080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息

功率电子
极限表征
晶圆生长

1985-09--1989-11   上海微系统与信息技术研究所   博士学位
1980-07--1985-07   吉林大学电子工程系   学士学位

   

1992-10~2011-07,上海微系统与信息技术研究所, 助研，副研，正研
1990-10~1992-10,德国FHG集成技术研究所, 博士后

   

（1） 中国科学院优秀导师, 部委级, 2018
（2） 中国电子教育学会优秀导师, 其他, 2018
（3） 亥姆霍兹联合会杰出国际科技合作奖"Helmholtz International Fellow Aw, 一等奖, 专项, 2013
（4） 高端硅基SOI材料研究, , 院级, 2007
（5） 高端硅基SOI材料研发和产业化, 一等奖, 国家级, 2006

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[14] 程新红, 王谦, 李静杰, 郑理, 沈玲燕, 张栋梁, 顾子悦, 钱茹, 俞跃辉. 基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法. CN: CN107507829A, 2017-12-22.
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[16] 程新红, 王谦, 李静杰, 郑理, 沈玲燕, 张栋梁, 顾子悦, 钱茹, 俞跃辉. 一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法. CN: CN107275196A, 2017-10-20.
[17] 李新昌, 程新红, 吴忠昊, 张萌, 徐大伟, 羊志强, 俞跃辉. 一种高压模拟集成开关电路. CN: CN105827224A, 2016-08-03.
[18] 程新红, 李新昌, 吴忠昊, 徐大伟, 羊志强, 俞跃辉. 一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路. CN: CN105680107A, 2016-06-15.
[19] 程新红, 沈玲燕, 王中健, 曹铎, 郑理, 王谦, 张栋梁, 李静杰, 俞跃辉. 基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法. CN: CN105304689A, 2016-02-03.
[20] 程新红, 郑理, 王中健, 曹铎, 王谦, 沈玲燕, 张栋梁, 俞跃辉. 一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法. CN: CN105129788A, 2015-12-09.
[21] 程新红, 郑理, 王中健, 曹铎, 王谦, 沈玲燕, 张栋梁, 俞跃辉. 一种基于薄膜半导体-石墨烯异质结的光电探测器制备方法. CN: CN105206689A, 2015-12-30.
[22] 程新红, 夏超, 王中健, 徐大伟, 曹铎, 郑理, 沈玲燕, 王谦, 俞跃辉. SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法. CN: CN106158933A, 2016-11-23.
[23] 程新红, 沈玲燕, 王中健, 夏超, 曹铎, 郑理, 王谦, 俞跃辉. 基于Metal/Insulator/AlGaN/GaN叠层MIS结构的负微分电阻器件及制备方法. CN: CN104599975A, 2015-05-06.
[24] 程新红, 郑理, 曹铎, 王中健, 徐大伟, 夏超, 沈玲燕, 俞跃辉. 一种基于ALD的石墨烯基热电子晶体管及其制备方法. CN: CN103985741A, 2014-08-13.
[25] 张正民, 李建朋, 金星, 宁振球, 俞跃辉. 一种抗EMI LIN总线信号驱动器. CN: CN103684398A, 2014-03-26.
[26] 张正民, 董春雷, 李建朋, 金星, 宁振球, 俞跃辉. 一种基于电流模的总线接收器. CN: CN203595959U, 2014-05-14.
[27] 张正民, 李建朋, 董春雷, 宁振球, 金星, 秦英安, 俞跃辉. 一种电流模比较器. CN: CN103618525A, 2014-03-05.
[28] 张正民, 李建朋, 宁振球, 金星, 俞跃辉. 一种总线信号接收器. CN: CN103607337A, 2014-02-26.
[29] 赵清太, 徐大伟, 西格弗里德曼特尔, 俞跃辉, 程新红. 一种多栅SOI-LDMOS器件结构. CN: CN103594517A, 2014-02-19.
[30] 程新红, 张有为, 徐大伟, 王中健, 夏超, 俞跃辉. 石墨烯纳米带的制备方法. CN: CN103879994A, 2014-06-25.
[31] 程新红, 夏超, 王中健, 曹铎, 郑理, 贾婷婷, 俞跃辉. 一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法. CN: CN102969244A, 2013-03-13.
[32] 程新红, 夏超, 王中健, 曹铎, 郑理, 贾婷婷, 俞跃辉. 一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法. CN: CN103021864A, 2013-04-03.
[33] 程新红, 贾婷婷, 曹铎, 徐大伟, 王中健, 夏超, 郑理, 俞跃辉. 在InP衬底上制备高K栅介质薄膜和MIS电容的方法. CN: CN102760657A, 2012-10-31.
[34] 程新红, 贾婷婷, 曹铎, 王中健, 徐大伟, 夏超, 宋朝瑞, 俞跃辉. 一种在GaAs衬底上制备Hf基高K栅介质薄膜的方法. CN: CN102664147A, 2012-09-12.
[35] 程新红, 王中健, 徐大伟, 夏超, 曹铎, 贾婷婷, 宋朝瑞, 俞跃辉. 一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法. CN: CN102623345A, 2012-08-01.
[36] 程新红, 王中健, 徐大伟, 夏超, 曹铎, 贾婷婷, 宋朝瑞, 俞跃辉. 一种内嵌多P岛N沟道超结器件及其制备方法. CN: CN102593007A, 2012-07-18.
[37] 程新红, 曹铎, 贾婷婷, 王中健, 徐大伟, 夏超, 宋朝瑞, 俞跃辉. 一种高k介质薄膜的制备方法. CN: CN102592974A, 2012-07-18.
[38] 程新红, 曹铎, 贾婷婷, 王中健, 徐大伟, 夏超, 宋朝瑞, 俞跃辉. 一种MIS电容的制作方法. CN: CN102569070A, 2012-07-11.
[39] 程新红, 张有为, 徐大伟, 王中健, 夏超, 俞跃辉. 在石墨烯表面制备栅介质的方法. CN: CN102956467A, 2013-03-06.
[40] 程新红, 徐大伟, 王中健, 夏超, 曹铎, 宋朝瑞, 俞跃辉. 基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法. CN: CN102254821A, 2011-11-23.
[41] 程新红, 张有为, 徐大伟, 王中健, 夏超, 俞跃辉. 一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法. CN: CN102254795A, 2011-11-23.
[42] 程新红, 夏超, 王中健, 俞跃辉, 何大伟, 徐大伟. 一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法. CN: CN102201404A, 2011-09-28.
[43] 程新红, 夏超, 王中健, 俞跃辉, 何大伟, 徐大伟. 一种基于图形化的SOI-ESD保护器件及其制作方法. CN: CN102201405A, 2011-09-28.
[44] 程新红, 徐大伟, 王中健, 夏超, 何大伟, 宋朝瑞, 俞跃辉. 沉积栅介质的方法、制备MIS电容的方法及MIS电容. CN: CN102226270A, 2011-10-26.
[45] 程新红, 张有为, 徐大伟, 王中建, 夏超, 何大伟, 俞跃辉. 石墨烯基场效应晶体管的制备方法. CN: CN102184849A, 2011-09-14.
[46] 程新红, 何大伟, 王中健, 徐大伟, 夏超, 宋朝瑞, 俞跃辉. 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件. CN: CN102130176A, 2011-07-20.
[47] 程新红, 何大伟, 王中健, 徐大伟, 夏超, 宋朝瑞, 俞跃辉. SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制作方法. CN: CN102130012A, 2011-07-20.
[48] 程新红, 何大伟, 王中健, 徐大伟, 夏超, 宋朝瑞, 俞跃辉. 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法. CN: CN102130013A, 2011-07-20.
[49] 程新红, 何大伟, 王中健, 徐大伟, 宋朝瑞, 俞跃辉. 一种具有线性缓冲层的SOI超结LDMOS制作方法. CN: CN101916730A, 2010-12-15.
[50] 程新红, 何大伟, 王中健, 徐大伟, 宋朝瑞, 俞跃辉. 具有多层超结结构的SOI LDMOS器件制作方法. CN: CN101916729A, 2010-12-15.
[51] 程新红, 何大伟, 王中健, 徐大伟, 宋朝瑞, 俞跃辉. 一种具有多层超结结构的LDMOS器件. CN: CN101916780A, 2010-12-15.
[52] 程新红, 何大伟, 王中健, 徐大伟, 宋朝瑞, 俞跃辉. 可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构的制作工艺. CN: CN101916728A, 2010-12-15.
[53] 程新红, 何大伟, 王中健, 徐大伟, 宋朝瑞, 俞跃辉. 一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺. CN: CN101916761A, 2010-12-15.
[54] 程新红, 何大伟, 王中健, 徐大伟, 宋朝瑞, 俞跃辉. 一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法. CN: CN101924030A, 2010-12-22.
[55] 程新红, 何大伟, 王中健, 徐大伟, 宋朝瑞, 俞跃辉. 可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构. CN: CN101916779A, 2010-12-15.
[56] 程新红, 徐大伟, 王中健, 何大伟, 宋朝瑞, 俞跃辉. 一种基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法. CN: CN101950758A, 2011-01-19.
[57] 程新红, 徐大伟, 王中健, 何大伟, 宋朝瑞, 俞跃辉. 基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法. CN: CN101950757A, 2011-01-19.
[58] 程新红, 王中健, 俞跃辉, 何大伟, 徐大伟, 夏超. 具有沟槽结构的SOI高压功率器件芯片的制备方法. CN: CN101944505A, 2011-01-12.
[59] 程新红, 王中健, 俞跃辉, 何大伟, 徐大伟, 夏超. SOI高压功率器件的制备方法. CN: CN101916727A, 2010-12-15.
[60] 程新红, 何大伟, 俞跃辉, 肖德元, 王中健, 徐大朋. 一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构. CN: CN101764136A, 2010-06-30.
[61] 程新红, 何大伟, 俞跃辉, 肖德元, 王中健, 徐大朋. 一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件. CN: CN101777564A, 2010-07-14.
[62] 程新红, 何大伟, 俞跃辉, 肖德元, 王中健, 徐大朋. 一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法. CN: CN101764102A, 2010-06-30.
[63] 程新红, 何大伟, 俞跃辉, 肖德元, 王中健, 徐大朋. 一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法. CN: CN101789435A, 2010-07-28.
[64] 杨文伟, 俞跃辉, 董业民, 程新红. 局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法. CN: CN1560925A, 2005-01-05.

   

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[84] 俞跃辉, 林成鲁, 朱文化, 邹世昌, 卢江. 氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质. 电子与信息学报[J]. 1991, 第 1 作者13(5): 489-495, https://jeit.ac.cn/article/id/95032062-9836-48a3-b5eb-df82d772a02b.
[85] 俞跃辉, 邹世昌, 林成鲁, 卢江. 氧离子和氮离子共注入硅形成SOI结构的俄歇能谱研究. 半导体学报[J]. 1991, 第 1 作者12(10): 614, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105198.
[86] 林成鲁, 俞跃辉, 方子韦, 张顺开, 倪如山, 邹世昌, 李金华, P.L.F.Hemment. SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究. 中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)[J]. 1990, 第 2 作者http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104240.

   

（ 1 ） 高K栅介质材料, 负责人, 国家任务, 2009-06--2011-12
（ 2 ） 20-14nm技术代关键材料技术和产品开发（2014ZX02301003, 负责人, 国家任务, 2016-01--2018-12
（ 3 ） Ⅲ-Ⅴ族半导体衬底上铪基高k栅介质界面特性研究, 参与, 国家任务, 2012-01--2015-12
（ 4 ） 针对多层MoS2的低能等离子体可控掺杂机理及原位缺陷修饰研究, 参与, 国家任务, 2018-01--2020-12
（ 5 ） ALD等离子体系统原位钝化SiC界面及快慢双能态陷阱共轭抑制机理研究, 参与, 国家任务, 2021-01--2024-12
（ 6 ） LY, 负责人, 国家任务, 2020-01--2021-12

已指导学生

杨文伟  博士研究生  080501-材料物理与化学  

梁军  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

程新红  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

邢玉梅  博士研究生  080501-材料物理与化学  

李文钧  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

何大伟  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王中健  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

徐大伟  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

夏超  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

曹铎  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张专  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

郑理  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李静杰  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

卢仕龙  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

沈玲燕  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

顾子悦  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王谦  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李新昌  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

徐超  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张栋梁  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

钱茹  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

周文  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄晓义  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘晓博  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘少煜  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

肖雄斌  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

游晋豪  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

王达  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

周学通  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

冯竣虹  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

苏杭  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王昊  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张程  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学