. 具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法. CN: CN110065271A, 2019-07-30.

[12] 狄增峰, 贾鹏飞, 薛忠营, 孙银波, 马骏, 张苗, 王曦. 具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法. CN: CN110065939A, 2019-07-30.

[13] 狄增峰, 王刚, 朱云, 陈达, 张苗, 丁古巧, 谢晓明. 一种石墨烯的制备方法. CN: CN110054180A, 2019-07-26.

[14] 狄增峰, 李攀林, 王天波, 薛忠营, 张苗. 二维材料生长的定位观测方法. CN: CN109883950A, 2019-06-14.

[15] 张苗, 王雅斓, 李攀林, 狄增峰, 薛忠营. 石墨烯纳米带的转移方法. CN: CN109850877A, 2019-06-07.

[16] 张苗, 李攀林, 刘运启, 王天波, 薛忠营, 狄增峰. 晶圆级石墨烯薄膜的转移方法. CN: CN109824032A, 2019-05-31.

[17] 狄增峰, 刘冠宇, 张苗, 薛忠营. 低势垒高度肖特基二极管及其制备方法. CN: CN109509705A, 2019-03-22.

[18] 狄增峰, 刘冠宇, 杨悦昆, 张苗, 薛忠营. 高敏感度中红外光电探测器及其制备方法. CN: CN109473506A, 2019-03-15.

[19] 狄增峰, 杨悦昆, 刘冠宇, 郑鹏荣, 薛忠营, 张苗. 具有石墨烯的器件及其制备方法. CN: CN109473507A, 2019-03-15.

[20] 狄增峰, 杨悦昆, 薛忠营, 张苗. 高密度锗纳米线的制备方法. CN: CN109280903A, 2019-01-29.

[21] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 汪子文, 张苗. 一种转移石墨烯的方法. CN: CN108793146A, 2018-11-13.

[22] 狄增峰, 刘冠宇, 薛忠营, 田子傲, 张苗. 一种晶体管结构及其制备方法. CN: CN108649029A, 2018-10-12.

[23] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 狄增峰, 薛忠营, 贾鹏飞, 张苗. 一种绝缘体上石墨烯的制备方法. CN: CN107887319A, 2018-04-06.

[24] 薛忠营, 赵兰天, 赵清太, 俞文杰, 狄增峰, 张苗. 场效应晶体管结构及其制备方法. CN: CN107871780A, 2018-04-03.

[25] 狄增峰, 马骏, 张苗, 王刚, 贾鹏飞, 汪子文, 王曦. 一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法. CN: CN107653446A, 2018-02-02.

[26] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 汪子文, 张苗. 一种转移石墨烯的方法. CN: CN105088179B, 2017-08-15.

[27] 狄增峰, 汪子文, 王刚, 郑晓虎, 戴家赟, 薛忠营, 张苗, 王曦. 一种在绝缘衬底上直接制备层数可控石墨烯的方法. CN: CN106927459A, 2017-07-07.

[28] 狄增峰, 汪子文, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 张苗, 王曦. 一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法. CN: CN106904600A, 2017-06-30.

[29] 狄增峰, 汪子文, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 张苗, 王曦. 一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法. CN: CN106904599A, 2017-06-30.

[30] 张波, 孟骁然, 俞文杰, 狄增峰, 张苗. 利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属-半导体合金的方法. CN: CN106711019A, 2017-05-24.

[31] 张波, 孟骁然, 俞文杰, 狄增峰, 张苗. SiGeSn材料及其制备方法. CN: CN106328502A, 2017-01-11.

[32] 狄增峰, 马骏, 张苗, 薛忠营, 贾鹏飞, 汪子文, 王刚, 王曦. 一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法. CN: CN106276873A, 2017-01-04.

[33] 狄增峰, 王刚, 李金华, 刘宣勇, 陈达, 郭庆磊, 马骏, 薛忠营, 张苗. 一种对医用钛材料表面进行改性的方法. CN: CN105983132A, 2016-10-05.

[34] 张苗, 贾鹏飞, 薛忠营, 郑晓虎, 王刚, 孙银波, 狄增峰, 王曦. 一种应变量子点的制备方法及应变量子点. CN: CN105977145A, 2016-09-28.

[35] 狄增峰, 贾鹏飞, 薛忠营, 郑晓虎, 王刚, 马骏, 张苗, 王曦. 一种去除石墨烯上光刻胶的方法. CN: CN105895522A, 2016-08-24.

[36] 李伟, 狄增峰, 齐功民, 张苗, 母志强, 王曦. 锗银复合材料及其在光电器件中的应用. CN: CN105866983A, 2016-08-17.

[37] 狄增峰, 李伟, 齐功民, 张苗, 母志强, 王曦. 基于表面等离子体的硅基光源. CN: CN105742443A, 2016-07-06.

[38] 狄增峰, 王刚, 陈达, 郭庆磊, 马骏, 郑晓虎, 戴家赟, 薛忠营, 张苗, 丁古巧, 谢晓明. 掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法. CN: CN105655242A, 2016-06-08.

[39] 张波, 俞文杰, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法. CN: CN103137538B, 2016-04-20.

[40] 张波, 侯春雷, 孟骁然, 狄增峰, 张苗. 一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法. CN: CN105448690A, 2016-03-30.

[41] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 郭庆磊, 母志强, 孙高迪. 吸附剥离制备绝缘体上材料的方法. CN: CN105428300A, 2016-03-23.

[42] 张苗, 陈达, 王刚, 郭庆磊, 母志强, 孙高迪, 薛忠营, 狄增峰. 利用低温剥离技术制备绝缘体上材料的方法. CN: CN105428302A, 2016-03-23.

[43] 张苗, 陈达, 王刚, 郭庆磊, 孙高迪, 母志强, 薛忠营, 狄增峰. 利用微波退火技术低温制备GOI的方法. CN: CN105428301A, 2016-03-23.

[44] 狄增峰, 孙高迪, 陈达, 郭庆磊, 叶林, 董林玺, 张苗. 应力可调的悬浮应变薄膜结构及其制备方法. CN: CN105321821A, 2016-02-10.

[45] 狄增峰, 戴家赟, 叶林, 汪子文, 薛忠营, 张苗. 纳米线与石墨烯的复合材料及其制备方法. CN: CN105174268A, 2015-12-23.

[46] 薛忠营, 王天波, 贾鹏飞, 狄增峰, 张苗. 一种绝缘体上石墨烯的制备方法. CN: CN105129785A, 2015-12-09.

[47] 狄增峰, 贾鹏飞, 薛忠营, 陈达, 马骏, 张苗. 一种绝缘体上材料的制备方法. CN: CN105140171A, 2015-12-09.

[48] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 汪子文, 薛忠营, 张苗. 一种制备无褶皱的石墨烯的方法. CN: CN105110324A, 2015-12-02.

[49] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 史晓华, 张苗. 一种褶皱状石墨烯的制备方法. CN: CN105060286A, 2015-11-18.

[50] 狄增峰, 孙高迪, 陈达, 郭庆磊, 母志强, 董林玺, 张苗. 一种绝缘体上应变薄膜结构及调节应变薄膜应力的方法. CN: CN104934294A, 2015-09-23.

[51] 张波, 侯春雷, 狄增峰, 张苗, 赵清太. 一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法. CN: CN104752182A, 2015-07-01.

[52] 张苗, 陈达, 薛忠营, 郭庆磊, 王刚, 母志强, 狄增峰. 一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法. CN: CN104752308A, 2015-07-01.

[53] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 母志强, 陆子同. 剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法. CN: CN104752309A, 2015-07-01.

[54] 狄增峰, 王刚, 李金华, 刘宣勇, 陈达, 郑晓虎, 郭庆磊, 张苗, 丁古巧, 谢晓明. 锗基石墨烯的抗菌用途. CN: CN104686575A, 2015-06-10.

[55] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 母志强, 叶林. 一种利用离子注入技术制备绝缘体上半导体材料的方法. CN: CN104517883A, 2015-04-15.

[56] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 叶林, 母志强. 一种低剂量注入制备绝缘体上半导体材料的方法. CN: CN104425341A, 2015-03-18.

[57] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 刘林杰, 母志强, 叶林. 一种厚度可控的绝缘体上半导体材料的制备方法. CN: CN104425342A, 2015-03-18.

[58] 狄增峰, 叶林, 许宝建, 蔡奇, 王刚, 张苗. 一种锗纳米线场效应晶体管及其制备方法. CN: CN104332405A, 2015-02-04.

[59] 张苗, 母志强, 陈达, 薛忠营, 狄增峰, 王曦. 一种多沟道全包围栅极的半导体器件结构的制备方法. CN: CN104157579A, 2014-11-19.

[60] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 汪子文, 张苗. 具有特定形状且排列整齐的石墨烯单晶畴的制备方法. CN: CN104152991A, 2014-11-19.

[61] 狄增峰, 母志强, 郭庆磊, 叶林, 陈达, 张苗, 王曦. 张应变锗MSM光电探测器及其制作方法. CN: CN103985788A, 2014-08-13.

[62] 张苗, 陈达, 薛忠营, 王刚, 刘林杰, 郭庆磊, 母志强, 狄增峰. 一种超薄绝缘体上材料的制备方法. CN: CN103972148A, 2014-08-06.

[63] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 魏星, 王刚. 基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法. CN: CN103943547A, 2014-07-23.

[64] 狄增峰, 王刚, 李金华, 刘宣勇, 陈达, 郭庆磊, 叶林, 张苗, 丁古巧, 谢晓明. 锗基石墨烯的成骨促进用途. CN: CN103820387A, 2014-05-28.

[65] 张苗, 陈达, 薛忠营, 王刚, 郭庆磊, 叶林, 狄增峰. GOI结构的制备方法. CN: CN103646909A, 2014-03-19.

[66] 张苗, 陈达, 狄增峰, 叶林, 王刚, 郭庆磊, 母志强. 一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法. CN: CN103646853A, 2014-03-19.

[67] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 母志强, 叶林. 一种SGOI结构的制备方法. CN: CN103646910A, 2014-03-19.

[68] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 卞剑涛, 王刚. 利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法. CN: CN103633010A, 2014-03-12.

[69] 张苗, 陈达, 薛忠营, 卞剑涛, 母志强, 狄增峰. 利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法. CN: CN103632930A, 2014-03-12.

[70] 狄增峰, 母志强, 郭庆磊, 叶林, 陈达, 张苗, 王曦. 应变结构及其制作方法. CN: CN103560157A, 2014-02-05.

[71] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 叶林, 王刚, 母志强. 一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法. CN: CN103474386A, 2013-12-25.

[72] 卞剑涛, 狄增峰, 张苗. 基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法. CN: CN103295964A, 2013-09-11.

[73] 卞剑涛, 狄增峰, 张苗. 基于混合晶向SOI的器件系统结构及制备方法. CN: CN103295951A, 2013-09-11.

[74] 狄增峰, 王刚, 丁古巧, 张苗, 陈达, 马骏, 陆子同, 谢晓明. 层数可控石墨烯的生长方法. CN: CN103265021A, 2013-08-28.

[75] 狄增峰, 王刚, 张苗, 陈达, 叶林, 郭庆磊, 丁古巧, 谢晓明. 基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法. CN: CN103247520A, 2013-08-14.

[76] 张苗, 陈达, 薛忠营, 狄增峰, 王刚. 具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法. CN: CN103219275A, 2013-07-24.

[77] 张苗, 陈达, 刘林杰, 狄增峰, 薛忠营. 基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法. CN: CN103219274A, 2013-07-24.

[78] 狄增峰, 陈龙, 王刚, 魏星, 张苗, 王曦. 一种可控石墨烯阵列的制备方法. CN: CN103204455A, 2013-07-17.

[79] 狄增峰, 陈龙, 魏星, 张苗, 王曦. 一种可控硅纳米线阵列的制备方法. CN: CN103208413A, 2013-07-17.

[80] 狄增峰, 郑晓虎, 王刚, 张苗, 王曦. 一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法. CN: CN103208425A, 2013-07-17.

[81] 姜海涛, 张苗, 狄增峰, 卞建涛, 王曦. 一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法. CN: CN103187248A, 2013-07-03.

[82] 姜海涛, 张苗, 狄增峰, 卞剑涛, 王曦. 一种制备GOI的方法. CN: CN103165511A, 2013-06-19.

[83] 薛忠营, 张苗, 狄增峰, 魏星, 陈达. 一种嵌入超晶格制备应变Si的方法. CN: CN103165408A, 2013-06-19.

[84] 薛忠营, 张苗, 狄增峰, 魏星, 陈达. 一种SiGe中嵌入超晶格制备应变Si的方法. CN: CN103165420A, 2013-06-19.

[85] 姜海涛, 狄增峰, 张苗, 卞剑涛, 王曦. 一种超薄绝缘体上半导体材料及其制备方法. CN: CN103165512A, 2013-06-19.

[86] 薛忠营, 张苗, 狄增峰, 魏星, 陈达. 一种嵌入超晶格层组制备应变Si的方法. CN: CN103165409A, 2013-06-19.

[87] 俞文杰, 张波, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi 2 衬底材料及其制备方法. 中国: CN103137546A, 2013-06-05.

[88] 俞文杰, 张波, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种绝缘体上Si/NiSi 2 衬底材料及其制备方法. 中国: CN103137547A, 2013-06-05.

[89] 张波, 俞文杰, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种绝缘体上Si/CoSi 2 衬底材料及其制备方法. 中国: CN103137539A, 2013-06-05.

[90] 张波, 俞文杰, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi 2 衬底材料及其制备方法. 中国: CN103137537A, 2013-06-05.

[91] 俞文杰, 张波, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种图形化绝缘体上Si/CoSi 2 衬底材料及其制备方法. 中国: CN103137565A, 2013-06-05.

[92] 张苗, 刘林杰, 狄增峰, 高晓强, 陈达, 薛忠营, 姜海涛, 卞建涛. 一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构. CN: CN103065932A, 2013-04-24.

[93] 张苗, 刘林杰, 狄增峰, 薛忠营, 陈达, 卞建涛, 姜海涛, 高晓强. 一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构. CN: CN103065933A, 2013-04-24.

[94] 张苗, 刘林杰, 卞建涛, 陈达, 姜海涛, 薛忠营, 狄增峰. 一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法. CN: CN103065931A, 2013-04-24.

[95] 狄增峰, 郭庆磊, 梅永丰, 张苗, 黄高山, 郑晓虎. 一种制备柔性衬底上半导体亚微米带的方法及柔性光波导. CN: CN103058129A, 2013-04-24.

[96] 狄增峰, 郭庆磊, 梅永丰, 张苗, 黄高山. 基于图形识别在衬底上集成多种材料的方法. CN: CN103065937A, 2013-04-24.

[97] 狄增峰, 郭庆磊, 张苗, 卞剑涛, 叶林, 陈达. 一种制备直接带隙Ge薄膜的方法. CN: CN103065938A, 2013-04-24.

[98] 狄增峰, 高晓强, 恭谦, 张苗, 王庶民. 一种GaAsOI结构及Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法. CN: CN103050432A, 2013-04-17.

[99] 卞剑涛, 薛忠营, 狄增峰, 张苗. 一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法. CN: CN103021848A, 2013-04-03.

[100] 狄增峰, 郭庆磊, 张苗, 魏星, 薛忠营, 母志强, 戴佳赟. 微结构保角性转移方法. CN: CN103021818A, 2013-04-03.

[101] 狄增峰, 郭庆磊, 张苗, 叶林, 薛忠营, 陈龙, 王刚, 高晓强. 一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法. CN: CN103014847A, 2013-04-03.

[102] 狄增峰, 母志强, 薛忠营, 陈达, 张苗, 王曦. 混合共平面衬底结构及其制备方法. CN: CN103021815A, 2013-04-03.

[103] 狄增峰, 母志强, 薛忠营, 陈达, 张苗, 王曦. 混合共平面SOI衬底结构及其制备方法. CN: CN103021927A, 2013-04-03.

[104] 狄增峰, 高晓强, 恭谦, 张苗, 王庶民. 一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法. CN: CN103021812A, 2013-04-03.

[105] 魏星, 王中党, 叶斐, 曹共柏, 林成鲁, 张苗, 王曦. 采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法. CN: CN102130037B, 2013-03-13.

[106] 魏星, 曹共柏, 张苗, 张峰, 王曦. 采用选择性腐蚀制备带有绝缘埋层的衬底的制备方法. CN: CN102903607A, 2013-01-30.

[107] 张苗, 母志强, 薛忠营, 陈达, 狄增峰, 王曦. 硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法. CN: CN102842495A, 2012-12-26.

[108] 张苗, 母志强, 薛忠营, 陈达, 狄增峰, 王曦. 硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法. CN: CN102842496A, 2012-12-26.

[109] 张苗, 张波, 薛忠营, 王曦. 一种基于键合工艺的高K介质埋层的SOI材料制备方法. CN: CN102820251A, 2012-12-12.

[110] 张苗, 张波, 薛忠营, 王曦. 一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法. CN: CN102820252A, 2012-12-12.

[111] 张苗, 张波, 薛忠营, 王曦. 一种基于SOI衬底的高迁移率双沟道材料的制备方法. CN: CN102820253A, 2012-12-12.

[112] 张苗, 张波, 薛忠营, 王曦. 一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法. CN: CN102820209A, 2012-12-12.

[113] 狄增峰, 卞剑涛, 张苗, 王曦. 锗和III-V混合共平面的半导体结构及其制备方法. CN: CN102790054A, 2012-11-21.

[114] 狄增峰, 卞剑涛, 张苗, 王曦. 锗和III-V混合共平面的SOI半导体结构及其制备方法. CN: CN102790084A, 2012-11-21.

[115] 卞剑涛, 狄增峰, 张苗. 一种全隔离混合晶向SOI的制备方法. CN: CN102790004A, 2012-11-21.

[116] 卞剑涛, 狄增峰, 张苗. 一种选择性刻蚀制备全隔离混合晶向SOI的方法. CN: CN102790005A, 2012-11-21.

[117] 张苗, 母志强, 薛忠营, 陈达, 狄增峰, 王曦. 一种降低Si表面粗糙度的方法. CN: CN102751184A, 2012-10-24.

[118] 狄增峰, 叶林, 赵清太, 张苗. 利用锗浓缩技术制备SiGe或Ge纳米线的方法. CN: CN102751232A, 2012-10-24.

[119] 张苗, 母志强, 薛忠营, 陈达, 狄增峰, 王曦. 一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法. CN: CN102737963A, 2012-10-17.

[120] 张苗, 叶林, 狄增峰, 薛忠营. 一种GOI晶片结构的制备方法. CN: CN102738060A, 2012-10-17.

[121] 狄增峰, 王刚, 张苗, 陈达, 丁古巧, 谢晓明. 一种基于离子注入技术打开石墨烯带隙的方法. CN: CN102703988A, 2012-10-03.

[122] 姜海涛, 魏星, 张苗, 狄增峰, 武爱民, 母志强. 一种具有周期结构的半导体及其制备方法. CN: CN102693900A, 2012-09-26.

[123] 姜海涛, 薛忠营, 狄增峰, 张苗, 郭庆磊, 戴家赟. 一种绝缘体上半导体及其制备方法. CN: CN102683178A, 2012-09-19.

[124] 姜海涛, 武爱民, 张苗, 狄增峰, 魏星, 陈龙. 一种光子晶体及其制备方法. CN: CN102662212A, 2012-09-12.

[125] 张苗, 薛忠营, 张波, 魏星, 狄增峰. 一种晶向旋转键合晶片的制备方法. CN: CN102651306A, 2012-08-29.

[126] 狄增峰, 王刚, 张苗, 陈达, 丁古巧, 谢晓明. 一种无需衬底转移的制备石墨烯的方法. CN: CN102633258A, 2012-08-15.

[127] 武爱民, 魏星, 薛忠营, 杨志峰, 甘甫烷, 张苗, 王曦. 锗悬浮膜式二维光子晶体微腔及制备方法. CN: CN102590936A, 2012-07-18.

[128] 武爱民, 魏星, 薛忠营, 杨志峰, 甘甫烷, 张苗, 王曦. 锗悬臂梁式二维光子晶体微腔及制备方法. CN: CN102590935A, 2012-07-18.

[129] 张苗, 张波, 薛忠营, 王曦. 一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法. CN: CN102468123A, 2012-05-23.

[130] 张苗, 张波, 薛忠营, 王曦. 一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法. CN: CN102468124A, 2012-05-23.

[131] 魏星, 薛忠营, 曹共柏, 张峰, 张苗, 王曦. 锗衬底的生长方法以及锗衬底. CN: CN102383192A, 2012-03-21.

[132] 魏星, 薛忠营, 曹共柏, 张峰, 张苗, 王曦. 锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底. CN: CN102386068A, 2012-03-21.

[133] 张苗, 陈达, 狄增峰, 母志强, 王刚. 一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法. CN: CN102347267A, 2012-02-08.

[134] 黄晓橹, 陈静, 张苗, 王曦. 一种SON结构MOSFET的制备方法. CN: CN102339754A, 2012-02-01.

[135] 张苗, 陈达, 卞剑涛, 姜海涛, 薛忠营. 一种薄GOI晶片及其制备方法. CN: CN102290369A, 2011-12-21.

[136] 魏星, 王中党, 叶斐, 曹共柏, 林成鲁, 张苗, 王曦. 采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法. CN: CN102130037A, 2011-07-20.

[137] 黄晓橹, 伍青青, 魏星, 陈静, 张苗, 王曦. 基于混合晶向SOI工艺的CMOS环形振荡器及制备方法. CN: CN102098028A, 2011-06-15.

[138] 黄晓橹, 魏星, 程新红, 陈静, 张苗, 王曦. 一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法. CN: CN102082144A, 2011-06-01.

[139] 王曦, 张苗, 薛忠营. 一种混晶材料的制备方法及用该材料制备的半导体器件. CN: CN102064097A, 2011-05-18.

[140] 黄晓橹, 陈静, 张苗, 王曦. 一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法. CN: CN101997000A, 2011-03-30.

[141] 黄晓橹, 陈静, 张苗, 王曦. 一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法. CN: CN101996999A, 2011-03-30.

[142] 张苗, 张波, 王曦, 薛忠营, 魏星, 武爱民. 利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法. CN: CN101958271A, 2011-01-26.

[143] 张苗, 张波, 王曦, 薛忠营, 魏星, 武爱民. 一种制备悬空应变材料的方法. CN: CN101958238A, 2011-01-26.

[144] 张苗, 张波, 王曦, 薛忠营, 魏星, 武爱民. 一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法. CN: CN101958270A, 2011-01-26.

[145] 魏星, 王湘, 杨建, 张苗, 王曦, 林成鲁. 一种氧离子注入制备绝缘体上硅材料的方法. CN: CN101914758A, 2010-12-15.

[146] 张苗, 张波, 王曦, 薛忠营, 魏星, 武爱民. 一种绝缘体上应变硅制备方法. CN: CN101916741A, 2010-12-15.

[147] 魏星, 王湘, 张苗, 王曦, 林成鲁. 在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法. CN: CN101908472A, 2010-12-08.

[148] 魏星, 王湘, 杨建, 张苗, 王曦, 林成鲁. 一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法. CN: CN101901753A, 2010-12-01.

[149] 魏星, 王湘, 李显元, 张苗, 王曦, 林成鲁. 一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法. CN: CN101901754A, 2010-12-01.

[150] 魏星, 王湘, 杨建, 张苗, 王曦, 林成鲁. 一种绝缘体上锗硅和应变硅材料的制备方法. CN: CN101901780A, 2010-12-01.

[151] 张苗, 薛忠营, 张波, 魏星. 一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法. CN: CN101866875A, 2010-10-20.

[152] 张苗, 薛忠营, 张波, 魏星. 一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法. CN: CN101866874A, 2010-10-20.

[153] 王曦, 薛忠营, 张苗, 肖德元, 魏星. 一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上应变硅材料的方法. CN: CN101740463A, 2010-06-16.

[154] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管. CN: CN101719498A, 2010-06-02.

[155] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管. CN: CN101719499A, 2010-06-02.

[156] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管. CN: CN101719501A, 2010-06-02.

[157] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管. CN: CN101719500A, 2010-06-02.

[158] 王曦, 薛忠营, 张苗, 肖德元, 魏星. 一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上锗材料的方法. CN: CN101710576A, 2010-05-19.

[159] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合材料积累型全包围栅CMOS场效应晶体管. CN: CN101710584A, 2010-05-19.

[160] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管. CN: CN101710585A, 2010-05-19.

[161] 王曦, 魏星, 王湘, 李显元, 张苗, 林成鲁. 采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法. CN: CN101707188A, 2010-05-12.

[162] 魏星, 王湘, 李显元, 张苗, 王曦, 林成鲁. 具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法. CN: CN101692436A, 2010-04-07.

[163] 魏星, 王湘, 李显元, 张苗, 王曦, 林成鲁. 混合晶向应变硅衬底及其制备方法. CN: CN101692440A, 2010-04-07.

[164] 狄增峰, 安正华, 张苗, 林成鲁. 基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备方法. CN: CN100336171C, 2007-09-05.

[165] 安正华, 林成鲁, 张苗, 刘卫丽, 门传玲. 一种绝缘层上硅结构的制备方法. CN: CN1315155C, 2007-05-09.

[166] 林成鲁, 朱鸣, 林青, 张苗. 绝缘体上硅的衬底上混合结构栅介质材料的制备方法. CN: CN1300855C, 2007-02-14.

[167] 张苗, 吴雁军, 刘卫丽, 安正华, 林成鲁. 一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及制备方法. CN: CN1385906A, 2002-12-18.

[168] 安正华, 张苗, 林成鲁, 刘卫丽, 沈勤我. 一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法. CN: CN1359158A, 2002-07-17.

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发表论文
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指导学生

已指导学生

狄增峰  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王石冶  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

刘林杰  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

郭庆磊  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学