080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程

   

-- 研究生

-- 博士

   

[1] 狄增峰, 王刚, 陈达, 陆子同, 叶林, 郑晓虎, 张苗, 丁古巧, 谢晓明. 一种石墨烯的制备方法. CN: CN113929090A, 2022-01-14.

[2] 狄增峰, 刘冠宇, 薛忠营, 田子傲, 张苗. 一种介电材料的制备方法及半导体结构. CN: CN113078044A, 2021-07-06.

[3] 狄增峰, 刘冠宇, 薛忠营, 田子傲, 张苗. 一种顶栅结构的制备方法及半导体结构. CN: CN113078053A, 2021-07-06.

[4] 狄增峰, 刘冠宇, 薛忠营, 田子傲, 张苗. 一种电极层的制备方法及半导体结构. CN: CN113078054A, 2021-07-06.

[5] 张苗, 狄增峰, 薛忠营, 王晨, 田子傲, 陈玉龙. TMDs二维材料薄膜、器件及制备方法. CN: CN113072099A, 2021-07-06.

[6] 张苗, 王雅斓, 李攀林, 薛忠营, 狄增峰. 一种石墨烯纳米带器件阵列及其制备方法. CN: CN111129113B, 2021-06-25.

[7] 张苗, 母志强, 陈达, 薛忠营, 狄增峰, 王曦. 一种光电探测器的制备方法. CN: CN112331744A, 2021-02-05.

[8] 狄增峰, 马喆, 薛忠营, 张苗, 梅永丰. 基于硅-石墨烯的光电探测器的制备方法. CN: CN108933183B, 2020-07-31.

[9] 殷华湘, 狄增峰, 卞建涛, 叶甜春, 魏星, 张苗, 王曦. 一种CMOS器件及其制作方法. CN: CN107464783B, 2020-01-31.

[10] 张苗, 陈玉龙, 狄增峰, 薛忠营, 贾鹏飞. 一种二维材料层及制备方法. CN: CN110117780A, 2019-08-13.

[11] 狄增峰, 贾鹏飞, 薛忠营, 郑晓虎, 张苗, 王曦. 具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法. CN: CN110065271A, 2019-07-30.

[12] 狄增峰, 贾鹏飞, 薛忠营, 孙银波, 马骏, 张苗, 王曦. 具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法. CN: CN110065939A, 2019-07-30.

[13] 狄增峰, 王刚, 朱云, 陈达, 张苗, 丁古巧, 谢晓明. 一种石墨烯的制备方法. CN: CN110054180A, 2019-07-26.

[14] 狄增峰, 李攀林, 王天波, 薛忠营, 张苗. 二维材料生长的定位观测方法. CN: CN109883950A, 2019-06-14.

[15] 张苗, 王雅斓, 李攀林, 狄增峰, 薛忠营. 石墨烯纳米带的转移方法. CN: CN109850877A, 2019-06-07.

[16] 张苗, 李攀林, 刘运启, 王天波, 薛忠营, 狄增峰. 晶圆级石墨烯薄膜的转移方法. CN: CN109824032A, 2019-05-31.

[17] 狄增峰, 刘冠宇, 张苗, 薛忠营. 低势垒高度肖特基二极管及其制备方法. CN: CN109509705A, 2019-03-22.

[18] 狄增峰, 刘冠宇, 杨悦昆, 张苗, 薛忠营. 高敏感度中红外光电探测器及其制备方法. CN: CN109473506A, 2019-03-15.

[19] 狄增峰, 杨悦昆, 刘冠宇, 郑鹏荣, 薛忠营, 张苗. 具有石墨烯的器件及其制备方法. CN: CN109473507A, 2019-03-15.

[20] 狄增峰, 杨悦昆, 薛忠营, 张苗. 高密度锗纳米线的制备方法. CN: CN109280903A, 2019-01-29.

[21] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 薛忠营, 薛忠营, 汪子文, 张苗. 一种转移石墨烯的方法. CN: CN108793146A, 2018-11-13.

[22] 狄增峰, 刘冠宇, 薛忠营, 田子傲, 张苗. 一种晶体管结构及其制备方法. CN: CN108649029A, 2018-10-12.

[23] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 狄增峰, 薛忠营, 贾鹏飞, 张苗. 一种绝缘体上石墨烯的制备方法. CN: CN107887319A, 2018-04-06.

[24] 薛忠营, 赵兰天, 赵清太, 俞文杰, 狄增峰, 张苗. 场效应晶体管结构及其制备方法. CN: CN107871780A, 2018-04-03.

[25] 狄增峰, 马骏, 张苗, 王刚, 贾鹏飞, 汪子文, 王曦. 一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法. CN: CN107653446A, 2018-02-02.

[26] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 汪子文, 张苗. 一种转移石墨烯的方法. CN: CN105088179B, 2017-08-15.

[27] 狄增峰, 汪子文, 王刚, 郑晓虎, 戴家赟, 薛忠营, 张苗, 王曦. 一种在绝缘衬底上直接制备层数可控石墨烯的方法. CN: CN106927459A, 2017-07-07.

[28] 狄增峰, 汪子文, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 张苗, 王曦. 一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法. CN: CN106904600A, 2017-06-30.

[29] 狄增峰, 汪子文, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 张苗, 王曦. 一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法. CN: CN106904599A, 2017-06-30.

[30] 张波, 孟骁然, 俞文杰, 狄增峰, 张苗. 利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属-半导体合金的方法. CN: CN106711019A, 2017-05-24.

[31] 张波, 孟骁然, 俞文杰, 狄增峰, 张苗. SiGeSn材料及其制备方法. CN: CN106328502A, 2017-01-11.

[32] 狄增峰, 马骏, 张苗, 薛忠营, 贾鹏飞, 汪子文, 王刚, 王曦. 一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法. CN: CN106276873A, 2017-01-04.

[33] 狄增峰, 王刚, 李金华, 刘宣勇, 陈达, 郭庆磊, 马骏, 薛忠营, 张苗. 一种对医用钛材料表面进行改性的方法. CN: CN105983132A, 2016-10-05.

[34] 张苗, 贾鹏飞, 薛忠营, 郑晓虎, 王刚, 孙银波, 狄增峰, 王曦. 一种应变量子点的制备方法及应变量子点. CN: CN105977145A, 2016-09-28.

[35] 狄增峰, 贾鹏飞, 薛忠营, 郑晓虎, 王刚, 马骏, 张苗, 王曦. 一种去除石墨烯上光刻胶的方法. CN: CN105895522A, 2016-08-24.

[36] 李伟, 狄增峰, 齐功民, 张苗, 母志强, 王曦. 锗银复合材料及其在光电器件中的应用. CN: CN105866983A, 2016-08-17.

[37] 狄增峰, 李伟, 齐功民, 张苗, 母志强, 王曦. 基于表面等离子体的硅基光源. CN: CN105742443A, 2016-07-06.

[38] 狄增峰, 王刚, 陈达, 郭庆磊, 马骏, 郑晓虎, 戴家赟, 薛忠营, 张苗, 丁古巧, 谢晓明. 掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法. CN: CN105655242A, 2016-06-08.

[39] 张波, 俞文杰, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法. CN: CN103137538B, 2016-04-20.

[40] 张波, 侯春雷, 孟骁然, 狄增峰, 张苗. 一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法. CN: CN105448690A, 2016-03-30.

[41] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 郭庆磊, 母志强, 孙高迪. 吸附剥离制备绝缘体上材料的方法. CN: CN105428300A, 2016-03-23.

[42] 张苗, 陈达, 王刚, 郭庆磊, 母志强, 孙高迪, 薛忠营, 狄增峰. 利用低温剥离技术制备绝缘体上材料的方法. CN: CN105428302A, 2016-03-23.

[43] 张苗, 陈达, 王刚, 郭庆磊, 孙高迪, 母志强, 薛忠营, 狄增峰. 利用微波退火技术低温制备GOI的方法. CN: CN105428301A, 2016-03-23.

[44] 狄增峰, 孙高迪, 陈达, 郭庆磊, 叶林, 董林玺, 张苗. 应力可调的悬浮应变薄膜结构及其制备方法. CN: CN105321821A, 2016-02-10.

[45] 狄增峰, 戴家赟, 叶林, 汪子文, 薛忠营, 张苗. 纳米线与石墨烯的复合材料及其制备方法. CN: CN105174268A, 2015-12-23.

[46] 薛忠营, 王天波, 贾鹏飞, 狄增峰, 张苗. 一种绝缘体上石墨烯的制备方法. CN: CN105129785A, 2015-12-09.

[47] 狄增峰, 贾鹏飞, 薛忠营, 陈达, 马骏, 张苗. 一种绝缘体上材料的制备方法. CN: CN105140171A, 2015-12-09.

[48] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 汪子文, 薛忠营, 张苗. 一种制备无褶皱的石墨烯的方法. CN: CN105110324A, 2015-12-02.

[49] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 史晓华, 张苗. 一种褶皱状石墨烯的制备方法. CN: CN105060286A, 2015-11-18.

[50] 狄增峰, 孙高迪, 陈达, 郭庆磊, 母志强, 董林玺, 张苗. 一种绝缘体上应变薄膜结构及调节应变薄膜应力的方法. CN: CN104934294A, 2015-09-23.

[51] 张波, 侯春雷, 狄增峰, 张苗, 赵清太. 一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法. CN: CN104752182A, 2015-07-01.

[52] 张苗, 陈达, 薛忠营, 郭庆磊, 王刚, 母志强, 狄增峰. 一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法. CN: CN104752308A, 2015-07-01.

[53] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 母志强, 陆子同. 剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法. CN: CN104752309A, 2015-07-01.

[54] 狄增峰, 王刚, 李金华, 刘宣勇, 陈达, 郑晓虎, 郭庆磊, 张苗, 丁古巧, 谢晓明. 锗基石墨烯的抗菌用途. CN: CN104686575A, 2015-06-10.

[55] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 母志强, 叶林. 一种利用离子注入技术制备绝缘体上半导体材料的方法. CN: CN104517883A, 2015-04-15.

[56] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 叶林, 母志强. 一种低剂量注入制备绝缘体上半导体材料的方法. CN: CN104425341A, 2015-03-18.

[57] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 刘林杰, 母志强, 叶林. 一种厚度可控的绝缘体上半导体材料的制备方法. CN: CN104425342A, 2015-03-18.

[58] 狄增峰, 叶林, 许宝建, 蔡奇, 王刚, 张苗. 一种锗纳米线场效应晶体管及其制备方法. CN: CN104332405A, 2015-02-04.

[59] 张苗, 母志强, 陈达, 薛忠营, 狄增峰, 王曦. 一种多沟道全包围栅极的半导体器件结构的制备方法. CN: CN104157579A, 2014-11-19.

[60] 狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 汪子文, 张苗. 具有特定形状且排列整齐的石墨烯单晶畴的制备方法. CN: CN104152991A, 2014-11-19.

[61] 狄增峰, 母志强, 郭庆磊, 叶林, 陈达, 张苗, 王曦. 张应变锗MSM光电探测器及其制作方法. CN: CN103985788A, 2014-08-13.

[62] 张苗, 陈达, 薛忠营, 王刚, 刘林杰, 郭庆磊, 母志强, 狄增峰. 一种超薄绝缘体上材料的制备方法. CN: CN103972148A, 2014-08-06.

[63] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 魏星, 王刚. 基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法. CN: CN103943547A, 2014-07-23.

[64] 狄增峰, 王刚, 李金华, 刘宣勇, 陈达, 郭庆磊, 叶林, 张苗, 丁古巧, 谢晓明. 锗基石墨烯的成骨促进用途. CN: CN103820387A, 2014-05-28.

[65] 张苗, 陈达, 薛忠营, 王刚, 郭庆磊, 叶林, 狄增峰. GOI结构的制备方法. CN: CN103646909A, 2014-03-19.

[66] 张苗, 陈达, 狄增峰, 叶林, 王刚, 郭庆磊, 母志强. 一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法. CN: CN103646853A, 2014-03-19.

[67] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 母志强, 叶林. 一种SGOI结构的制备方法. CN: CN103646910A, 2014-03-19.

[68] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 卞剑涛, 王刚. 利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法. CN: CN103633010A, 2014-03-12.

[69] 张苗, 陈达, 薛忠营, 卞剑涛, 母志强, 狄增峰. 利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法. CN: CN103632930A, 2014-03-12.

[70] 狄增峰, 母志强, 郭庆磊, 叶林, 陈达, 张苗, 王曦. 应变结构及其制作方法. CN: CN103560157A, 2014-02-05.

[71] 张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 叶林, 王刚, 母志强. 一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法. CN: CN103474386A, 2013-12-25.

[72] 卞剑涛, 狄增峰, 张苗. 基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法. CN: CN103295964A, 2013-09-11.

[73] 卞剑涛, 狄增峰, 张苗. 基于混合晶向SOI的器件系统结构及制备方法. CN: CN103295951A, 2013-09-11.

[74] 狄增峰, 王刚, 丁古巧, 张苗, 陈达, 马骏, 陆子同, 谢晓明. 层数可控石墨烯的生长方法. CN: CN103265021A, 2013-08-28.

[75] 狄增峰, 王刚, 张苗, 陈达, 叶林, 郭庆磊, 丁古巧, 谢晓明. 基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法. CN: CN103247520A, 2013-08-14.

[76] 张苗, 陈达, 薛忠营, 狄增峰, 王刚. 具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法. CN: CN103219275A, 2013-07-24.

[77] 张苗, 陈达, 刘林杰, 狄增峰, 薛忠营. 基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法. CN: CN103219274A, 2013-07-24.

[78] 狄增峰, 郑晓虎, 王刚, 张苗, 王曦. 一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法. CN: CN103208425A, 2013-07-17.

[79] 狄增峰, 陈龙, 王刚, 魏星, 张苗, 王曦. 一种可控石墨烯阵列的制备方法. CN: CN103204455A, 2013-07-17.

[80] 狄增峰, 陈龙, 魏星, 张苗, 王曦. 一种可控硅纳米线阵列的制备方法. CN: CN103208413A, 2013-07-17.

[81] 姜海涛, 张苗, 狄增峰, 卞建涛, 王曦. 一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法. CN: CN103187248A, 2013-07-03.

[82] 姜海涛, 张苗, 狄增峰, 卞剑涛, 王曦. 一种制备GOI的方法. CN: CN103165511A, 2013-06-19.

[83] 薛忠营, 张苗, 狄增峰, 魏星, 陈达. 一种嵌入超晶格制备应变Si的方法. CN: CN103165408A, 2013-06-19.

[84] 薛忠营, 张苗, 狄增峰, 魏星, 陈达. 一种SiGe中嵌入超晶格制备应变Si的方法. CN: CN103165420A, 2013-06-19.

[85] 姜海涛, 狄增峰, 张苗, 卞剑涛, 王曦. 一种超薄绝缘体上半导体材料及其制备方法. CN: CN103165512A, 2013-06-19.

[86] 薛忠营, 张苗, 狄增峰, 魏星, 陈达. 一种嵌入超晶格层组制备应变Si的方法. CN: CN103165409A, 2013-06-19.

[87] 俞文杰, 张波, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi 2 衬底材料及其制备方法. 中国: CN103137546A, 2013-06-05.

[88] 俞文杰, 张波, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种绝缘体上Si/NiSi 2 衬底材料及其制备方法. 中国: CN103137547A, 2013-06-05.

[89] 张波, 俞文杰, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种绝缘体上Si/CoSi 2 衬底材料及其制备方法. 中国: CN103137539A, 2013-06-05.

[90] 张波, 俞文杰, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi 2 衬底材料及其制备方法. 中国: CN103137537A, 2013-06-05.

[91] 俞文杰, 张波, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦. 一种图形化绝缘体上Si/CoSi 2 衬底材料及其制备方法. 中国: CN103137565A, 2013-06-05.

[92] 狄增峰, 郭庆磊, 梅永丰, 张苗, 黄高山, 郑晓虎. 一种制备柔性衬底上半导体亚微米带的方法及柔性光波导. CN: CN103058129A, 2013-04-24.

[93] 狄增峰, 郭庆磊, 梅永丰, 张苗, 黄高山. 基于图形识别在衬底上集成多种材料的方法. CN: CN103065937A, 2013-04-24.

[94] 狄增峰, 郭庆磊, 张苗, 卞剑涛, 叶林, 陈达. 一种制备直接带隙Ge薄膜的方法. CN: CN103065938A, 2013-04-24.

[95] 张苗, 刘林杰, 狄增峰, 高晓强, 陈达, 薛忠营, 姜海涛, 卞建涛. 一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构. CN: CN103065932A, 2013-04-24.

[96] 张苗, 刘林杰, 狄增峰, 薛忠营, 陈达, 卞建涛, 姜海涛, 高晓强. 一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构. CN: CN103065933A, 2013-04-24.

[97] 张苗, 刘林杰, 卞建涛, 陈达, 姜海涛, 薛忠营, 狄增峰. 一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法. CN: CN103065931A, 2013-04-24.

[98] 狄增峰, 高晓强, 恭谦, 张苗, 王庶民. 一种GaAsOI结构及Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法. CN: CN103050432A, 2013-04-17.

[99] 狄增峰, 郭庆磊, 张苗, 魏星, 薛忠营, 母志强, 戴佳赟. 微结构保角性转移方法. CN: CN103021818A, 2013-04-03.

[100] 狄增峰, 郭庆磊, 张苗, 叶林, 薛忠营, 陈龙, 王刚, 高晓强. 一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法. CN: CN103014847A, 2013-04-03.

[101] 狄增峰, 母志强, 薛忠营, 陈达, 张苗, 王曦. 混合共平面衬底结构及其制备方法. CN: CN103021815A, 2013-04-03.

[102] 狄增峰, 母志强, 薛忠营, 陈达, 张苗, 王曦. 混合共平面SOI衬底结构及其制备方法. CN: CN103021927A, 2013-04-03.

[103] 狄增峰, 高晓强, 恭谦, 张苗, 王庶民. 一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法. CN: CN103021812A, 2013-04-03.

[104] 卞剑涛, 薛忠营, 狄增峰, 张苗. 一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法. CN: CN103021848A, 2013-04-03.

[105] 魏星, 王中党, 叶斐, 曹共柏, 林成鲁, 张苗, 王曦. 采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法. CN: CN102130037B, 2013-03-13.

[106] 魏星, 曹共柏, 张苗, 张峰, 王曦. 采用选择性腐蚀制备带有绝缘埋层的衬底的制备方法. CN: CN102903607A, 2013-01-30.

[107] 张苗, 母志强, 薛忠营, 陈达, 狄增峰, 王曦. 硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法. CN: CN102842495A, 2012-12-26.

[108] 张苗, 母志强, 薛忠营, 陈达, 狄增峰, 王曦. 硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法. CN: CN102842496A, 2012-12-26.

[109] 张苗, 张波, 薛忠营, 王曦. 一种基于键合工艺的高K介质埋层的SOI材料制备方法. CN: CN102820251A, 2012-12-12.

[110] 张苗, 张波, 薛忠营, 王曦. 一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法. CN: CN102820252A, 2012-12-12.

[111] 张苗, 张波, 薛忠营, 王曦. 一种基于SOI衬底的高迁移率双沟道材料的制备方法. CN: CN102820253A, 2012-12-12.

[112] 张苗, 张波, 薛忠营, 王曦. 一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法. CN: CN102820209A, 2012-12-12.

[113] 狄增峰, 卞剑涛, 张苗, 王曦. 锗和III-V混合共平面的半导体结构及其制备方法. CN: CN102790054A, 2012-11-21.

[114] 狄增峰, 卞剑涛, 张苗, 王曦. 锗和III-V混合共平面的SOI半导体结构及其制备方法. CN: CN102790084A, 2012-11-21.

[115] 卞剑涛, 狄增峰, 张苗. 一种全隔离混合晶向SOI的制备方法. CN: CN102790004A, 2012-11-21.

[116] 卞剑涛, 狄增峰, 张苗. 一种选择性刻蚀制备全隔离混合晶向SOI的方法. CN: CN102790005A, 2012-11-21.

[117] 张苗, 母志强, 薛忠营, 陈达, 狄增峰, 王曦. 一种降低Si表面粗糙度的方法. CN: CN102751184A, 2012-10-24.

[118] 狄增峰, 叶林, 赵清太, 张苗. 利用锗浓缩技术制备SiGe或Ge纳米线的方法. CN: CN102751232A, 2012-10-24.

[119] 张苗, 母志强, 薛忠营, 陈达, 狄增峰, 王曦. 一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法. CN: CN102737963A, 2012-10-17.

[120] 张苗, 叶林, 狄增峰, 薛忠营. 一种GOI晶片结构的制备方法. CN: CN102738060A, 2012-10-17.

[121] 狄增峰, 王刚, 张苗, 陈达, 丁古巧, 谢晓明. 一种基于离子注入技术打开石墨烯带隙的方法. CN: CN102703988A, 2012-10-03.

[122] 姜海涛, 魏星, 张苗, 狄增峰, 武爱民, 母志强. 一种具有周期结构的半导体及其制备方法. CN: CN102693900A, 2012-09-26.

[123] 姜海涛, 薛忠营, 狄增峰, 张苗, 郭庆磊, 戴家赟. 一种绝缘体上半导体及其制备方法. CN: CN102683178A, 2012-09-19.

[124] 姜海涛, 武爱民, 张苗, 狄增峰, 魏星, 陈龙. 一种光子晶体及其制备方法. CN: CN102662212A, 2012-09-12.

[125] 张苗, 薛忠营, 张波, 魏星, 狄增峰. 一种晶向旋转键合晶片的制备方法. CN: CN102651306A, 2012-08-29.

[126] 狄增峰, 王刚, 张苗, 陈达, 丁古巧, 谢晓明. 一种无需衬底转移的制备石墨烯的方法. CN: CN102633258A, 2012-08-15.

[127] 武爱民, 魏星, 薛忠营, 杨志峰, 甘甫烷, 张苗, 王曦. 锗悬浮膜式二维光子晶体微腔及制备方法. CN: CN102590936A, 2012-07-18.

[128] 武爱民, 魏星, 薛忠营, 杨志峰, 甘甫烷, 张苗, 王曦. 锗悬臂梁式二维光子晶体微腔及制备方法. CN: CN102590935A, 2012-07-18.

[129] 张苗, 张波, 薛忠营, 王曦. 一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法. CN: CN102468123A, 2012-05-23.

[130] 张苗, 张波, 薛忠营, 王曦. 一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法. CN: CN102468124A, 2012-05-23.

[131] 魏星, 薛忠营, 曹共柏, 张峰, 张苗, 王曦. 锗衬底的生长方法以及锗衬底. CN: CN102383192A, 2012-03-21.

[132] 魏星, 薛忠营, 曹共柏, 张峰, 张苗, 王曦. 锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底. CN: CN102386068A, 2012-03-21.

[133] 张苗, 陈达, 狄增峰, 母志强, 王刚. 一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法. CN: CN102347267A, 2012-02-08.

[134] 黄晓橹, 陈静, 张苗, 王曦. 一种SON结构MOSFET的制备方法. CN: CN102339754A, 2012-02-01.

[135] 张苗, 陈达, 卞剑涛, 姜海涛, 薛忠营. 一种薄GOI晶片及其制备方法. CN: CN102290369A, 2011-12-21.

[136] 魏星, 王中党, 叶斐, 曹共柏, 林成鲁, 张苗, 王曦. 采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法. CN: CN102130037A, 2011-07-20.

[137] 黄晓橹, 伍青青, 魏星, 陈静, 张苗, 王曦. 基于混合晶向SOI工艺的CMOS环形振荡器及制备方法. CN: CN102098028A, 2011-06-15.

[138] 黄晓橹, 魏星, 程新红, 陈静, 张苗, 王曦. 一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法. CN: CN102082144A, 2011-06-01.

[139] 王曦, 张苗, 薛忠营. 一种混晶材料的制备方法及用该材料制备的半导体器件. CN: CN102064097A, 2011-05-18.

[140] 黄晓橹, 陈静, 张苗, 王曦. 一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法. CN: CN101997000A, 2011-03-30.

[141] 黄晓橹, 陈静, 张苗, 王曦. 一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法. CN: CN101996999A, 2011-03-30.

[142] 张苗, 张波, 王曦, 薛忠营, 魏星, 武爱民. 利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法. CN: CN101958271A, 2011-01-26.

[143] 张苗, 张波, 王曦, 薛忠营, 魏星, 武爱民. 一种制备悬空应变材料的方法. CN: CN101958238A, 2011-01-26.

[144] 张苗, 张波, 王曦, 薛忠营, 魏星, 武爱民. 一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法. CN: CN101958270A, 2011-01-26.

[145] 魏星, 王湘, 杨建, 张苗, 王曦, 林成鲁. 一种氧离子注入制备绝缘体上硅材料的方法. CN: CN101914758A, 2010-12-15.

[146] 张苗, 张波, 王曦, 薛忠营, 魏星, 武爱民. 一种绝缘体上应变硅制备方法. CN: CN101916741A, 2010-12-15.

[147] 魏星, 王湘, 张苗, 王曦, 林成鲁. 在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法. CN: CN101908472A, 2010-12-08.

[148] 魏星, 王湘, 杨建, 张苗, 王曦, 林成鲁. 一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法. CN: CN101901753A, 2010-12-01.

[149] 魏星, 王湘, 李显元, 张苗, 王曦, 林成鲁. 一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法. CN: CN101901754A, 2010-12-01.

[150] 魏星, 王湘, 杨建, 张苗, 王曦, 林成鲁. 一种绝缘体上锗硅和应变硅材料的制备方法. CN: CN101901780A, 2010-12-01.

[151] 张苗, 薛忠营, 张波, 魏星. 一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法. CN: CN101866875A, 2010-10-20.

[152] 张苗, 薛忠营, 张波, 魏星. 一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法. CN: CN101866874A, 2010-10-20.

[153] 王曦, 薛忠营, 张苗, 肖德元, 魏星. 一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上应变硅材料的方法. CN: CN101740463A, 2010-06-16.

[154] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管. CN: CN101719498A, 2010-06-02.

[155] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管. CN: CN101719499A, 2010-06-02.

[156] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管. CN: CN101719501A, 2010-06-02.

[157] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管. CN: CN101719500A, 2010-06-02.

[158] 王曦, 薛忠营, 张苗, 肖德元, 魏星. 一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上锗材料的方法. CN: CN101710576A, 2010-05-19.

[159] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合材料积累型全包围栅CMOS场效应晶体管. CN: CN101710584A, 2010-05-19.

[160] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管. CN: CN101710585A, 2010-05-19.

[161] 王曦, 魏星, 王湘, 李显元, 张苗, 林成鲁. 采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法. CN: CN101707188A, 2010-05-12.

[162] 魏星, 王湘, 李显元, 张苗, 王曦, 林成鲁. 具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法. CN: CN101692436A, 2010-04-07.

[163] 魏星, 王湘, 李显元, 张苗, 王曦, 林成鲁. 混合晶向应变硅衬底及其制备方法. CN: CN101692440A, 2010-04-07.

[164] 狄增峰, 安正华, 张苗, 林成鲁. 基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备方法. CN: CN100336171C, 2007-09-05.

[165] 安正华, 林成鲁, 张苗, 刘卫丽, 门传玲. 一种绝缘层上硅结构的制备方法. CN: CN1315155C, 2007-05-09.

[166] 林成鲁, 朱鸣, 林青, 张苗. 绝缘体上硅的衬底上混合结构栅介质材料的制备方法. CN: CN1300855C, 2007-02-14.

[167] 张苗, 吴雁军, 刘卫丽, 安正华, 林成鲁. 一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及制备方法. CN: CN1385906A, 2002-12-18.

[168] 安正华, 张苗, 林成鲁, 刘卫丽, 沈勤我. 一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法. CN: CN1359158A, 2002-07-17.

   

[1] 王雅斓, 张苗. Atomistic observation of the local phase transition in MoTe2 for application to homojunction photodetector.. Small[J]. 2022, 18: 2200913-, [2] chen yulong, 张苗. Two-dimensional Transition Metal Dichalcogenide with Increased Entropy for Piezoelectric Electronics,. Advanced Materials,[J]. 2022, 01630R2: [3] 王天波, 张苗. The fabrication of wrinkle-free graphene patterns on Ge (110) substrate.. Phys. Status Solid-R,[J]. 2021, 258: 2000560.-, [4] Hu, Xudong, Gong, Xue, Zhang, Miao, Lu, Huihui, Xue, Zhongying, Mei, Yongfeng, Chu, Paul K, An, Zhenghua, Di, Zengfeng. Enhanced Peltier Effect in Wrinkled Graphene Constriction by Nano-Bubble Engineering. SMALL[J]. 2020, 16(14): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000516652400001.
[5] Li, Panlin, Wang, Tianbo, Yang, Yuekun, Wang, Yalan, Zhang, Miao, Xue, Zhongying, Di, Zengfeng. Direct Growth of Unidirectional Graphene Nanoribbons on Vicinal Ge(001). PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS[J]. 2020, 14(2): [6] Gao, Min, Tian, Ziao, Tang, Shiwei, Han, Xiaowen, Zhang, Miao, Xue, Zhongying, Zhu, Wei, Mei, Yongfeng, Chu, Paul K, Wang, Gang, Di, Zengfeng. Ambipolar Plasmon-Enhanced Photodetector Built on Germanium Nanodots Array/Graphene Hybrid. ADVANCED MATERIALS INTERFACES[J]. 2020, 7(20): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000562399300001.
[7] Yang, Yuekun, Wang, Xudong, Wang, Chen, Song, Yuxin, Zhang, Miao, Xue, Zhongying, Wang, Shumin, Zhu, Zhongyunshen, Liu, Guanyu, Li, Panlin, Dong, Linxi, Mei, Yongfeng, Chu, Paul K, Hu, Weida, Wang, Jianlu, Di, Zengfeng. Ferroelectric Enhanced Performance of a GeSn/Ge Dual-Nanowire Photodetector. NANO LETTERS[J]. 2020, 20(5): 3872-3879, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000535255300122.
[8] Li, Panlin, Wei, Wenya, Zhang, Miao, Mei, Yongfeng, Chu, Paul K, Xie, Xiaoming, Yuan, Qinghong, Di, Zengfeng. Wafer-scale growth of single-crystal graphene on vicinal Ge(001) substrate. NANO TODAY[J]. 2020, 34: http://dx.doi.org/10.1016/j.nantod.2020.100908.
[9] Wang, Tianbo, Li, Panlin, Hu, Xudong, Gao, Min, Di, Zengfeng, Xue, Zhongying, Zhang, Miao. Wafer-scale fabrication of single-crystal graphene on Ge(110) substrate by optimized CH4/H-2 ratio. APPLIED SURFACE SCIENCE[J]. 2020, 529: http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.147066.
[10] Yamamoto, Keisuke, Nakae, Kohei, Wang, Dong, Nakashima, Hiroshi, Xue, Zhongying, Zhang, Miao, Di, Zengfeng. Ge field-effect transistor with asymmetric metal source/drain fabricated on Ge-on-Insulator: Schottky tunneling source mode operation and conventional mode operation. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS[J]. 2019, 58(SB): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000464309900021.
[11] Liu, Guanyu, Zhang, Miao, Xue, Zhongying, Hu, Xudong, Wang, Tianbo, Han, Xiaowen, Di, Zengfeng. Fermi level depinning in Ti/n-type Ge Schottky junction by the insertion of fluorinated graphene. JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS[J]. 2019, 794: 218-222, http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.04.174.
[12] 万伟俊, 任伟, 孟骁然, 平云霞, 魏星, 薛忠营, 俞文杰, 张苗, 狄增峰, 张波. Improvement of Nickel-Stanogermanide Contact Properties by Platinum Interlayer. 中国物理快报：英文版. 2018, 35(5): 95-98, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675655190.
[13] Mu, Zhiqiang, Yu, Haochi, Zhang, Miao, Wu, Aimin, Qi, Gongmin, Chu, Paul K, An, Zhenghua, Di, Zengfeng, Wang, Xi. Multiband Hot Photoluminescence from Nanocavity-Embedded Silicon Nanowire Arrays with Tunable Wavelength. NANO LETTERS[J]. 2017, 17(3): 1552-1558, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000396185800033.
[14] Guo, Qinglei, Fang, Yangfu, Zhang, Miao, Huang, Gaoshan, Chu, Paul K, Mei, Yongfeng, Di, Zengfeng, Wang, Xi. Wrinkled Single-Crystalline Germanium Nanomembranes for Stretchable Photodetectors. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2017, 64(5): 1985-1990, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000399935800013.
[15] Guo, Qinglei, Wang, Gang, Chen, Da, Li, Gongjin, Huang, Gaoshan, Zhang, Miao, Wang, Xi, Mei, Yongfeng, Di, Zengfeng. Exceptional transport property in a rolled-up germanium tube. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2017, 110(11): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000397871900021.
[16] Wang, Ziwen, Xue, Zhongying, Zhang, Miao, Wang, Yongqiang, Xie, Xiaoming, Chu, Paul K, Zhou, Peng, Di, Zengfeng, Wang, Xi. Germanium-Assisted Direct Growth of Graphene on Arbitrary Dielectric Substrates for Heating Devices. SMALL[J]. 2017, 13(28): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000405913400011.
[17] Dai, Jiayun, Wang, Danxia, Zhang, Miao, Niu, Tianchao, Li, Ang, Ye, Mao, Qiao, Shan, Ding, Guqiao, Xie, Xiaoming, Wang, Yongqiang, Chu, Paul K, Yuan, Qinghong, Di, Zengfeng, Wang, Xi, Ding, Feng, Yakobson, Boris I. How Graphene Islands Are Unidirectionally Aligned on the Ge(110) Surface. NANO LETTERS[J]. 2016, 16(5): 3160-3165, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000375889700040.
[18] Ye, Lin, Cai, Qi, Xu, Baojian, Di, Zengfeng, Zhang, Miao, Yang, Jianhong. High sensitivity biosensors based on germanium nanowires fabricated by Ge condensation. MATERIALS LETTERS[J]. 2016, 172: 142-145, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000373288500036.
[19] 平云霞, 王曼乐, 孟骁然, 侯春雷, 俞文杰, 薛忠营, 魏星, 张苗, 狄增峰, 张波. 700℃退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理. 物理学报[J]. 2016, 65(3): 36801-1, [20] 张苗, 王雪林, 魏星. 微纳结构的载能离子制备、调控及其机理研究年度报告. 科技创新导报. 2016, 13(30): 184-185, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=670940340.
[21] 郭庆磊, 张苗, 狄增峰, 黄高山, 梅永丰. 基于边缘剪切转移技术制备硅基柔性光波导. 中国科学. 物理学, 力学, 天文学[J]. 2016, 46(4): 044610-1, [22] Guo, Qinglei, Zhang, Miao, Xue, Zhongying, Zhang, Jing, Wang, Gang, Chen, Da, Mu, Zhiqiang, Huang, Gaoshan, Mei, Yongfeng, Di, Zengfeng, Wang, Xi. Uniaxial and tensile strained germanium nanomembranes in rolled-up geometry by polarized Raman scattering spectroscopy. AIP ADVANCES[J]. 2015, 5(3): https://doaj.org/article/7726b290834b419eb1e53b83df0f06cc.
[23] Guo, Qinglei, Zhang, Miao, Xue, Zhongying, Wang, Gang, Chen, Da, Cao, Ronggen, Huang, Gaoshan, Mei, Yongfeng, Di, Zengfeng, Wang, Xi. Deterministic Assembly of Flexible Si/Ge Nanoribbons via Edge-Cutting Transfer and Printing for van der Waals Heterojunctions. SMALL[J]. 2015, 11(33): 4140-4148, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000360826000012.
[24] Wang, Gang, Zhang, Miao, Liu, Su, Xie, Xiaoming, Ding, Guqiao, Wang, Yongqiang, Chu, Paul K, Gao, Heng, Ren, Wei, Yuan, Qinghong, Zhang, Peihong, Wang, Xi, Di, Zengfeng. Synthesis of Layer-Tunable Graphene: A Combined Kinetic Implantation and Thermal Ejection Approach. ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS[J]. 2015, 25(24): 3666-3675, http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2238797.
[25] Li, Jinhua, Wang, Gang, Zhang, Wenjie, Jin, Guodong, Zhang, Miao, Jiang, Xinquan, Di, Zengfeng, Liu, Xuanyong, Wang, Xi. Graphene film-functionalized germanium as a chemically stable, electrically conductive, and biologically active substrate. JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY B[J]. 2015, 3(8): 1544-1555, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000349755500010.
[26] 孟骁然, 平云霞, 常永伟, 魏星, 俞文杰, 薛忠营, 狄增峰, 张苗, 张波. 高锡含量锗锡合金和镍反应的形貌研究. 功能材料与器件学报[J]. 2015, 21(5): 85-89, [27] 张勇, 谢龙珍, 李海蓉, 王鹏, 刘肃, 彭应全, 张苗. Facile Synthesis of Rose-Like NiO Nanoparticles and Their Ethanol Gas-Sensing Property. 中国物理快报：英文版. 2015, 158-161, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=665950062.
[28] Zheng, Xiaohu, Zhang, Miao, Shi, Xiaohua, Wang, Gang, Zheng, Li, Yu, Yuehui, Huang, Anping, Chu, Paul K, Gao, Heng, Ren, Wei, Di, Zengfeng, Wang, Xi. Fluorinated Graphene in Interface Engineering of Ge-Based Nanoelectronics. ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS[J]. 2015, 25(12): 1805-1813, http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2237063.
[29] He, Shumin, Shi, Zheng, Li, Xin, Gao, Xumin, Wang, Zhenhai, Liu, Qifa, Zhu, Gangyi, Zhang, Miao, Zhu, Hongbo, Wang, Yongjin. Membrane guided-mode resonant color filters exhibiting adjustable spectral response. OPTICS COMMUNICATIONS[J]. 2015, 342: 129-135, http://dx.doi.org/10.1016/j.optcom.2014.12.061.
[30] 史晓华, 王刚, 郭庆磊, 张苗, 狄增峰. 石墨烯与锗衬底界面结构的第一性原理研究. 材料导报[J]. 2015, 29(10): 137-142, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=664897711.
[31] Li, Xin, Bai, Dan, Shi, Zheng, Zhu, Gangyi, Zhang, Miao, Cao, Ziping, Zhu, Hongbo, Gruenberg, Peter, Wang, Yongjin. Thickness-Dependent Performance of a Free-Standing Membrane LED. IEEE PHOTONICS JOURNAL[J]. 2015, 7(3): https://doaj.org/article/84e50838473b47ebbc53e2447527e1e2.
[32] Wang, Yongjin, Shi, Zheng, Li, Xin, LopezGarcia, Martin, Chen, Lifeng, Hueting, Nikolai A, Cryan, Martin J, Zhang, Miao, Zhu, Hongbo. Circular GaN Membrane Gratings. IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS[J]. 2014, 26(9): 915-918, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000335819900001.
[33] Wang, Yongjin, Chen, Jiajia, Shi, Zheng, He, Shumin, Garcia, Martin Lopez, Chen, Lifeng, Hueting, Nikolai A, Cryan, Martin, Zhang, Miao, Zhu, Hongbo. Suspended membrane GaN gratings for refractive index sensing. APPLIED PHYSICS EXPRESS[J]. 2014, 7(5): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000336693500008.
[34] Wang, Gang, Chen, Da, Lu, Zitong, Guo, Qinglei, Ye, Lin, Wei, Xing, Ding, Guqiao, Zhang, Miao, Di, Zengfeng, Liu, Su. Growth of homogeneous single-layer graphene on Ni-Ge binary substrate. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2014, 104(6): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000331803800038.
[35] Chen, Da, Zhang, Miao, Xue, Zhongying, Wang, Gang, Guo, Qinglei, Mu, Zhiqiang, Sun, Gaodi, Wei, Xing, Liu, Su. Ultrasmooth epitaxial Ge grown on (001) Si utilizing a thin B-doped SiGe buffer layer. APPLIED PHYSICS EXPRESS[J]. 2014, 7(11): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000346119500007.
[36] 李欣, 施政, 贺树敏, 高绪敏, 张苗, 王永进. 微机电可调硅基三族氮化物光栅. 光学精密工程[J]. 2014, 22(11): 2945-2949, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=663028451.
[37] Chen, Da, Wei, Xing, Xue, Zhongying, Bian, Jiantao, Wang, Gang, Zhang, Miao, Di, Zengfeng, Liu, Su. Ultrathin low temperature Si0.75Ge0.25/Si buffer layer for the growth of high quality Ge epilayer on Si (100) by RPCVD. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH[J]. 2014, 386: 38-42, http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2013.08.021.
[38] Wang, Chen, Li, Cheng, Lin, Guangyang, Lu, Weifang, Wei, Jiangbin, Huang, Wei, Lai, Hongkai, Chen, Songyan, Di, Zengfeng, Zhang, Miao. Germanium n(+)/p Shallow Junction With Record Rectification Ratio Formed by Low-Temperature Preannealing and Excimer Laser Annealing. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2014, 61(9): 3060-3065, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000342909700007.
[39] Wang, Yongjin, Gao, Xumin, Shi, Zheng, Chen, Lifeng, Garcia, Martin Lopez, Hueting, Nikolai A, Cryan, Martin, Li, Xin, Zhang, Miao, Zhu, Hongbo. Guided-Mode Resonant HfO2 Grating at Visible Wavelength Range. IEEE PHOTONICS JOURNAL[J]. 2014, 6(2): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000336206100019.
[40] Wang, Yongjin, Shi, Zheng, Li, Xin, He, Shumin, Zhang, Miao, Zhu, Hongbo. Surface-normal emission from subwavelength GaN membrane grating. OPTICS EXPRESS[J]. 2014, 22(1): 667-672, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000330579300088.
[41] Li, Xin, Shi, Zheng, Zhu, Gangyi, Zhang, Miao, Zhu, Hongbo, Wang, Yongjin. High efficiency membrane light emitting diode fabricated by back wafer thinning technique. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2014, 105(3): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000341152300009.
[42] 陆子同, 母志强, 薛忠营, 刘林杰, 陈达, 狄增峰, 张苗. 离子注入剥离法制备绝缘体上应变硅及其表征. 半导体技术[J]. 2014, 39(7): 522-526,558, [43] Wang, Gang, Ding, Guqiao, Zhu, Yun, Chen, Da, Ye, Lin, Zheng, Li, Zhang, Miao, Di, Zengfeng, Liu, Su. Growth of controlled thickness graphene by ion implantation for field-effect transistor. MATERIALS LETTERS[J]. 2013, 107: 170-173, http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2013.06.013.
[44] 母志强, 薛忠营, 陈达, 狄增峰, 张苗. 选择性腐蚀Si_（1-x）Ge_x与Si制备绝缘体上超薄应变硅. 半导体技术[J]. 2013, 38(1): 40-44, [45] Gao Xumin, Yu Qinglong, Shi Zheng, He Shumin, Li Xin, Zhang Miao, Wang Yongjin, IEEE. Freestanding HfO2 resonant grating fabricated by ion beam etching. 2013 13TH IEEE CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY (IEEE-NANO)null. 2013, 1184-1187, http://apps.webofknowledge.com/CitedFullRecord.do?product=UA&colName=WOS&SID=5CCFccWmJJRAuMzNPjj&search_mode=CitedFullRecord&isickref=WOS:000346488300263.
[46] Wei, Xing, Xue, Zhongying, Wu, Aimin, Cao, Gongbai, Zhang, Bo, Lin, Chenglu, Zhang, Miao, Wang, Xi. Fabrication of Direct Silicon Bonded Hybrid Orientation Substrate by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer and Oxide Dissolution Annealing. APPLIED PHYSICS EXPRESS[J]. 2011, 4(3): http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115123.
[47] Xue, Zhongying, Wei, Xing, Zhang, Bo, Wu, Aimin, Zhang, Miao, Wang, Xi. Epitaxial growth of fully relaxed Si0.75Ge0.25 on SOI substrate. APPLIED SURFACE SCIENCE[J]. 2011, 257(11): 5021-5024, http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2011.01.014.
[48] Xue ZhongYing, Wei Xing, Liu LinJie, Chen Da, Zhang Bo, Zhang Miao, Wang Xi. Etch characteristics of Si1-xGex films in HNO3:H2O:HF. SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES[J]. 2011, 54(10): 2802-2807, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=39210667.
[49] WEI Xing, XUE ZhongYing, WU AiMin, WANG Xiang, LI XianYuan, YE Fei, CHEN Jie, CHEN Meng, ZHANG Box, LIN ChengLu, ZHANG Miao, WANG Xi. Investigation of silicon on insulator fabricated by two-step O＋ implantation. 中国科学通报：英文版. 2011, 56(4): 444-448, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=37181482.
[50] 薛忠营, 张波, 魏星, 张苗. 体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料. 功能材料与器件学报. 2011, 17(2): 147-150, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=37725470.
[51] 魏星, 薛忠营, 武爱民, 王湘, 李显元, 叶斐, 陈杰, 陈猛, 张波, 林成鲁, 张苗, 王曦. 两步氧离子注入工艺制备SOI材料研究. 科学通报. 2010, 1963-1967, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=34622351.
[52] Wei, Xing, Wu, Aimin, Wang, Xiang, Li, Xianyuan, Ye, Fei, Chen, Jie, Chen, Meng, Zhang, Bo, Li, Chenglu, Zhang, Miao, Wang, Xi. Characterization and analysis of silicon on insulator fabricated by separation by implanted oxygen layer transfer. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B[J]. 2010, 28(1): 163-168, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/378686.
[53] 张波, 陈静, 魏星, 武爱民, 薛忠营, 罗杰馨, 王曦, 张苗. 图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究. 功能材料. 2010, 1208-1210, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=34729686.
[54] Wei, Xing, Wu, Aimin, Wang, Xiang, Li, Xianyuan, Ye, Fei, Chen, Jie, Chen, Meng, Zhang, Bo, Lin, Chenglu, Zhang, Miao, Wang, Xi. Investigation on Silicon on Insulator Fabricated by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY[J]. 2010, 157(1): H81-H85, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115107.
[55] 张苗, 季明华, 吴汉明, 谢志峰, 肖德元, 王曦, 俞跃辉, 袁海江, 程新红, 陈静, 甘甫烷. 一种新型混合晶向积累型圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管. 科学通报. 2009, 2051-2059, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=31308377.
[56] Fang, Na, Yang, Zhifeng, Wu, Aimin, Chen, Jing, Zhang, Miao, Zou, Shichang, Wang, Xi. Three-Dimensional Tapered Spot-Size Converter Based on (111) Silicon-on-Insulator. IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS[J]. 2009, 21(9-12): 820-822, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/378789.
[57] 魏星, 王湘, 陈猛, 陈静, 张苗, 王曦, 林成鲁. 薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术. 半导体学报. 2008, 29(7): 1350-1353, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=27726565.
[58] Wei, Xing (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Acad. Of Sci.), Wang, Xiang, Chen, Meng, Chen, Jing, Zhang, Miao, Wang XI, Lin, Chenglu. New technology for fabricating a thin film/thick BOX silicon-on-insulator. Source:Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, v 29, n 7, July, 2008, p 1350-1353[J]. 2008, 29(7): 1350-1353, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/109058.
[59] Wei, Xing, Wu, Ai Min, Chen, Meng, Chen, Jing, Zhang, Miao, Wang, Xi, Lin, Cheng Lu. Fabrication of thin-film silicon on insulator by separation by implanted oxygen layer transfer. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY Bnull. 2008, 26(6): L45-L47, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94984.
[60] 魏星, 乔忠良, 薄报学, 陈静, 张苗, 王曦. 脉冲阳极氧化工艺制作GaAs／AlGaAs宽条形半导体激光器. 功能材料与器件学报. 2008, 14(5): 859-863, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=28582358.
[61] 张苗, 狄增峰, 刘卫丽, 骆苏华, 宋志棠, 朱剑豪, 林成鲁. 改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理研究. 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集[J]. 2005, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55853.
[62] 骆苏华, 刘卫丽, 张苗, 狄增峰, 王石冶, 宋志棠, 孙晓玮, 林成鲁. SOI在射频电路中的应用. 微电子学. 2005, 35(1): 67-70, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=11724313.
[63] 刘卫丽, 狄增峰, 张苗, 骆苏华, 宋志棠, 朱剑豪, 林成鲁. Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理. 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集[J]. 2005, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55851.
[64] 王石冶, 刘卫丽, 张苗, 林成鲁, 宋志棠. SOI在高压器件中的应用. 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ[J]. 2004, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55952.
[65] Lin Chenglu Liu Weili An Zhenghua Di Zengfeng Zhang Miao. Investigation of SiGe-on-Insulator Novel Structure. 中国稀土学报：英文版. 2004, 13-16, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=1000303622.
[66] 骆苏华, 刘卫丽, 张苗, 孙晓玮, 林成鲁. SOI在射频电路中的应用. 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会论文集[J]. 2004, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55472.
[67] 张苗, 吴雁军, 刘卫丽, 安正华, 林成鲁, 朱剑豪. SOI材料中Cu杂质的纳米孔吸杂研究. 中国科学E辑:技术科学[J]. 2003, 33(1): 47-55, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7456914.
[68] Wu Yanjun, Zhang Miao, Zhang Ninglin, Lin Chenglu. Gettering of copper impurity in silicon by aluminum precipitates and cavities. 核技术：英文版[J]. 2003, 14(3): 164-167, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=9175733.
[69] 安正华, 刘卫丽, 张苗, 林成鲁. SiGe-On-Insulator新结构的SIMOX制备. 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会论文集[J]. 2003, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56015.
[70] Wu Yanjun, Zhang Miao, An Zhenghua, Lin Chenglu. Fabrication of thick BOX SOI by Smart-cut technology. 核技术：英文版[J]. 2003, 14(2): 115-118, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=9015855.
[71] 骆苏华, 刘卫丽, 张苗, 刘奇斌, 林成鲁. 高阻SOI在射频电路中的应用优势. 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集[J]. 2003, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55990.
[72] 狄增峰, 张苗, 吴雁军, 安正华, 朱鸣, 刘卫丽, 林成鲁. 超薄SOI上应变锗硅材料的生长. 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集[J]. 2003, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55999.
[73] 石兢, 张苗, 林成鲁, 宋华清. 智能剥离技术制备单晶SOG材料的研究. 功能材料与器件学报. 2003, 9(2): 219-221, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7963036.
[74] 张苗, 朱剑豪. SOI材料中Cu杂质的纳米孔吸杂研究. 中国科学：E辑. 2003, 33(1): 47-55, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7456914.
[75] 林青, 谢欣云, 朱鸣, 张苗, 林成鲁. SOI的自加热效应与SOI新结构的研究. 功能材料与器件学报. 2002, 8(2): 205-210, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=6497546.
[76] 安正华, 张苗, 门传玲, 谢欣云, 沈勤我, 林成鲁. 一种新型SOI结构—SiGe—OI材料研究进展. 物理. 2002, 31(4): 219-223, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=6185479.
[77] 张苗, 安正华, 林成鲁, 沈勤我, 刘卫丽. 一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法. 2002, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/338904.
[78] 于伟东, 王曦, 陈静, 张苗. 等离子体基离子注入法制备SOI材料. 功能材料. 2002, 33(4): 347-349,353, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=6729946.
[79] 谢欣云, 林青, 门传玲, 安正华, 张苗, 林成鲁. SOI新结构——SOI研究的新方向. 物理. 2002, 31(4): 214-218, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=6185477.
[80] 门传玲, 徐政, 安正华, 张苗, 林成鲁. 制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料. 功能材料与器件学报. 2002, 8(4): 331-334, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7295269.
[81] 周先意, 林成鲁, 范扬眉, 翁惠民, 张天昊, 杜江峰, 张苗, 韩荣典. He^＋注入Si（100）缺陷退火效应的慢正电子束研究. 核技术. 2001, 24(4): 253-, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=5109058.
[82] 王连卫, 林成鲁, 张苗, 范秀强, 多新中. 一种低剂量注氧制作绝缘层上硅（SOI）电路的器件工艺. 2001, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/338884.
[83] 万青, 章宁琳, 林青, 沈勤我, 张苗, 林成鲁. 以氧化铝为埋层的绝缘层上硅结构的衬底材料及制备方法. 2001, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/338899.
[84] 宋志棠, 张苗, 林成鲁. 一种提高热释电红外探测器响应的方法. 1999, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/338867.
[85] 张苗. 硅中氢、氦离子注入纳米孔层的形成及其应用：Smart-cutSOI及吸杂. 1998, 115-, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83920.
[86] 张苗. 硅中氢、氦离子注入纳米孔层的形成及其应用：Smart-cut SOI与吸杂. 1998, [87] 张苗, 竺士炀, 李金华, 倪如山, 林成鲁. Unibond synthesis of silicon on insulator material. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 1997, 14(1): 55-58, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98872.

已指导学生

狄增峰  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王石冶  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

刘林杰  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

郭庆磊  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学