基本信息
马骁宇  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: maxy@semi.ac.cn
通信地址: 海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
大功率半导体激光器

教育背景

1984-09--1987-06   吉林大学   理学硕士
1979-09--1984-06   吉林大学   理学学士

工作经历

   
工作简历
2007-12~现在, 中国科学院半导体研究所, 二级研究员
1997-11~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
1993-10~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
1987-07~现在, 中国科学院半导体研究所, 助理研究员
1984-09~1987-06,吉林大学, 理学硕士
1979-09~1984-06,吉林大学, 理学学士
社会兼职
2017-12-30-今,执勤安保技术, 成员
2015-12-29-2020-12-29,可调谐激光技术重点实验室学术委员会, 委员
2015-12-22-2019-12-25,定向能技术委员会, 委员
2010-07-31-今,中国光学学会第四届激光专业委员会, 委员
2003-05-29-今,光电子专业组, 成员
2002-03-28-今,高功率半导体激光重点实验室学术委员会, 委员

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 空间全固态激光器技术及应用, 二等奖, 国家级, 2020
(2) 高功率低偏振超辐射发光二极管模块, 一等奖, 部委级, 2019
(3) 高功率量子阱激光二极管阵列及组件, 二等奖, 部委级, 2018
(4) 大功率激光二极管及组件, 三等奖, 部委级, 2012
(5) 超辐射发光二极管模块, 二等奖, 部委级, 2009
(6) LD泵浦源封装准直整形技术研究, 二等奖, 部委级, 2009
(7) 670nm半导体量子阱激光器批量生产, 二等奖, 国家级, 2001
(8) 高功率激光二极管列阵, 二等奖, 院级, 2000
(9) 670nm半导体量子阱激光器批量生产, 一等奖, 院级, 1999
专利成果
( 1 ) 一种AlGaAs/AlGaInP混合材料的外延生长方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202010240167.0

( 2 ) 矩形平面镜夹具结构及夹持平面镜的方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: 201810546272.X

( 3 ) 手持式研磨制样夹具, 2018, 第 4 作者, 专利号: 201810659965.X

( 4 ) 波长稳定DFB激光器及切趾光栅的制备方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: 201810396843.6

( 5 ) 一种电镀夹具及其使用方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: 201810324671.1

( 6 ) 电镀夹具, 2018, 第 5 作者, 专利号: 201810319112.1

( 7 ) 磨抛夹具, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201710048549.1

( 8 ) 光纤耦合慢轴夹具装置, 2017, 第 5 作者, 专利号: ZL201610346248.2

( 9 ) 半导体激光二极管发光单元及器件, 2012, 第 4 作者, 专利号: ZL201110033774.0

( 10 ) 晶园表面脱液处理装置, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL200910242752.8

( 11 ) 高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构, 2010, 第 4 作者, 专利号: 201010157501.2

( 12 ) 一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: 201010157652.8

( 13 ) 光纤放大器种子源模块, 2010, 第 5 作者, 专利号: 201010106763.6

出版信息

   
发表论文
(1) 795 nm大功率外腔半导体激光器的研究, Research on 795 nm High Power External Cavity Semiconductor Laser, 光学学报, 2023, 第 7 作者
(2) 可调谐垂直腔面发射激光器支撑结构优化设计, 光学学报, 2023, 第 7 作者
(3) 宽温度锁定808 nm激光器阵列, 808 nm Laser Array with Wide Temperature���Locking Range, 中国激光, 2023, 第 7 作者
(4) 940 nm VCSEL 中 DBR 的反射特性分析, 中国激光, 2023, 第 8 作者
(5) 940 nm 垂直腔面发射激光器单管器件的设计与制备, 物理学报, 2023, 第 7 作者
(6) 905 nm多有源区半导体激光器芯片结构优化设计, 光学学报, 2023, 第 7 作者
(7) 1550nm高功率基横模半导体激光器及温度特性, 1550 nm High-Power Fundamental Transverse Mode Semiconductor Laser and Its Temperature Characteristics, 光学学报, 2023, 第 9 作者
(8) 高功率1060 nm锥形激光器, High Power 1060 nm Tapered Laser, 光学学报, 2022, 第 8 作者
(9) 光子晶体垂直腔面发射激光器的设计分析, Design and Analysis of Photonic Crystal Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, 光学学报, 2022, 第 7 作者
(10) 带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管, High Performance InGaAs/AlGaAs Quantum Well Semiconductor Laser Diode with Non-absorption Window, 发光学报, 2022, 第 3 作者
(11) 应变补偿多量子阱结构半导体可饱和吸收镜, Strain-Compensated Multiquantum Well Structure Semiconductor Saturable Absorber Mirror, 中国激光, 2022, 第 4 作者
(12) 对915nm InGaAsP/GaAsP初次外延片量子阱混杂的研究, Quantum Well Intermixing of 915 nm InGaAsP/GaAsP Primary Epitaxial Wafers, 光学学报, 2022, 第 5 作者
(13) 基于循环退火的Si诱导量子阱混杂研究(特邀), Research on Si-induced Quantum Well Intermixing Based on Cyclic Annealing(Invited), 光子学报, 2022, 第 7 作者
(14) Si_(x)N_(y)沉积参数对量子阱混杂效果的影响, Influence of Si_(x)N_(y) Deposition Parameters on Intermixing of Quantum Wells, 光学学报, 2022, 第 6 作者
(15) 不同Al组分的扩散阻挡层对无杂质空位诱导量子阱混杂的影响, Influence of Diffusion Barriers with Different Al Compositions on Impurity-Free Vacancy Induced Quantum Well Mixing, 中国激光, 2021, 第 6 作者
(16) 975 nm分离电极锥形半导体激光器特性分析, 中国激光, 2021, 
(17) 808nm大功率分布反馈激光器列阵研制, 发光学报, 2021, 第 1 作者
(18) Passively mode-locked Yb-doped all-fiber oscillator using self-made strain-compensated semiconductor mirrors as saturable absorbers, LASER PHYSICS, 2021, 第 8 作者
(19) 高性能9xx nm大功率半导体激光器, High Performance 9xx nm High Power Semiconductor Laser, 发光学报, 2020, 第 5 作者
(20) 高功率高可靠性9XX nm激光二极管, High-Power and High-Reliability 9XX-nm Laser Diode, 中国激光, 2020, 第 5 作者
(21) Si杂质扩散诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的研究(英文), 中国光学, 2020, 第 7 作者
(22) Intermixing in InGaAs/AlGaAs quantum Well structures induced by the interdiffusion of Si impurities, 中国光学, 2020, 第 1 作者
(23) 高性能9xx nm大功率半导体激光器(英文), 发光学报, 2020, 第 1 作者
(24) Comprehensive design and simulation of a composite reflector for mode control and thermal management of a high-power VCSEL, JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA B-OPTICAL PHYSICS, 2020, 第 4 作者
(25) Si杂质扩散诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的研究, Intermixing in InGaAs/AlGaAs quantum well structures induced by the interdiffusion of Si impurities, 中国光学, 2020, 第 7 作者
(26) High power density and temperature stable vertical-cavity surface-emitting laser with a ring close packing structure, OPTICS AND LASER TECHNOLOGY, 2020, 第 11 作者
(27) 极低内部光学损耗975 nm半导体激光器, 975 nm Semiconductor Lasers with Ultra-Low Internal Optical Loss, 光学学报, 2020, 第 3 作者
(28) 高功率半导体激光泵浦源研究进展, Research progress of high power semiconductor laser pump source, 强激光与粒子束, 2020, 第 1 作者
(29) 半导体激光器边缘绝热封装改善慢轴光束质量, Improving Slow-Axis Laser Beam Quality of Semiconductor Laser with Edge Adiabatic Package, 中国激光, 2020, 第 7 作者
(30) 808 nm宽条型激光器绝热封装改善慢轴光束质量, Improving Slow Axis Beam Quality of 808 nm Broad-area Laser Diodes with Adiabatic Package, 发光学报, 2019, 第 6 作者
(31) 915nm半导体激光器新型腔面钝化工艺, 915nm semiconductor laser new type facet passivation technology, 红外与激光工程, 2019, 第 7 作者
(32) 张应变GaInP量子阱结构变温光致发光特性, Temperature-dependent Photoluminescence Characteristics of Strained GaInP Quantum Well Structure, 光子学报, 2019, 第 7 作者
(33) 管式炉中半导体激光器巴条Au80Sn20焊料封装研究, Study on Au80Sn20 Solder Package for Semiconductor Laser Bar in Tube Furnace, 发光学报, 2019, 第 6 作者
(34) 管式炉中半导体激光器巴条封装, Packaging of Semiconductor Laser Bars in Tube Furnace, 激光与光电子学进展, 2019, 第 4 作者
(35) 808nm半导体分布反馈激光器的光栅设计与制作, Design and preparation of grating for 808nm semiconductor distributed feedback laser, 红外与激光工程, 2019, 第 5 作者
(36) 砷化镓基近红外大功率半导体激光器的发展及应用, Development and Applications of GaAs-Based Near-Infrared High Power Semiconductor Lasers, 激光与光电子学进展, 2019, 第 6 作者
(37) 大功率半导体激光器封装热应力研究, Thermal Stressin High-Power Semiconductor Laser Packaging, 中国激光, 2019, 第 5 作者
(38) Optimized arrangement of vertical avity surface emitting laser arrays to mprove thermal characteristics, J. Appl. Phys., 2019, 第 1 作者
(39) Strain compensated robust semiconductor saturable absorber mirror for fiber lasers, CHINESE OPTICS LETTERS, 2019, 第 8 作者
(40) Optimized arrangement of vertical cavity surface emitting laser arrays to improve thermal characteristics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 4 作者
(41) Thermal Stressin High-Power Semiconductor Laser Packaging, CHINESE JOURNAL OF LASERS-ZHONGGUO JIGUANG, 2019, 第 5 作者
(42) 外延叠层多有源区激光器的结构优化设计, Optimization Design of Epitaxially-Stacked Multiple-Active-Region Lasers, 光学学报, 2018, 第 5 作者
(43) 基于GaAs膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究, Impurity-free Vacancy Diffusion Induces Intermixing inGaInP/AlGaInP Quantum Wells Using GaAs Encapsulation, 发光学报, 2018, 第 5 作者
(44) 三波长合束单管激光器光纤耦合模块设计, Design of Fiber-coupled Laser Diode Module Based on Three-wavelengths Multiplexing by ZEMAX, 发光学报, 2018, 第 6 作者
(45) 碳化硅封装高功率半导体激光器散热性能研究, 中国激光, 2018, 第 1 作者
(46) 350W105μm0.22三波长单管激光器光纤耦合模块设计, 发光学报, 2018, 第 1 作者
(47) 半导体激光器双波长光纤耦合模块的ZEMAX设计, Design of double wavelengths fiber coupled module of semiconductor diode laser by ZEMAX, 红外与激光工程, 2018, 第 7 作者
(48) 915nm激光器外延结构中基于SiO2薄膜无杂质空位诱导量子阱混杂的研究, 光子学报, 2018, 第 1 作者
(49) 915 nm/974 nm单发射区半导体激光器光纤耦合模块设计, Design of 915 nm/974 nm Single-emitter Laser Diode Fiber-coupled Module, 发光学报, 2018, 第 6 作者
(50) Bulk Degradation of High Power InAlGaAs-AlGaAs Strained Quantum Well Lasers, JOURNALOFNANOSCIENCEANDNANOTECHNOLOGY, 2018, 第 7 作者
(51) 电致发光用于大功率半导体激光器失效模式分析, Failure Mode Analysis of High-power Laser Diodes by Electroluminescence, 发光学报, 2018, 第 6 作者
(52) 915 nm/974 nm单发射区半导体激光器光纤耦合模块设计, Design of 915 nm/974 nm Single-emitter Laser Diode Fiber-coupled Module, 发光学报, 2018, 第 6 作者
(53) 基于GaAs膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究, Impurity-free Vacancy Diffusion Induces Intermixing inGaInP/AlGaInP Quantum Wells Using GaAs Encapsulation, 发光学报, 2018, 第 5 作者
(54) AuSn焊料组分对半导体激光器件性能的影响, Performance of Semiconductor Laser Devices Packaged by Different AuSn Solder Composition, 发光学报, 2018, 第 8 作者
(55) Investigation on the materials of heavily Mg-doped AlInP layers for laser diode structure, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 第 6 作者
(56) 基于SiO2薄膜的915nm半导体激光器的无杂质空位诱导量子阱混合研究, Impurity-free Vacancy Diffusion Induces Quantum Well Intermixing in 915nm Semiconductor Laser Based on SiO2 Film, 光子学报, 2018, 第 5 作者
(57) 电致发光用于大功率半导体激光器失效模式分析, Failure Mode Analysis of High-power Laser Diodes by Electroluminescence, 发光学报, 2018, 第 6 作者
(58) Researching the 915 nm high-power and high-brightness semiconductor laser single chip coupling module, 半导体学报, 2017, 第 1 作者
(59) 110 W高功率高亮度915 nm半导体激光器光纤耦合模块研究, 110 W High Power and High Brightness 915 nm Fiber Coupled Laser Diode Module, 发光学报, 2017, 第 7 作者
(60) 110W high power and high brightness 915nm fiber coupled laser diode module, 发光学报, 2017, 第 1 作者
(61) 1.06 μm high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers, 1.06 ��m high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers, 半导体学报:英文版, 2017, 第 5 作者
(62) 110 W高功率高亮度915 nm半导体激光器光纤耦合模块研究, 110 W High Power and High Brightness 915 nm Fiber Coupled Laser Diode Module, 发光学报, 2017, 第 7 作者
(63) 1.06 μm high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers, 1.06 ��m high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers, 半导体学报:英文版, 2017, 第 5 作者
(64) 高功率密度激光二极管叠层散热结构的热分析, Thermal Analysis of High Power Density Laser Diode Stack Cooling Structure, 发光学报, 2016, 第 6 作者
(65) High power 980 nm broad area distributed feedback laser with first-order gratings, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 7 作者
(66) Effects of the substrate misorientation on the structural and optoelectronic characteristics of tensile GaInP quantum well laser diode wafer, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 第 11 作者
(67) Life prediction of 808nm high power semiconductor laser by accelerated life test of constant current stress, SPIE PROCEEDINGS, 2016, 第 6 作者
(68) Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate (vol 42, pg 283, 2016), MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2016, 第 7 作者
(69) Parylene 膜对半导体激光器性能的影响, 半导体技术, 2016, 第 6 作者
(70) 980 nm大功率基横模分布反馈激光器, 980 nm High-Power Fundamental Mode Distributed-Feedback Laser, 中国激光, 2016, 第 7 作者
(71) 高功率半导体激光器陶瓷封装散热性能研究, Thermal Performance of High-power Semiconductor Laser Packaged by Ceramic Submount, 发光学报, 2016, 第 6 作者
(72) Finite element analysis of expansion-matched submounts for high-power laser diodes packaging, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 2 作者
(73) Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2016, 第 7 作者
(74) Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for lambda > 1.55 mu m laser diodes, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 第 6 作者
(75) 半导体激光器光纤耦合输出光斑均匀性的研究, Study on Uniformity of Fiber Optical Spots of Semiconductor Lasers, 半导体光电, 2015, 第 9 作者
(76) Design and simulation of a novel high-efficiency cooling heat-sink structure using fluid-thermodynamics, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 6 作者
(77) GaAs基高功率半导体激光器单管耦合研究, 发光学报, 2015, 第 5 作者
(78) 带有非吸收窗口的大功率915 nm半导体激光器, High Power 915 nm Semiconductor Lasers with Non-absorbing Windows, 半导体技术, 2015, 第 4 作者
(79) 基于SiO2膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究, Impurity-Free Vacancy Diffusion Induces Intermixing in GaInP/AlGaInP Quantum Wells Using SiO_2 Encapsulation, 激光与光电子学进展, 2015, 第 6 作者
(80) Life Prediction of 808nm High Power Semiconductor Laser by Accelerated Life Test of Constant Current Stress, AOPC 2015: ADVANCES IN LASER TECHNOLOGY AND APPLICATIONS, 2015, 第 6 作者
(81) 基于SiO2膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究, Impurity-Free Vacancy Diffusion Induces Intermixing in GaInP/AlGaInP Quantum Wells Using SiO_2 Encapsulation, 激光与光电子学进展, 2015, 第 6 作者
(82) 无杂质空位诱导量子阱混杂研究及应用现状, Present Status of Impurity Free Vacancy Disordering Research and Application, 激光与光电子学进展, 2015, 第 5 作者
(83) Study of N ions implantation induced quantum well intermixing in GaInP/AlGaInP quantum well structures, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 第 7 作者
(84) Red-shift in the InGaAsP/GaInP active region using impurity free vacancy diffusion induced quantum well intermixing, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 第 6 作者
(85) An exploration of slab-coupled semiconductor lasers, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2014, 第 8 作者
(86) GaAs基半导体激光器真空解理钝化工艺研究, Study on Vacuum Cleavage Passivation Technology of GaAs Semiconductor Laser, 半导体光电, 2014, 第 7 作者
(87) Fabrication of GdBa2Cu3O7-delta films by photo-assisted-MOCVD process, PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS, 2014, 第 6 作者
(88) 半导体列阵激光器波长复合设计及实验研, Study on the Wavelength Multiplexing of Diode Laser Arrays, 半导体光电, 2014, 第 7 作者
(89) 高功率连续运转二极管列阵激光器, High Power Continuous-Wave Operating Diode Array Lasers, 半导体技术, 2014, 第 4 作者
(90) Transient thermal characteristics related to catastrophic optical damage in high power AlGaAs/GaAs laser diodes, PHYSICASTATUSSOLIDIAAPPLICATIONSANDMATERIALSSCIENCE, 2013, 第 5 作者
(91) High power single mode 980 nm AlGaInAs/AlGaAs quantum well lasers with a very low threshold current, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 第 5 作者
(92) The thermal properties of AlGaAs/GaAs laser diode bars analyzed by the transient thermal technique, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2013, 第 4 作者
(93) Improved spectral characteristics of 980 nm broad area slotted Fabry-Perot diode lasers, Improved spectral characteristics of 980 nm broad area slotted Fabry-Perot diode lasers, 半导体学报, 2012, 第 6 作者
(94) The impact of the stress induced by lateral spatial hole burning on the degradation of broad-area AlGaAs/GaAs laser diodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 4 作者
(95) Improved spectral characteristics of 980 nm broad area slotted Fabry-Perot diode lasers, Improved spectral characteristics of 980 nm broad area slotted Fabry-Perot diode lasers, 半导体学报, 2012, 第 6 作者
(96) 量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光致发光特性的影响, Effect of Quantum Well Intermixing upon Photoluminescence Behaviors in AlGaInP/GaInP Active Regions, 西安理工大学学报, 2012, 第 5 作者
(97) Study of high-power broad area distributed-feedback laser, ZHONGGUO JIGUANG/CHINESE JOURNAL OF LASERS, 2011, 第 5 作者
(98) High power885 nm laser diodes with graded optical expand structures for small divergence angle, HONGWAI YU JIGUANG GONGCHENG/INFRARED AND LASER ENGINEERING, 2011, 第 10 作者
(99) Thermal characteristic of GaAs-based laser diodes, HONGWAI YU JIGUANG GONGCHENG/INFRARED AND LASER ENGINEERING, 2011, 第 3 作者
(100) 高功率激光二极管最近进展, Optoelectronics-Devices and Applications, 2011, 第 1 作者
(101) 渐变光扩展结构减小885nm高功率激光二极管发散角, High power 885 nm laser diodes with graded optical expand structures for small divergence angle, 红外与激光工程, 2011, 第 10 作者
(102) 大功率宽条分布反馈激光器研究, Study of High-Power Broad Area Distributed-Feedback Laser, 中国激光, 2011, 第 5 作者
(103) GaAs基半导体激光器热特性, Thermal characteristic of GaAs-based laser diodes, 红外与激光工程, 2011, 第 3 作者
(104) 高效率半导体激光器波导层掺杂的优化设计, Doping Profile Optimization and Design of Waveguide Layer for Laser Diode with High Conversion Efficiency, 半导体光电, 2010, 第 7 作者
(105) 新型激光二极管列阵光束整形方法, Novel Beam-Shaping Method for LDA, 半导体技术, 2010, 第 8 作者
(106) 非对称波导结构提高980nm激光二极管电光效率的机理研究, Mechanisms of high efficiency for 980nm diode lasers with asymmetric waveguide structure, 强激光与粒子束, 2010, 第 10 作者
(107) 大功率小垂直发散角980nm量子阱激光器, High-power 980nm Quantum-well Laser Diode with a Small Vertical Divergence Angle, 半导体光电, 2010, 第 7 作者
(108) 连续百瓦级高功率半导体阵列激光器热效应分析, Thermal Analysis of High Power Diode Laser Arrays with Hundred-Watt Continuous-Wave Output Power, 激光与光电子学进展, 2010, 第 8 作者
(109) 140W高功率非对称宽波导980nm半导体激光器, 140 W high power asymmetric broad waveguide 980 nm semiconductor laser, 光电子.激光, 2009, 第 7 作者
(110) 带非吸收窗口的大功率657nm半导体激光器, High Power 657 nm Laser Diodes with Nonabsorbing Windows, 中国激光, 2009, 第 5 作者
(111) 双包层光纤激光器微棱镜反射式侧面耦合的新技术, New Reflecting Side-Pumped method of Double-Clad Fiber Laser by Micro-prism, 光学学报, 2009, 第 4 作者
(112) An asymmetric broad waveguide structure for a 0.98-μm high-conversion-efficiency diode laser, An asymmetric broad waveguide structure for a 0.98-��m high-conversion-efficiency diode laser, 半导体学报, 2009, 第 8 作者
(113) An asymmetric broad waveguide structure for a 0.98-μm high-conversion-efficiency diode laser, An asymmetric broad waveguide structure for a 0.98-��m high-conversion-efficiency diode laser, 半导体学报, 2009, 第 3 作者
(114) 半导体激光器单管准直实验研究, Study on Collimating of Semiconductor Diode Laser, 半导体技术, 2009, 第 6 作者
(115) 双包层光纤梯形微棱镜侧面耦合技术, A Side-Pumping Method of Double-Clad Fiber by Trapezoidal Micro-prism, 中国激光, 2009, 第 4 作者
(116) 双平行平面反射镜在激光二极管阵列光束整形中的应用, Study of the Beam Shaping of Laser Diode Arrays Using Two Parallel Plane Mirrors, 中国激光, 2009, 第 9 作者
(117) 国内大功率半导体激光器研究及应用现状, Present situation of investigations and applications in high power semiconductor lasers, 红外与激光工程, 2008, 第 1 作者
(118) High repetition rate Q-switched microchip Nd:YVO4 laser with pulse duration as short as 1.1 ns, OPTIK, 2008, 第 4 作者
(119) 259W准连续无铝808nm激光二极管线列阵, 259W QCW Al-Free 808nm Linear Laser Diode Arrays, 半导体学报, 2008, 第 6 作者
(120) 60%电光效率高功率激光二极管阵列, High Power Laser Diode Array with 60% Electro-Optical Efficiency, 中国激光, 2008, 第 9 作者
(121) 采用双折射晶体实现大功率半导体列阵激光器偏振复合, Polarization multiplexing of high power diode laser arrays by using a birefringent crystal, 光电子.激光, 2008, 第 8 作者
(122) Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂, AlGaInP/GaInP Quantum Well Intermixing Induced by Zinc Impurity Diffusion, 光学学报, 2008, 第 3 作者
(123) 用MOCVD方法在GaAs衬底上低温生长ZnO薄膜, Low-Temperature Growth of ZnO Films on GaAs by Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 半导体学报, 2008, 第 2 作者
(124) 大功率半导体列阵激光器的偏振复用技术研究, Study on Polarization Multiplexing Technology for High-power Diode Laser Arrays, 半导体光电, 2008, 第 7 作者
(125) 用MOCVD方法在GaAs衬底上低温生长ZnO薄膜, Low-Temperature Growth of ZnO Films on GaAs by Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 半导体学报, 2008, 第 2 作者
(126) Advances in high power semiconductor diode lasers, SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS III, 2008, 第 11 作者
(127) High performance 1689-nm quantum well diode lasers, High performance 1689-nm quantum well diode lasers, 中国光学快报:英文版, 2007, 第 5 作者
(128) 高功率980nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器的优化, High-Power Ridge-Waveguide Tapered Diode Lasers at 980nm, 半导体学报, 2007, 第 2 作者
(129) 中间镜式半导体可饱和吸收镜在Nd:YVO4激光器中被动调Q特性研究, Study for Characteristics of Laser with Central Semiconductor Passively Q-switched Nd : YVO4 SWANG Yaturable Absorption Mirror, 光子学报, 2007, 第 9 作者
(130) 电极分离的980nm锥形激光器的研制, High-Brightness Tapered Diode Lasers Emitting at 980nm with Electrically Separated Ridge Waveguide and Tapered Section, 半导体学报, 2007, 第 3 作者
(131) High performance 1689-nm quantum well diode lasers, CHINESE OPTICS LETTERS, 2007, 第 5 作者
(132) 连续锁模Nd∶YVO4激光器实现1GHz高频输出, 1 GHz Repetition Rate CW Mode-locked Nd : YVO4 Laser, 光子学报, 2007, 第 7 作者
(133) 6kW高效、高功率全固态连续波激光器, 中国激光, 2007, 第 5 作者
(134) 808nm大功率无铝有源区非对称波导结构激光器, 808 nm High-Power Lasers with Al-Free Active Region with Asymmetric Waveguide Structure, 中国激光, 2007, 第 9 作者
(135) 高功率980nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器的优化, High-Power Ridge-Waveguide Tapered Diode Lasers at 980nm, 半导体学报, 2007, 第 2 作者
(136) 高功率980nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器的优化(英文), 半导体学报, 2007, 第 2 作者
(137) 高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制, High-Power Ridge-Waveguide Tapered Diode Lasers at 14xx nm, 半导体学报, 2007, 第 2 作者
(138) 808-nm fiber coupled module with a CW output power up to 130 W, CHINESE OPTICS LETTERS, 2007, 第 2 作者
(139) High-repetition rate Q-switched Nd : YVO4 laser with a composite semiconductor absorber, APPLIED OPTICS, 2006, 第 2 作者
(140) 1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制, 光电子·激光, 2006, 第 6 作者
(141) 低温生长GaAs在Nd:YVO4激光器中调Q特性的研究, Study on the Characteristics of Q-switching Nd : YVO4 Laser with GaAs Grown at Low Temperature, 光子学报, 2006, 第 3 作者
(142) GaAs absorber grown at low temperature used in passively Q-switched diode pumped solid state laser, OPTICA APPLICATA, 2006, 第 2 作者
(143) 3kW高效、高功率全固态连续波激光器, 中国激光, 2006, 第 3 作者
(144) Influences of quantum noises on direct-modulated properties of 1.3-��m InGaAsP/InP laser diodes, CHINESE PHYSICS, 2006, 第 2 作者
(145) 实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制, Fabrication of Practical 1730nm Waveband Laser Diodes with Buried Heterojunction Structures, 半导体学报, 2006, 第 8 作者
(146) 基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐光滤波器, 半导体光电, 2006, 第 5 作者
(147) High power red-light GaInP/AlGaInP laser diodes with nonabsorbing windows based on Zn diffusion-induced quantum well intermixing, CHINESE OPTICS LETTERS, 2006, 第 8 作者
(148) 4kW高功率全固态连续波激光器, 中国激光, 2006, 第 3 作者
(149) 高功率14xxnm半导体激光器, High Power 14xxnm Strained Quantum Well Lasers, 红外, 2006, 第 2 作者
(150) 应用于大功率激光二极管列阵的单片集成微通道制冷热沉, AIN Monolithic Microchannel Cooled Heatsink for High Power Laser Diode Array, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
(151) 5.3-W Nd:YVO4 passively mode-locked laser by a novel semiconductor saturable absorber mirror, 5.3-W Nd:YVO4 passively mode-locked laser by a novel semiconductor saturable absorber mirror, 中国光学快报:英文版, 2005, 第 5 作者
(152) InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长, 半导体学报, 2005, 第 7 作者
(153) 电光腔倒空激光二极管抽运Nd:YAG锁模激光器, 光学学报, 2005, 第 9 作者
(154) 连续波500W全固态Nd:YAG激光器研究, 中国激光, 2005, 第 7 作者
(155) Contrastive study of two SESAMs for passive mode-locking in Nd:YVC>4 laser with low pump power, CHINESE OPTICS LETTERS, 2005, 第 5 作者
(156) Flash-lamp-pumped picosecond Nd:YAG regenerative amplifier, Flash-lamp-pumped picosecond Nd:YAG regenerative amplifier, 中国光学快报:英文版, 2005, 第 6 作者
(157) 低温生长GaAs实现半导体泵浦红外激光器被动调Q锁模研究, Study of Passively Q-switched Mode-locked Nd:YVO4 Infrared Laser Pumped by Diode Laser with GaAs Absorber Grown at Low Temperature, 红外, 2005, 第 6 作者
(158) 应用于大功率激光二极管列阵的单片集成微通道制冷热沉, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
(159) 大功率670nm半导体激光器的研制, Fabrication of High Power 670nm Laser Diodes, 半导体学报, 2005, 第 8 作者
(160) 大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计, Design of SCH Structure for High-Power Broad Area 808nm GaAsP/AlGaAs Quantum-Well Lasers, 半导体学报, 2005, 第 2 作者
(161) Flash-lamp-pumped picosecond Nd:YAG regenerative amplifier, CHINESE OPTICS LETTERS, 2005, 第 6 作者
(162) 半导体可饱和吸收镜作为被动调Q吸收体的发展状况, The Development of Semiconductor Saturable Absorption Mirror as Passive Q-switching Absorber, 应用光学, 2005, 第 3 作者
(163) Contrastive study of two SESAMs for passive mode-locking in Nd:YVO4 laser with low pump power, Contrastive study of two SESAMs for passive mode-locking in Nd:YVO4 laser with low pump power, 中国光学快报:英文版, 2005, 第 5 作者
(164) 用表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb:YAG激光器被动调Q锁模, 光子学报, 2005, 第 2 作者
(165) 中间镜式半导体可饱和吸收镜实现Nd:YVO4被动锁模, 中国激光, 2005, 第 2 作者
(166) 带有锥形增益区14xxnm量子阱激光器的研制, 光子学报, 2005, 第 6 作者
(167) 透射式SESAM实现掺Yb^3+光纤激光器被动调Q锁模, Passively Q-switched mode-locking in a Yb^3��� doped double-clad fiber laser with transmission type SESAM, 红外与激光工程, 2005, 第 9 作者
(168) 基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合, Low Temperature InP/GaAs Wafer Bonding Based on a Sulfide Treated Surface, 半导体学报, 2005, 第 10 作者
(169) 用高反射率型半导体可饱和吸收镜实现半导体端面泵浦Yb:YAB激光器被动锁模, Passively Mode Locked Diode-End-Pumped Yb���YAB Laser with High Reflectivity Type Semiconductor Saturable Absorption Mirror, 半导体学报, 2005, 第 2 作者
(170) 高饱和电流14xxnm应变量子阱激光器的研制, 中国激光, 2005, 第 6 作者
(171) Low-Threshold-Current and High-out-Power 660 nm Laser Diodes with a p-GaAs Current Blocking Layer for DVD-RAM/R, Low-Threshold-Current and High-out-Power 660 nm Laser Diodes with a p-GaAs Current Blocking Layer for DVD-RAM/R, 中国物理快报:英文版, 2005, 第 2 作者
(172) 4-W single transverse mode Yb3+-doped fiber laser pumped by 915-nm laser diode array, CHINESE OPTICS LETTERS, 2005, 第 6 作者
(173) 大功率连续锁模皮秒激光器单端输出超过5W, 中国激光, 2005, 第 4 作者
(174) 用高反射率型半导体可饱和吸收镜实现半导体端面泵浦Yb:YAB激光器被动锁模, Passively Mode Locked Diode-End-Pumped Yb���YAB Laser with High Reflectivity Type Semiconductor Saturable Absorption Mirror, 半导体学报, 2005, 第 2 作者
(175) 激光在汽车工业中的发展现状与应用, The Application and Present Situation of Lasers in the Automobile Industry, 应用光学, 2004, 第 2 作者
(176) 宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究, 半导体技术, 2004, 第 2 作者
(177) 半导体激光器端面泵浦Nd:YAG激光器用In0.25Ga0.75As吸收体被动锁模兼做输出镜, 半导体学报, 2004, 第 2 作者
(178) 表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb:YAG激光器被动锁模, 半导体学报, 2004, 第 2 作者
(179) 用800nm表面态方法和低温方法结合吸收区的半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光克尔镜锁模, 半导体学报, 2004, 第 2 作者
(180) 用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd:YAG激光器中的被动调Q, Passive Q-Switching in a Flash-Lamp Pumped Nd���YAG Laser with Ion-Implanted GaAs Wafer, 半导体学报, 2004, 第 3 作者
(181) 800nm布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜, 量子电子学报, 2004, 第 2 作者
(182) 半导体可饱和吸收镜失效分析及改进方法研究, 红外与激光工程, 2004, 第 2 作者
(183) Passive Q-switching of diode-pumped Yb:YAG microchip laser with ion-implanted GaAs, CHINESE OPTICS LETTERS, 2004, 第 2 作者
(184) 准连续17kW 808nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵, 中国激光, 2004, 第 3 作者
(185) 表面态型半导体可饱和吸收镜实现Nd:YAG激光器被动锁模, 光电子.激光, 2004, 第 2 作者
(186) Passive mode locking of an Yb:YAB laser with a low modulation depth SESAM, CHINESE OPTICS LETTERS, 2004, 第 0 作者
(187) 用800nm表面态方法和低温方法结合吸收区的半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光克尔镜锁模, 800nm Semiconductor Absorber with Low Temperature Method and Surface State Method Combined Absorber for Kerr Lens Modelocking of Ti���Al2O3 Laser, 半导体学报, 2004, 第 2 作者
(188) MOCVD生长薄膜材料制作半导体可饱和吸收镜, Saturable Absorption Mirror Grown by MOCVD, 光电子技术与信息, 2004, 第 2 作者
(189) 半导体激光器端面泵浦Nd:YAG激光器用In0.25Ga0.75As吸收体被动锁模兼做输出镜, Passively Mode Locked Diode-End-Pumped Nd���YAG Laser with In0.25 Ga0.75 As as Output Coupler, 半导体学报, 2004, 第 4 作者
(190) 基于InP/空气隙布拉格反射镜的长波长谐振腔光电探测器, 半导体学报, 2004, 第 10 作者
(191) 抽运腔在LD侧面抽运激光头中的应用, 中国激光, 2004, 第 3 作者
(192) 周期极化铌酸锂制作与应用, The Manufacture and Application of Periodically Poled Lithium Niobate, 应用光学, 2004, 第 2 作者
(193) 离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模, 物理学报, 2004, 第 2 作者
(194) Stable mode-locking in an Yb:YAG laser with a fast SESAM, CHINESEOPTICSLETTERS, 2003, 第 6 作者
(195) 对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究, 激光杂志, 2003, 第 4 作者
(196) 侧面抽运Nd:YAG连续激光器, 中国激光, 2003, 第 4 作者
(197) 卢瑟福背散射实验确定离子注入型半导体可饱和吸收镜研制过程中的注入剂量研究, Research on Ion-implantation Defined by Rutherford Back Scattering Channel Effect During the Manufacture of Semiconductor Saturable Absorption Mirror, 光电子技术与信息, 2003, 第 2 作者
(198) 980nm 脊型波导激光器腔面非注入区的研究, The Investigation of 980nm Ridge Waveguide Lasers with Current Non- injection Regions by Proton Implantation, 激光与红外, 2003, 第 3 作者
(199) 980mm脊开明波导激光器腔面非注放区的研究, 激光与红外, 2003, 第 3 作者
(200) 新型材料InGaNAs的生长与应用前景, Growth and Application of Novel Material: InGaNAs, 红外, 2003, 第 2 作者
(201) LD列阵泵浦的Nd:YAG和Nd:GdVO4连续激光器, 激光与红外, 2003, 第 3 作者
(202) 泵浦用大功率半导体激光器研制与应用发展状况, 光电子技术, 2003, 第 2 作者
(203) 一种新型垂直外腔面发射半导体激光器, 激光与红外, 2003, 第 2 作者
(204) 氦离子注入形成980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究, 半导体学报, 2003, 第 3 作者
(205) Optimal distance from high power laser diode to cylindrical microlens in a coupling system, CHINESE OPTICS LETTERS, 2003, 第 2 作者
(206) 60瓦半导体激光器光纤耦合器件, 高技术通讯, 2003, 第 7 作者
(207) HF/CrO_3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备, 半导体学报, 2002, 第 3 作者
(208) 激光二极管线列阵与多模光纤列阵的光纤耦合, Fiber Coupling of Laser Diode Bar to Multimode Fiber Array, 半导体学报, 2002, 第 3 作者
(209) 准连续5kW叠层激光二极管列阵, 高技术通讯, 2002, 第 6 作者
(210) High Power 940 nm Al-free Active Region Laser Diodes and Bars with a Broad Waveguide, CHINESE JOURNAL OF LASERS, 2002, 第 3 作者
(211) High Power 808nm AlGaAs/GaAs Quantum Well Laser Diodes with Broad Waveguide, 半导体学报, 2002, 第 3 作者
(212) High Power 940 nm Al-free Active Region Laser Diodes and Bars with a Broad Waveguide, CHINESE JOURNAL OF LASERS. B, 2002, 第 3 作者
(213) 基于二维表面等离子体激元的微结构, 固体电子学研究与进展, 2002, 第 9 作者
(214) 侧面泵浦Nd:YAG连续激光器, Laser Diode Side-pumped CW Nd:YAG Lasers, 激光与红外, 2002, 第 5 作者
(215) Fiber Optic Coupling of CW Linear Laser Diode Array, CHINESE JOURNAL OF LASERS, 2002, 第 3 作者
(216) 采用二甲基肼为氮源进行GaNAs的金属有机化学气相沉积生长, Metalorganic Chemical Vapor Deposition of GaNAs Alloy Using Dimethylhydrazine as Nitrogen Precursor, 半导体学报, 2002, 第 2 作者
(217) 980nm半导体激光器可靠性的研究现状分析, 激光杂志, 2002, 第 6 作者
(218) 大功率二极管泵浦固体激光器, High Power DIode Pumped Solid State Lasers, 激光与红外, 2002, 第 3 作者
(219) 低压金属有机化合物气相外延生长的 (Al_x Ga_(1-x))_(0 .5 1)In_(0 .49)P折射率测量(英文), 半导体学报, 2001, 第 3 作者
(220) Experimental Study of MQW RCE Photodetector, CHINESE JOURNAL OF LASERS, 2001, 第 6 作者
(221) 大功率激光二极管高亮度、高功率密度光纤耦合(英文), 半导体学报, 2001, 第 6 作者
(222) InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究, 光电子.激光, 2001, 第 8 作者
(223) Experimental Study of MQW RCE Photodetector, 中国激光, 2001, 第 4 作者
(224) 157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵, 半导体学报, 2000, 第 1 作者
(225) A new wavelength selective photoreceiver, CHINESE JOURNAL OF LASERS, 2000, 第 6 作者
(226) 多量子阱RCE光探测器的响应及调谐特性的实验研究, 光通信技术, 2000, 第 7 作者
(227) MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究, 半导体学报, 2000, 第 3 作者
(228) GaAs/AlGaAs谐振腔增强型光探测器的实现及其特性研究, 光电子.激光, 2000, 第 4 作者
(229) 带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵, 高技术通讯, 2000, 第 6 作者
(230) 915—980nm应变量子阱激光器新进展, 功能材料与器件学报, 2000, 第 6 作者
(231) 新型多有源区隧道再生光耦合大功率半导体激光器, 物理学报, 2000, 第 5 作者
(232) High Efficiency Al-Free 980 nm InGaAs/ InGaAsP/ InGaP Strained Quantum Well Lasers, 半导体学报, 2000, 第 3 作者
(233) A new wavelength selective photoreceiver, 中国激光, 2000, 第 4 作者
(234) High power 980 nm InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers, 中国激光, 1999, 第 0 作者
(235) High power 980 nm InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers, CHINESE JOURNAL OF LASERS, 1999, 第 13 作者
(236) AlGaInP橙色发交二极管的研制, 半导体技术, 1998, 第 2 作者
(237) 连续输出20WAlGaAs/GaAs量子阱激光二极管线列阵, 高技术通讯, 1998, 第 4 作者
(238) LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管, 半导体学报, 1998, 第 3 作者
(239) LP—MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管, 半导体学报, 1998, 第 2 作者
(240) 决定AlGaInP高亮度发光二极管光提取效率的主要因素, 光子学报, 1998, 第 3 作者
(241) 高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见激光器, 半导体学报, 1997, 第 2 作者
(242) 实用化GaInP—AlGaInP半导体量子阱可见光激光器, 高技术通讯, 1996, 第 3 作者
(243) 低压MOCVD外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料与器件应用, 半导体学报, 1996, 第 4 作者
(244) 高功率二极管泵浦固体激光器研究的进展, 强激光与粒子束, 1994, 
(245) 1.5μmInGaAsP/InP P型衬底隐埋新月型(PBC)结构激光器, 半导体学报, 1989, 第 8 作者
发表著作
( 1 ) 大功率半导体激光器的发展与应用, The development and Applications of High Power Laser Diodes, 化学工业出版社《中国材料工程大典》第12卷第11篇, 2006-03, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 高性能SESAM材料器件关键技术, 负责人, 国家任务, 2022-11--2025-10
( 2 ) 国产化半导体激光芯片及2KW@100m高亮度光纤耦合半导体激光器模块研制及产业化, 负责人, 国家任务, 2018-05--2021-04
( 3 ) 低缺陷InGaAs/InP外延材料设计与生长技术, 负责人, 国家任务, 2018-01--2020-12
( 4 ) 大功率二极管, 负责人, 境内委托项目, 2018-01--2021-12
( 5 ) 二维激光阵列, 参与, 国家任务, 2017-07--2020-06
( 6 ) 高亮度高光束质量半导体激光器, 参与, 国家任务, 2017-07--2020-06
( 7 ) 大功率半导体激光二极管阵列及模块, 负责人, 境内委托项目, 2015-01--2018-12