1996-08--1999-08   香港大学   理学博士
1986-09--1989-03   河北半导体研究所   工学硕士学位
1982-09--1986-07   兰州大学   理学学士学位

   

2000-03~2011-08,中国科学院半导体研究所, 研究员
1996-08~1999-08,香港大学, 理学博士
1989-03~1996-07,河北半导体研究所, 工程师
1986-09~1989-03,河北半导体研究所, 工学硕士学位
1982-09~1986-07,兰州大学, 理学学士学位

半导体材料

   

（1） 磷化铟单晶缺陷, 二等奖, 省级, 2010
（2） InP和ZnO材料缺陷研究, 一等奖, 部委级, 2003
（3） 化合物半导体InP, 二等奖, 国家级, 2002

（ 1 ） 对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN116380959A

（ 2 ） 一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116380891A

（ 3 ） 一种控制砷化铟中Ⅲ族铟和Ⅴ族砷氧化物的方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115522263A

（ 4 ） 锑化镓单晶表面的氧化层厚度的控制方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114203526A

（ 5 ） 锑化镓晶片湿法腐蚀方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114108102A

（ 6 ） 在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN113358677A

（ 7 ） 一种去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112899790A

（ 8 ） 籽晶保护装置及单晶生长方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN108546986B

（ 9 ） 背表面场GaSb热光伏电池及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN108831933B

（ 10 ） 掺硫砷化铟体单晶片、其腐蚀方法及腐蚀剂, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110965129A

（ 11 ） 砷化铟单晶片位错腐蚀液及位错腐蚀检测方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110205681A

（ 12 ） 背表面场GaSb热光伏电池及其制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108831933A

（ 13 ） 籽晶保护装置及单晶生长方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108546986A

（ 14 ） 一种制备P型锰掺杂的砷化铟单晶的方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108085744A

（ 15 ） 采用闭管化学气相传输方式生长Ga 2 O 3 单晶的方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107400919A

（ 16 ） 采用闭管化学气相传输方式生长Ga 2 O 3 单晶的方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107400919A

（ 17 ） 太阳能电池减反钝化膜及其制备方法及太阳能电池片, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107068774A

（ 18 ） 偏111晶向锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104862702A

（ 19 ） 降低衬底表面残留杂质浓度的方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103021833A

（ 20 ） ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102691108A

（ 21 ） 多晶硅碱性制绒方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102437044A

（ 22 ） 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101603208A

（ 23 ） 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101440516A

（ 24 ） 动态控制高温炉内压力的方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101440517A

（ 25 ） 闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1978713A

（ 26 ） 退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1265444C

（ 27 ） 晶片热处理用的样品架, 2003, 第 1 作者, 专利号: CN2593359Y

（ 28 ） 磷化铟单晶片的抛光工艺, 2003, 第 2 作者, 专利号: CN1402309A

   

（1） High power GaSb-based superluminescent diode with cascade cavity suppression waveguide geometry and ultra-low antireflection coating, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023, 第 8 作者
（2） High-Power, High-Efficiency GaSb-Based Laser with Compositionally Linearly Graded AlGaAsSb Layer, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2023, 第 8 作者
（3） Oxidation related particles on GaSb (1 0 0) substrate surfaces, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 第 11 作者
（4） Evaluation of LEC and VGF-InAs substrates through surface defect characterization and epitaxy growth, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 2 作者
（5） Residual stress distribution and flatness of dislocation-free Te-GaSb (100) substrate, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 第 11 作者
（6） Evaluation of residual stress in InP and InAs (100) substrates obtained from single crystals grown by LEC and VGF methods, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 2 作者
（7） Evaluation of LEC and VGF-InAs substrates through surface defect characyerization and epitaxy growth), Mater. Sci. Semicond. Pro., 2021, 第 1 作者
（8） BAs晶体生长研究进展, Research Progress of BAs Crystal Growth, 人工晶体学报, 2021, 第 2 作者
（9） 面向长距离通讯1550nm垂直腔面发射激光器的研究, 1550nm VCSELs for long-reach optical interconnects, 红外与毫米波学报, 2020, 第 6 作者
（10） A comparison of defects between InAs single crystals grown by Le\EC and VGF methods, Journal of Electronic Materials, 2020, 第 1 作者
（11） 1550 nm VCSELs for long-reach optical interconnects, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2020, 第 6 作者
（12） VGF growth of high quality InAs single crystals with low dislocation density, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 第 8 作者
（13） HCl-H2SO4-H2O solution etching behavior of InAs (1 0 0) surface, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 第 11 作者
（14） A Comparison of Defects Between InAs Single Crystals Grown by LEC and VGF Methods, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 第 11 作者
（15） Electrical conduction of carbon-ion-implanted InAs, Mater. Res. express, 2019, 第 11 作者
（16） Electrical conduction of C-implanted InAs single crystal, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2019, 第 2 作者
（17） Wet etching generation of dislocation pits with clear facets in LEC-InAs single crystals, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2019, 第 6 作者
（18） Mechanism of free electron concentration saturation phenomenon in Te-GaSb single crystal, CHINESE PHYSICS B, 2019, 第 11 作者
（19） Photoluminescene study acceptor defects in lightly doped n type GaSb single crystals, Photoluminescene study acceptor defects in lightly doped n type GaSb single crystals, 半导体学报:英文版, 2019, 第 2 作者
（20） Photoluminescene study acceptor defects in lightly doped n type GaSb single crystals, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2019, 第 2 作者
（21） Mechanism of free electron concentration saturation phenomenon in Te-GaSb single crystal, Mechanism of free electron concentration saturation phenomenon in Te-GaSb single crystal, 中国物理B:英文版, 2019, 第 11 作者
（22） Impurity band conduction in Mn-doped p type InAs single crystal, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2018, 第 2 作者
（23） LVM Spectroscopy Investigation of Complex Defects in InAs Single Crystals Grown by the LEC Method, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 第 2 作者
（24） 退火Te-GaSb的电学性质, Journal of Semiconductors, 2017, 第 11 作者
（25） Carbon agent chemical vapor transport growth og Ga2O3 crystal, Journal of Semiconductors, 2017, 第 11 作者
（26） Electrical and optical property of annealed Te-doped GaSb, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2017, 第 11 作者
（27） 低位错密度4 inchGaSb（100）单晶生长及高质量衬底制备, Growth of 4 inch Diameter GaSb (100) Single Crystal with Low Dislocation Density and High Quality Substrate Preparation, 人工晶体学报, 2017, 第 14 作者
（28） Performance improvement of c-Si solar cell by a combination of SiNx/SiOx passivation and double P-diffusion gettering treatment, Performance improvement of c-Si solar cell by a combination of SiNx/SiOx passivation and double P-diffusion gettering treatment, 半导体学报：英文版, 2017, 第 2 作者
（29） 4英寸低位错密度GaSb单晶生长及高质量衬底制备, 人工晶体学报, 2017, 第 11 作者
（30） Enhancement of below gap transmission of InAs single crystal via suppression of native defects, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2017, 第 2 作者
（31） 4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究, VGF Growth and Property of 4 inch Diameter InP Single Crystals with Low Dislocation Density, 人工晶体学报, 2017, 第 1 作者
（32） Performance improvement of c-Si solar cell by a combination of SiNx/SiOx passivation and double P-diffusion gettering treatment, Performance improvement of c-Si solar cell by a combination of SiNx/SiOx passivation and double P-diffusion gettering treatment, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2017, 第 11 作者
（33） 4英寸低位错InP单晶的VGF法生长及其性质研究, 人工晶体学报, 2017, 第 1 作者
（34） 通过消除原生缺陷提高InAs单晶的透光率, Mater. Res. Express, 2017, 第 11 作者
（35） N-type GaSb single crystals with high below-band gap transmission, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 11 作者
（36） GaSb晶片表面残留杂质分析, Residual Impurities Analysis on the Surface of Gallium Atimonide Wafers, 半导体光电, 2016, 第 7 作者
（37） Evaluation of four inch diameter VGF-Ge substrates used for manufacturing multi-junction solar cell, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 6 作者
（38） Thermally induced native defect transform in annealed GaSb, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 11 作者
（39） 晶硅电池的黑斑缺陷, 半导体光电, 2016, 第 11 作者
（40） GaSb原生缺陷的热致转变, Chin. Phys. B, 2015, 第 11 作者
（41） C H complex defects and their influence in ZnO single crystal, CHINESE PHYSICS B, 2015, 第 11 作者
（42） 不同晶向GaSb晶片表面化学组分及形貌分析, Analysis on Chemical Constituents and Surface Morphology of the Gallium Atimonide Wafers with Different Crystal Orientations, 半导体光电, 2015, 第 7 作者
（43） Chemical and electrical properties of (NH_4)_2S passivated GaSb surface, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 10 作者
（44） Improved surface and electrical properties of passivated GaSb with less alkaline sulfide solution, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2015, 第 11 作者
（45） Evaluation of four inch diameter VGF-Ge substrate used for manufacturing Multi-junction Solar Cell, Journal of Semiconductor, 2015, 第 11 作者
（46） Implantation induced defects and electrical properties of Sb-implanted ZnO, SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2015, 第 7 作者
（47） AlN原料的钨网炉高温提纯, Purification of AlN Source Material Using a Tungsten Mesh Furnace, 材料科学与工程学报, 2015, 第 7 作者
（48） Analysis of solar cells fabricated from UMG-Si purified by a novel metallurgical method, Semicond. Sci. Technol, Semiconductor Science and Technology, 2013, 第 1 作者
（49） Improvement of the surface quality of semi-insulating InP substrates through a novel etching and cleaning method, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2013, 第 2 作者
（50） Synthesis of chalcopyrite CuIn1���xGaxSe2 alloys for photovoltaic application by a novel melting method, MATERIALS LETTERS, 2013, 第 2 作者
（51） The fabrication of large-area upgraded metallurgical grade multi-crystalline silicon solar cells in a production line, MATERIALS SCIENCE FORUM, 2013, 第 2 作者
（52） Analysis of solar cells fabricated from UMG-Si purified by a novel metallurgical method, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2013, 第 2 作者
（53） Large scale purification of metallurgical silicon for solar cell by using electron beam melting, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2012, 第 3 作者
（54） Purification of metallurgical silicon through directional solidification in a large cold crucible, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2012, 第 3 作者
（55） Defect properties of as-grown and electron-irradiated te-doped gasb studied by positron annihilation, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2011, 第 6 作者
（56） Residual impurities and electrical properties of undoped LEC InAs single crystals, Residual impurities and electrical properties of undoped LEC InAs single crystals, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2010, 第 2 作者
（57） 非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究, Study of electron irradiation-induced defects in undoped semi-insulating InP, 四川大学学报：自然科学版, 2010, 第 3 作者
（58） Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal, 29th international conference on physics of semiconductors, 2010, 
（59） InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析, Analysis of Surface Morphology and Chemical Composition of InAs Single Crystal Substrate, 人工晶体学报, 2010, 第 2 作者
（60） Residual impurities and electrical properties of undoped LEC InAs single crystals, Residual impurities and electrical properties of undoped LEC InAs single crystals, 半导体学报, 2010, 第 2 作者
（61） Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal, Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal, 半导体学报, 2009, 第 1 作者
（62） Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals, Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals, 半导体学报, 2009, 第 2 作者
（63） Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals, Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals, 半导体学报, 2009, 第 2 作者
（64） Proton irradiation-induced defects in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence, JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS, 2009, 第 6 作者
（65） InP中的深能级杂质与缺陷（续）, Deep Impurities and Defects in InP (Continued), 微纳电子技术, 2008, 第 2 作者
（66） Investigation of native defects and property of bulk zno single crystal grown by a closed chemical vapor transport method, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2008, 第 2 作者
（67） 多晶AlN光学性质研究, Optical Characteristics of Poly- crystalline AIN, 光散射学报, 2008, 第 4 作者
（68） 磷扩散氧化锌单晶的性质, Characterization of Phosphorus Diffused ZnO Bulk Single Crystals, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
（69） Characterization of Phosphorus Diffused ZnO Bulk Single Crystals, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
（70） 铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质, Bulk Single Crystal Growth and Properties of In-Doped ZnC, 半导体学报, 2008, 第 2 作者
（71） Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method, SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, 2008, 第 11 作者
（72） 用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷, Defects Studies of As-Grown Single Crystal ZnO by Positron, 武汉大学学报：理学版, 2008, 第 6 作者
（73） 高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能, Improvement of the Electrical Property of Semi-Insulating VGF-GaAs Through High Temperature Annealing, 半导体学报, 2008, 第 2 作者
（74） 掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究, Defects and Properties of Antimony-Doped ZnO Single Crystal, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
（75） VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质, Defects and Properties of Low Dislocation Si-Doped GaAs Single Crystal Grown by the VGF Method, 半导体学报, 2008, 第 2 作者
（76） InP中的深能级杂质与缺陷, Deep Impurities and Defects in InP, 微纳电子技术, 2008, 第 2 作者
（77） InP中深能级缺陷的产生与抑制现象, Generation and suppression of deep level defects in InP, 物理学报, 2007, 第 1 作者
（78） 高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷, Electron irradiation induced defects in high temperature annealed InP single crystal, 物理学报, 2007, 第 2 作者
（79） GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性, Lattice Perfection of GaSb and InAs Single Crystal Substrate, 半导体学报, 2007, 第 2 作者
（80） Generation and suppression of deep level defects in InP, ACTA PHYSICA SINICA, 2007, 第 11 作者
（81） 磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响, Thermally induced Fe atom transition from substitutional to interstitial sites in InP and its influence on material property, 物理学报, 2007, 第 1 作者
（82） 空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响, Influence of Vacancy and Interstitial on Material Property of Semi-Insulating InP Single Crystal, 半导体学报, 2007, 第 1 作者
（83） 物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征, Physical Vapor Transport Growth and Characterization of Large Bulk AIN Crystal, 半导体学报, 2007, 第 2 作者
（84） 化学气相传输法大尺寸ZnO单晶生长模式控制, Growth Mode Control of Large Size ZnO Single Crystal Growth Through Chemical Vapor Transport, 半导体学报, 2007, 第 1 作者
（85） 气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制, Control of Vapor Transport Process of Large Size ZnO Single Crystal Growth, 半导体学报, 2007, 第 2 作者
（86） ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响, 半导体学报, 2006, 第 2 作者
（87） 高质量InAs单晶材料的制备及其性质, Growth and Properties of High Quality InAs Single Crystals, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
（88） 半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制, Influence of Deep Level Defects on Electrical Properties and Defect Control in Semi-Insulating InP, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
（89） 升华法生长AlN体单晶初探, Study of Sublimation Crystal Growth of Bulk AlN, 半导体学报, 2006, 第 4 作者
（90） 半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿, 半导体学报, 2006, 第 2 作者
（91） Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality, 2006 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS CONFERENCE PROCEEDINGS, 2006, 
（92） 磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
（93） 化学气相传输法生长ZnO单晶, Growth of ZnO Single Crystal by Chemical Vapor Transport Method, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
（94） 用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷, Positron Annihilation Study of Defect in Semiconductor Material GaSb, 武汉大学学报：理学版, 2006, 第 3 作者
（95） 化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究, Single Crystal Growth and Property of ZnO by Chemical Vapor Transport Method, 人工晶体学报, 2006, 第 1 作者
（96） 生长条件及退火处理对磷化铟单晶结构完整性的影响, Influence of Growth and Annealing Conditions on Perfection of InP Single Crystals, 半导体学报, 2005, 第 1 作者
（97） 半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷, Non-stoichiometry Related Deep Level Defects in Semi-insulating InP, 人工晶体学报, 2004, 第 1 作者
（98） 高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷, 中国科学：E辑, 2004, 第 2 作者
（99） 半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷, 人工晶体学报, 2004, 第 1 作者
（100） 高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷, 中国科学. E辑， 技术科学, 2004, 第 2 作者
（101） 高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法, 科技开发动态, 2004, 第 1 作者
（102） 提高（100）晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究, 人工晶体学报, 2003, 第 1 作者
（103） Preparation of Semi-Insulating Material by Annealing Undoped InP, 半导体学报, 2002, 第 1 作者
（104） 退火处理后非掺磷化铟的电传输特性, Electrical Transport Properties of Annealed Undoped InP, 半导体学报, 2002, 第 1 作者
（105） 非原生掺杂半绝缘磷化铟（InP）及其应用对比, 科学通报, 2002, 
（106） 非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性, 半导体学报, 2002, 
（107） 高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘材料, Preparation of Semi-Insulating Material by Annealing Undoped InP, 半导体学报, 2002, 第 1 作者
（108） 掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响, Influence of Fe Doping Concentration on Some Properties of Semi-Insulating InP, 半导体学报, 2002, 第 1 作者
（109） 非掺及掺铁磷化铟中的残留施主缺陷, Investigation of Residual Donor Defects in Undoped and Fe-Doped LEC InP, 半导体学报, 2002, 第 1 作者
（110） Electrical Transport Properties of Annealed Undoped InP, 半导体学报, 2002, 第 1 作者

   

（ 1 ） 高纯磷化铟多晶制备技术及晶园衬底制备, 负责人, 境内委托项目, 2020-01--2020-12
（ 2 ） 磷化铟材料, 负责人, 国家任务, 2019-10--2022-09
（ 3 ） 新型中长波红外探测器衬底GaSb和InAs单晶材料制备及应用, 负责人, 研究所自主部署, 2018-03--2020-12
（ 4 ） 高质量GaSb单晶衬底加工技术及红外探测应用, 负责人, 研究所自主部署, 2017-08--2018-12
（ 5 ） 4-6英寸InP单晶VGF生长技术, 负责人, 境内委托项目, 2017-03--2019-12
（ 6 ） 面向红外探测应用的GaSb单晶杂质、缺陷及物性研究, 负责人, 国家任务, 2015-01--2018-12

（1）C-H complex defects and their influnce in InAs single crystal   2017-10-08