高效太阳能电池，纳米热电器件，量子点光电器件，半导体微纳加工技术

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080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程

高效太阳电池，纳米热电器件
半导体微纳加工技术
微纳传感器件

2002-06--2004-06   瑞典chalmers大学   博士后
2001-08--2002-05   日本神户大学   博士后
1998-09--2001-07   中科院半导体研究所   博士

查尔默斯大学 --20040627 研究生

-- 理学博士学位

   

2004-07~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员、主任

2012-01-01-今,中国微纳学会, 会员
2011-01-01-今,OSA, 会员

半导体纳米电子学
半导体前沿讲座-半导体微纳加工技术
半导体微纳加工技术

   

（1） 中科院半导体所青年科技奖, 一等奖, 研究所（学校）, 2013
（2） 北京市科学技术一等奖, 一等奖, 省级, 2012
（3） 中国科学院研发实验服务基地测试基金三等奖, 三等奖, 院级, 2010

[1] 王晓东, 计春雪, 包怡迪, 陈啸岭, 李晔, 刘雯, 刘庆, 杨富华. 砷化镓基太阳电池表面漏电缺陷的定位方法. 2023112777937, 2023-09-28.
[2] 王晓东, 包怡迪, 刘雯, 毛旭, 刘庆, 陈啸岭, 杨富华. InAs/ GaAs1-xSbx 量子点结构. 2023112347375, 2023-09-22.
[3] 毛旭, 魏博, 余钢, 杨富华, 王晓东. 全介质X 字形凹槽超表面陷光结构GaAs 基薄膜电池及其制备方法. 2023109949904, 2023-08-08.
[4] 王晓东, 陈啸岭, 刘雯, 包怡迪, 刘庆, 杨富华. 一种混合陷光结构及其制备方法. 2023109647919, 2023-08-02.
[5] 毛旭, 余钢, 赵永梅, 魏博, 申超, 王晓东, 杨富华. 极紫外超透镜结构及电子设备. 202310473493X, 2023-04-27.
[6] 毛旭, 余钢, 赵永梅, 申超, 王晓东, 杨富华. 超透镜结构及电子设备. 2023101424931, 2023-02-17.
[7] 董慧, 颜伟, 黄镇, 李兆峰, 王晓东, 杨富华. 侧栅晶体管太赫兹探测器及其制备方法. CN: CN112670371B, 2023-01-20.
[8] 刘庆, 杨富华, 樊中朝, 刘雯, 王晓东. 衬底上高深宽比倾斜沟槽的制备方法. CN: CN115547824A, 2022-12-30.
[9] 王晓东, 宋培帅, 张明亮, 司朝伟, 何昱蓉, 魏江涛, 杨亮亮, 杨富华. 压力传感器制备方法. CN: CN115504429A, 2022-12-23.
[10] 宁瑾, 侯中轩, 韩国威, 司朝伟, 何昱容, 赵永梅, 王晓东, 杨富华. 一种MEMS开关. CN: CN115394606A, 2022-11-25.
[11] 王晓东, 宋培帅, 司朝伟, 何昱蓉, 魏江涛, 杨亮亮, 杨富华. 一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法. CN: CN115367693A, 2022-11-22.
[12] 王晓东, 包怡迪, 刘雯, 赵永强, 魏磊, 杨富华. 一种适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池的陷光结构及其制备方法. CN: CN115224147A, 2022-10-21.
[13] 杨军, 贾利芳, 樊中朝, 何志, 杨香, 王晓东, 杨富华. GaN场效应晶体管. CN: CN115101579A, 2022-09-23.
[14] 刘庆, 杨富华, 王晓东, 樊中朝. 用于半导体衬底样片的划片装置. CN: CN114323869A, 2022-04-12.
[15] 李万里, 彭轩然, 李兆峰, 杨富华, 王晓东. 等离激元激光器微腔及其制备方法. CN: CN114069383A, 2022-02-18.
[16] 刘庆, 杨富华, 王晓东, 樊中朝. 用于半导体衬底样片的划片装置. 202210002723.X, 2022-01-04.
[17] 王晓东, 赵永强, 刘雯, 包怡迪, 陈啸岭, 杨富华. 晶圆键合的欧姆接触电极退火方法. 202122591899.5, 2021-12-23.
[18] 王晓东, 马哲, 张明亮, 魏江涛, 杨亮亮, 杨富华. 一种基于声子晶体的MEMS热电器件制备方法. CN: CN113363375A, 2021-09-07.
[19] 张明亮, 秦源浩, 王晓东, 杨富华. 硒化亚铜薄膜的制备方法和表征方法. CN: CN113270533A, 2021-08-17.
[20] 张明亮, 王晓东, 杨富华. 谐振式MEMS差压压力传感器及其制备方法. CN: CN111579147B, 2021-07-06.
[21] 董慧, 颜伟, 黄镇, 李兆峰, 王晓东, 杨富华. 侧栅晶体管太赫兹探测器及其制备方法. CN: CN112670371A, 2021-04-16.
[22] 王晓东, 何昱蓉, 韩国威, 宋培帅, 杨富华. 一种基于热压键合的TSV垂直电学互连器件的制备方法. CN: CN112420604A, 2021-02-26.
[23] 王晓东, 宋培帅, 韩国威, 何昱蓉, 杨富华. 一种基于TSV的MEMS传感器垂直电学互连结构的制备方法. CN: CN112420603A, 2021-02-26.
[24] 冯佐, 李兆峰, 杨富华, 王晓东, 何玉铭, 韩伟华. 混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法. CN: CN111399117B, 2021-02-02.
[25] 杨健, 韩国威, 司朝伟, 王晓东, 宁瑾, 颜伟, 刘雯, 杨富华. 压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪. CN: CN109682364B, 2020-10-20.
[26] 刘敏, 武婧敏, 杨香, 樊中朝, 王晓东, 杨富华. 高雪崩耐量的碳化硅JBS结构及制备方法. CN: CN111477689A, 2020-07-31.
[27] 刘敏, 武婧敏, 杨香, 樊中朝, 王晓东, 杨富华. 适用于高能激光的连续衰光装置. CN: CN111474703A, 2020-07-31.
[28] 张博文, 颜伟, 黄镇, 李兆峰, 王晓东, 杨富华. 基于场效应晶体管的太赫兹波探测器的天线设计方法. CN: CN111400848A, 2020-07-10.
[29] 王晓东, 马静, 刘雯, 马哲, 宋培帅, 赵永强, 杨富华. 纳米针尖结构、复合结构及其制备方法. CN: CN111362225A, 2020-07-03.
[30] 张明亮, 杨富华, 李兆峰, 王晓东. 无掩膜按需掺杂的离子注入设备及方法. CN: CN109920713A, 2019-06-21.
[31] 马静, 刘雯, 马哲, 宋培帅, 赵永强, 杨富华, 王晓东. 基于纳米锥团簇结构的太阳电池减反射膜及其制备方法. CN: CN109860313A, 2019-06-07.
[32] 何玉铭, 韩伟华, 李兆峰, 颜伟, 王晓东, 杨富华. 气体传感器及其制备方法. CN: CN109709069A, 2019-05-03.
[33] 颜伟, 张博文, 黄镇, 李兆峰, 刘雯, 韩国威, 王晓东, 杨富华. 侧栅场效应晶体管太赫兹探测器及其制备方法. CN: CN109686810A, 2019-04-26.
[34] 杨健, 韩国威, 司朝伟, 王晓东, 宁瑾, 颜伟, 刘雯, 杨富华. 压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪. CN: CN109682364A, 2019-04-26.
[35] 何志, 樊中朝, 杨香, 王晓峰, 刘胜北, 刘敏, 赵永梅, 王晓东, 杨富华. 激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法. CN: CN109659220A, 2019-04-19.
[36] 张明亮, 季安, 王晓东, 杨富华. 一种硅硅玻璃硅四层结构谐振式MEMS压力传感器制备方法. CN: CN108254106A, 2018-07-06.
[37] 张明亮, 季安, 王晓东, 杨富华. 基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法. CN: CN108217579A, 2018-06-29.
[38] 张明亮, 季安, 王晓东, 杨富华. 基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法. CN: CN108190829A, 2018-06-22.
[39] 张明亮, 季安, 王晓东, 杨富华. 浓硼掺杂硅纳米线压阻式MEMS压力传感器的制备方法. CN: CN108147361A, 2018-06-12.
[40] 张明亮, 季安, 王晓东, 杨富华. 基于浓硼掺杂硅的可动微纳结构的制备方法. CN: CN108117041A, 2018-06-05.
[41] 张明亮, 季安, 王晓东, 杨富华. 基于二维电子气的MEMS高温压力传感器及其制备方法. CN: CN107957304A, 2018-04-24.
[42] 刘胜北, 何志, 刘斌, 刘兴昉, 杨香, 樊中朝, 王晓峰, 王晓东, 赵永梅, 杨富华, 孙国胜, 曾一平. 一种H 2 微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法. 中国: CN104538290B, 2018-01-30.
[43] 刘敏, 何志, 刘胜北, 刘兴昉, 杨香, 樊中朝, 王晓峰, 潘岭峰, 王晓东, 杨富华, 杨富华, 孙国胜, 曾一平. 一种通过激光刻蚀碳化硅制备碳化硅超结结构的方法. CN: CN105529246A, 2016-04-27.
[44] 付英春, 王晓峰, 周亚玲, 杨富华, 马刘红, 杨香, 王晓东. 垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法. CN: CN105489755A, 2016-04-13.
[45] 付英春, 周亚玲, 王晓峰, 杨富华, 马刘红, 杨香, 王晓东. 基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法. CN: CN105489756A, 2016-04-13.
[46] 付英春, 马刘红, 杨富华, 王晓峰, 周亚玲, 杨香, 王晓东. 基于锥形衬底的相变存储器的制备方法. CN: CN105390612A, 2016-03-09.
[47] 刘杨, 张明亮, 王晓东, 杨富华. 高频谐振子的谐振频率及品质因子快速测量. CN: CN105258786A, 2016-01-20.
[48] 赵永梅, 何志, 季安, 王晓峰, 黄亚军, 潘岭峰, 樊中朝, 王晓东, 杨富华. 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法. CN: CN105197881A, 2015-12-30.
[49] 毛旭, 赵永梅, 杨香, 黄亚军, 季安, 白云霞, 王晓东, 杨富华. 晶圆级光刻机键合方法. CN: CN105174209A, 2015-12-23.
[50] 周亚玲, 付英春, 王晓峰, 王晓东, 杨富华. 基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法. CN: CN105070827A, 2015-11-18.
[51] 崔利杰, 刘超, 王晓东, 曾一平. 一种三结叠层太阳能电池及其制造方法. CN: CN104916725A, 2015-09-16.
[52] 赵永梅, 何志, 季安, 刘胜北, 黄亚军, 杨香, 段瑞飞, 张明亮, 王晓东, 杨富华. 材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法. CN: CN104876180A, 2015-09-02.
[53] 马静, 刘雯, 杨添舒, 时彦朋, 杨富华, 王晓东. 将薄膜太阳电池器件粘附在其他衬底上的方法. CN: CN104659155A, 2015-05-27.
[54] 刘胜北, 何志, 刘斌, 刘兴昉, 杨香, 樊中朝, 王晓峰, 王晓东, 赵永梅, 杨富华, 孙国胜, 曾一平. 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法. CN: CN104599952A, 2015-05-06.
[55] 刘胜北, 何志, 刘斌, 杨香, 刘兴昉, 张峰, 王雷, 田丽欣, 刘敏, 申占伟, 赵万顺, 樊中朝, 王晓峰, 王晓东, 赵永梅, 杨富华, 孙国胜, 曾一平. 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法. CN: CN104538294A, 2015-04-22.
[56] 刘胜北, 何志, 刘斌, 刘兴昉, 杨香, 樊中朝, 王晓峰, 王晓东, 赵永梅, 杨富华, 孙国胜, 曾一平. 一种H 2 微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法. CN: CN104538290A, 2015-04-22.
[57] 王进泽, 杨香, 颜伟, 刘胜北, 赵继聪, 何志, 王晓东, 杨富华. 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法. CN: CN104538450A, 2015-04-22.
[58] 杨健, 司朝伟, 韩国威, 宁瑾, 赵永梅, 梁秀琴, 王晓东, 杨富华. 在衬底上制备多级台阶的方法. CN: CN104445051A, 2015-03-25.
[59] 贾利芳, 何志, 刘志强, 李迪, 樊中朝, 程哲, 梁亚楠, 王晓东, 杨富华. 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法. CN: CN104465748A, 2015-03-25.
[60] 贾利芳, 何志, 刘志强, 李迪, 樊中朝, 程哲, 梁亚楠, 王晓东, 杨富华. 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法. CN: CN104393045A, 2015-03-04.
[61] 杨添舒, 刘雯, 时彦朋, 马静, 张端, 郑婉华, 王晓东, 杨富华. 一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法. CN: CN104035158A, 2014-09-10.
[62] 祁洋洋, 张明亮, 王珍, 王晓东, 杨富华. 基于纳米线的平面热电器件的制备方法. CN: CN103904209A, 2014-07-02.
[63] 时彦朋, 王晓东, 刘雯, 杨添舒, 杨富华. 半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法. CN: CN103811590A, 2014-05-21.
[64] 时彦朋, 王晓东, 刘雯, 杨添舒, 马静, 杨富华. 半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法. CN: CN103811589A, 2014-05-21.
[65] 杨添舒, 刘雯, 时彦朋, 马静, 王晓东, 杨富华. 具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法. CN: CN103762248A, 2014-04-30.
[66] 赵永梅, 季安, 张明亮, 杨香, 宁瑾, 王晓东, 杨富华. 一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器及其制作方法. CN: CN103644999A, 2014-03-19.
[67] 赵永梅, 杨香, 季安, 张明亮, 韩国威, 宁瑾, 王晓东, 杨富华. 一种制备图形化多孔硅结构的方法. CN: CN103641063A, 2014-03-19.
[68] 王珍, 祁洋洋, 张明亮, 王晓东, 季安, 杨富华. 基于核壳结构的热电器件制备方法. CN: CN103647016A, 2014-03-19.
[69] 王珍, 祁洋洋, 张明亮, 杨富华, 王晓东. 面向片上集成的热电器件制备方法. CN: CN103515524A, 2014-01-15.
[70] 徐晓娜, 胡传贤, 樊中朝, 王晓东, 杨富华. ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法. CN: CN103258730A, 2013-08-21.
[71] 徐锐, 王晓东, 时彦朋, 刘雯, 徐晓娜. 半导体太阳电池表面的多层金属纳米颗粒结构及制备方法. CN: CN102903790A, 2013-01-30.
[72] 付英春, 王晓峰, 王晓东, 杨富华. 一种将柔性薄膜材料粘附在玻璃基底上的方法. CN: CN102496562A, 2012-06-13.
[73] 马慧莉, 王晓峰, 张加勇, 程凯芳, 王晓东, 季安, 杨富华. 相变存储器的制作方法. CN: CN102468437A, 2012-05-23.
[74] 刘雯, 王晓东, 程凯芳, 马慧丽, 王晓峰, 徐锐, 杨富华. 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法. CN: CN102433529A, 2012-05-02.
[75] 李越强, 王晓东, 徐晓娜, 刘雯, 陈燕玲, 杨富华. 一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法. CN: CN102136492A, 2011-07-27.
[76] 张加勇, 王晓峰, 马慧莉, 程凯芳, 王晓东, 杨富华. 一种平面相变存储器的制备方法. CN: CN102054934A, 2011-05-11.
[77] 张加勇, 王晓峰, 王晓东, 杨富华, 马慧莉, 程凯芳. 纳流体测试器件的制备方法. CN: CN102050427A, 2011-05-11.
[78] 张加勇, 王晓峰, 王晓东, 杨富华. 纳流体晶体管的制备方法. CN: CN102054691A, 2011-05-11.
[79] 刘雯, 李越强, 王晓东, 陈燕凌, 杨富华. 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液. CN: CN102051179A, 2011-05-11.
[80] 张加勇, 王晓峰, 马慧莉, 程凯芳, 王晓东, 杨富华. 平面相变存储器的制备方法. CN: CN102034929A, 2011-04-27.
[81] 徐晓娜, 李越强, 王晓东, 杨富华. 利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法. CN: CN102005378A, 2011-04-06.
[82] 张加勇, 王晓峰, 马慧莉, 程凯芳, 王晓东, 杨富华. 平面相变存储器的制备方法. CN: CN102005535A, 2011-04-06.
[83] 李越强, 刘雯, 王晓东, 陈燕玲, 杨富华. 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法. CN: CN101997029A, 2011-03-30.
[84] 王晓峰, 张加勇, 王晓东, 季安, 杨富华. 应用于导电桥存储器的纳米金属插塞电极阵列的制作方法. CN: CN101996935A, 2011-03-30.
[85] 王晓峰, 张加勇, 王晓东, 季安, 杨富华. 一种纳米尺寸金属插塞电极阵列的制备方法. CN: CN101996944A, 2011-03-30.
[86] 马慧莉, 王晓峰",null,null,null,null,"杨富华. 相变存储器的制作方法. CN: CN101976726A, 2011-02-16.
[87] 张加勇, 王晓峰, 马慧莉, 程凯芳, 王晓东, 杨富华. 垂直相变存储器及制备方法. CN: CN101937971A, 2011-01-05.
[88] 张加勇, 王晓峰, 马慧莉, 程凯芳, 王晓东, 杨富华. 垂直相变存储器及制备方法. CN: CN101924119A, 2010-12-22.
[89] 张加勇, 王晓峰, 杨富华, 王晓东. 制作纳米管道的方法. CN: CN101920931A, 2010-12-22.
[90] 张加勇, 王晓峰, 杨富华, 王晓东. 制作纳米尺寸间距的电极的方法. CN: CN101920932A, 2010-12-22.
[91] 马慧莉, 王晓峰, 王晓东, 杨富华. 一种相变存储器的制作方法. CN: CN101826596A, 2010-09-08.
[92] 程凯芳, 王晓峰, 王晓东, 张加勇, 马慧莉, 杨富华. 一种高密度相变存储器的制备方法. CN: CN101814579A, 2010-08-25.
[93] 张加勇, 王晓峰, 马慧莉, 程凯芳, 王晓东, 杨富华. 垂直相变存储器的制备方法. CN: CN101794862A, 2010-08-04.
[94] 张加勇, 王晓峰, 马慧莉, 程凯芳, 王晓东, 杨富华. 一种平面相变存储器的制备方法. CN: CN101789492A, 2010-07-28.
[95] 张加勇, 王晓峰, 王晓东, 杨富华. 纳流体测试器件的制备方法. CN: CN101759142A, 2010-06-30.
[96] 张加勇, 王晓峰, 田晓丽, 杨富华, 王晓东. 一种纳米尺寸相变存储器的制作方法. CN: CN101764196A, 2010-06-30.
[97] 田晓丽, 王晓峰, 张加勇, 杨富华, 王晓东. 一种制作纳米尺寸相变存储器的方法. CN: CN101764197A, 2010-06-30.
[98] 张加勇, 王晓峰, 田晓丽, 杨富华, 王晓东. 一种制作纳米尺寸相变存储器的方法. CN: CN101764195A, 2010-06-30.
[99] 王晓东, 樊中朝, 季安, 邢波, 杨富华. 一种复合膜片压力传感器结构. CN: CN101726384A, 2010-06-09.
[100] Li, Jinmin, Wang, Xiaodong, Wang, Guohong, Wang, Liangchen, Yang, Fuhua. Fabrication method of GaN power LEDs with electrodes formed by composite optical coatings. CN: US7704764(B2), 2010-04-27.
[101] 李晋闽, 王晓东, 王国宏, 王良臣, 杨富华. 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法. CN: CN101355118A, 2009-01-28.
[102] 王晓东, 季 安, 邢 波, 杨富华. 一种生长二氧化硅薄膜的方法. CN: CN101211780A, 2008-07-02.
[103] 白一鸣, 陈诺夫, 戴瑞烜, 王鹏, 王晓东. 具有布拉格反射器的n + /p型高抗辐照GaAs太阳电池. CN: CN1941422A, 2007-04-04.
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[136] 封松林, 王海龙, 汪辉, 牛智川, 王晓东. 低温GaAs外延层上生长InAs量子点的研究. 红外与毫米波学报[J]. 2000, 第 5 作者19(3): 177, http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18361.
[137] 汪辉王海龙, , , , . 生长停顿对量子点激光器的影响. 红外与毫米波学报[J]. 2000, 19(5): 347-350, http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/article/abstract/20000589?st=article_issue.
[138] 封松林, 王海龙, 朱海军, 王晓东, 汪辉, 江德生, 宁东. Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性. 发光学报[J]. 2000, 第 4 作者21(1): 20, http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18529.
[139] 宁东, 汪辉, 郭忠圣, 封松林, 王晓东, 王海龙, 朱海军. 原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善. 红外与毫米波学报[J]. 2000, 第 5 作者19(3): 191, http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18359.
[140] 汪辉, 封松林, 王海龙, 王晓东, 朱海军. 室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器. 半导体学报[J]. 1999, 第 4 作者20(4): 328-332, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=3452974.
[141] 王晓东, 徐祖雄, 马如璋. 巨磁电阻材料La_（2/3）Ca_（1/3）Mn（O_（1-x），F_x）_3的研究. 中国科学. A辑数学[J]. 1999, 第 1 作者29(2): 150, http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19037.
[142] 王晓东, 徐祖雄. 巨磁电阻材料La2／3Ca1／3Mn1—xFexO3的研究. 中国科学：A辑[J]. 1999, 第 1 作者29(2): 150, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=3444312.
[143] 王晓东, 马如璋, 徐祖雄. 巨磁电阻材料La2／3Ca1／3Mn1—xFexO3的研究. 中国科学：A辑[J]. 1999, 第 1 作者29(2): 150, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=3444312.
[144] 王海龙, 朱海军, 封松林, 宁东, 汪辉, 王晓东, 江德生. EFFECT OF DOPANT ON THE UNIFORMITY OF InAsSELF-ORGANIZED QUANTUM DOTS. 物理学报[J]. 1999, 第 6 作者8(8): 624, http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19041.
[145] 王海龙朱海军. 杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响. 红外与毫米波学报[J]. 1999, 18(6): 423-426, http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/article/abstract/199906119?st=article_issue.

（ 1 ） 高效太阳能电池, High efficiency solar cells, Springer, 2013-12, 第 1 作者
（ 2 ） 纳米热电学, Nanoscale Thermoelectrics, Springer, 2013-12, 第 1 作者

   

（ 1 ） 面向片上集成的纳米热电结构及其制冷器件研究, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
（ 2 ） 基于纳米陷光结构的柔性高效薄膜太阳电池研究, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12
（ 3 ） 基于锑化物超晶格的热电结构及其器件研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
（ 4 ） 分立量子点可控高效纳米发光器件机理及制备基础研究, 参与, 国家级, 2013-01--2017-12
（ 5 ） 功率器件用硅基GaN外延片研究, 主持, 省级, 2013-07--2015-06
（ 6 ） 光电子芯片加工, 主持, 院级, 2016-08--2017-05
（ 7 ） 光子束超衍射纳米加工技术与应用基础研究, 参与, 国家级, 2009-01--2014-12

（1）Double sided nanopyramid arrays for broad spectrum absorption enhancement in ultrathin-film solar cells   2016-06-05
（2）低维混合纳米结构的陷光效应及机理研究   第二十届全国半导体物理学术会议   2015-07-16

已指导学生

程凯芳  02  19245  

徐锐  02  19245  

王珍  02  63233  

马静  02  63338  

贾利芳  01  19245  

刘杨  02  19245  

周亚玲  02  19245  

现指导学生

张淑媛  01  19245  

刘雨生  02  63338  

邓凌霄  02  19245  

马哲  02  19245  

宋培帅  02  63338  

杨健  01  19245