基本信息
杨建荣  男  博导  中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: yangjr@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 周家嘴路2001弄16号401室
邮政编码: 200092

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
化合物半导体材料,光电探测器
半导体

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 推扫成像型籴镉汞红外焦平面组件关键技术及其航天应用, 二等奖, 国家级, 2015
(2) 航天长波红外焦平面组件技术, 一等奖, 省级, 2014
(3) 2000元中波红外线列焦平面组件, 二等奖, 省级, 2006
(4) 32×32长波红外焦平面及HgCdTe分子束外延材料, 一等奖, 省级, 1997

出版信息

   
发表论文
(1) 碲镉汞材料中Au原子迁移和浓度分布的特性, Characteristics of Au Migration and Concentration Distributions in Au-Doped HgCdTe LPE Materials, Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 2015, 第 2 作者
(2) 富碲和富镉沉淀相缺陷对碲镉汞薄膜表面缺陷的影响, Influences of Te-Rich and Cd-Rich Precipitates of CdZnTe, Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 2014, 第 4 作者
(3) 富镉热处理对碲锌镉材料中缺陷的影响, Influence of Cd-rich Annealing on Defects in Te-rich CdZnTe, Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 2014, 第 2 作者
(4) (111)B碲锌镉晶体中沉淀物缺陷形成的表面腐蚀坑, Etch pits of precipitates in CdZnTe crystals on (111)B surface, J. cryst, growth, 2012, 第 4 作者
(5) 腐蚀坑所揭示的碲锌镉材料中位错的特性, Characteristics of the dislocations in CdZnTe crystals revealed by etch pits, J.cryst. growth, 2011, 通讯作者
(6) 碲锌镉材料腐蚀坑及其特性研究, 红外与激光工程, 2010, 通讯作者
(7) 碲镉汞富碲垂直液相外延技术, 红外与毫米波学报, 2009, 第 1 作者
(8) Traces of HgCdTe defects as revealed by etch pits , J. Electronic Materials, 2008, 第 1 作者
发表著作
( 1 ) 碲镉汞材料物理与器件, Physics and Technology of HgCdTe Materials, 国防工业出版社, 2013-11, 第 1 作者