专利成果
[1] 张艳清, 夏洋, 李超波, 万军, 吕树玲, 陈波, 石莎莉, 李楠. 一种原子层沉积设备. CN: CN114107954A, 2022-03-01.[2] 董亚斌, 夏洋, 李超波, 张阳. 一种原子层沉积设备. CN: CN114107948A, 2022-03-01.[3] 吴朋桦, 卢维尔, 赵丽莉, 刘涛, 何萌, 屈芙蓉, 夏洋, 江雷, 吴雨辰, 孙冰朔, 李培源, 冷兴龙, 李楠. 基于柔性衬底的有机半导体阵列转移方法. CN: CN113830725A, 2021-12-24.[4] 王玥, 张凌云, 王博雨, 陈楠, 冷兴龙, 刘涛, 李楠, 赵丽莉, 刘键, 景玉鹏, 何萌, 夏洋. 近红外傅里叶变换偏振光谱仪. CN: CN113804646A, 2021-12-17.[5] 吴朋桦, 屈芙蓉, 夏洋, 江雷, 吴雨辰, 孙冰朔, 李楠, 李培源, 冷兴龙, 卢维尔, 赵丽莉, 刘涛, 何萌. 一种图案化有机半导体的制备方法及形变拉伸测试方法. CN: CN113772620A, 2021-12-10.[6] 杨胜, 夏洋, 屈芙蓉, 卢维尔, 李楠, 刘涛, 赵丽莉, 何萌. 一种用于原子层沉积系统的平板式放电装置. CN: CN113755822A, 2021-12-07.[7] 张凌云, 刘涛, 王玥, 陈楠, 李磊, 王博雨, 冷兴龙, 赵丽莉, 李楠, 刘键, 景玉鹏, 何萌, 夏洋. 近场光学偏振光谱仪. CN: CN113739920A, 2021-12-03.[8] 刘涛, 张凌云, 王玥, 陈楠, 李磊, 王博雨, 冷兴龙, 李楠, 赵丽莉, 景玉鹏, 刘键, 何萌, 夏洋. 反射式近场光学偏振光谱仪. CN: CN113739919A, 2021-12-03.[9] 王博雨, 刘涛, 张凌云, 王玥, 陈楠, 冷兴龙, 李楠, 赵丽莉, 刘键, 景玉鹏, 何萌, 夏洋. 保偏反射式近红外傅里叶变换偏振光谱仪. CN: CN113739918A, 2021-12-03.[10] 符庭钊, 王欢, 崔绍晖, 李超波, 夏洋. 一种图形转移方法. CN: CN113707541A, 2021-11-26.[11] 明帅强, 李楠, 赵丽莉, 何萌, 卢维尔, 夏洋, 文庆涛, 高雅增, 冷兴龙, 李培源, 屈芙蓉, 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一种高温原子层沉积装置和方法. CN: CN112899653A, 2021-06-04.[24] 卢维尔, 明帅强, 夏洋. 一种原子层沉积制备薄膜材料的装置和方法. CN: CN112899652A, 2021-06-04.[25] 明帅强, 卢维尔, 夏洋, 李楠, 冷兴龙, 何萌, 赵丽莉. 一种Ag 2 S薄膜的制备方法. CN: CN112899654A, 2021-06-04.[26] 明帅强, 卢维尔, 夏洋, 何萌, 冷兴龙, 李楠, 赵丽莉. 一种薄膜材料结晶的装置和方法. CN: CN112899655A, 2021-06-04.[27] 卢维尔, 明帅强, 夏洋. 一种基于乙酰丙酮银制备Ag 2 S薄膜的方法. CN: CN112899646A, 2021-06-04.[28] 卢维尔, 明帅强, 夏洋, 李楠, 赵丽莉. 一种处理Ag 2 S薄膜的方法. CN: CN112899645A, 2021-06-04.[29] 李楠, 陈波, 李培源, 夏洋, 卢维尔. 一种短脉冲激光沉积薄膜的制备方法. CN: CN112853278A, 2021-05-28.[30] 陈波, 李楠, 李培源, 夏洋. 一种沉积碳化硅薄膜的方法. CN: CN112825299A, 2021-05-21.[31] 孙冰朔, 屈芙蓉, 吴朋桦, 夏洋, 李培源, 冷兴龙. 一种制备薄膜材料的样品台和方法. CN: CN112824560A, 2021-05-21.[32] 陈波, 李楠, 李培源, 夏洋. 一种低温沉积硅碳氮氧分子薄膜的方法. CN: CN112824559A, 2021-05-21.[33] 孙冰朔, 屈芙蓉, 吴朋桦, 夏洋, 李培源, 冷兴龙. 一种用于原子层沉积的样品台和方法. CN: CN112824561A, 2021-05-21.[34] 席峰, 胡冬冬, 刘训春, 李勇滔, 李楠, 张庆钊, 夏洋. 一种进气结构. CN: CN212980552U, 2021-04-16.[35] 文庆涛, 卢维尔, 赵丽莉, 夏洋. 一种菲涅耳波带片的制备方法及菲涅耳波带片. CN: CN112558206A, 2021-03-26.[36] 文庆涛, 卢维尔, 夏洋, 李楠, 赵丽莉, 冷兴龙, 何萌. 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李楠, 李超波, 张庆钊. 一种P型氧化锌薄膜制备装置及方法. CN: CN108070843A, 2018-05-25.[65] 解婧, 卢维尔, 屈芙蓉, 李楠, 王欢, 赵丽莉, 邢建鹏, 李超波, 夏洋. 一种MOS器件原子层沉积原位制备方法. CN: CN108063089A, 2018-05-22.[66] 符庭钊, 王欢, 崔绍晖, 李超波, 夏洋. 一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法. CN: CN107665810A, 2018-02-06.[67] 李勇滔, 赵章琰, 秦威, 李英杰, 夏洋. 射频连接装置. GB: CN107431262A, 2017-12-01.[68] 张思敏, 夏洋, 卢维尔, 程嵩, 李楠. 一种用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法. CN: CN107400920A, 2017-11-28.[69] 王欢, 符庭钊, 崔绍晖, 李超波, 夏洋. 一种3D打印装置. CN: CN107379528A, 2017-11-24.[70] 王欢, 符庭钊, 崔绍晖, 李超波. 一种3D打印装置. CN: CN107283835A, 2017-10-24.[71] 王欢, 符庭钊, 崔绍晖, 李超波, 夏洋. 一种光纤夹具及光纤固定方法. CN: CN107272136A, 2017-10-20.[72] 陈波, 夏洋, 李楠. 一种基片清洗方法及装置. CN: CN107154340A, 2017-09-12.[73] 陈波, 夏洋, 李楠. 一种硅片抛光装置. CN: CN107154366A, 2017-09-12.[74] 陈波, 夏洋, 李楠. 一种硅片抛光方法及装置. CN: CN107154351A, 2017-09-12.[75] 王欢, 李超波, 路鑫超, 刘虹遥, 夏洋. 一种用于微流体系统中的对准键合结构及其制作方法. CN: CN107150996A, 2017-09-12.[76] 陈波, 夏洋, 李楠. 一种利用臭氧清洗基片的方法及装置. CN: CN107154339A, 2017-09-12.[77] 刘杰, 刘键, 冷兴龙, 屈芙蓉, 李超波, 夏洋. 一种薄膜封装方法. CN: CN107123753A, 2017-09-01.[78] 王欢, 符庭钊, 崔绍晖, 李超波, 夏洋. 一种3D打印装置. CN: CN106891005A, 2017-06-27.[79] 夏洋. 一种石墨烯材料制备方法及器件制备方法. CN: CN106744860A, 2017-05-31.[80] 卢维尔, 程嵩, 夏洋, 李楠. 一种可变电场调制的远程等离子体原子层沉积系统. CN: CN106756885A, 2017-05-31.[81] 卢维尔, 夏洋, 程嵩, 李楠, 李超波. 一种变电场原子层沉积系统的控制方法. CN: CN106756886A, 2017-05-31.[82] 卢维尔, 夏洋, 程嵩, 张庆钊, 王欢, 李楠. 一种石墨烯化学修饰方法. CN: CN106783560A, 2017-05-31.[83] 李勇滔, 夏洋, 孙小孟. 一种具有旋转工件台的全时测量PV组件功率特性的装置. CN: CN106788245A, 2017-05-31.[84] 李勇滔, 夏洋, 孙小孟. 一种具有旋转工件台的测量PV组件功率特性的装置. CN: CN106603010A, 2017-04-26.[85] 解婧, 屈芙蓉, 卢维尔, 李楠, 张庆钊, 夏洋. 一种石墨烯表面选区改性加工方法及装置. CN: CN106531613A, 2017-03-22.[86] 解婧, 屈芙蓉, 卢维尔, 李楠, 张庆钊, 夏洋. 一种原子层沉积系统原位实时检测方法及装置. CN: CN106525883A, 2017-03-22.[87] 陈波, 夏洋, 李楠. 一种用于半导体基片兆声波清洗装置. CN: CN106391557A, 2017-02-15.[88] 陈波, 夏洋, 李楠. 一种刻蚀半导体基片的方法及装置. CN: CN106409672A, 2017-02-15.[89] 窦伟, 李楠, 李超波, 夏洋. 电感耦合等离子体注入装置. CN: CN103165382B, 2016-06-29.[90] 胡冬冬, 郜晨希, 李超波, 夏洋. 一种半导体设备进气装置. CN: CN105702600A, 2016-06-22.[91] 陈波, 李楠, 夏洋. 循环供液桶. CN: CN105620879A, 2016-06-01.[92] 王文东, 夏洋, 刘金虎. 一种应用于铝基基材的Y 3 Al 5 O 12 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