1990-06--1993-05   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   博士学位
1987-09--1990-05   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   硕士学位
1983-09--1987-06   清华大学   学士学位

   

2010-07~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 所长
1996-05~1998-06,德国罗森多夫研究中心, “洪堡”学者
1993-07~1994-05,澳大利亚联邦科学与工业研究院, 访问学者
1993-06~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员、副研究员、研究员
1990-06~1993-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士学位
1987-09~1990-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 硕士学位
1983-09~1987-06,清华大学, 学士学位

   

（1） 上海市科技功臣奖, 省级, 2017
（2） 何梁何利基金科学与技术进步奖, , 其他, 2008
（3） 中国科学院杰出科技成就奖, , 院级, 2007
（4） 国家科学技术进步奖, 一等奖, 国家级, 2006
（5） 上海市科学技术进步奖, 一等奖, 省级, 2005
（6） 中国科学院发明奖, 二等奖, 院级, 1997
（7） 中国科学院自然科学奖, 三等奖, 院级, 1992

（ 1 ） 一种可控石墨烯阵列的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103204455B

（ 2 ） 锗和III-V混合共平面的半导体结构及其制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102790054B

（ 3 ） 一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103208425B

（ 4 ） 一种制备GOI的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103165511B

（ 5 ） 硅基纳米阵列图形化衬底及硅 基外延层的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102842495B

（ 6 ） 硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102842495B

（ 7 ） 混合共平面衬底结构及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103021815B

（ 8 ） 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103137546B

（ 9 ） 一种降低Si表面粗糙度的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN 102751184B

（ 10 ） 一种降低Si表面粗糙度的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN 102751184B

（ 11 ） 混合共平面SOI衬底结构及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN103021927B

（ 12 ） 一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN 102737963B

（ 13 ） 一种图形化绝缘体上Si/CoSi2 衬底材料及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: 103137565B

（ 14 ） 一种CMOS器件及其制 作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: 201210175119

（ 15 ） 一种CMOS器件及其制 作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: 201210175119

（ 16 ） 一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201010532635.8

（ 17 ） 一种基于键合工艺的高K介质埋层的SOI材料制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201110151802.9

（ 18 ） 一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201110151803.3

（ 19 ） 一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201110151804.8

（ 20 ） 一种基于SOI衬底的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201110151806.7

（ 21 ） 混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070636

（ 22 ） 混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070642

（ 23 ） 混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070643

（ 24 ） 混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070650

（ 25 ） 混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070653

（ 26 ） 全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070633

（ 27 ） 混合材料积累型全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070645

（ 28 ） 一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上应变硅材料的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910200127.7

（ 29 ） 采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910199624.x

（ 30 ） 一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: 200910053505.3

（ 31 ） 采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: 200910055733.4

（ 32 ） 制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: 200910053503.4

（ 33 ） 基于硅硅键合和绝缘层上硅的压力传感器芯片及方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN200810036215

（ 34 ） 硅硅键合的绝缘体上硅的高温压力传感器芯片及制作方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN200810036214

（ 35 ） 绝缘体上锗硅衬底的制备方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: ZL200810200072.5

（ 36 ） 提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法, 2006, 第 3 作者, 专利号: ZL200610024846.4

（ 37 ） 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料, 2006, 第 3 作者, 专利号: ZL200610023694.6

（ 38 ） 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法, 2005, 第 3 作者, 专利号: L200510029396.3

（ 39 ） 一种绝缘体上硅的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法, 2005, 第 2 作者, 专利号: ZL200510029225.0

（ 40 ） 一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射性能的方法, 2004, 第 2 作者, 专利号: ZL200410017788.3

（ 41 ） 双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途, 2004, 第 5 作者, 专利号: ZL200410017239.6

（ 42 ） 一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03151252.6

（ 43 ） 采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03151253.4

（ 44 ） 一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法, 2003, 第 4 作者, 专利号: ZL03141886.4

（ 45 ） 鳞状碳纳米管、制备方法和专用装置, 2003, 第 3 作者, 专利号: ZL03129171.6

（ 46 ） 注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03115427.1

（ 47 ） 降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03115425.5

（ 48 ） 准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL03115424.7

   

（ 1 ） 半导体材料, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12

（1）Integration of LaLuO3/TiN Gate Stack in Strained-SiGe p-MOSFETs   W. Yu, B. Zhang, Q.T. Zhao, J.-M. Hartmann, D. Buca, A. Nichau, J.M. J. Lopes, J.Schubert   2010-12-01
（2）Fabrication of Silicon-on-Insulator Wafer by SIMOX Layer Transfer   Wei X, Zhang B, Chen M, Zhang M, Wang X, Lin CL   2008-10-06
（3）Industrial SOI Technology by Ion Implantation   Xi Wang   2008-08-31
（4）Investigation of SOI materials fabricated by etch stop thinning process   Wei X, Zhang M, Wang X, Chen M   2008-07-28