基本信息
余学峰  男  博导  中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件: yuxf@ms.xjb.ac.cn
通信地址: 乌鲁木齐北京南路40号附1号
邮政编码: 830011

研究领域

半导体辐射物理

电子器件辐射效应及损伤机理

电子元器件辐射环境中的可靠性及保证技术

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
招生方向
微电子器件辐射物理
微电子器件可靠性物理与技术
辐射效应

教育背景

1982-09--1986-07   兰州大学   学士

工作经历

   
工作简历
2008-10~现在, 中科院新疆理化技术研究所, 研究员
1997-07~2008-09,中科院新疆理化技术研究所, 副研究员
1992-07~1997-07,中科院新疆物理研究所, 助理研究员
1986-07~1992-07,中科院新疆物理研究所, 研究实习员

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 星用双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究,, 一等奖, 省级, 2016
(2) ,星用器件电子束辐照效应模拟试验平台及其应用, 一等奖, 省级, 2015
(3) MOS结构热载流子注入与总剂量辐照响应的相关性, 三等奖, 省级, 2007
(4) 12、 不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性, 一等奖, 省级, 2005
(5) 中华人民共和国国务院政府特殊津贴, , 国家级, 2000
(6) 中国科学院优秀青年奖, , 院级, 1999
(7) 抗高电离辐射MOS新介质与损伤模拟分析技术的研究, 二等奖, 省级, 1998
(8) 中国青年科技奖, , 国家级, 1998
(9) 抗辐射加固技术-元器件新结构新工艺研究, 一等奖, 部委级, 1992
专利成果
[1] 郑齐文, 崔江维, 余学峰, 李豫东, 郭旗. 一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法. CN: CN112379240A, 2021-02-19.

[2] 郑齐文, 崔江维, 李小龙, 魏莹, 余学峰, 李豫东, 郭旗. 一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法. CN: CN112214952A, 2021-01-12.

[3] 郑齐文, 崔江维, 李小龙, 魏莹, 余学峰, 李豫东, 郭旗. 一种电路级总剂量辐射效应仿真方法. CN: CN112214953A, 2021-01-12.

[4] 郑齐文, 崔江维, 余学峰, 陆妩, 孙静, 李豫东, 郭旗. 一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法. CN: CN111008506A, 2020-04-14.

[5] 郑齐文, 崔江维, 余学峰, 陆妩, 孙静, 李豫东, 郭旗. 一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统. CN: CN110910946A, 2020-03-24.

[6] 孙静, 郭旗, 陆妩, 余学峰, 何承发, 施炜雷, 郑齐文, 荀明珠, 刘海涛. 一种基于PMOS剂量计的多点测量方法. CN: CN110221336A, 2019-09-10.

[7] 崔江维, 郑齐文, 魏莹, 孙静, 余学峰, 郭旗, 陆妩, 何承发, 任迪远. 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法. CN: CN108037438A, 2018-05-15.

[8] 孙静, 郭旗, 施炜雷, 于新, 何承发, 余学峰, 陆妩. 一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法. CN: CN106802427A, 2017-06-06.

[9] 郭旗, 玛丽娅·黑尼, 艾尔肯·阿不都瓦衣提, 李豫东, 文林, 周东, 张兴尧, 陆妩, 余学峰, 何承发. 一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤的测试方法. CN: CN106370629A, 2017-02-01.

[10] 郭红霞, 郭旗, 李培, 文林, 王信, 刘默寒, 崔江维, 陆妩, 余学峰, 何承发. 基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法. CN: CN104133974A, 2014-11-05.

[11] 余学峰, 丛忠超, 郭旗, 崔江维, 郑齐文, 孙静, 周航, 汪波. 一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统. CN: CN103971752A, 2014-08-06.

[12] 郭红霞, 郭旗, 张晋新, 文林, 陆妩, 余学峰, 何承发, 崔江维, 孙静, 席善斌, 邓伟, 王信. 基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法. CN: CN103645430A, 2014-03-19.

出版信息

   
发表论文
[1] Sheng Yang, Xiaowen Liang, Jiangwei Cui, Qiwen Zheng, Jing Sun, Mohan Liu, Dang Zhang, Haonan Feng, Xuefeng Yu, Chuanfeng Xiang, Yudong Li, Qi Guo. Impact of switching frequencies on the TID response of SiC power MOSFETs. 半导体学报:英文版. 2021, 42(8): 73-76, [2] 余学峰. Radiation Effects and Mechanisms on Switching Characteristics of Sili con Carbide Power MOSFETs. JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS[J]. 2021, [3] Liang, Xiaowen, Cui, Jiangwei, Zheng, Qiwen, Zhao, Jinghao, Yu, Xuefeng, Sun, Jing, Zhang, Dan, Guo, Qi. Study of the influence of gamma irradiation on long-term reliability of SiC MOSFET. RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS[J]. 2020, 175(5-6): 559-566, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000508095200001.
[4] 余学峰. A Study on Hot Carrier Reliability of Radiation Hardened H-gate PD SOI NMOSFET after Gamma Radiation. International Journal of Materials, Mechanics and Manufacturing. 2019, [5] Zhao, Jinghao, Cui, Jiangwei, Zheng, Qiwen, Zhou, Hang, Liang, Xiaowen, Yu, Xuefeng, Guo, Qi, Yu, Q, Huang, W, He, Y. Hot Carrier Reliability of Radiation Hardened T-gate PD SOI NMOSFET after TID Radiation. FIFTH SYMPOSIUM ON NOVEL OPTOELECTRONIC DETECTION TECHNOLOGY AND APPLICATIONnull. 2019, 11023: [6] Zhao, Jinghao, Zhou, Hang, Cui, Jiangwei, Zheng, Qiwen, Wei, Ying, Xi, Shanxue, Yu, Xuefeng, Guo, Qi. Comprehensive study on hot carrier reliability of radiation hardened H-gate PD SOI NMOSFET after gamma radiation. RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS[J]. 2019, 174(7-8): 606-616, [7] 余学峰. Y 射线辐照对 130 nm 部分耗尽 SOl MOS 器件栅氧经时击穿 可靠 性的影响. 红外与激光工程. 2018, [8] 余学峰, 郭旗, 孙静, 崔江维, 郑齐文, 周航, 苏丹丹, 马腾, 魏莹. 总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响. 微电子学. 2018, 48(1): 126-130, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674825011.
[9] Zheng, Qiwen, Cui, Jiangwei, Yu, Xuefeng, Lu, Wu, He, Chengfa, Ma, Teng, Zhao, Jinghao, Ren, Diyuan, Guo, Qi. Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE[J]. 2018, 65(2): 691-697, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000427694700003.
[10] Jiangwei Cui, Qiwen Zheng, Bingxu Ning, Xuefeng Yu, Kai Zhao, Ying Wei, Wu Lu, Chengfa He, Diyuan Ren, Fang Yu, Liewei Xu, Qi Guo. Hot-Carrier Effect on TID Irradiated Short-Channel UTTB FD-SOI n-MOSFETs. IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC)null. 2018, [11] Ma, Teng, Yu, Xuefeng, Cui, Jiangwei, Zheng, Qiwen, Zhou, Hang, Su, Dandan, Guo, Qi. Investigating the TDDB lifetime growth mechanism caused by proton irradiation in partially depleted SOI devices. MICROELECTRONICS RELIABILITY[J]. 2018, 81(2): 112-116, http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2017.12.016.
[12] Ma, Teng, Zheng, QiWen, Cui, JiangWei, Zhou, Hang, Su, DanDan, Yu, XueFeng, Guo, Qi. An Increase in TDDB Lifetime of Partially Depleted SOI Devices Induced by Proton Irradiation. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2017, 34(7): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=673063620.
[13] 马腾, 崔江维, 郑齐文, 魏莹, 赵京昊, 梁晓雯, 余学峰, 郭旗. 质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响. 现代应用物理. 2017, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433025.
[14] 魏莹, 崔江维, 郑齐文, 马腾, 孙静, 文林, 余学峰, 郭旗. 辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真. 现代应用物理. 2017, 8(4): 43-47, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433024.
[15] 崔江维, 郑齐文, 余徳昭, 周航, 苏丹丹, 马腾, 郭旗, 余学峰. 纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法. 固体电子学研究与进展. 2017, 433-437, VIP_JournalArticle.
[16] Zheng, Qiwen, Cui, Jiangwei, Liu, Mengxin, Su, Dandan, Zhou, Hang, Ma, Teng, Yu, Xuefeng, Lu, Wu, Guo, Qi, Zhao, Fazhan. Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin. CHINESE PHYSICS B[J]. 2017, 26(9): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000409471400003.
[17] 周航, 郑齐文, 崔江维, 余学峰, 郭旗, 任迪远, 余德昭, 苏丹丹. 总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应. 物理学报[J]. 2016, 65(9): 242-249, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1062514.
[18] Li Xiaolong, Lu Wu, Ma Wuying, Wang Xin, Zheng Yuzhan, Ren Diyuan, Guo Qi, He Chengfa, Yu Xuefeng, Aierken, Li Yudong, IEEE. Use of Temperature-Switching Approach to Evaluate the ELDRS of Bipolar Devices. 2016 16TH EUROPEAN CONFERENCE ON RADIATION AND ITS EFFECTS ON COMPONENTS AND SYSTEMS (RADECS)null. 2016, http://apps.webofknowledge.com/CitedFullRecord.do?product=UA&colName=WOS&SID=5CCFccWmJJRAuMzNPjj&search_mode=CitedFullRecord&isickref=WOS:000450759400008.
[19] Yu Dezhao, Zheng Qiwen, Cui Jiangwei, Zhou Hang, Yu Xuefeng, Guo Qi. Total dose responses and reliability issues of 65 nm NMOSFETs. JOURNAL OF SEMICONDUCTORS[J]. 2016, 37(6): 064016-1-064016-7, [20] 孙静, 陆妩, 邓伟, 郭旗, 余学峰, 何承发. 辐照温度对双极线性稳压器的辐射效应影响. 核技术[J]. 2016, 39(2): 31-36, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1062526.
[21] Zheng, QiWen, Cui, JiangWei, Zhou, Hang, Yu, DeZhao, Yu, XueFeng, Guo, Qi. Hot-Carrier Effects on Total Dose Irradiated 65 nm n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2016, 33(7): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=669386622.
[22] Zhou Hang, Zheng QiWen, Cui JiangWei, Yu XueFeng, Guo Qi, Ren DiYuan, Yu DeZhao, Su DanDan. Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 mu m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field-effect transistor induced by total ionizing dose effect. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2016, 65(9): http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4663.
[23] Zhou Hang, Cui JiangWei, Zheng QiWen, Guo Qi, Ren DiYuan, Yu XueFeng. Reliability of partially-depleted silicon-on-insulator n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor under the ionizing radiation environment. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2015, 64(8): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000354059200033.
[24] 周航, 崔江维, 郑齐文, 郭旗, 任迪远, 余学峰. 电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究. 物理学报[J]. 2015, 64(8): 250-256, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/956389.
[25] Zheng QiWen, Cui JiangWei, Zhou Hang, Yu DeZhao, Yu XueFeng, Lu Wu, Guo Qi, Ren DiYuan. Analysis of functional failure mode of commercial deep sub-micron SRAM induced by total dose irradiation. CHINESE PHYSICS B[J]. 2015, 24(10): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000363327400060.
[26] 余学峰. 静态随机存储器总剂量辐射损伤的在线与离线测试方法. 物理学报 2014年08期. 2014, [27] Zheng QiWen, Yu XueFeng, Cui JiangWei, Guo Qi, Ren DiYuan, Cong ZhongChao, Zhou Hang. Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories induced by total dose irradiation. CHINESE PHYSICS B[J]. 2014, 23(10): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/902523.
[28] 余学峰. 3. Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories induced by total dose irradiation. Chinese Physics B 2014年10期. 2014, [29] 余学峰. 7. Hot-carrier effects on irradiated deep submicron NMOSFET.. Journal of Semiconductors 2014年07期. 2014, [30] Zheng QiWen, Cui JiangWei, Yu XueFeng, Guo Qi, Zhou Hang, Ren DiYuan. Enhanced Total Ionizing Dose Hardness of Deep Sub-Micron Partially Depleted Silicon-on-Insulator n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors by Applying Larger Back-Gate Voltage Stress. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2014, 31(12): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=663123537.
[31] Cong ZhongChao, Yu XueFeng, Cui JiangWei, Zheng QiWen, Guo Qi, Sun Jing, Wang Bo, Ma WuYing, Ma LiYa, Zhou Hang. Online and offline test method of total dose radiation damage on static random access memory. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2014, 63(8): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/902490.
[32] 丛忠超, 余学峰, 崔江维, 郑齐文, 郭旗, 孙静, 周航. 半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响. 发光学报[J]. 2014, 465-469, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=1003250081.
[33] 余学峰. 4. Enhanced Total Ionizing Dose Hardness of Deep Sub-Micron Partially Depleted Silicon -on- Insulator n-Type Metal- Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors. CHIN.PHYS.LETT 2014年11期. 2014, [34] 郑齐文, 余学峰, 崔江维, 郭旗, 任迪远, 丛忠超. 总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究. 物理学报[J]. 2013, 62(11): 378-384, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/735345.
[35] 高博, 刘刚, 王立新, 韩郑生, 余学峰, 任迪远, 孙静. PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究. 原子能科学技术. 2013, 47(5): 848-853, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=46018298.
[36] Zheng QiWen, Yu XueFeng, Cui JiangWei, Guo Qi, Ren DiYuan, Cong ZhongChao. Research on SRAM functional failure mode induced by total ionizing dose irradiation. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2013, 62(11): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/735224.
[37] 卢健, 余学峰, 郑齐文, 崔江维, 胥佳灵. 不同规模SRAM辐射损伤效应的研究. 微电子学[J]. 2013, 43(3): 426-430, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/735348.
[38] Zheng Qiwen, Yu Xuefeng, Cui Jiangwei, Guo Qi, Cong Zhongchao, Zhang Xingyao, Deng Wei, Zhang Xiaofu, Wu Zhengxin. Degradation of the front and back channels in a deep submicron partially depleted SOI NMOSFET under off-state stress. Journal of Semiconductors[J]. 2013, 34(7): 074008-1, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/902386.
[39] Cui JiangWei, Yu XueFeng, Ren DiYuan, Lu Jian. The influence of channel size on total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFET. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2012, 61(2): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/524462.
[40] Gao Bo, Yu Xuefeng, Ren Diyuan, Li Yudong, Sun Jing, Cui Jiangwei, Wang Yiyuan, Li Ming. Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array. 半导体学报. 2012, 33(3): 42-47, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=41141595.
[41] 陆妩, 任迪远, 郑玉展, 王义元, 郭旗, 余学峰, 何承发. 典型器件和电路不同剂量率的辐射效应. 信息与电子工程. 2012, 10(4): 484-489, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=43166069.
[42] 李豫东, 郭旗, 陆妩, 周东, 何承发, 余学峰. CCD在不同注量率电子辐照下的辐射效应研究. 原子能科学技术. 2012, 46(3): 346-350, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=41360158.
[43] Li Ming, Yu XueFeng, Xue YaoGuo, Lu Jian, Cui JiangWei, Gao Bo. Research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2012, 61(10): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/524549.
[44] 余学峰. 1. Total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs. Journal of Semiconductors. 2012, [45] 李明, 余学峰, 薛耀国, 卢健, 崔江维, 高博. 部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究. 物理学报. 2012, 61(10): 323-329, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=42026191.
[46] 郑齐文, 余学峰, 崔江维. 超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应. 第十届全国博士生学术年会null. 2012, 200-200, http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3624.
[47] 李明, 余学峰, 许发月, 李茂顺, 高博, 崔江维, 周东, 席善斌, 王飞. 静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究. 原子能科学技术. 2012, 46(4): 507-512, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=42002738.
[48] 崔江维, 薛耀国, 余学峰, 任迪远, 卢健, 张兴尧. Total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs. 半导体学报. 2012, 33(1): 64-67, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=40725397.
[49] 崔江维, 余学峰, 任迪远, 卢健. 沟道宽长比对深亚微米NMOSFET总剂量辐射与热载流子损伤的影响. 物理学报. 2012, 61(2): 347-353, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=40817419.
[50] 卢健, 余学峰, 李明, 张乐情, 崔江维, 郑齐文, 胥佳灵. 不同偏置下CMOSSRAM辐射损伤效应. 核技术. 2012, 35(8): 601-605, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=42716121.
[51] 余学峰. 2. 沟道宽长比对深亚微米NMOSFET总剂量辐射与热载流子损伤的影响. 物理学报. 2012, [52] Wang YiYuan, Lu Wu, Ren DiYuan, Guo Qi, Yu XueFeng, He ChengFa, Gao Bo. Degradation and dose rate effects of bipolar linear regulator on ionizing radiation. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2011, 60(9): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/524557.
[53] Cui, Jiangwei, Yu, Xuefeng, Ren, Diyuan. RELATIONSHIP BETWEEN SILICON-ON-INSULATOR KINK AND RADIATION EFFECTS. INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS E[J]. 2011, 20(6): 1409-1417, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/524558.
[54] Li Ming, Lu Jian, Yu Xuefeng, Ren Diyuan, He Chengfa, GaoBo, Cui Jiangwei. Double humps and radiation effects of SOI NMOSFET. 半导体学报[J]. 2011, 32(6): 064006-1, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=38149201.
[55] 余学峰. PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应模型研究. 物理学报. 2011, [56] 李明, 余学峰, 卢健, 高博, 崔江维, 周东, 许发月, 席善斌, 王飞. PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究. 核技术. 2011, 34(6): 452-456, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=38126318.
[57] Gao Bo, Yu XueFeng, Ren DiYuan, Li YuDong, Cui JiangWei, Li MaoShun, Li Ming, Wang YiYuan. Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2011, 60(3): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/524564.
[58] 高博, 余学峰, 任迪远, 李豫东, 崔江维, 李茂顺, 李明, 王义元. 静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究. 物理学报. 2011, 60(3): 436-441, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=36939761.
[59] Wang Yiyuan, Lu Wu, Ren Diyuan, Guo Qi, Yu Xuefeng, Gao Bo. The enhanced low dose rate sensitivity of a linear voltage regulator with different biases. JOURNAL OF SEMICONDUCTORS[J]. 2011, 32(3): 71-74, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=36999627.
[60] 李茂顺, 余学峰, 任迪远, 郭旗, 李豫东, 高博, 崔江维, 兰博, 费武雄, 陈睿, 赵云. 不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应. 微电子学. 2011, 41(1): 128-132, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=36736667.
[61] 王义元, 陆妩, 任迪远, 郭旗, 余学峰, 何承发, 高博. 双极线性稳压器电离辐射剂量率效应及其损伤分析. 物理学报. 2011, 60(9): 500-508, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=39067683.
[62] 高博, 余学峰, 任迪远, 李豫东, 李茂顺, 崔江维, 王义元, 吾勤之, 刘伟鑫. 星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究. 原子能科学技术. 2011, 45(7): 888-892, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=40264961.
[63] Gao Bo, Yu XueFeng, Ren DiYuan, Cui JiangWei, Lan Bo, Li Ming, Wang YiYuan. Theorical model of enhanced low dose rate sensitivity observed in p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2011, 60(6): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/524559.
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科研活动

   
科研项目
( 1 ) 新型宇航器件总剂量辐射试验方法和评估技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2016-12
( 2 ) 半导体器件不同剂量率辐照试验, 主持, 国家级, 2010-01--2016-12
( 3 ) 新型器件试验方法和评估技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2016-12
( 4 ) SOI器件稳态试验方法研究, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
( 5 ) 微纳器件在空间不同损伤效应联合作用下的可靠性研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
( 6 ) 空间辐射效应模拟试验与评估, 主持, 部委级, 2015-12--2022-12
( 7 ) 电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子效应影响机制, 参与, 国家级, 2015-09--2019-12
( 8 ) 面向器件研制过程的总剂量辐射效应评估技术, 参与, 部委级, 2016-08--2018-06
( 9 ) 电离总剂量对纳米SRAM 器件单粒子效应的影响机制, 参与, 国家级, 2016-01--2019-12

指导学生

已指导学生

李明  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

卢健  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

于新  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

丛忠超  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

余德昭  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

苏丹丹  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

马腾  硕士研究生  085204-材料工程  

赵京昊  硕士研究生  085204-材料工程  

现指导学生

梁晓雯  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨圣  硕士研究生  080901-物理电子学  

冯皓楠  硕士研究生  085204-材料工程